JPH0754152A - リフトオフ法 - Google Patents

リフトオフ法

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JPH0754152A
JPH0754152A JP6139135A JP13913594A JPH0754152A JP H0754152 A JPH0754152 A JP H0754152A JP 6139135 A JP6139135 A JP 6139135A JP 13913594 A JP13913594 A JP 13913594A JP H0754152 A JPH0754152 A JP H0754152A
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プラズマＣＶＤによる堆積チャンバ内で、対
象物（基板）が層によってコーティングされた後に、対
象物がサセプタに固着することを制限する方法を提供す
ることである。 【構成】 本方法は、コーティングされた対象物を、非
反応性ガスのプラズマにさらす工程を含むものである。
ここで、非反応性ガスとは、例えば、水素、窒素、アル
ゴン又はアンモニアであって、コーティングに悪影響を
与えず、対象物に更なる層を付加しないものをいう。コ
ーティング工程の終了した対象物は、非反応性ガスのプ
ラズマにさらされると、対象物はサセプタから容易に分
離可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理（堆積）
装置中でサセプタから対象物（body）をリフトオフする
ことを改良する方法であって、特に、プラズマ堆積装置
内で、サセプタから対象物をリフトオフすることを簡略
化するために、対象物がサセプタに固着することを減少
させる方法である。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ（plasma chemical vapo
r deposition）は、対象物（body）に色々な材料層を堆
積することのため、ガラス又は半導体ウエハーのよう
に、特に、半導体デバイスの製造や、絶縁性対象物（in
sulating body ）に形成される同種のものなどに用いら
れる処理である。プラズマＣＶＤ装置は、一般に、堆積
チャンバと、少なくとも電極の１つが堆積チャンバ内に
ある空間を隔てて配置された１対の電極と、堆積チャン
バ内で電極間にありコーティングされる対象物を支持す
るためのサセプタとを有する。サセプタは電極の１つと
して働いてもよい。堆積チャンバへ堆積ガスの流れを実
現する（achieve ）ための手段が供給されていて、か
つ、堆積ガス中でプラズマを生成するために充分な量の
高周波電力を供給するために電源が電極へ接続されてい
る。商業的生産のためには、プラズマＣＶＤ装置は、堆
積チャンバ内へ、サセプタ上へ、コーティングされた対
象物をサセプタと堆積チャンバから取り除くために、コ
ーティングされた対象物を自動的に搬送するための手段
を包含する。搬送手段はコーティングされた対象物をサ
セプタからリフトオフするための指状部（finger）を一
般的に含む。また、サセプタは、コーティングされる対
象物を受けとるために鉛直方向上方に、次に指状部はコ
ーティングされた対象物をサセプタからリフトオフしつ
つ鉛直方向下方に一般的に動く。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】プラズマＣＶＤ装置の
操作において見いだされた問題は、対象物がサセプタに
固着する傾向があるということである。この固着は、プ
ラズマ堆積処理の間に対象物とサセプタに付随する静電
荷の結果であると信じられている。この固着は対象物に
損傷を与えることなく対象物をサセプタから分離するこ
とをより困難にする。実際に、この固着は対象物がサセ
プタからリフトオフされる際に、対象物の破壊を引き起
こした。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明はプラズ
マＣＶＤ処理（plasma chemical vapor processing）に
よる対象物表面の処理の結果として、対象物がサセプタ
に固着することを制限する方法に関する。処理の間で
は、対象物は処理チャンバ内のサセプタ上に取り付けら
れ、対象物にコーティングを付けることなどによって処
理される。本発明の方法は、対象物が処理された後に、
対象物を対象物上のコーティングに悪影響を及ぼさず、
対象物又はコーティング上に材料層を堆積させない、非
反応性ガス（第２ガス；inactive gas）のプラズマに対
象物をさらす工程を備える。その方法は、短い期間対象
物がプラズマにさらされた後、堆積チャンバから対象物
を分離し得るように、対象物をサセプタから分離するこ
とをも含む。
【０００５】別の態様から見れば、本発明は、対象物の
取扱い方法に関する。その方法はサセプタから空間を隔
てて配置された電極を有する堆積チャンバ内に、サセプ
タ上に対象物を置く第１工程を備える。第２工程では、
そのチャンバ内で、堆積ガスの流れが供給される。第３
工程では、電極とサセプタとの間に高周波電力による電
圧がかけられ、堆積ガス中にプラズマを生成し、その結
果、堆積ガスを反応させ、対象物の表面上で層を堆積す
る。堆積ガスの流れを止めた後に、第４の工程は、堆積
チャンバ内で非反応性ガスの流れを供給することを包含
する。非反応性ガスは対象物の層に悪影響を与えず、対
象物に材料層を堆積させない。第５の工程では、コーテ
ィングされた対象物に加えられるプラズマを内部に形成
するために非反応性ガスに高周波電力がかけられる。次
に、第６の工程では、コーティングされた対象物はサセ
プタから分離される。
【０００６】この発明は以下の実施例と図面を伴った請
求項によって、よりよく理解されよう。
【０００７】
【実施例】プラズマＣＶＤによる、１枚以上の層をとも
なう、ガラス、シリコン又は他の半導体材料のような基
盤（substrate ）ないし対象物（body）の典型的な処理
（例えば、コーティング）においては、対象物は処理チ
ャンバ（processing chamber）内部のサセプタ上に置か
れる。サセプタは、酸化アルミニウム(aluminumoxide
）の薄い膜で通常はアルミニウムコートされる。堆積
チャンバへ、堆積ガス又は混合ガスの流れが導入され、
空間を隔てた電極とサセプタの間に高周波電圧(rf volt
age)が印加される。その電圧が、堆積ガスにかけられる
高周波電力を供給し、その堆積ガスの圧力の下で、ガス
中にプラズマを発生させ、そのプラズマがガスを反応さ
せ、対象物の表面に希望する層を堆積させる。典型的な
実施例では、堆積ガスの中でプラズマを形成するため
に、０．１５ watts/cm 2 から０．８ watts/cm 2 まで
の間の電力が用いられる。プラズマを形成するために必
要な全電力は、プラズマを形成するために電圧がかけら
れる電極の面積によって決定される。希望の層が対象物
上に堆積したのちに、対象物はサセプタからリフトオフ
され、堆積チャンバから取り除かれる。
【０００８】本発明の方法によれば、上記した方法を用
いて対象物上に層を堆積させた後であって、対象物をサ
セプタからリフトオフする前に、堆積チャンバの中で、
非反応性ガス（第２ガス；inactive gas）の流れが供給
される。この発明の目的のためには、非反応性ガスと
は、対象物ないしは対象物上のコーティングに影響せ
ず、かつ、対象物に付着する更なるコーティングとなら
ないものをいう。従って、非反応性ガスには、対象物な
いしは対象物上のコーティングないしは層と反応せず又
は化学的に反応せず、且つ対象物上に層を形成しないも
のが包含される。適したガスとしては、酸素（ H2 ）、
アルゴン（Ar）、窒素（ N2 ）、及びアンモニア（N
H3 ）を典型的に含む。高周波電力は、内部にプラズマ
を発生させるためのガスを生じさせる、非反応性ガスに
掛けられる。その電力は、堆積ガス中にプラズマを形成
するのに必要な電力より、少ないことが好ましく、０．
１５ watts/cm 2 未満の電力で、かつ、約０．０３ wat
ts/cm 2 から０．１４ watts/cm 2までの間であること
が好ましい。コーティングされた対象物をその非反応性
ガスのプラズマにさらす時間の長さは、２秒という短時
間でもよいが、５秒から１５秒までの間が好ましい。も
っと長い時間であっても許容できる。１度コーティング
された対象物をイナートガスのプラズマにさらと、対象
物はサセプタに固着することなくその後サセプタから簡
単に分離され得る。それゆえ、対象物は破壊され又は損
傷を受けたりせず、サセプタから分離される。ひとた
び、対象物がサセプタから分離されると、高周波電力が
断たれ、対象物は堆積チャンバから取り外すことができ
る。
【０００９】その非反応性ガスのプラズマは、サセプタ
と対象物上の静電荷の再分配を発生させ、それらの物を
一緒にしておく力を制限すると考えられている。これ
は、サセプタと対象物の間の固着を減少させ、それによ
って、対象物がサセプタから簡単に分離されることが許
容される。その非反応性ガス中でプラズマを発生させる
更に低い電力の使用は、非反応性ガスのプラズマへ露出
する間における、対象物に付着する電荷を制限するため
に好まれる。
【００１０】以下は図を参照し説明するが、本発明によ
る方法が行われるプラズマＣＶＤ装置１０の断面図を示
す。装置１０は、貫通する開口のある上部壁面１４と、
その開口内に第１電極１６を持った、堆積チャンバ１２
を包含する。あるいは又、上部壁面１４は、中実（soli
d ）であり、電極１６が上部壁面１４の内側又は外側の
表面の近傍にあってもよい。チャンバ１２の中には、平
盤の形態のサセプタ１８があって、第１の電極１６に平
行に広がっている。サセプタ１８は典型的にはアルミニ
ウムにより構成され、酸化アルミニウムの層でコーティ
ングされている。サセプタ１８は、堆積チャンバ１２の
底部壁面２２を垂直に貫通し伸びる軸２０の端部に、取
り付けられている。軸２０は、サセプタ１８の動作を第
１の電極１６に対して、接近させ又は遠ざける動作を可
能にするために、鉛直に動作可能である。リフトオフ板
２４は、サセプタ１８と、サセプタ１８に実質的に平行
な堆積チャンバ１２の底部壁面２２との間に、水平に広
がる。リフトオフピン２６は、リフトオフ板２４から鉛
直方向上方に、突き出している。リフトオフピン２６
は、サセプタ１８の穴２８を通って伸びることができる
ように位置されていて、サセプタ１８の厚さよりも若干
長い長さである。２本のリフトオフピンのみが図示され
ているだけであるが、リフトオフ板２４のまわりには、
より多くのリフトオフピン２６が配置されていてもよ
い。排出パイプ３０は、堆積チャンバ１２の側部壁面３
２を貫通しつつ伸び、堆積チャンバ１２の排出のための
真空ポンプ（不図示）へ接続されている。導入パイプ３
４も側部壁面３２の別な部分を貫通しつつ伸び、ガス切
り替えネットワーク（不図示）を通り、色々なガスの源
（不図示）に接続されている。第１の電極１６は、電源
３６に接続されている。搬送板（不図示）は、搬送物ロ
ックドア（不図示）を通って、堆積チャンバ１２中へ、
そして、サセプタ１８上へと典型的に基板対象物を運ぶ
ために供給され、そして、堆積チャンバ１２からコーテ
ィングされた対象物を取り除くために典型的に供給され
る。
【００１１】堆積装置１０の操作においては、対象物３
８は堆積チャンバ１２内に投入され、搬送板（不図示）
によって、サセプタ１８上に置かれる。対象物３８は、
サセプタ１８の穴２８をおおうほど広い（図示の様な）
大きさである。サセプタ１８はリフトオフ板２４（図
示）の上方であって、リフトオフピン２６が穴２８から
突き出さないように、かつ、サセプタ１８と対象物３８
が第１電極１６に比較的接近するように、動作軸２０に
より上向きに配置されている。堆積チャンバ１２は排出
パイプ３０を通して排出され、かつ、堆積ガスは導入パ
イプ３４を通して堆積チャンバ１２に供給される。電源
３６は、第１電極１６とサセプタ１８の間であって、堆
積ガス中にプラズマを発生させるのに充分な量の堆積ガ
ス中に、高周波電力をかけるために入れられる。プラズ
マは、堆積ガスを反応させ、対象物３８の表面に希望す
る材料の層を堆積させる、堆積ガスを発生させる。
【００１２】堆積ガスの組成は堆積される材料によって
異なる。例えば、窒化シリコン（Si3 N 4 ）を堆積させ
るためには、シラン（ SiH4 ）、アンモニア（NH3 ）及
び窒素（ N2 ）の混合物を包含する堆積ガスが用いられ
る。非昌質シリコンの層を堆積させるためには、シラン
（ SiH4 ）と水素（ H2 ）の混合物を包含する堆積ガス
が用いられる。酸化シリコン（ SiO2 ）を堆積させるた
めには、シラン（ SiH4 ）と亜酸化窒素（ N2 O ）の混
合物を包含する堆積ガスが用いられてもよい。他のガス
の組み合わせは、これらの及び他の材料を堆積させるた
めに用いられてもよい。堆積の間は、第１電極１６とサ
セプタとの間の間隙が典型的に５００milsから１５００
mils（１２．５mm〜４０mm）までの範囲を持つ堆積チャ
ンバ１２の中で、約１．５Torrの圧力が保たれる。堆積
に用いられる電力は典型的には約０．１５ watts/cm 2
から０．８ watts/cm 2 までの範囲である。
【００１３】希望の層が対象物３８の表面上に堆積され
た後に、電力は０．０３ watts/cm2 から０．１４ watt
s/cm 2 までの範囲に典型的に落とされる。堆積ガスの
流れが止められ、そして、水素、窒素、アルゴン又はア
ンモニアのような、非反応性ガスの流れが、堆積チャン
バ１２の中へ供給される。ガスが非反応性であるかどう
かは、他のガスが存在しないことと、既に堆積された層
の組成とによって変わるかもしれない。上に示したよう
に、これらの非反応性のガスの１つは、堆積ガスのため
の、キャリアガスとしてしばしば用いられる。もし、非
反応性ガスがそのように用いられたときは、非反応性ガ
スのみの流れを供給するためには、他の堆積ガスの流れ
を止めることが必要なのみである。堆積チャンバの圧力
は、０．２Torrから３．５Torrまでの範囲に維持されて
いる。このことが、コーティングされた基板対象物３８
がさらされる非反応性ガス中に、プラズマを発生させ
る。それゆえ、ガスが堆積ガスから非反応性ガスへと変
化する間に、プラズマは維持される。
【００１４】この処理の約２秒後に、そして、約５秒後
がより好ましいが、サセプタ１８とコーティングされた
対象物３８を、第１電極１６から遠ざけ、リフトオフ板
２４へと近ずけるために、軸２０は下方へ動かされる。
この対象物３８の動作の間、プラズマが維持されること
が好ましい。サセプタ１８がリフトオフ板２４まで到達
するにつれて、リフトオフピン２６は穴２８を通り伸
び、それらが対象物３８の底面３８ａに係合する。リフ
トオフピン２６がサセプタ１８の厚さより長いために、
リフトオフピンは対象物３８の下方への動作を止める。
サセプタ１８の更なる下方への動作は、サセプタ１８を
対象物３８から分離させる。対象物３８を非反応性ガス
のプラズマをかけつつ取り扱うことによって、対象物３
８のサセプタ板１８への固着が限定される。それゆえ、
対象物３８は、対象物３８を損傷することなく、サセプ
タ１８より比較的に簡単に分離される。非反応性ガスの
流れと高周波電力はその後止められ、かつ、コーティン
グされた対象物３８は搬送板（不図示）の手段によっ
て、堆積チャンバから取り除かれる。選択可能である
が、サセプタ１８から対象物３８をリフトオフする前
に、非反応性ガスのプラズマを中断するために、非反応
性ガスの流れを止めることができる。
【００１５】図中に示された装置１０の典型的な実施例
では、ガラス板上に形成された平盤表示器（flat-panel
displays ）では、電極１６とサセプタ１８はそれぞれ
３８ｘ４８cmである。ガラス板が対象物３８であって、
堆積チャンバ１２へ搬送され、サセプタ１８の上に置か
れた。サセプタは、サセプタ１８と電極１６の間に９６
２mils（２４mm）の空間ができるまで、上方に動かされ
た。シラン、アンモニア及び窒素から成る堆積ガスの流
れは、堆積チャンバ１２の中へ供給され、堆積チャンバ
中に１．２Torrの圧力が供給された。電極１６へ電源３
６が投入され、６００Watts の高周波電力が供給され
た。これによって、堆積ガス中に作られたプラズマが、
シランとアンモニアを分解し、ガラス板の表面に窒化シ
リコンの層を堆積させた。
【００１６】希望する厚さの窒化シリコンの層が堆積さ
れた後、電力は１００Watts に減じられた。堆積ガスの
流れは、水素の流れと置き換えられ、チャンバ内の圧力
は０．２Torrに減じられた。水素ガスに今回適用された
電力は、水素ガス中でプラズマを生成させた。コーティ
ングされたガラス板は、水素ガスプラズマに、１０秒間
さらされた。コーティングされたガラス板が水素プラズ
マにまださらされいる間に、サセプタ１８は、電極１６
から遠ざかり、リフトオフ板２４に近ずく方向に動かさ
れた。電極１６がリフトオフ板２４に到達するにつれ
て、リフトオフピン２６はガラス板の底面に係合し、サ
セプタからガラス板を分離した。次に、水素の流れは停
止され、電力は止められた。次に、コーティングされた
ガラス板は堆積チャンバから取り除かれた。
【００１７】それゆえ、本発明により示されているの
は、プラズマＣＶＤ装置における、対象物のサセプタへ
の固着を制限する方法である。これは、コーティングさ
れた対象物をサセプタから、対象物又はその上のコーテ
ィングの破壊又は他の損傷なく取り外すことを大変容易
にすることができる。本発明による、対象物のサセプタ
への固着を妨げる方法は、堆積工程に使われる同じガス
のいくつかを用いており、そのため、コーティング方法
の全操作が数秒長くなるのみである。また、もし対象物
上に堆積された層が、薄いフィルム状のトランジスター
を形成する場合には、本発明による対象物とサセプタと
の間の固着を妨げる方法が、薄いフィルム状のトランジ
スターの電気的特性をも向上させた。
【００１８】発明の特定の実施例が、発明の全体的な原
理を単に明示するのみであるものと、理解されたい。説
明した原理と一致した色々な変形を作ることができるで
あろう。例えば、上記した非反応性ガスと異なるもの
も、プラズマを形成することができ、対象物上に堆積し
た層に悪い影響を与えず、かつ、他のいかなる付加的な
層を追加しない限り、用いられてもよい。また、シリコ
ン・ウエハーのような上記された以外の材料の対象物も
用いられてもよい。さらには、本発明の方法は、他の型
式のプラズマ堆積チャンバにも用いられることができ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、処
理チャンバ内で、対象物がサセプタに取り付けられてい
る間に、プラズマ処理による対象物の表面処理に起因す
る対象物のサセプタへの固着を制限する方法において、
対象物が処理された後、対象物の処理された表面に悪影
響を与えず且つ対象物に層を堆積させない非反応性ガス
（第２ガス；inactive gas）のプラズマに、前記対象物
をさらすことで、対象物はサセプタに固着することなく
その後サセプタから簡単に分離され得る。それゆえ、対
象物は破壊され又は損傷を受けたりせず、サセプタから
分離できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図面の符号はプラズマＣＶＤ装置の全体断面図
であり、本発明に従った方法が行われる。図面は必ずし
も正しい縮尺ではない。
【符号の説明】
１０…プラズマＣＶＤ装置、１２…堆積チャンバ、１４
…上部壁面、１６…第１電極、１８…サセプタ、２０…
軸、２２…底部壁面、２４…リフトオフ板、２６…リフ
トオフピン、２８…穴、３０…排出パイプ、３２…側部
壁面、３４…導入パイプ、３６…電源、３８…対象物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーク ミカエル コルラック アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94501， アラメダ， カレッジ アヴェ ニュー 1141 (72)発明者 アンジェラ ティー． リー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94086， サニーヴェール， アカラネス ドライヴ アパート ナンバー10 407 (72)発明者 カム ロウ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94587， ユニオン シティ， リヴィエ ラ ドライヴ 461 (72)発明者 ダン メイダン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94022， ロス アルトス ヒルズ， マ リエッタ レーン 12000

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理チャンバ内で、対象物（body）がサ
    セプタに取り付けられている間、プラズマ処理による、
    前記対象物の表面処理に起因する前記対象物の前記サセ
    プタに対する固着を制限する方法において、 前記対象物が処理された後、前記対象物上の処理された
    表面と化学反応を生じることなく且つ前記対象物上に層
    を堆積させないガスのプラズマに、前記対象物をさらす
    （subjecting the body ）方法。
  2. 【請求項２】 前記ガスのプラズマに前記対象物をさら
    した後、前記対象物を前記サセプタから分離する工程を
    含む、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記ガスが、水素、窒素、アルゴン及び
    アンモニアから成る群から選択される、請求項２記載の
    方法。
  4. 【請求項４】 ０．０３ Watts/cm 2 から０．１４ Wat
    ts/cm 2 までの範囲のある値とプラズマを形成するため
    の電圧がかけられ前記サセプタから離間して設けられた
    電極の面積の値とを掛けた値の高周波電力に、前記ガス
    をさらすことにより、前記ガスのプラズマが形成され
    る、請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記堆積チャンバに、０．２Torrから
    ３．５Torrまでの範囲の圧力が供給される、請求項４記
    載の方法。
  6. 【請求項６】 約２秒から１５秒までの範囲の期間で、
    前記対象物が前記ガスのプラズマにさらされる、請求項
    ５記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記対象物が前記サセプタから分離され
    つつある間、前記ガスのプラズマに前記対象物をさらし
    続ける工程を更に包含する、請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記対象物を処理ガスのプラズマにさら
    すことによって、前記対象物が処理される、請求項２記
    載の方法。
  9. 【請求項９】 前記処理ガスが前記ガスに変えられる時
    に、本質的に継続的なプラズマ（essentially continuo
    us plasma ）が維持される、請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 対象物（a body）の処理方法におい
    て、 サセプタから離間して設けられた電極を有する堆積チャ
    ンバ内で前記サセプタ上に前記対象物を配置する工程
    と、 そのチャンバ内に堆積ガスを流す工程と、 前記堆積ガス中にプラズマを生成する高周波電力にて電
    極と前記サセプタとの間に電圧を印加して、前記堆積ガ
    スを反応させ、前記対象物表面に層を堆積させる工程
    と、 前記堆積ガスの流れを断つ（discontinuing ）工程と、 前記対象物上の前記層又は前記対象物と反応せず、且つ
    別の層を追加することのない、第２ガスを前記チャンバ
    内に流す工程と、 前記第２ガスに、高周波電力を適用し前記対象物に適用
    される前記第２ガスのプラズマを発生する工程と、 前記サセプタから前記対象物を分離する工程、とを含む
    方法。
  11. 【請求項１１】 前記第２ガスが、水素、窒素、アルゴ
    ン及びアンモニアから成る群より選択される、請求項１
    ０記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記第２ガス中のプラズマが、前記堆
    積ガスのプラズマを形成するために用いられるものよ
    り、少ない電力で形成される、請求項１１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 ０．０３watts/cm2 から０．１４watt
    s/cm2 までの範囲の値に、前記プラズマを形成する為に
    電圧がかけられる電極の面積値、を掛けた値の高周波電
    力に前記第２ガスがさらされる、請求項１２記載の方
    法。
  14. 【請求項１４】 前記堆積チャンバ内に０．２Torrから
    ３．５Torrまでの範囲の圧力が供給される、請求項１３
    記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記対象物を、前記第２ガスのプラズ
    マに、２秒から１５秒までの間さらす、請求項１４記載
    の方法。
  16. 【請求項１６】 前記対象物を前記サセプタから分離す
    る前に、一定期間に前記第２ガスのプラズマに、前記対
    象物をさらす、請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記対象物が前記サセプタから分離さ
    れつつある間、前記第２ガスのプラズマに、前記対象物
    をさらし続ける工程を更に含む、請求項１６記載の方
    法。
  18. 【請求項１８】 前記ガスが、前記堆積ガスから前記第
    ２ガスに変えられる時（as）に、前記プラズマが、実質
    的（substantially ）連続的に維持される、請求項１０
    記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記ガスが、前記堆積ガスから前記第
    ２ガスに変えられる時（when）に、前記プラズマが、本
    質的（essentially ）連続的に維持される、請求項１０
    記載の方法。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665167A (en) * 1993-02-16 1997-09-09 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus having a workpiece-side electrode grounding circuit
TW269743B (ja) * 1994-04-26 1996-02-01 Toshiba Eng Co
KR0164149B1 (ko) * 1995-03-28 1999-02-01 김주용 타이타늄 카보 나이트라이드층의 개질 방법
US5997962A (en) * 1995-06-30 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Plasma process utilizing an electrostatic chuck
KR100267418B1 (ko) * 1995-12-28 2000-10-16 엔도 마코토 플라스마처리방법및플라스마처리장치
JP3163973B2 (ja) * 1996-03-26 2001-05-08 日本電気株式会社 半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法
US6083569A (en) * 1996-10-25 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Discharging a wafer after a plasma process for dielectric deposition
US6090705A (en) * 1998-01-20 2000-07-18 Tokyo Electron Limited Method of eliminating edge effect in chemical vapor deposition of a metal
JP3549188B2 (ja) 2000-03-27 2004-08-04 日本エー・エス・エム株式会社 半導体基板への薄膜成膜方法
EP1174910A3 (en) * 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
KR100740830B1 (ko) * 2000-11-03 2007-07-20 엘지전자 주식회사 난방기의 운전 제어방법
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
US6960263B2 (en) 2002-04-25 2005-11-01 Applied Materials, Inc. Shadow frame with cross beam for semiconductor equipment
US20040096636A1 (en) * 2002-11-18 2004-05-20 Applied Materials, Inc. Lifting glass substrate without center lift pins
US7972663B2 (en) * 2002-12-20 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer
US7172792B2 (en) * 2002-12-20 2007-02-06 Applied Materials, Inc. Method for forming a high quality low temperature silicon nitride film
US7365029B2 (en) * 2002-12-20 2008-04-29 Applied Materials, Inc. Method for silicon nitride chemical vapor deposition
JP2005064284A (ja) * 2003-08-14 2005-03-10 Asm Japan Kk 半導体基板保持装置
KR100526923B1 (ko) * 2004-01-05 2005-11-09 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 리프트핀 및 그 제조방법
US7434712B2 (en) * 2004-07-09 2008-10-14 Blackhawk Industries Product Group Unlimited Llc Hooded holster
US20060005770A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Robin Tiner Independently moving substrate supports
US7375946B2 (en) * 2004-08-16 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
US8075952B2 (en) 2006-06-29 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Power loading substrates to reduce particle contamination
JP2009088267A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 成膜方法、成膜装置、記憶媒体及び半導体装置
TWI495402B (zh) * 2008-10-09 2015-08-01 Applied Materials Inc 具有射頻迴流路徑之電漿處理腔室
US20100151688A1 (en) * 2008-12-12 2010-06-17 Applied Materials, Inc. Method to prevent thin spot in large size system
US20100184290A1 (en) 2009-01-16 2010-07-22 Applied Materials, Inc. Substrate support with gas introduction openings
US8313612B2 (en) * 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
US8797705B2 (en) * 2009-09-10 2014-08-05 Lam Research Corporation Methods and arrangement for plasma dechuck optimization based on coupling of plasma signaling to substrate position and potential
US9194045B2 (en) 2012-04-03 2015-11-24 Novellus Systems, Inc. Continuous plasma and RF bias to regulate damage in a substrate processing system
US9145607B2 (en) 2013-10-22 2015-09-29 Lam Research Corporation Tandem source activation for cyclical deposition of films
US10770257B2 (en) * 2018-07-20 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56156760A (en) * 1980-05-06 1981-12-03 Shunpei Yamazaki Method and apparatus for forming coat
EP0062491B2 (en) * 1981-04-04 1991-12-11 National Research Development Corporation Polymers in matrix reinforcement
JPS5821324A (ja) * 1981-07-30 1983-02-08 Agency Of Ind Science & Technol 水素添加した半導体薄膜成長用金属表面基板の前処理方法
US4391843A (en) * 1981-08-14 1983-07-05 Rca Corporation Adherent perfluorinated layers
DE3574997D1 (de) * 1984-03-03 1990-02-01 Stc Plc Pulsierendes plasmaverfahren.
JPS61136220A (ja) * 1984-12-07 1986-06-24 Fuji Electric Co Ltd 微結晶シリコン膜の形成方法
JPH0711854B2 (ja) * 1984-12-30 1995-02-08 ティーディーケイ株式会社 磁気記録媒体
JPH0691065B2 (ja) * 1985-12-18 1994-11-14 三洋電機株式会社 プラズマｃｖｄ法
US4766006A (en) * 1986-05-15 1988-08-23 Varian Associates, Inc. Low pressure chemical vapor deposition of metal silicide
JPS63241185A (ja) * 1987-03-27 1988-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属薄膜の堆積方法
DE3800712A1 (de) * 1988-01-13 1989-07-27 Philips Patentverwaltung Verfahren zur plasmaaktivierten reaktiven abscheidung von elektrisch leitendem mehrkomponentenmaterial aus einer gasphase
DE3806587A1 (de) * 1988-02-26 1989-09-07 Schering Ag Verfahren zur herstellung fest haftender metallischer strukturen auf polyimid
KR0145302B1 (ko) * 1988-04-28 1998-08-17 카자마 젠쥬 얇은 막의 형성방법
DE3919724A1 (de) * 1989-06-16 1990-12-20 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung von erdalkalimetallhaltigen und/oder erdalkalimetalloxidhaltigen materialien
US5075256A (en) * 1989-08-25 1991-12-24 Applied Materials, Inc. Process for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer
US5017939A (en) * 1989-09-26 1991-05-21 Hughes Aircraft Company Two layer matching dielectrics for radomes and lenses for wide angles of incidence
US5223457A (en) * 1989-10-03 1993-06-29 Applied Materials, Inc. High-frequency semiconductor wafer processing method using a negative self-bias
DE4005956C1 (ja) * 1990-02-26 1991-06-06 Siegfried Dipl.-Ing. Dr. 5135 Selfkant De Straemke
DE4034842A1 (de) * 1990-11-02 1992-05-07 Thyssen Edelstahlwerke Ag Verfahren zur plasmachemischen reinigung fuer eine anschliessende pvd oder pecvd beschichtung

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