KR100324555B1 - 증착처리시서셉터에대한물체의고착을제한하는방법 - Google Patents

증착처리시서셉터에대한물체의고착을제한하는방법 Download PDF

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Abstract

물체가 플라즈마 화학 증착법에 의해 증착챔버내에서 한층으로 코팅된 후에 물체(기판)가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법은, 코팅에 불리하게 영향을 주지 않고 물체에 추가층을 더하지 않는 수소, 질소, 아르곤 또는 암모니아외 같은 비활성 가스의 플라즈마에 코팅된 물체를 놓는 것을 포함한다. 코팅된 물체가 비활성 플라즈마에 놓여진후에, 물체는 수용기에서 분리된다.

Description

증착 처리시 서셉터에 대한 물체의 고착을 제한하는 방법{METHOD OF LIMITING STICKING OF BODY TO A SUSCEPTOR IN A DEPOSITION TREATMENT}
본 발명은 플라즈마 처리(증착) 장치내의 서셉터에서 물체를 리프트-오프 하는 방법에 관한 것으로서, 특히 서셉터로부터 물체의 리프트-오프가 용이하게 하도록 플라즈마 증착 장치의 서셉터에 대한 물체의 고착을 제한하는 방법에 관한 것이다.
플라즈마 화학 기상 증착(CVD)은 특히 유리와 같은 절연 물체 또는 반도체 웨이퍼에 형성되는 반도체 장치 등의 제조시에, 물체상에 여러 가지 물질층을 증착하는데 사용된다. 플라즈마 CVD장치는 일반적으로 증착 챔버, 적어도 하나의 전극이 증착 챔버안에 있는채 공간적으로 떨어져 있는 한 쌍의 전극 및, 코팅될 물체를 지지하기 위한, 전극 사이 및 증착 챔버안에 있는 서셉터로 구성된다. 또한 서셉터는 전극중 하나로서 기능할 수 있다.
증착 가스를 증착 챔버내로 흐르게 할 수단이 제공되며, 파워 소스가 전극에 접속되어 증착 가스의 플라즈마를 형성하기에 충분한 양의 고주파수(rf) 파워를 제공한다. 상업적인 생산을 위해서, 또한 플라즈마 CVD 장치는 통상적으로 코팅되는 물체를 증착 챔버 및 서셉터 위에 자동적으로 이송하고, 코팅된 물체를 서셉터 및 증착 챔버로부터 제거하는 수단을 포함한다. 이송 수단은 일반적으로 서셉터로부터 코팅된 물체를 리프트-오프하기 위한 핑거를 포함한다. 또한, 서셉터는 일반적으로 코팅될 물체를 수용하기 위해 수직 상향으로 움직이고, 핑거가 코팅된 물체를 리프팅할 때 수직하향으로 움직인다.
플라즈마 CVD 장치의 동작시에 발견된 문제는 물체가 서셉터에 고착되려는 경향이 있다는 것이다. 상기 고착은 플라즈마 증착동안 물체 및 서셉터에 달라붙은 정전하의 결과이다. 상기는 코팅된 물체를 물체의 손상없이 서셉터로부터 제거하는데 어려움을 준다. 사실상 고착은 물체가 서셉터에서 리프트-오프될 때 물체가 파손되게 한다.
본 발명은 플라즈마 화학 기상 처리에 의한 물체 표면처리의 결과에 따라 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법에 관한 것이다. 처리동안, 물체는 처리 챔버안의 서셉터에 장착되어 물체에 코팅을 가하는 것과 같이 처리된다. 본 발명의 방법은 물체가 처리된 후에, 물체상의 코팅에 불리하게 영향을 미치지 않고 임의의 물질층이 물체 또는 코팅상에 증착되게 못하도록 물체가 비활성 가스의 플라즈마에 놓이는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 물체가 짧은 기간 동안 플라즈마에 놓여진 후에, 증착 챔버로부터 물체의 제거를 허용하도록 서셉터로부터 물체를 분리하는 단계를 포함한다.
또다른 특징에 있어서, 본 발명은 물체를 처리하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 서셉터에서 떨어져 있는 하나의 전극을 가진 증착 챔버안의 서셉터에 물체를 배치하는 제 1 단계를 포함한다. 제 2 단계에서, 증착가스의 흐름을 챔버안에 제공하고 ; 제 3 단계에서, 전압을 rf 파워로부터 전극 및 서셉터 사이에 제공하며, 상기 파워는 증착 가스가 반응하여 물체의 표면에 층을 증착하도록 증착 가스의 플라즈마를 발생시킨다. 증착 가스의 흐름을 중단한 후에, 증착 챔버내에 비활성 가스의 흐름을 제공하는 제 4 단계를 포함한다. 비활성 가스는 물체의 층에 불리하게 영향을 미치지 않으며, 임의의 물질층이 물체에 증착되지 못하도록 하는 가스이다. 제 5 단계에서, rf파워를 비활성 가스에 인가하여 플라즈마를 형성하며, 상기 플라즈마를 코팅된 물체에 가해한다. 제 6 단계에서, 코팅된 물체를 이때 서셉터에서 분리한다.
본 발명은 다음의 좀더 상세한 설명 및 첨부 도면과 함께 청구범위에서 더욱 잘 이해될 것이다.
통상적인 플라즈마 CVD에 의한 한개 또는 그 이상의 층을 가지는 유리, 실리콘 또는 다른 반도체 물질과 같은 물체(기판)의 처리방법에서(다시말해 코팅), 물체는 처리(증착) 챔버내의 서셉터에 배치된다. 서셉터는 일반적으로 얇은 층의 산화 알루미늄으로 알루미늄 코팅되어 있다. 증착 가스 또는 가스 혼합물의 흐름이 증착 챔버내로 유입되고, rf 전압이 일정간격 배치된 전극과 서셉터 사이에 가해진다. 전압은 증착 가스에 가해지는 rf파워를 제공하며, 상기 파워는 증착 가스의 압력에서 가스가 반응하여 물체의 표면에 요구되는 층이 증착되도록 가스의 플라즈마를 발생시킨다. 통상적인 실시예에서, 0.15 및 0.8 watts/㎠ 사이의 파워가 증착 가스의 플라즈마를 형성하는데 사용된다. 플라즈마를 형성하는데 필요한 전체 파워는 전극의 면적에 의해 결정되며, 상기 전극에, 플라즈마를 형성하도록 전압이 가해진다. 요구되는 층 또는 층들이 물체에 증착된 후에, 물체는 서셉터에서 리프트-오프되어 증착 챔버에서 제거된다.
본 발명에 따른 방법에 있어서, 층 또는 층들이 상기 기술된 방법을 사용하여 물체에 증착된 후, 그러나 물체가 서셉터에서 리프트-오프되기 이전에, 비활성 가스의 흐름이 증착 챔버내에 제공된다. 본 발명의 목적을 위하여, 상기 비활성 가스는 물체의 코팅에 불리하게 영향을 미치지 않으며, 물체에 부가되는 추가적인 코팅을 초래하지 않는 가스로서 정의된다. 적당한 가스는 통상 수소(H2), 아르곤(Ar), 질소(N2)의 불활성 가스 및 암모니아(NH3)를 포함한다. rf 파워가 플라즈마를 발생시키도록 비활성 가스에 가해진다. 바람직하게, 이런 파워는 증착 가스의 플라즈마를 형성하기에 필요로 되는 파워보다 낮고, 다시 말해서 0.15watts/㎠보다 작은 파워, 바람직하게는 약 0.03 내지 0.14watts/㎠의 파워이다. 코팅된 물체가 비활성 가스의 플라즈마에 놓여있는 시간의 양은 2초 정도로 작을 수 있지만, 바람직하게는 5 내지 15초이다. 좀더 긴 시간이 허용될 수 있다. 일단 코팅된 물체가 비활성 가스의 플라즈마에 놓이면, 물체는 서셉터에 고착되지 않고 쉽게 서셉터로부터 분리될 수 있다는 것을 발견하였다. 따라서, 물체는 깨어지거나 손상됨 없이 서셉터에서 분리된다. 일단 물체가 서셉터에서 분리되면, rf 파워는 턴 오프되고 물체는 증착 챔버에서 제거될 수 있다.
비활성 가스의 플라즈마는 서셉터 및 물체를 고정하는 힘을 제한하기 위하여 서셉터 및 물체의 정전하의 재분포를 일으키는 것으로 여겨진다. 이것은 물체와 서셉터 사이의 고착을 제한하므로 물체가 서셉터에서 쉽게 분리되도록 한다. 비활성 가스의 플라즈마를 발생시키기 위한 좀더 낮은 파워를 사용하면 비활성 가스의 플라즈마에 대한 물체의 노출동안 물체에 가해지는 전하를 보다 양호하게 제한한다.
제 1도를 참고할때, 본 발명에 따른 방법이 수행될 수 있는 플라즈마 CVD 장치(10)의 도식적인 단면도를 나타낸다. 장치(10)는 개구가 딸린 상부벽(14)을 가진 증착 챔버(12) 및 개구안의 제 1 전극(16)을 포함한다. 선택적으로, 상부 벽(14)은 속이 찬 형태일 수 있으며 전극(16)은 상부벽(14)의 내부 또는 외부 표면 중 하나와 인접해 있다. 제 1 전극(16)에 평행하게 뻗어있는 플레이트 형태의 서셉터(18)가 챔버(12)안에 있다. 서셉터(18)는 통상 알루미늄으로 되어 있고 산화알루미늄의 층으로 코팅된다. 서셉터(18)는 접지되어 있고, 따라서 제 2 전극으로서 기능한다. 서셉터(18)는 샤프트(20)의 끝에 장착되있으며, 상기 샤프트는 증착 챔버(12)의 바닥벽(22)을 통하여 수직하게 뻗어있다. 샤프트(20)는 서셉터(18)의 운동이 제 1 전극(16)을 향해서 그리고 멀어지게 수직하게 움직이는 것이 가능하도록 수직하게 움직일 수 있다. 리프트-오프 플레이트(24)는 서셉터(18) 및 사실상 서셉터(18)에 평행한 증착 챔버(12)의 바닥벽(22) 사이에 수평하게 뻗어있다. 리프트-오프 핀(26)은 서셉터(18)에서 홀(28)을 통하여 뻗을 수 있도록 위치해 있고, 서셉터(18)의 두께보다 좀더 긴 길이이다. 단지 2개의 리프트-오프 핀(26)이 도시되었더라도, 리프트-오프 플레이트(24) 둘레에 더 많은 리프트-오프 핀(26)이 배치될 수 있다. 인출 파이프(30)는 증착 챔버(12)의 측벽(32)을 통해서 뻗어 있고 증착 챔버(12)를 진공으로 하기 위한 진공 펌프(도시되지 않음)에 연결된다. 인입 파이프(34) 또한 증착 챔버(12)의 외벽의 또다른 부분을 통해서 뻗어있고 여러 가스의 소스(도시되지 않음)에 가스 스위칭 회로(도시되지 않음)를 통하여 연결된다. 제 1 전극(16)은 전기 파워소스(36)에 접속된다. 이송 플레이트(도시되지 않음)는 통상 기판 물체를 로드-록 도어(load-lock door)(도시되지 않음)를 통하여 증착 챔버(12)내의 서셉터(18) 위로 운반하며, 코팅된 물체를 증착 챔버(12)로부터 제거하기 위해 제공된다.
증착 장치(10)의 동작시에, 물체(38)가 증착 챔버(12)에 공급되고 이송 플레이트(도시되지 않음)에 의해 서셉터 위에 놓인다. 물체(38)는 서셉터(18)내의홀(28)에 걸쳐 뻗어있는 크기이다. 서셉터(18)는 샤프트(20)를 위로 움직임으로써 리프트-오프 플레이트(24)(도시된 바와같이) 위에 위치해 있게 되며, 따라서 리프트-오프 핀(26)은 홀(28)을 통해서 뻗지 않으며, 서셉터(18) 및 물체(38)는 상대적으로 제 1 전극에 가깝다. 증착 챔버(12)는 인출 파이프(30)를 통하여 진공화되고 증착 가스가 인입 파이프(34)를 통해 공급된다. 전기 파워 소스(36)가 제 1 전극(16)과 서셉터(18) 사이에 증착 가스를 통해서 증착 가스의 플라즈마를 발생하기에 충분한 rf 파워를 제공하기 위해 턴 온된다. 플라즈마는 증착 가스가 반응하여 물체(38)의 표면에 요구되는 물질층을 증착하게 한다.
증착 가스의 조합은 증착될 물질에 달려있다. 예를들어, 실리콘 질화물(Si3N4)을 증착하기 위하여, 실란(SiH4), 암모니아(NH3) 및 질소(N2)의 혼합물을 포함한 증착 가스가 사용된다. 비정질 실리콘층을 증착하기 위하여, 실란(SiH4) 및 수소(H2)의 혼합물을 포함한 증착 가스가 사용된다. 실리콘 산화물(SiO2)을 증착하기 위하여 실란(SiH4) 및 질소 산화물(N2O)의 혼합물을 포함하는 증착 가스가 사용될 수 있다. 다른 가스 조합이 증착될 상기 물질 및 다른 물질 대신에 사용될 수 있다. 증착동안, 약 1.5Torr의 압력이 통상 500 내지 1500mils(12.5-40mm)사이인 제 1 전극(16)과 서셉터(16) 사이의 공간을 가진 증착 챔버(12) 안에서 유지된다. 증착에 사용되는 파워는 통상 약 0.15 내지 0.8watts/㎠이다.
요구되는 층 또는 층들이 물체(38)의 표면에 증착된 후에, 파워는 통상 0.03 내지 0.14watts/㎠로 떨어진다. 증착 가스의 흐름이 턴오프되고, 수소, 질소, 아르곤 또는 암모니아 같은 비활성 가스의 흐름이 증착 챔버(12)속으로 제공된다. 여기서 증착 가스가 실제로 반응하므로, 이를 반응 가스라고, 비활성 가스를 제 1가스인 증착 가스와 구별하기 위해서 제 2가스라고도 한다. 가스가 비활성인지의 여부는 다른 가스의 부재(absence) 및 이미 증착된 층의 혼합물에 달려있다. 상기 도시된 바와같이, 상기 비활성 가스중 하나가 가끔 증착 가스용 운반 가스로서 사용된다. 만일 비활성 가스가 운반 가스로 사용된다면, 단지 비활성 가스만의 흐름을 제공하기 위해 다른 증착 가스의 흐름을 멈추는 것만이 필요하다. 증착 챔버에서 압력은 0.2 내지 3.5 Torr 사이에서 유지된다. 이것은 비활성 가스의 플라즈마를 발생시키며, 상기 플라즈마에 코팅된 기판 물체(38)가 놓여진다. 따라서, 플라즈마는 가스가 증착 가스에서 비활성 가스로 변화되는 동안 유지된다.
상기 처리의 약 2초후에 그리고 바람직하게는 약 5초후에, 샤프트(20)는 서셉터(18) 및 코팅된 물체(38)를 제 1 전극(16)에서 멀어지게 리프트-오프 플레이트(24)을 향하여 움직이도록 아래쪽을 향해서 움직여진다. 물체(38)의 상기 운동동안, 바람직하게 플라즈마가 유지된다. 서셉터(18)가 리프트-오프 플레이트(24)에 이르렀을 때, 리프트-오프 핀(20)은 물체(38)의 바닥면(38a)에 걸릴때까지 홀(28)을 통해 뻗는다. 리프트-오프 핀(26)은 서셉터(18)의 두께보다 더길기 때문에, 리프트-오프 핀(26)은 물체(38)의 하향운동을 멈춘다. 추후 서셉터(18)의 하향운동은 서셉터(18)로부터 물체(38)의 분리를 야기한다. 물체(38)를 비활성 가스의 플라즈마로 처리함으로써, 물체(38)가 서셉터판(18)에 달라붙는 것이 제한된다. 따라서, 물체(38)는 상대적으로 쉽게 물체(38)에 손상없이서셉터(18)로부터 분리된다. 비활성가스의 흐름 및 rf 파워는 이때 턴오프되고, 코팅된 물체(38)는 이송 플레이트(도시되지 않음)에 의해 증착 챔버(12)에서 제거된다. 택일적으로, 비활성 가스의 흐름은 서셉터(18)에서 물체(38)를 리프팅하기에 앞서 비활성 가스의 플라즈마를 차단하도록 턴오프될 수 있다.
유리판에 형성된 평면 디스플레이에 대한, 제 1도에 도시된 장치(10)의 통상적인 실시예에서, 전극(16) 및 서셉터(18)는 각각 38 ×40cm 이다. 유리판은 물체(38)이고 증착 챔버(12) 속으로 이송되어 서셉터(18)위에 놓여진다. 서셉터는 서셉터(18)와 전극(16) 사이의 간격이 962mils(24mm)일 때까지 위로 움직여진다. 실란, 암모니아 및 질소로 구성된 증착 가스의 흐름이 증착 챔버(12)내에 제공되고 1.2Torr의 압력이 챔버(12)에 제공된다. 전극(16)에 대한 파워 소스(36)가 턴온되고 600watt의 rf 파워가 제공된다. 이것은 증착 가스의 플라즈마를 형성하는데, 실란과 암모니아가 분해되어 유리판의 표면에 실리콘 질화물층을 증착한다.
요구되는 두께의 실리콘 질화물 층이 증착된 후에, 파워는 100watts 까지 감소된다. 증착 가스의 흐름은 수소의 흐름으로 대체되고, 챔버내 압력은 0.2Torr 까지 줄어든다. 수소 가스에 현재 가해지는 파워는 플라즈마가 수소 가스에서 형성되게 한다. 코팅된 유리판은 10초동안 수소 가스 플라즈마에 놓여진다. 코팅된 유리판이 수소 플라즈마에 놓여있는 동안, 서셉터(18)는 전극(16)에서 멀어져 리프트-오프 플레이트(24)을 향해서 움직여진다. 전극(16)이 리프트-오프 플레이트(24)에 이르렀을 때, 리프트-오프 핀(26)은 유리판의 바닥 표면에 걸리고 서셉터에서 유리판을 분리한다. 수소의 흐름은 이때 멈춰지고 파워가 턴오프된다.코팅된 유리판은 이때 증착 챔버에서 제거된다.
따라서, 플라즈마 CVD 장치에서 서셉터에 대한 물체의 고착을 제한하는 방법이 본 발명에 의해서 제공된다. 이런 방법은 물체 또는 그 위의 코팅을 깨거나 또는 다른 손상없이 코팅된 물체를 서셉터에서 훨씬 용이하게 제거할 수 있게 한다. 본 발명에 따라 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법은 증착 단계에서 사용되는 가스와 동일한 가스의 일부를 사용하고 코팅 처리의 전체 동작에 수초만을 더한다. 또한, 물체에 증착된 층이 박막 트랜지스터를 형성하는 경우에, 본 발명에 따른 물체와 서셉터 사이의 고착 방지 방법이 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 개선시킨다는 것이 밝혀졌다.
본 발명의 특정 실시예는 단지 본 발명의 일반적인 원리를 설명하는 것으로 인식되고 이해되어야 한다. 다양한 변형은 게재된 원리를 가지고 구성될 수 있다. 예를들어, 상기 나열된 비활성 가스와 다른 비활성 가스는 상기 가스가 플라즈마를 형성하고 물체에 증착된 층에 불리하게 영향을 미치지 않으며 어떤 추가적인 층을 더하지 않는한 사용될 수 있다. 또한 실리콘 웨이퍼 같은 것과 같이 상기 나열된 물체와 다른 물질의 물체가 사용될 수 있다, 추가로, 본 발명에 따른 방법은 플라즈마 증착 챔버의 다른 형태에서 사용될 수 있다.
제 1도는 본 발명에 따른 방법이 수행되는 플라즈마 CVD 장치의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
12 : 증착 챔버 14 : 상부벽
16 : 제 1 전극 18 : 서셉터
20 : 샤프트 22 : 바닥벽
24 : 리프트-오프 플레이트 26 : 리프트-오프 핀
28 : 홀 30 : 인출 파이프
32 : 측벽 34 : 인입 파이프
36 : 파워 소스 38 : 물체

Claims (18)

  1. 물체가 처리 챔버내의 서셉터에 장착되어 있는 동안 플라즈마 처리에 의한 물체의 표면처리로 인하여 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법에 있어서,
    상기 물체가 처리된 후에, 물체의 처리된 표면과 화학적으로 반응하지 않고 물체 위에 층을 증착하지 않는 비활성 가스의 플라즈마에 상기 물체를 놓는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 물체가 상기 비활성 가스의 플라즈마에 놓인후 상기 물체를 서셉터에서 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 비활성 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 비활성 가스의 플라즈마는 서셉터에서 일정간격 배치되는 전극의 면적에 대해 0.03 내지 0.14watt/㎠의 rf파워를 상기 비활성 가스에 인가함으로써 형성되며, 상기 전극에는 플라즈마를 형성하기 위해 전압이 가해지는것을 특징으로 하는 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 증착 챔버에 0.2 내지 3.5Torr의 압력이 제공되는 것을 특징으로 하는 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 물체는 약 2 내지 5초 기간 동안 상기 비활성 가스의 플라즈마에 놓여지는 것을 특징으로 하는 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 물체가 서셉터에서 분리되는 동안 상기 비활성 가스의 플라즈마에 물체가 계속해서 놓여있는 것을 특징으로 하는 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  8. 제 2항에 있어서, 상기 물체는 반응 가스의 플라즈마에 놓임으로써 처리되는 것을 특징으로 하는 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 반응 가스가 화학적으로 반응하지않고 물체 위에 층을 증착하지 않는 가스로 교환될 때 연속적인 플라즈마가 유지되는 것을 특징으로 하는 물체가 서셉터에 고착하는 것을 제한하는 방법.
  10. 물체를 처리하는 방법에 있어서,
    서셉터에서 떨어져 있는 전극을 가지는 증착 챔버내의 서셉터에 물체를 배치하는 단계;
    증착 가스를 챔버내로 흐르게 하는 단계;
    상기 증착 가스를 반응시켜 물체의 표면에 층을 증착하기 위하여, 증착 가스의 플라즈마를 발생시키는 rf 파워로 전극과 서셉터의 양단에 전압을 인가하는 단계;
    상기 증착 가스의 흐름을 중단하는 단계;
    상기 물체의 층 또는 물체와 반응하지 않고 또다른 층을 부가하지 않는 제 2 가스를 챔버내로 흐르게 하는 단계;
    상기 물체에 가해지는 제 2 가스의 플라즈마를 발생시키기 위해 rf파워를 제 2 가스에 인가하는 단계; 및
    상기 물체를 서셉터에서 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 제 2 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 제 2 가스의 플라즈마는 상기 증착 가스의 플라즈마를 형성하는데 사용되는 파워보다 적은 파워에서 형성되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 제 2 가스에는 플라즈마를 형성하기 위해 전압이 인가되는 전극의 면적에 대해 0.03 내지 0.14watt/㎠의 rf 파워가 인가되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 증착 챔버내에 0.2 내지 3.5Torr의 압력이 제공되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 물체는 2 내지 15초 기간 동안 상기 제 2 가스의 플라즈마에 놓여있는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 물체를 서셉터에서 분리하기에 앞서 일정 기간 동안 상기 제 2 가스의 플라즈마에 물체가 놓여있는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 물체가 서셉터에서 분리되는 동안 상기 물체는 상기 제 2 가스의 플라즈마에 계속해서 놓여있는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
  18. 제 10항에 있어서, 상기 증착 가스로부터 제 2 가스로 변경될 때, 상기 플라즈마는 연속적으로 유지되는 것을 특징으로 하는 물체를 처리하는 방법.
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