KR940020412A - 반도체 집적 회로 칩 내장형 전압 강하 회로(Voltage Drop Circuit to be Built in Semiconductor IC Chip) - Google Patents

반도체 집적 회로 칩 내장형 전압 강하 회로(Voltage Drop Circuit to be Built in Semiconductor IC Chip) Download PDF

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Abstract

본 발명은 분압기와 전압 비교기를 포함하는 고집적 IC칩에 내장될 전압 강하 회로에 관한 것이다. 분압기의 분할된 출력 전압(VINT)와 비교 기준 전압(VREF)는 전압 비교기의 각각의 입력 단자(-) 및 (+)에 인가된다. 전압 비교기의 출력 신호는, 제어 펄스를 발생시키고 이 제어 펄스에 의해 분압기의 분압기구간에 있는 캐패시터의 접속을 제어하여 분할된 출력 전압(VINT)를 부하 회로에 공급하기 위해서 분압기의 제어 신호 발생기 구간에 공급된다. 이 경우에, 캐패시터들은 외부 전압으로부터 내부 회로용의 전압을 발생시키기 위한 분압 부재로서 사용된다. 따라서, 전력 손실은 감소될 수 있고 캐패시터의 이용 효율은 증가된다. 그러므로, 전압 강하 회로는 고집적 IC칩에 적합하다.

Description

반도체 집적 회로 칩 내장형 전압 강하 회로(Voltage Drop Circuit to be Built in Semiconductor IC Chip)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4a도는 본 발명에 따른 전압 강하 회로의 제1실시예의 블럭도.

Claims (9)

  1. 외부 전원 전압을 입력하기 위한 제1단자, 기준 전압으로 유지될 제2단자, 및 상기 제1 및 제2단자들에 접속된 예정된 기능을 갖는 내부 회로를 포함하는 반도체 집적 회로 칩에 내장되어 있으며, 상기 외부 전원 전압을 강하시키고 이강하된 전압을 상기 내부 회로에 인가시키는 전압 강하 회로에 있어서, (A) (a) 동일한 용량을 갖는 제1 및 제2캐패시터들, (b) 상기 제1 및 제2캐패시터들의 전극들 중 한 전극과 제1단자와의 사이, 그리고 상기 제1 및 제2캐패시터들의 전극들 중 다른 전극과 제2단자와의 사이에 삽입되며 제어 신호에 응답하여 선택적으로 도전되는 2쌍의 제1스위치 소자들, (c)상기 제1캐패시터의 한 전극과 상기 제2캐패시터의 다른 전극과의 사이, 그리고 상기 제1캐패시터의 다른 전극과 상기 제2캐패시터의 한 전극과의 사이에 삽입되며 상기 제어 신호에 응답하여 선택적으로 도전되는 1쌍의 제2스위치 소자들, (d) 상기 제1캐패시터의 한 전극과 상기 제2캐패시터의 한 전극과의 사이에 직렬로 삽입되며 상기 제어 신호에 응답하여 선택적으로 도전되는 1쌍의 제3스위치 소자들, (e) 1쌍의 제3스위치 소자들 사이의 접속점에 접속되고 상기 내부 회로에 접속된 출력 단자 및 (f) 상기 제1 및 제2캐패시터들이 제1단자로부터 공급된 외부 전원 전압에 의해 교대로 충전되고 이 충전에 대한 상보적 방식으로 상기 출력 단자로부터 상기 내부 회로로 교대로 방전되도록 제1, 제2 및 제3스위치 소자들의 도전 상태들을 제어하기 위해 제어 신호를 발생하기 위한 제어 신호 발생 수단을 포함하는 분압기 회로 및 (B) 상기 내부 회로로 출력된 방전 전압과 예정된 비교 기준 전압과의 사이의 비교 결과에 따라 상기 제어 신호 발생 수단 내의 제어 신호 발생을 제어하기 위해 접속 제어 신호를 발생시키는 접속 제어 신호 발생 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접속 제어 신호 발생 수단이 제1 및 제2 입력 단자들을 갖는 전압 비교기 수단; 상기 비교 기준 전압을 발생하도록 상기 외부 전원 전압을 분할하기 위해 상기 제1단자에 접속된 분압 수단 및 상기 전압 비교기 수단의 상기 제1입력 단자를 상기 출력 단자에 접속하고 상기 전압 비교기 수단의 상기 제2입력 단자를 상기 분압 수단에 접속하기 위한 배선 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어 신호들이 상기 제1 및 제2캐패시터들의 교대의 충전 및 방전 주기 동안에 전연부 및 후연부에서 중첩되지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 내부 회로가 판독 사이클의 전연부와 동기되는 프리챠지 제어 펄스에 응답하여 프리챠지 전압을 입력하기 위한 메모리 셀 어레이를 포함하는 대용량 동적 랜덤 억세스 메모리이로 상기 출력 단자는 상기 동적 랜덤 억세스 메모리의 감지 증폭기에 접속되고, 상기 제1단자와 상기 출력 단자 사이에 삽입되며 상기 프리챠지 제어 펄스에 응답하여 선택적으로 도전되는 제4스위치 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  5. 제2항에 있어서, 상기 내부 회로가 비교적 중(重)전류(heavy-current)에 의해 동작가능한 증부하 동작 주기 및 비교적 경(經)전류(light-current)에 의해 동작가능한 경부하 동작 주기를 포함하고 상기 출력 단자상의 출력 전압을 변화시키기 쉬운 대용량 동적 랜덤 억세스 메모리의 회로이고, 상기 출력 전압을 비교 기준 전압보다 낮은 추가 비교 기준 전압과 비교하기 위한 추가 전압 비교기 수단 및 상기 제1단자와 상기 출력 단자 사이에 삽입되고 상기 추가 전압 비교기 수단의 출력에 응답하여 선택적으로 도전되는 스위치 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 증부하 동작 주기 및 상기 경부하 동작 주기를 검출하기 위해서 상기 추가 전압 비교기 수단의 출력에 접속되고 상기 추가 전압 비교기 수단의 출력에 나타나는 펄스 출력의 반복 주파수를 검출하는 주파수 카운터 및 상기 주파수 카운터의 출력에 응답하여 선택적으로 동작 상태가 되고 상기 출력이 상기 스위치 소자에 공급되도록 상기 추가 전압 비교기 수단을 제어하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제어 신호 발생 수단이 1쌍의 입력 단자들 중 한 단자에서 상기 전압 비교기 수단의 출력을 입력하기 위한 제1쌍안정 회로, 1쌍의 입력 단자들에서 상기 제1쌍안정 회로의 1쌍의 출력들을 입력시키고 접속 제어 신호로서 상기 출력들을 상기 분압 수단에 공급하는 제2쌍안정 회로 및 상기 접속 제어 신호에 지연을 제공하고 펄스폭 변환을 실행하여 펄스폭 변환 신호를 상기 제1쌍안정 회로의 상기 1쌍의 입력 단자들 중 다른 입력 단자에 공급하는 논리 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  8. 제2항에 있어서, 상기 전압 비교기 수단의 출력에 접속되어, 예정된 지연을 상기 접속 제어 신호에 제공하기 위한 지연 접속 제어 신호를 출력하는 1개 이상의 지연 회로 및 상기 분압기 회로와 동일한 구성을 갖고 있으며, 상기 분압기 회로의 대응하는 상기 제1 및 출력 단자들에 접속된 제1 및 제2단자들을 포함하고, 상기 분압기 회로의 제어 신호 발생 수단에 대응하는 제어 신호 발생 수단에 의해 상기 지연 접속 제어 신호를 입력하는 1개 이상의 종속 분압기 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
  9. 제8항에 있어서, 3개의 지연 회로들과 3개의 종속 분압기 회로들이 제공되는 것을 특징으로 하는 전압 강하 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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