KR960002603A - 처리장치, 처리방법 및 처리장치의 크리닝 방법 - Google Patents
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Abstract
처리장치는, 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 개의 처리실과, 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단과, 이들 처리실 및 반송실 중 적어도 1개의 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 크리닝 가스 공급계를 구비한다. 그리고, 개폐수단을 연 상태에서 크리닝 가스가 장치내에 공급되어 상기 모든 실이 크리닝된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 형태에 관한 멀티챔버 장치를 나타내는 모식도,
제2도는 본 발명의 크리닝 방법의 일형태에 있어서의 가스의 흐름을 설명하기 위한 모식도,
제3도는 제1도의 멀티챔버 처리장치에 있어서의 처리실 및 크리닝 가스 공급계를 나타내는 도면.
Claims (35)
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 상기 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단과, 이들 처리실 및 반송실 중 적어도 1개에 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 크리닝 가스 공급수단을 구비하며, 상기 개폐수단을 연 상태에서 상기 크리닝 가스가 공급되어 상기 모든 실이 크리닝 되는 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반송실에 접속된 진공 예비실과, 상기 피처리체를 수납하는 피처리체 수납실과, 상기 진공 예비실과 상기 피처리체 수납실 사이에 설치되고, 이들 사이에서 피처리체를 반송하는 제2반송실을, 더욱 가지는 처리장치.
- 제2항에 있어서, 상기 실(室)중 적어도 1개로부터 상기 크리닝 가스를 배기하는 배기수단을 더욱 가지는 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 크리닝 가스 공급수단은 적어도 1개의 처리실에 크리닝 가스를 공급하는 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 처리실은, 성막처리가 이루어지는 성막실인 처리장치.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 상기 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단을 구비하는 처리장치를 크리닝하는 크리닝 방법으로서, 상기 개폐수단을 열림으로 하는 공정과, 상기 처리실 및 반송실 중 적어도 1개애 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 공정과, 상기 크리닝용의 가스를 모든 실에 확산시키는 공정을 구비하는 크리닝 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 처리장치는, 상기 반송실에 접속된 진공 예비실과, 상기 피처리체를 수납하는 피처리체 수납실과, 상기 진공 예비실과 상기 피처리체 수납실 사이에 설치되고, 이들 사이에서 피처리체를 반송하는 제2반송실을, 더욱 가지는 크리닝 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 실(室)중 적어도 1개로부터 상기 크리닝 가스를 배기하는 공정을 더욱 가지는 크리닝 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 크리닝 가스는, ClF3를 포함하는 크리닝 방법.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 이들 여러 처리실 및 반송실의 각각에 설치된 가스 공급부와, 이들 여러 처리실 및 반송실의 각각에 설치된 배기부와, 상기 가스 공급부를 통하여 상기 각실로 개별적으로 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하기 위한 크리닝 가스 공급수단과, 상기 배기부를 통하여 상기 각 실로부터 개별적으로 상기 크리닝 가스를 배출하기 위한 배기수단을 구비하는 처리장치.
- 제10항에 있어서, 상기 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단을 가지며, 이들 개폐수단이 닫혀진 상태에서, 상기 크리닝 가스 공급수단으로부터 상기 가스 공급부를 통하여 상기 각 실에 크리닝 가스가 공급되는 것을 더욱 포함하는 처리장치.
- 제10항에 있어서, 상기 반송실에 접속된 진공 예비실과, 상기 피처리체를 수납하는 피처리체 수납실과, 상기 진공 예비실과 상기 피처리체수납실 사이에 설치되고, 이들 사이에서 피처리체를 반송하는 제2반송실을, 더욱 가지는 처리장치.
- 제10항에 있어서, 상기 처리장치는 성막처리가 이루어지는 성막실인 처리장치.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 개의 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 상기 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단을 구비하는 처리장치를 크리닝하는 방법으로서, 상기 개폐수단을 닫힘으로 하는 공정과, 상기 각 실에 개별적으로 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 공정을 구비하며, 상기 크리닝가스에 의하여 각 실을 개별적으로 크리닝하는 처리장치의 크리닝 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 처리장치는, 상기 반송실에 접속된 진공 예비실과, 상기 피처리체를 수납하는 피처리체 수납실과, 상기 진공 예비실과 상기 피처리체 수납실 사이에 설치되고, 이들 사이에서 피처리체를 반송하는 제2반송실을, 더욱 가지는 크리닝 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 실(室)중 적어도 1개로부터 상기 크리닝 가스를 배기하는 공정을 더욱 가지는 크리닝 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 크리닝 가스는, ClF3를 포함하는 크리닝 방법.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 상기 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단을 구비하는 처리장치를 크리닝하는 크리닝 방법으로서, 상기 각 실을 대략 동일한 압력의 불활성 분위기로 하는 공정과, 상기 개폐수단을 열림으로 하는 공정과, 상기 각 실에 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 공정을 구비하는 크리닝 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 처리장치는, 상기 반송실에 접속된 진공 예비실과, 상기 피처리체를 수납하는 피처리체 수납실과, 상기 진공 예비실과 상기 피처리체 수납실 사이에 설치되고, 이들 사이에서 피처리체를 반송하는 제2반송실을, 더욱 가지는 크리닝 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 실(室)중 적어도 1개로부터 상기 크리닝 가스를 배기하는 공정을 더욱 가지는 크리닝 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 크리닝 가스는, ClF3를 포함하는 크리닝 방법.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 상기 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단을 구비하는 처리장치를 크리닝하는 크리닝 방법으로서, 상기 개폐수단을 열림으로 하는 공정과, 상기 각 실에 따라서 설정된 농도의 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 공정을 구비하는 크리닝 방법.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 장치 내를 대기에 개방하기 위한 개방수단과, 이들 처리실 및 반송실에 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 크리닝 가스 공급수단과, 크리닝 가스를 배기하는 배기수단과, 크리닝 가스에 의한 크리닝 종료 후에 가스 중의 Cl과 F의 농도를 검출하는 농도 검출수단과, 상기 농도 검출수단의 검출치가 설정치 이하인 때에, 상기 개방수단에 개방지령을 출력하는 제어수단을 구비하는 처리장치.
- 제23항에 있어서, 상기 반송실에 접속된 진공 예비실과, 상기 피처리체를 수납하는 피처리체 수납실과, 상기 진공 예비실과 상기 피처리체 수납실 사이에 설치되고, 이들 사이에서 피처리체를 반송하는 제2반송실을, 더욱 가지는 처리장치.
- 제23항에 있어서, 상기 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단을 가지며, 적어도 크리닝 가스에 의한 크리닝 종료 후에 상기 개폐수단이 열림으로 되어 있는 것을 더욱 포함하는 처리장치.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 상기 여러 처리실과 반송실 사이를 개폐하기 위한 개폐수단을 구비하는 처리장치에 있어서의 처리방법으로서, 적어도 1개의 처리실과 상기 처리실 사이의 개폐수단을 닫힘으로 하는 공정과, 상기 적어도 1개의 처리실에서 상기 피처리체에 대하여 처리를 하는 공정과, 상기 처리를 하는 공정과 동시에, 다른 각 실에 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 크리닝하는 공정을 구비하는 처리방법.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실을 구비하는 처리장치를 크리닝하는 크리닝 방법으로서, 상기 각 처리실 내의 크리닝이 필요로 될 때까지의 피처리체의 처리장수를 파악하는 공정과, 처리장수가 상기장수에 도달한 때에, 상기 각 실에 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하여 크리닝하는 공정을 구비하는 크리닝 방법.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실을 구비하는 처리장치를 크리닝하는 크리닝 방법으로서, 상기 각 실에 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 각 실에 공급하여 크리닝하는 공정과, 크리닝 종료후, 각 실을 배기하는 공정과, 상기 배기를 하면서, 상기 각 실에의 불활성 가스의 공급 및 정지를 여러 번 되풀이하는 공정을 구비하는 크리닝 방법.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 각 실을 배기하기 위한 진공배기계를 구비하는 처리장치를 크리닝하는 크리닝 방법으로서, 상기 각 실의 일부 또는 전부에 Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 각 실에 공급하여 크리닝하는 공정과, 이 크리닝 시에 상기 진공 배기계에 의하여 상기 크리닝 가스를 배출하는 공정을 구비하는 크리닝 방법.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 처리실과, 상기 처리실에 크리닝 가스를 공급하는 크리닝 가스 공급수단과, 상기 크리닝 가스에 의한 상기 처리실의 구성부품의 소모량이 미리 기억되고, 그 값과 크리닝 회수에 의거하여 상기 구성부품의 교환을 지령하는 교환지령수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실과, 상기 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실과, 상기 각 실에 크리닝 가스를 공급하는 크리닝 가스 공급수단과, 상기 크리닝 가스에 의한 상기 각 실의 구성부품의 소모량이 미리 기억되고, 그 값과 크리닝 회수에 의거하여 상기 구성부품의 교환을 지령하는 교환지령수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하는 처리장치를 사용한 처리방법으로서, 상기 처리장치를 사용하여 피처리체를 처리하는 공정과, 상기 처리장치를 크리닝 가스에 의하여 크리닝하는 공정과, 상기 크리닝 가스에 의한 상기 처리장치의 구성부품의 소모량으로부터 상기 구성부품을 교환할 크리닝 횟수를 파악하는 공정을 구비하는 처리방법.
- 제32항에 있어서, 상기 크리닝 가스는, ClF3를 포함하는 처리방법.
- 처리가스를 사용하여 피처리체를 처리하기 위한 여러 처리실에 접속되고, 이들 처리실에 대한 상기 피처리체의 반출 반입을 하기 위한 반송실로서, Cl과 F를 포함하는 크리닝 가스를 공급하는 크리닝 가스 공급수단을 가지는 반송실.
- 제34항에 있어서, 상기 크리닝 가스를 배출하기 위한 배기수단을 더욱 가지는 반송실.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)
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KR100360399B1 (ko) * | 2000-03-07 | 2002-11-13 | 삼성전자 주식회사 | 반구형입자(hsg)막을 구비한 반도체소자의 제조방법 |
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1994
- 1994-06-07 KR KR1019940012731A patent/KR100263404B1/ko not_active IP Right Cessation
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US6828235B2 (en) | 2000-03-29 | 2004-12-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Semiconductor manufacturing method, substrate processing method, and semiconductor manufacturing apparatus |
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