KR20080030621A - 퍼플루오로사이클로알칸의 플라스마 중합에 의한 기능성탄화불소 고분자 층의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 저압 플라스마 방법에 의해 기판, 예를 들어 금속, 고분자, 세라믹 재료 및/또는 직물 위에 탄화불소 층을 제조하는 방법 및 이에 의해 제조되는 제품에 관련된다.

플라스마 중합, 기능성 탄화불소 고분자 층

Description

퍼플루오로사이클로알칸의 플라스마 중합에 의한 기능성 탄화불소 고분자 층의 제조방법{METHOD OF PRODUCING FUNCTIONAL FLUOROCARBON POLYMER LAYERS BY MEANS OF PLASMA POLYMERIZATION OF PERFLUOROCYCLOALKANES}

본 발명은 저압 플라스마 방법에 의해 기판, 예를 들어 금속, 고분자 및/또는 직물 위에 탄화불소 층을 제조하는 방법 및 이에 의해 제조되는 제품에 관련된다.

탄화불소 층은 바람직하게는 기판 위에 적어도 부분적으로 구배층으로 제조된다. 무형의 형태 없는 물질의 부착층을 기판, 작업물 또는 담체 시트에 도포하는 코팅 방법, 즉 마감 방법은 공지되어 있다. 이 코팅 방법은 기판 위의 코팅이 가스 또는 증기 상태로부터 제조될 수 있는 코팅 방법을 포함한다. 후자의 코팅 방법은 플라스마 코팅 방법을 포함한다. 이러한 방법은 플라스마에서 일어나는 화학 반응, 특히 플라스마 중합 방법을 이용하며, 여기서 플라스마란 용어는 외부에 대해 전기적으로 중성이고 여러 가지 형태의 여기에 의해 전기적으로 에너지를 받은 중성 입자, 자유 라디칼, 이온 및 전자를 함유하고 플라스마에 노출되는 기판 위에 화학 물질, 특히 고분자의 형태로 증착되는 가스를 말하는 것으로 이해된다. 그러나, 공지된 플라스마 방법은 플라스마 반응, 특히 플라스마 중합에 의해 기판에 도포되는 층의 부착에 대해서는 개선될 수 있었다. 이들은 또한 많은 도포를 위해 가능한 낮아야 하는 이들의 전체 표면 에너지에 대한 개선의 여지가 있다. 또한, 다른 재료에 대한 부착이 가능한 적고 따라서 내점착성을 확보하는 코팅을 제공하는 것이 바람직하다.

공지된 코팅은 이들이 개선될 수 있는 미끄럼 및 점착 마찰 성질을 갖는 것을 특징으로 한다. 표면의 마찰-감소 성질로 인해 개선된 미끄럼 및 점착 마찰, 즉 낮은 마찰을 제공하는 것이 바람직하다. 최종적으로, 물질이 예를 들어 산과 염기로 인한 화학적 공격 또는 마모 응력과 같은 외부 영향으로부터 보호되도록 플라스마 코팅을 설계하는 것이 바람직하다.

따라서, 본 발명이 기초로 하는 기술적 과제는 상술한 목적을 달성하고 상술한 불리함을 극복하는 코팅 방법 및 코팅을 제공하는 것이다.

본 발명은 저압 플라스마 공정에 의해 기판 위에 탄화불소 층을 제조하는 방법을 제공함으로써 상기 기술적 과제를 해결하며, 이 방법에서 기판이 제공되고 플라스마가 고리형 탄화불소 화합물을 함유하는 반응 가스로부터 적어도 2개의 전극 사이의 고주파 방전에 의해 생성되며, 이후 중합성 탄화불소 화합물을 함유 또는 포함하는 층이 기판에 증착 및/또는 도포된다. 바람직한 태양에서, 중합성 탄화불소 화합물을 함유 또는 포함하는 층은 기판에 구배층으로 증착되며, 예를 들어 이들은 구배층으로 도포된다. 다른 바람직한 태양에서, 중합성 탄화불소 화합물을 함유 또는 포함하는 층의 일 부분, 특히 바람직하게는 첫 번째 부분이 기판에 구배층으로 증착, 예를 들어 구배층으로 도포된다. 따라서 본 발명은 기능성 코팅으로 역할을 하고 전구체(출발 재료)로서 고리형 탄화불소 화합물, 특히 퍼플루오로사이클로알칸을 함유 및/또는 이로 구성되는 반응 가스로부터 탄화불소 고분자의 형태로 증착되는 탄화불소 화합물을 기판에 도포하기 위해 플라스마 중합 공정이 사용되는 방법을 제공한다. 퍼플루오로사이클로알칸 플라스마에서, 퍼플루오로사이클로알칸의 탄소 고리가 파괴 개방된다. 이는 플라스마 중합 공정, 특히 높은 플라스마 동력 입력에서 고도로 가교 결합하고, 또한 특히 낮은 플라스마 동력 입력에서 긴-사슬 탄화불소의 형성을 촉진하는 일명 바이라디칼을 생성한다. 그 결과, 높은 플라스마 동력 입력의 경우, 기계적 마모 응력에 대해 좋은 층 안정성, 즉 고도의 가교 결합 및 좋은 안정성이 달성될 수 있으며, 반면에 낮은 플라스마 동력 입력에서 20 mN/m 이하의 매우 낮은 표면 에너지가 달성될 수 있다.

기판, 특히 금속, 플라스틱, 고분자, 세라믹 및 직물 위에 기능화된 층, 특히 탄화불소 층을 제조하는 본 발명의 방법은 플라스마 중합에 의해 금속, 플라스틱, 고분자, 세라믹 및 직물에 도포되는 층의 매우 좋은 부착이 달성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법은 낮은 전체 표면 에너지, 즉 20 mN/m 이하의 분산된 양의 극성 성분의 표면 에너지 및 소수성화가 달성될 수 있도록 상기 기판의 표면을 기능화시킨다. 또한, 본 발명의 방법은 부착을 감소시키기 위해 다른 재료에 대해 도포된 층의 특히 유리한 내점착성을 제공하는 것을 가능하게 한다. 본 발명은 도포된 플라스마 고분자 층에 고무 화합물, 스테인리스 스틸 또는 납땜과 같은 주조한 금속 합금의 부착에서 감소를 유리하게 허용한다.

또한, 본 발명은 도포된 플라스마 코팅이 산, 염기 또는 용매로 인한 화학적 공격 또는 기계적 마모 응력과 같은 외부 영향으로부터 코팅된 기판을 보호하는 유리함을 제공한다. 최종적으로, 본 발명은 코팅된 기판의 표면이 마찰-감소 성질을 가지며, 즉 미끄럼 마찰 및 점착 마찰이 모두 감소하는 것을 특징으로 한다.

특히 바람직한 태양에서, 본 발명은 기판을 코팅하는 방법에 관련되며, 이 경우 특히 금속, 스테인리스 스틸, 플라스틱, 고분자, 세라믹 재료, 직물 및/또는 이들의 복합 재료가 기판으로 사용된다. 금속은 바람직하게는 합금, 특히 알루미늄 합금 또는 스테인리스 스틸일 수 있다. 플라스틱 또는 고분자는 특히 PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트), PC(폴리카보네이트), PP(폴리프로필렌) 또는 PMMA(폴리메틸 메타크릴레이트)일 수 있다. 직물은 특히 면직물, PET 또는 PP 직물일 수 있다. 기판은 바람직한 태양에서 막, 특히 다공성 막일 수 있다.

본 발명의 플라스마 코팅에 의해, 코팅되는 기판, 특히 그 표면은 소수성뿐 아니라 소유성으로 마감될 수 있다. 본 발명의 바람직한 태양에서, 본 발명의 플라스마 코팅은 특히 표면을 소유성 및 소수성으로 설계하기 위해, 고분자, 금속성 또는 세라믹 막, 특히 다공성 막에 도포된다. 용매, 예를 들어 연료에 의한 표면의 습윤은 플라스마 코팅에 의해 많이 감소하지만, 막은 증기에 대해 투과 가능한 상태로 남는다. 본 발명에 따르면, 본 발명에 따라 플라스마-코팅된 막의 사용은 벤팅 탱크 시스템 또는 탱크용으로 바람직하다.

다른 바람직한 태양에서, 본 발명은 퍼플루오로사이클로알칸, 특히 C_nF_2n(여기서 n = 3, 4 또는 5)을 함유하는 고리형 탄화불소 화합물을 이용한 상술한 형태의 방법에 관련된다. 다른 바람직한 태양에서, 사용되는 퍼플루오로사이클로알칸은 퍼플루오로사이클로프로판(C₃F₆, CAS 931-91-9), 퍼플루오로사이클로부탄(C₄F₈, CAS 115-25-3) 또는 퍼플루오로사이클로펜탄(C₅F₁₀, CAS 376-77-2)이다.

다른 바람직한 태양에서, 본 발명은 플라스마가 고주파 방전으로, 특히 13.56 MHz에서 발생하는 것을 제안한다. 본 발명에 따르면, 플라스마 방전의 주파수 범위는 27.12 MHz 또는 2.45 GHz 특히 13.56 MHz이어야 한다.

다른 바람직한 태양에서, 플라스마를 발생하는데 사용되는 전극 물질이 제공된다.

다른 바람직한 태양에서, 기판은 접지된 전극 또는 고주파로 공급되는 전극 위에 있다.

다른 바람직한 태양에서, 코팅 공정, 즉 반응 가스에서 형성되는 물질의 기판으로의 도포는 0.03 mbar 내지 1 mbar의 압력 범위에서 수행된다.

다른 바람직한 태양에서, 플라스마를 형성하는데 사용되는 고리형 탄소 화합물, 즉 전구체, 특히 퍼플루오로사이클로알칸 전구체의 가스 흐름은 반응기 부피의 L당 0.5 ㎤/min 내지 반응기 부피의 L당 15 ㎤/min에 이른다. 단위 ㎤/min는 단위 sccm에 상응한다.

다른 바람직한 태양에서, 고주파 방전을 위한 동력 입력은 전극 면적의 단위당 0.007 W/㎠ 내지 0.2 W/㎠에 이르며, 특히 0.1 W/㎠이다.

다른 바람직한 태양에서, 코팅 공정은 15분까지, 특히 1 내지 15분, 바람직하게는 10 내지 15분의 기간 동안 계속된다.

다른 바람직한 태양에서, 도포되는 고분자 탄화불소 층에서 얻어지는 층 두께는 50 내지 300 ㎚, 바람직하게는 100 내지 300 ㎚, 특히 200 내지 300 ㎚이다.

다른 바람직한 태양에서, 바람직하게는 외부에서 조절되는 일명 바이어스 전압이 특히 코팅 공정 중에 2개의 전극 중 하나에 바람직하게는 0부터의 범위, 바람직하게는 1 내지 100 V로 적용되고, 가교 결합 및 층 부착의 정도가 유리한 방식으로 더욱 개선될 수 있다.

다른 바람직한 태양에서, 바람직하게는 외부에서 조절되는 일명 바이어스 전압이 2개의 전극 중 하나에 적용되고 바람직하게는 0부터의 범위, 특히 1 내지 100 V에서 계속해서 바뀐다. 바이어스 전압은 특히 바람직하게는 1 V 내지 100 V에서 계속해서 증가한다.

바이어스 전압의 계속적인 증가를 통해, 탄화불소 층의 가교 결합 정도가 바뀔 수 있다. 이렇게 기판 위의 탄화불소 층에서, 특히 바람직하게는 구배층에서 부착 강도 및 응력이 바뀔 수 있다. 높은 바이어스 전압으로 인해, 하전 입자가 기판을 향해 큰 폭으로 가속되기 때문에 이온 충격이 증대된다. 탄화불소 층, 특히 바람직하게는 구배층은 이에 따라 큰 폭으로 가교 결합한다.

다른 바람직한 태양에서, 기판은 선택적으로는 플라스마 코팅 전에 예비처리 플라스마, 예를 들어 희가스, 특히 아르곤 또는 수소 또는 희가스의 혼합물, 특히 아르곤과 수소로 선택적으로 예비처리되며, 즉 특히 자유 결합 부위를 생성하도록 기판은 세척되고 기판 표면은 화학적으로 활성화된다. 이에 따라 표면은 자유 라디칼 부위의 생성에 의해 화학적으로 활성화되고 필요할 경우 약간 에칭되고 가교 결합한다. 그 결과는 기판에 유리한 방식으로 도포되는 중합성 탄화불소 화합물의 특히 좋은 부착이다.

본 발명에 따라 바람직한 기판의 플라스마 예비처리는 바람직한 태양에서 0.03 내지 2 mbar, 바람직하게는 0.03 내지 1 mbar의 전체 가스 압력에서 유리한 방식으로 일어난다. 특히 바람직한 태양에서, 희가스, 특히 아르곤과 수소에 대한 가스 흐름은 개별적으로 조절되며; 바람직한 방식에서, 가스 흐름은 반응기 부피의 L당 2 ㎤/min부터 반응기 부피의 L당 35 ㎤/min까지 이른다. 동력 절감은 유리하게는 0.07 내지 0.3 watt/㎠에 이른다.

바람직한 방식에서, 선택적 예비처리의 일부로서, 동력 입력은 처리되는 기판의 기능으로 선택된다. 따라서, 바람직한 방식에서, 0.3 W/㎠까지, 특히 0.001 내지 0.3 W/㎠의 동력 밀도가 금속에 대해 사용된다. 바람직한 방식에서, 기판으로서 플라스틱을 사용할 때 0.2 W/㎠까지, 특히 0.001 내지 0.2 W/㎠의 동력 밀도가 사용된다.

바람직한 방식에서, 기판의 예비처리는 15분까지, 특히 1 내지 15분, 바람직하게는 10 내지 15분의 기간 동안 수행된다.

본 발명에 따른 특히 바람직한 태양에서, 탄화불소 화합물의 원하는 층이 기판이 제공된 직후 도포되며, 즉 원하는 기능화가 수행된다. 그러나, 상술한 바와 같이, 다른 바람직한 태양에서, 도포된 중합성 탄화불소 화합물의 형태로 원하는 기능화를 적용하기 전에 예비처리를 수행하는 것도 가능하다.

다른 바람직한 태양에서, 먼저 예비처리를 수행하지 않거나 예비처리를 수행한 후에 2단계 코팅을 수행하는 것이 가능하며, 이 경우 코팅 작업에서 첫 번째 시간대에서 구배층이 도포되고, 이후 두 번째 시간대에서 원하는 기능화가 적용된다.

본 발명에 따른 다른 바람직한 태양에서 반응 가스에 수소의 목표한 혼합, 즉 고리형 탄화불소 화합물을 함유 또는 포함하는 가스에 의해, 고분자 층의 가교 결합 및 불소 함량이 제어될 수 있고 이에 따라 구배층이 도포된다. 이 과정은 첫째 기판에 층의 좋은 부착을 허용하고 둘째 층의 표면 에너지가 조절될 수 있다.

따라서, 바람직한 방식에서, 기판에 증착되는 플라스마 고분자의 층 부착을 개선하는 선택적 구배층은 기판에 도포된다. 이것은 퍼플루오로사이클로알칸의 플라스마에 수소를 가변성 양으로 특히 가변성 가스 흐름으로 첨가함으로써 달성되고, 이 경우 수소 가스 흐름은 바람직한 태양에서 첨가 중에 유리하게 감소한다.

구배층으로 제조되는 탄화불소 층은 놀랍게도 기판에 더 좋은 부착이 달성되는 이점을 갖는다. 바람직한 방식에서 본 발명에 의해 가능하며, 플라스마 공정 중에 수소 가스 흐름을 가변함으로써 가교 결합도를 조절함으로 인해, 층이 연한 표면, 특히 고분자뿐 아니라, 단단한 표면, 특히 금속, 세라믹 또는 반도체에 조절된 방식으로 도포될 수 있다. 바람직한 태양에서, 기판 표면과 플라스마 고분자 층 사이의 계면에서 가능한 작은 응력이 존재하도록 수소 유속이 조절될 수 있다. 따라서, 바람직한 태양에서 고분자 표면에 적은 양의 수소가 먼저 플라스마 공정에 첨가됨으로써, 층이 가교 결합하지만 너무 많이 되지는 않고 고분자 표면 위에 고분자처럼 성장할 수 있다. 금속성, 세라믹 또는 반도체 표면의 경우, 바람직한 태양에서, 고도의 가교 결합을 확보하도록 수소가 먼저 플라스마 가스 대기에 첨가된다. 기판과 탄화불소 층 사이의 계면에서 응력 감소로 인해, 표면으로의 탄화불소 층의 부착이 또한 개선된다. 바람직한 태양에서 수소 가스 유속을 계속해서 감소시킴으로써, 층은 더 고분자처럼 되고 층 두께가 증가함에 따라 높은 불소 함량을 나타낸다. 따라서, 표면 에너지는 더욱 감소할 수 있다. 구배 플라스마 공정의 마지막에서 수소의 첨가를 생략함으로써, 바람직한 태양에서 제공된 바와 같이, 표면 에너지는 테프론의 것과 비슷한, 즉 20 mN/m의 범위가 얻어질 수 있다.

다른 놀라운 이점은 표면 에너지의 조절 가능성이다. 수소 가스 흐름을 가변함으로써, 표면 에너지는 제어될 수 있다. 대량의 수소를 플라스마 가스 대기에 첨가한 결과 탄화불소 고분자 층의 낮은 불소 함량과 이에 따라 높은 표면 에너지가 얻어진다. 플라스마 가스 대기에서 적은 양의 수소는 낮은 표면 에너지를 갖는 탄화불소 층을 만든다. 이러한 층은 테프론과 같으며 약 20 mN/m의 표면 에너지를 갖는다.

따라서, 특히 바람직한 태양에서, 수소는 예를 들어 퍼플루오로사이클로프로판 또는 퍼플루오로사이클로부탄 또는 퍼플루오로사이클로펜탄를 포함하는 퍼플루오로사이클로알칸 플라스마에 처음에 L당 9 ㎤/min까지, 바람직하게는 반응기 부피의 L당 8.6 ㎤/min까지, 바람직하게는 반응기 부피의 L당 0.3 내지 9 ㎤/min, 특히 반응기 부피의 L당 0.29 내지 8.6 ㎤/min의 양으로 첨가될 수 있다. 이후 바람직한 태양에서, 0.5 내지 4분의 단기간 내에, 예를 들어 특히 2분 내에, 가스 유속은 0 ㎤/min으로 감소하면서 조절된다. 구배층을 도포하는 동안, 전체 압력은 0.03 mbar 내지 2 mbar, 0.03 mbar 내지 1 mbar일 수 있다. 전극 면적의 단위당 동력 입력은 0.007 W/㎠ 내지 0.2 W/㎠, 특히 0.04 W/㎠이다. 이 태양에서 퍼플루오로사이클로알칸 유속은 바람직하게는 반응기 부피의 L당 15 ㎤/min까지, 특히 반응기 부피의 L당 0.5 내지 15 ㎤/min이다.

바람직한 태양에서 입력 동력은 0.2 W/㎠ 내지 0.007 W/㎠로 연속적으로 그리고 선택적으로 감소하면서 조절될 수 있다.

바람직한 태양에서, 압력은 구배층의 도포 중에 1 mbar까지 조절된다. 이 태양에서 불소 함량은 증가하지만 층의 가교 결합은 감소하고 이에 따라 층 경도 또한 감소하는 구배층이 기판 위에 유리하게 형성된다. 바람직한 태양에서, 구배층은 유리하게는 30 ㎚ 두께까지, 특히 1 내지 30 ㎚ 두께일 수 있다. 그러나, 다른 층 두께도 가능하다.

따라서, 특히 바람직한 태양에서, 본 발명은 전체 두께를 연장하는 불소 함량에 대한 구배 및 층의 가교 결합을 특징으로 하는 구배층의 도포에 관련된다. 따라서, 본 발명은 구배층이 기능성 고분자 층을 도포하기 전에 기판에 도포되는 방법을 제공하고 이것은 퍼플루오로사이클로알칸 화합물을 함유하는 반응 가스에 가스 유속을 감소시켜 수소를 첨가함으로써 이루어진다.

본 발명은 사전 수소 및/또는 희가스 예비처리 없이 그리고 구배층의 사전 도포 없이 수행되는 탄화불소 화합물의 기능성 고분자 플라스마 층의 도포를 제공할 수 있다. 그러나, 본 발명에 따르면, 먼저 기판의 수소 및/또는 희가스 예비처리가 수행되고 이후 기능성 고분자 층이 즉시 도포되거나 수소 및/또는 희가스 예비처리를 수행한 후에 먼저 구배층이 도포되고 이후 기능성 고분자 층이 제조되는 것도 가능하다.

본 발명은 또한 상술한 방법에 의해 코팅되는 기판에 관련되며, 특히 구배층과 조합하여 전술한 태양에 따라 도포되는 적어도 하나의 탄화불소 층을 갖는 기판을 포함한다.

다른 이로운 태양은 종속항에서 파생된다.

본 발명은 다음의 실시 태양 및 도 1과 2를 기초로 하여 설명될 것이다.

도 1은 구배층과 그 위에 기능층을 갖는 코팅된 기판을 도시한 것이다.

도 2는 구배층 없이 기능층을 갖는 코팅된 기판을 도시한 것이다.

실시예 1

0.02 mbar 이하의 기본 압력이 되도록 코팅 시스템(반응기 부피 3500 ㎤)을 먼저 비운다. 예비처리, 즉 세척 및 화학적 활성화를 위해 20 ㎤/min의 속도로 아르곤을 도입한다. 전체 가스 압력을 0.15 mbar로 조절한다. 13.56 MHz의 고주파 전압을 적용함으로써 두 전극 사이에 글로 방전을 점화한다. 이 예비처리 플라스마에 의한 동력 입력은 150 W에 이른다. 10분 후, 플라스마를 끄고 시스템을 다시 비운다. 다음, 구배층을 형성하기 위해, 수소(H)를 10 ㎤/min의 속도로 도입하고 퍼플 루오로사이클로부탄(C₄H₈)을 34 ㎤/min의 속도로 도입한다. 전체 압력은 0.150 mbar이고 동력 입력은 0.04 W/㎠이다. H 유속을 30초 내에 0 ㎤/min으로 감소시키면서 조절한다. 이후 플라스마를 더 계속해서 연소시킨다. 다음 플라스마 공정 단계 중에 기판을 기능층으로 피복한다(도 1). 이 코팅 공정 중에 0.04 W/㎠의 동력 입력과 0.15 mbar의 가스 압력에서 C₄H₈ 가스 유속을 34 ㎤/min(abs.)으로 지속시킨다. 기능층을 제조하기 위한 플라스마 처리 시간은 2분이다.

실시예 2

실시예 1에서 기술한 바와 같은 예비처리 후에, 구배층 없이 플라스마에서 탄화불소 층을 직접 증착한다(도 2).

본 발명에 따라 플라스마 중합에 의해 금속, 플라스틱, 고분자, 세라믹 및 직물에 도포되는 층의 매우 좋은 부착이 달성된다. 본 발명의 방법은 낮은 전체 표면 에너지 및 소수성화가 달성될 수 있도록 기판의 표면을 기능화시킨다. 또한, 본 발명의 방법은 부착을 감소시키기 위해 다른 재료에 대해 도포된 층의 특히 유리한 내점착성을 제공하는 것을 가능하게 한다. 본 발명은 도포된 플라스마 고분자 층에 고무 화합물, 스테인리스 스틸 또는 납땜과 같은 주조한 금속 합금의 부착에서 감소를 유리하게 허용한다.

또한, 본 발명은 도포된 플라스마 코팅이 산, 염기 또는 용매로 인한 화학적 공격 또는 기계적 마모 응력과 같은 외부 영향으로부터 코팅된 기판을 보호하는 유 리함을 제공한다. 본 발명에 따라 코팅된 기판의 표면이 마찰-감소 성질을 가지며, 즉 미끄럼 마찰 및 점착 마찰이 모두 감소한다.

Claims (20)

1. 저압 플라스마 방법에 의해 기판 위에 탄화불소 층을 제조하는 방법에 있어서, 기판을 제공하고, 적어도 2개의 전극 사이의 고주파 방전으로 고리형 탄화불소를 함유하는 반응 가스로부터 플라스마를 생성하고, 중합성 탄화불소 층을 기판 위에 증착하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 고리형 탄화불소 화합물이 퍼플루오로사이클로알칸 C_nF_2n(n = 3, 4 또는 5)인 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 사용되는 반응 가스가 퍼플루오로사이클로프로판(C₃F₆, CAS 931-91-9), 퍼플루오로사이클로부탄(C₄F₈, CAS 115-25-3) 또는 퍼플루오로사이클로펜탄(C₅F₁₀, CAS 376-77-2)인 방법.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 기판이 금속, 스테인리스 스틸, 세라믹 재료, 고분자 또는 직물인 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 플라스마를 13.56 MHz의 고주파 방전에서 발생시키는 방법.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 땅에 연결된 전극을 사용하는 방법.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 접지된 전극 또는 고주파가 공급되는 전극 위에 기판을 놓는 방법.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 코팅 공정을 0.03 mbar 1 mbar의 압력 범위에서 수행하는 방법.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 고리형 탄화불소 화합물, 특히 퍼플루오로사이클로알칸 전구체의 가스 유속이 반응기 부피의 L당 0.5 ㎤/min 내지 반응기 부피의 L당 15 ㎤/min인 방법.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 고주파 방전의 동력 입력이 전극 면적의 단위당 0.007 W/㎠ 내지 0.2 W/㎠인 방법.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 코팅 공정을 1 내지 15분의 기간 동안 수행하는 방법.
12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 도포된 탄화불소 층의 달성된 층 두께가 50 내지 300 ㎚인 방법.
13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 0 내지 100 볼트 범위의 바이어스 전압을 2개의 전극 중 하나에 적용하는 방법.
14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 플라스마 코팅 전에, 기판을 예비처리 플라스마로 예비처리하며, 즉 기판을 세척하고 그 표면을 화학적으로 활성화하는 방법.
15. 제14항에 있어서, 플라스마 코팅 전에, 기판의 세척 및 화학적 활성화를 0.03 내지 2 mbar의 전체 가스 압력에서 예비처리 플라스마로 수행하는 방법.
16. 제14항 또는 제15항에 있어서, 예비처리 플라스마가 희가스, 예를 들어 Ar(아르곤), 수소 또는 Ar과 수소의 혼합물의 플라스마인 방법.
17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 희가스, 특히 Ar 및/또는 수소의 가스 유속을 개별적으로 조절하며, 바람직하게는 가스 유속을 각각에 대해 반응기 부피의 L당 2 ㎤/min 내지 반응기 부피의 L당 35 ㎤/min으로 조절하는 방법.
18. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 예비처리, 즉 세척 및 화학적 활성화를 1 내지 15분의 기간에 걸쳐 수행하는 방법.
19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 코팅 공정의 첫 번째 시간대 중에 수소를 가변성 가스 유속, 특히 감소형 가스 유속으로 반응 가스에 첨가하고, 이에 따라 구배층을 기판에 도포하는 방법.
20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따라 도포되는 적어도 하나의 중합성 탄화불소 층을 갖는 기판을 포함하는 코팅된 기판.

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