KR940022935A - 처리장치 및 처리방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 처리장치는, 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 처리체를 유지한 유지체를 처리실에 대하여 반입 및 반출하는 반송수단을 구비한 반송실과, 반송실 내를 소정의 불활성 가스 분위기로 유지하는 불황성 가스 공급 및 배기수단과, 반송실에 인접하여 설치되고, 적어도 유지체를 수용가능한 용적을 가지며, 반송실 내의 분위기를 외기와 차단시킨 상태에서 유지체를 반송실에 대하여 반출 및 반입가능하게 하는 유지체 수용실과, 유지체 수용실 내를 진공분위기 또는 소정의 불활성 가스 분위기로 치환가능하게 한 내부 분위기 치환수단과, 유지체 수용실에 인접하여 설치되고, 피처리체를 유지체 수용실 내의 유지체에 이송하는 이송수단을 구비한 피처리체 이송실을 갖추고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 관한 처리장치의 개략 구성도.
Claims (12)
- 피처리체에 소정의 처리를 실시한느 처리실과, 피처리체를 유지한 유지체를 상기 처리실에 대하여 반입 및 반출하는 반송수단을 구비한 반송실(10)과, 반송실(10) 내를 소정의 불활성 가스 분위기로 유지하는 불활성 가스 공급 및 배기수단과, 상기 반송실(10)에 인접하여 설치되고, 적어도 상기 유지체를 수용가능한 용적을 가지며, 반송실(10) 내의 분위기를 외기와 차단시킨 상태에서 상기 유지체를 반송실(10)에 대하여 반출 및 반입 가능한 유지체 수용실과, 상기 유지체 수용실 내를 진공분위기 또는 소정의 불활성 가스 분위기로 치환가능한 내부 분위기 치환수단과, 상기 유지체 수용실에 인접하여 설치되고, 피처리체를 상기 유지체 수용실 내의 유지체에 이송하는 이송수단을 구비한 피처리체 이송실을 갖추는 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유지체 수용실이 상기 유지체만을 수용가능한 최소한의 용적을 가지고 있는 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반송실(10) 내에 설치되고, 상기 반송실(10)의 반송수단과 상기 유지체 수용실 사이에 상기 유지체를 반송하는 반송기구를, 더욱 포함하는 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 불활성 가스 공급 및 배기수단은, 불활성 가스 공급부(44)와, 이 불활성 가스 공급부(55)로부터의 불활성 가스를 상기 반송실(10)에 공급하는 가스 도입관(24)과, 상기 반송실(10) 내의불활성 가스를 외부로 배기하는 배기관(13)을 갖추고 있는 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 내부분위기 치환수단은, 불활성 가스 공급부(44)와, 이 불활성 가스 공급부(44)으로부터의 불활성 가스를 상기 반송실(10)에 공급하는 가스 도입관(24)과, 상기 반송실(10) 내의 불활성 가스를 외부로 배기하는 배기관과, 상기 반송실(10) 내의 가스를 소정의 진공상태까지 배기가능한 진공배관과, 상기 가스 도입관(24)과 상기 배기관과 상기 진공배관의 각각을 개별로 개폐하는 밸브기구를 갖추고 있는 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유지체 수용실에 설치되고, 유지체 수용실 내에 있어서의 유지체의 유무를 검지하는 검지수단을 , 더욱 포함하는 처리장치.
- 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 처리과, 피처리체를 유지한 유지체를 상기 처리실에 대하여 반입 및 반출하는 반송수단을 구비한 반송실(10), 상기 반송실(10) 내를 소정의 불활성 가스 분위기로 유지하는 불활성 가스 공급 및 배기수단과, 상기 반송실에 인접하여 설치되고, 상기 유지체만을 수용가능한 최소한의 용적을 가지며, 반송실(10) 내의 분위기를 외기와 차단시킨 상태에서 상기 유지체를 반송실(10)에 대하여 반출 및 반입가능한 유지체 수용실과, 상기 유지체 수용실 내를 진공분위기 또는 소정의 불활성 가스 분위기로 치환가능한 내부 분위기 치환수단과, 상기 반송실(10) 내에 설치되고, 상기 반송실(10)의 반송수단과, 상기 유지체 수용실 사이에서 상기 유지체를 반송하는 반송기구와, 상기 유지체 수용실에 인접하여 설치되고, 피처리체를 상기 유지체 수용실 내의 유지체에 세트하는 세팅수단을 구비한 피처리체 이송실을 구비하는 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 불활성 가스 공급 및 배기수단은, 불활성 가스 공급부와, 이 불활성 가스 공급부로부터의 불활성 가스를 상기 반송실(10)에 공급하는 가스 도입관(24)과, 상기 반송실(10) 내의 불활성 가스를 외부로 배기하는 배기관을 구비하고 있는 처리장치.
- 제7항에 있어서, 상기 내부분위기 치한수단은, 불활성 가스 공급부와, 이 불활성 가스 공급부로부터의 불활성 가스를 상기 반송실에 공급하는 가스 도입관과, 상기 반송실 내의 불활성 가스를 외부로 배기하는 배기관과, 상기 반송실 내의 가스를 소정의 진공상태까지 배기 가능한 진공배관과, 상기 가스 도입관과, 상기 배기관과 상기 진공배관의 각각을 개별로 개폐하는 밸브기구를 갖추고 있는 처리장치.
- 제7항에 있어서, 상기 유지체 수용실에 설치되고, 유지체 수용실 내에 있어서의 유지체의 유무를 검지하는 검지수단을, 더욱 포함하는 처리장치.
- 피처리체를 유지체가 수용된 유지체 수용실을 향하여 이송하는 제1공정과, 유지체 수용실 내의 유지체에 피처리체를 수용하는 제2공정과, 유지체 수용실 내의 분위기를 외기로부터 차단시킨 상태에서 유지체 수용실 내를 진공분위기로 설정하는 제3공정과, 유지체 수용실 내에 불활성 가스를 도입하는 제4공정과, 유지체 수용실 내의 분위기가 반송실 내의 분위기와 동일하게 된 단계에서 유지체 수용실 내의 유지체를 불활성 가스 분위기하에서 반송실 내로 반송하는 제5공정과, 반송실 내의 유지체를 처리실 내로 반입하는 제6공정과, 처리실 내에서 유지체에 수용된 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실시하는 제7공정으로 이루어지는 처리방법.
- 피처리체를 유지체가 수용된 유지체 수용실을 향하여 이송하는 제1공정과, 유지체 수용실 내의 유지체에 피처리체를 수용하는 제2공정과, 유지체 수용실 내의 분위기를 외기로부터 차단시킨 상태에서 유지체 수용실 내를 진공분위기로 설정하는 제3공정과, 유지체 수용실 내의 분위기가 반송실 내의 분위기와 동일하게 된 단계에서 유지체 수용실 내의 유지체를 불활성 가스 분위기하에서 반송실 내로 반송하는 제4공정과, 반송실 내의 유지체를 처리실 내에 반입하는 제5공정과, 처리실내에서 유지체에 수용된 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실시하는 제6공정으로 이루어지는 처리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP93-81329 | 1993-03-16 | ||
JP08132993A JP3218488B2 (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR940022935A true KR940022935A (ko) | 1994-10-22 |
KR100276127B1 KR100276127B1 (ko) | 2000-12-15 |
Family
ID=13743350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019940005067A KR100276127B1 (ko) | 1993-03-16 | 1994-03-15 | 처리장치 및 처리방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5462397A (ko) |
JP (1) | JP3218488B2 (ko) |
KR (1) | KR100276127B1 (ko) |
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FPAY | Annual fee payment |
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