KR970072219A - 종형 열처리장치 - Google Patents

종형 열처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970072219A
KR970072219A KR1019970014372A KR19970014372A KR970072219A KR 970072219 A KR970072219 A KR 970072219A KR 1019970014372 A KR1019970014372 A KR 1019970014372A KR 19970014372 A KR19970014372 A KR 19970014372A KR 970072219 A KR970072219 A KR 970072219A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transfer
heat treatment
cassette
holding
workpiece
Prior art date
Application number
KR1019970014372A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100432440B1 (ko
Inventor
마사히로 미야시타
겐이치 야마가
가츠히코 미하라
Original Assignee
히가시 데츠로우
도쿄 일렉트론 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP12259696A external-priority patent/JPH09289173A/ja
Priority claimed from JP27173696A external-priority patent/JP3754149B2/ja
Application filed by 히가시 데츠로우, 도쿄 일렉트론 가부시키가이샤 filed Critical 히가시 데츠로우
Publication of KR970072219A publication Critical patent/KR970072219A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100432440B1 publication Critical patent/KR100432440B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/005—Transport systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)
  • Heat Treatments In General, Especially Conveying And Cooling (AREA)

Abstract

제1웨이퍼보트를 싣고서 웨이퍼 이재(移載)영역과 열처리로내의 위치 사이를 이동하는 제1보트 엘리베이터와, 제2웨이퍼보트를 싣고서 웨이퍼 이재영영과 열처리로내의 위치 사이를 이동하는 제2보트 엘리베이터를 설치하면, 웨이퍼보트의 이재를 행하지 않기 때문에 웨이퍼보트의 위치어긋남의 문제가 없어져서 웨이퍼보트의 전도(轉倒)를 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼보트의 이재를 행하는 경우에도, 웨이퍼보트의 하단측에 절결부를 형성하고, 웨이퍼 이재스테이지의 상면에 절결부와 적합(適合)하는 가이드부재를 설치하여 웨이퍼보트를 웨이퍼 이재스테이지로 재치할 때에, 강제적으로 위치맞춤을 행하면 위치어긋남이 보정되고, 어긋남의 누적이 없기 때문에, 웨이퍼보트의 전도를 방지할 수 있다.

Description

종형 열처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 제1실시형태에 따른 종형 열처리장치의 주요부를 나타낸 사시도.

Claims (7)

  1. 노내로의 반출입을 하측으로부터 행하는 종형 열처리로와, 복수의 피처리체를 보지하고, 상기 종형 열처리로에 출입되는 제1 및 제2보지구, 상기 제1보지구를 탑재하고, 상기 열처리로내의 위치와 이 열처리로내의 위치로부터 떨어진 이재영역 사이를 이동하며, 상기 제1보지구를 반송하는 제1보지구 반송수단, 상기 제2보지구를 탑재하고, 상기 열처리로내의 위치와 이 열처리로내의 위치로부터 떨어진 상기 이재영역 사이를 이동하며, 상기 제2보지구를 반송하는 제2보지구 반송수단 및, 상기 이재영역에서 상기 제1보지구와 제2보지구에 대해 피처리체의 주고 받음을 행하는 피처리체 이재수단을 구비하고, 상기 제1보지구 반송수단과 상기 제2보지구 반송수단에 의해 상기 제1보지구와 상기 제2보기구를 교대로 상기 열처리로내로 반출입하고 피처리체의 열처리를 행하는 종형 열처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 종형 열처리로에 연통함과 더불어, 상기 제1 및 제2보지구와 상기 제1 및 제2보지구 반송수단과 상기 피처리체 이재수단을 수용하는 이재실과, 이 이재실내의 상기 이재영역에 설치되고, 더미용피처리체를 보지하는 제3보지구, 상기 이재실의 실벽에서 상기 이재영역으로 향하는 위치에 개구되고, 상기 이재실 외부로부터 피처리체를 이재실내로 반입하기 위한 수도구, 복수의 피처리체를 수납하는 카세트본체와 이 카세트본체의 개구부를 개구가능하게 밀폐하는 덮개를 갖추고, 상기 카세트본체의 덮개로 밀폐된 개구부를 상기 수도구에 장착하고 상기 덮개를 벗김으로써 상기 카세트내부를 이재실내로 연통시키며, 피처리체를 이제실내로 반송가능한 상태로 하는 덮개부착 밀폐형 피처리체 카세트 및, 상기 수도구에서 상기 밀폐형 피처리체 카세트의 덮개가 벗겨진 후, 상기 밀폐형 피처리체 카세트내의 피처리체 카세트내의 피처리체의 매수를 카운트하기 위한 피처리체 카운터를 더 구비하고, 상기 이재수단은, 상기 수도구에 장착된 밀폐형 피처리체 카세트와 상기 제1 및 제2보지구 사이에서 피처리체를 이제함과 더불어, 상기 피처리체 카운터의 카운트결과에 기초하여 상기 제3보지구로부터 더미용 피처리를 상기 제1또는 제2보지구로 이재하는 것을 더 행하는 것을 특징으로 하는 종형 열처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 이재실의 외부영역에 설치되고, 처리전의 피처리체를 수납한 피처리체 카세트 및 처리후의 피처리제를 수납한 피처리체 카세트를 수용하는 카세트 수용부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 종형열처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 종형 열처리로에 연통함과 더불어, 상기 제1 및 제2보지구와 상기 제1 및 제2보지구 반송수단과 상기 피처리체 이재수단을 수용하는 이재실과, 이 이재실내의 상기 이재영역에 설치되고, 더미용피처리체를 보지하는 제3보지구, 복수의 처리용 피처리제르 수납하기 위한 피처리체 카세트, 상기 피처리체 카세트내의 피처리체의 매수를 카운트하기 위한 피처리체 카운터, 상기 이재실내의 상기 이재영역에 설치되고, 상기 피처리체 카세트가 재치되는 주고받음 재치부 및, 상기 이재실의 외부영역에 설치되고, 처리전의 피처리체를 수납한 피처리체 카세트 및 처리후의 피처리체를 수납한 피처리체 카세트를 수납하기 위한 카세트 수용부를 구비하고, 상기 이재수단은, 주고받음 재치부에 장착된 피처리체 카세트와 상기 제1 및 제2보지구 사이에서 피처리체를 이재함과 더불어, 상기 피처리체 카운터의 카운트 결과에 기초하여 상기 제3보지구로부터 더미용 피처리체를 상기 제1또는 제2보지구로 이재하는 것을 더 행하는 것을 특징으로 하는 종형 열처리장치.
  5. 노내로의 반출입을 하측으로부터 행하는 종형 열처리로와, 복수의 피처리체를 보지하고, 상기 종형 열처리로에 출입되는 보지구, 상기 종형 열처리로내와 이 열처리로의 아래쪽 위치 사이에서 상기 보지구를 승강시키는 보지구 승강수단, 상기 보지구의 아래쪽 위치로부터 이간된 이재영역에 설치되고, 상기 보지구를 재치하는 보지구 재치부, 상기 보지구 승강수단과 상기 보지구 재치부 사이에서 상기 보지구의 이동을 행하는 이재수 단, 상기 보지구 재치부에 재치된 보지구에 대해, 피처리체의 주고받음을 행하는 피처리처 이재수단 및, 상기 보지구 재치부상의 상기 보지구의 위치를 강제적으로 위치맞추는 위치맞춤기구를 설치한 것을 특징으로 하는 종형 열처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 위치맞춤기구는, 상기 보지구의 하단부에 설치된 계합부(係合部)와, 상기 보지구 재치부에 설치되어 상기 계합부와 끼워 맞추어지는 가이드부재 및, 상기 가이드부재를 상기 계합부로 향하여 밀어올리는 밀어올림부를 구비하고, 상기 보지구가 상기 보지구 재치부에 재치될 때에, 상기 밀어올림기구에 의해 가이드부재가 밀어 올려져 상기 보지구의 상기 계합부에 강제적으로 계합되고, 상기 보지구의 위치맞춤을 행하는 것을 특징으로 하는 종형 열처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 보지구 재치부의 재치면에 기체를 공급하기 위한 기체공급수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 종형 열처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019970014372A 1996-04-19 1997-04-18 종형 열처리장치 KR100432440B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-122596 1996-04-19
JP12259696A JPH09289173A (ja) 1996-04-19 1996-04-19 縦型熱処理装置
JP96-271736 1996-09-20
JP27173696A JP3754149B2 (ja) 1996-09-20 1996-09-20 縦型熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970072219A true KR970072219A (ko) 1997-11-07
KR100432440B1 KR100432440B1 (ko) 2004-08-04

Family

ID=26459686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970014372A KR100432440B1 (ko) 1996-04-19 1997-04-18 종형 열처리장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5829969A (ko)
KR (1) KR100432440B1 (ko)
TW (1) TW335512B (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH693726A5 (de) * 1998-07-09 2003-12-31 Tec Sem Ag Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung eines vollständigen Waferstapels.
US6444974B1 (en) * 1998-07-17 2002-09-03 Asahi Glass Company Ltd. Method for transferring a dummy wafer
KR20020019414A (ko) * 2000-09-05 2002-03-12 엔도 마코토 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법
JP4923361B2 (ja) * 2001-09-04 2012-04-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP2003124284A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2004103990A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR100527671B1 (ko) * 2004-02-19 2005-11-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 상에 막을 형성하는 방법
JP4358690B2 (ja) * 2004-06-30 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びその運用方法
KR100946994B1 (ko) * 2005-10-04 2010-03-10 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
DE202006007937U1 (de) * 2006-05-18 2007-09-20 Strämke, Siegfried, Dr.-Ing. Plasmabehandlungsanlage
US8747052B2 (en) * 2006-11-22 2014-06-10 Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. Automation for high throughput semiconductor batch-wafer processing equipment
JP4335908B2 (ja) * 2006-12-22 2009-09-30 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法
JP4327206B2 (ja) * 2007-01-30 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法
US7922485B2 (en) * 2007-02-14 2011-04-12 Tokyo Electron Limited Vertical type heat processing apparatus and vertical type heat processing method
JP4365430B2 (ja) * 2007-02-14 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法
JP5050761B2 (ja) * 2007-10-03 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理システム及び被処理体の熱処理方法
US12040199B2 (en) * 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2670503B2 (ja) * 1988-04-01 1997-10-29 東京エレクトロン株式会社 半導体ウエハの熱処理装置
JPH07105357B2 (ja) * 1989-01-28 1995-11-13 国際電気株式会社 縦型ｃｖｄ拡散装置に於けるウェーハ移載方法及び装置
JP2648751B2 (ja) * 1989-02-20 1997-09-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
JP3069575B2 (ja) * 1990-03-09 2000-07-24 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP2668024B2 (ja) * 1990-02-26 1997-10-27 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US5221201A (en) * 1990-07-27 1993-06-22 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus
JPH0499315A (ja) * 1990-08-17 1992-03-31 Tokyo Electron Sagami Ltd 熱処理装置のボートの支持機構
US5277579A (en) * 1991-03-15 1994-01-11 Tokyo Electron Sagami Limited Wafers transferring method in vertical type heat treatment apparatus and the vertical type heat treatment apparatus provided with a wafers transferring system
JP3027019B2 (ja) * 1991-03-26 2000-03-27 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3134137B2 (ja) * 1993-01-13 2001-02-13 東京エレクトロン株式会社 縦型処理装置
JP3115164B2 (ja) * 1993-07-29 2000-12-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW335512B (en) 1998-07-01
KR100432440B1 (ko) 2004-08-04
US5829969A (en) 1998-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970072219A (ko) 종형 열처리장치
KR100367021B1 (ko) 처리 장치
KR940022935A (ko) 처리장치 및 처리방법
KR100618355B1 (ko) 전방 말단 연장부 및 내부 기판 버퍼를 갖춘 기판수송기를 구비한 기판 처리 장치
US6231290B1 (en) Processing method and processing unit for substrate
KR100221983B1 (ko) 처리장치
SG98382A1 (en) Device and process for liquid treatment of wafer-shaped articles
KR100741186B1 (ko) 피처리체의 처리시스템
TW429505B (en) System for the treatment of wafers
KR930018682A (ko) 감압 처리 장치
KR870009445A (ko) 반도체 제조장치
KR940016554A (ko) 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치
TW358221B (en) Etching apparatus for manufacturing semiconductor devices
ES2078717T3 (es) Aparato de reparticion con un sistema de distribucion y alimentacion de gas para manipular y almacenar recipientes transportables estancos a presion.
KR0184676B1 (ko) 종형 열처리 장치
KR930020598A (ko) 세정 처리 장치
DE59407094D1 (de) Vorrichtung zum transport von wafermagazinen
KR900014605A (ko) 진공하의 순차적인 열처리 수행장치
TW200520031A (en) System and method for treating substrates, and a use of such a system and a conveying device
TW200610009A (en) Vertical heat treatment system and its operation method
JP2015159185A (ja) 基板処理装置、基板処理方法
KR970067763A (ko) 감소된 풋프린트 반도체 처리 시스템
KR920007120A (ko) 종형 열처리장치
JP2742572B2 (ja) 半導体ウェーハの縦型熱処理装置
TW555147U (en) Substrate processing device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120423

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130502

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee