KR970072120A - 기판 처리방법 및 처리장치 - Google Patents

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KR970072120A
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processing apparatus
conveying
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KR1019970012599A
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요스케 이노우에
다카야 스즈키
토모지 와타나베
노부유키 미세
토시유키 우치노
요사히코 사쿠라이
다카오 나이토
후미히데 이케다
야스히로 이노구치
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가나이쓰토무
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
시바타 쇼오타로오
고쿠사이덴키 가부시키가이샤
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

기판 처리장치는, 단일 반송장치가 마련된 기판반송실과, 상기 기판 반송실에 연결되며 그 각각이 n(n≥1)장의 기판을 수납하여 처리할 수 있는 m(m≥2)개의 처리실과, 상기 기판 반송실에 연결된 하나의 냉각실을 구비하며, 상기 냉각실은 전체 처리실에서 처리된 n×m장 이상의 기판을 한 번에 수납하여 냉각시킨다. 이에 의해, 높은 스루풋이 실현된다. 그리고, 상기 기판 처리장치를 사용하여, 기판 처리방법에 의해 기판을 처리한다.

Description

기판 처리방법 및 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 의한 매엽식 기판 처리장치의 일례의 구성을 나타내는 개략 평면도, 제2도는 제1도의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도, 제3도는 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리공정의 일례를 나타내는 다이어그램, 제4A도는 냉각실의 단면도, 제4B도는 제4A도의 ⅣB-ⅣB선에 따른 냉각실의 단면도, 제5도는 본 발명에 따른 매엽처리식 에피택셜 성장의 일례를 나타내는 공정 다이어그램, 제6도는 냉각실 내로 반송된 웨이퍼의 냉각특성을 설명하는그래프.

Claims (9)

  1. 하나의 반송수단이 마련된 기판 반송실과, 상기 기판 방송실에 연결되며 그 각각이 n(n≥1)장의 기판을 수납하여 처리할 수 있는 m(m≥2)개의 처리실과, 상기 기판 반송실에 연결된 하나의 냉각실을 가지는 기판 처리장치를 이용하여, 상기 반송수단에 의해 카세트에 수납된 기판을 차례로 삽입시켜 열처리하는 공정과, 처리후의 고온 기판을 상기 냉각실에 수납하여 냉각하는 공정을 포함하는 처리방법에 있어서, 냉각실에 고온 기판을 n×m장 이상 수납하여 냉각하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 열처리는 산화막 또는 불순물 확산층을 형성하기 위해 상기 처리실에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 처리실에서는, 상기 기판이 가열되고, 원료가스가 공급되어 실리콘의 에피택셜 성장층이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이며, 이 실리콘 기판 상에 CVD막이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  5. 단일 반송장치가 마련된 기판반송실과, 상기 기판 반송실에 연결되며 그 각각이 n(n≥1)장의 기판을 수납하여 처리할 수 있는 m(m≥2)개의 처리실과, 상기 기판 반송실에 연결된 하나의 냉각실을 구비하는 기판 처리장치에 있어서, 상기 냉각실은 n×m장 이상의 기판을 수납하여 냉각시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 처리실의 각각은 기판 상에 산화막 또는 불순물 확산층을 형성하기 위한 열처리실인 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 처리실의 각각은 상기 기판에 원료가스를 공급하여 에피택셜 성장층을 형성하기 위한 반응실인 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 처리실의 각각은 상기 기판 상에 CVD막을 형성하기 위한 반응실인 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  9. 제5항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 냉각실에는 격리판들이 마련되어, 수납되는 적어도 n장의 기판이 그 격리판 사이에 배치되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970012599A 1996-04-08 1997-04-04 기판 처리방법 및 처리장치 KR970072120A (ko)

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