CN1201331C - 控制多电压发生器芯片中各电压发生器的电路 - Google Patents

控制多电压发生器芯片中各电压发生器的电路 Download PDF

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CN1201331C CNB991044347A CN99104434A CN1201331C CN 1201331 C CN1201331 C CN 1201331C CN B991044347 A CNB991044347 A CN B991044347A CN 99104434 A CN99104434 A CN 99104434A CN 1201331 C CN1201331 C CN 1201331C
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Abstract

芯片上构成电压发生器系统的一组电压发生电路受中央电压发生器控制电路的控制。电压发生器控制电路包括带有状态机(52)的控制器,它接收来自芯片上不同装置比如时钟发生器、电压检测器、键合区、检测区、熔丝和预定寄存器的控制信号。依据所接收的信号,控制器根据每个操作阶段中各发生电路所要求的预定程序序列产生控制信号并将之发送至电压发生器系统的各发生电路和芯片上其它电路,以便提供芯片上各电路必要的稳定电压。

Description

控制多电压发生器芯片中各电压发生器的电路
本申请与1998年3月27日提交的序列号为60/079717的临时申请有关,并由该临时申请引出,本申请和临时申请有着相同的发明人和受让人。
本发明涉及控制在诸如动态随机存取存储器之类的芯片中所使用的多电压发生器系统各阶段操作的电路
现代的芯片诸如动态随机存取存储器(DRAM)芯片需要由多个发生器在该芯片上产生许多不同的电压,在各个操作阶段期间必须控制这些发生器的启动时间顺序。
1994年6月7日公布的美国专利5319601(Kawata等人)披露了一种DRAM的电源启动电路,其中使在电源接通之后过渡电压的上升时间很短,并且使电流消耗保持在低水平。该电源电路包括一个监测外加电源电压何时达到预定电压并且产生第一和第二检测信号的上电检测电路,和产生内部电源电压的内部电源电路。该电源电路还包括根据外部电源电压产生第一过渡电压并将之送往过渡电压供电节点的第一过渡电压产生电路。当产生第一检测信号并且第一过渡电压达到预定数值时,第一过渡电压产生电路停止第一过渡电压向过渡电压供电节点的提供并终止过渡电压产生功能。第二过渡电压产生电路根据内部电源电压产生第二过渡电压并且当第二检测信号产生时,将第二过渡电压送往供电节点。第一过渡电压产生电路的驱动能力高于第二过渡电压产生电路,这使得电源接通之后过渡电压的上升时间有可能缩短,同时也降低了总的电流消耗。
参看图1,图中所示为现有技术的发生器控制电路10的框图,该电路用于控制在例如DRAM之类的芯片中产生电压的发生器,电路10分别包括上电电路20,由参考电压发生器(REF.VOLT.)23和一组电压发生器(未示)组成的发生器系统(GENERATORS)22,初始化电路24,上拉电路26,以及第一和第二或门电路28和30。应当理解的是,上拉电路26和第一及第二或门电路28和30包括一或多个这样的电路或者门,这些电路或者门取决于上拉电路26和或门电路28和30所接收和并行处理的信号数量。
上拉电路26接收来自相关芯片上键合区(bondpad)和测试区(testpad)的信号。在上拉电路26中,当输入区未被连接的时候输出信号被缺省上拉至逻辑高电平(逻辑“1”),而当从上述区或连接处接收到输入信号时则输出逻辑“0”。来自上拉电路26的输出信号在第一或门电路28中与经相关初始化电路24初始化的测试模式寄存器信号逻辑组合。从第一或门28输出的信号与上电电路20的第一输入端以及发生器系统22相耦合。测试模式寄存器信号还在相关的初始化电路24中初始化,然后耦合至发生器系统22。来自相关芯片上熔丝(fuse)处(未示出)的信号在相关初始化电路24中初始化,并且耦合至发生器系统22的参考发生器23中。熔丝信号还以逻辑方式与输入测试模式寄存器信号在第二或门电路30中组合,然后耦合至发生器系统22。上电电路20自第一或门电路28接收输出信号,自初始化电路接收各信号,产生输出控制信号并将之送往初始化电路24以及发生器系统22的各发生器。发生器系统22包括含有参考发生器23在内的一组电压发生器,它接收外部电压(VEXT)、系统信号(SYS、SIGS),还从第一和第二或门电路28和30、初始化电路24以及上电电路20接收信号,并且产生送往初始化电路24的输出信号和相关芯片上远程电路所要求的各种电压(未示)。
为了控制这些发生器的操作,在发生器功能中引入了许多逻辑控制电路,这些发生器功能依常规是由分散在整个发生器系统22内位于各独立发生器单元(未示)中的本地逻辑电路(未示)执行的。常规发生器系统22是工艺发展的结果,在这种发生器系统中一旦添加了新的电压电平和相关的发生器单元,或者控制官能需要改变,就需要在本地添加附加的逻辑电路。
希望能够提供一种电路,在该电路中采用对芯片上电压发生器的控制,得以避免将逻辑电路分散在整个发生器系统中,而且具有一定的灵活性能够适应任何在将来对发生器系统或芯片作修改时所需要的变化。
本发明涉及一种电路,这种电路被用于控制动态随机存取存储器(DRAM)和其它存储器中采用的电压发生器系统的各种模式,这些存储器由一组能产生该存储器所需的各种电压的发生器单元组成
从一方面来看,本发明涉及一芯片,该芯片包括一个含有一组电压发生电路在内的发生器系统和一个中央发生器控制电路。中央发生器控制电路包括一个与电压发生电路组的每一个以及该芯片上预定装置相耦合的控制器。该控制器响应来自芯片上预定装置的信号,从而针对发生器系统操作的至少两个分立阶段的每个阶段产生一个预定的输出控制信号序列并将之送往各个发生电路。在限定的时间周期内,每个预定的输出信号控制序列对芯片上预定装置和所述发生电路组的逻辑操作序列进行控制,使得从所述发生电路组产生所需要的稳定电压输出,将之送往芯片上的预定电路。
从另一方面看,本发明涉及动态随机存取存储器(DRAM)芯片,它包括一个包含一组电压发生电路在内的发生器系统和中央发生器控制电路。电压发生电路用于为预定的其它发生电路以及芯片上的其它装置产生电压。中央发生器控制电路包括一个与电压发生电路组的每一个发生电路以及该芯片上预定的其它装置相耦合的控制器。该控制器响应电压发生电路组中的事件(occurrence)和来自芯片上其它预定装置的信号,从而针对发生器系统操作的至少两个分立阶段的每个阶段产生一个预定的输出控制信号序列并将之送往各个发生电路。在限定的时间周期内,每个预定的输出信号控制序列对芯片上的预定装置和所述发生电路组的逻辑操作顺序进行控制,使得从所述发生电路组产生所需要的稳定电压输出,将之送往芯片上的预定电路。
本发明在结合附图和权利要求书阅读下列详细说明之后能够得到更好的理解。
图1是用于控制多发生器芯片比如DRAM芯片中电压的现有技术发生器控制电路的框图;
图2是根据本发明,用于控制多发生器芯片比如DRAM芯片中各电压发生器的例示性中央发生器控制电路的框图;
图3是根据本发明的包括位于多发生器芯片比如DRAM芯片上、由图2所示中央发生器控制电路控制的多个电压发生器的例示性电压发生器系统的框图;
图4A和4B是一个上电序列表,它示意地表示了由图2中央发生器控制电路控制图3发生器电路的上电序列;以及
图5是在图2示例性中央发生器控制电路中的状态机的示例电路。
现在参看图2,该图是根据本发明,用于控制位于具有多个电压发生器电路的集成电路芯片比如DRAM芯片中各电压发生器(如图3所示)的例示性中央发生器控制电路40(位于虚线方框内)的框图。中央发生器控制电路40包括一个控制器50(位于虚线方框内),一个向控制器50提供时钟信号的振荡器42,以及自控制器50接收信号并且将所产生的控制信号送回控制器50的电压检测电路44。控制器50包括状态机52和与门54。状态机52是一公知装置,它包括一个处理器,该处理器采用存储器(未示)存储以预定方式操作该处理器的程序指令。
现在参看图5,状态机52可选地包括输入逻辑电路70,输出逻辑电路72和状态锁存电路74。输入逻辑电路70和输出逻辑电路72一般接收输入控制器的所有输入逻辑信号(例如,键合区/测试区,测试模式寄存器,熔丝,电压检测器电路44信号),并且经各种门电路提供必要的逻辑功能,以产生合适的输出控制信号。状态锁存电路74可以包括触发器(未示),该触发器用于接收来自输入逻辑电路70的信号,和诸如复位信号和时钟信号之类的其它信号,并且产生适当的输出信号将之送往输入和输出逻辑电路70和72。
现在参看图2,状态机52接收来自振荡器42的时钟信号,来自电压检测电路44,以及来自各熔丝、键合区和测试区以及测试模式寄存器的信号,并且根据在其存储器中存储的程序指令产生输出信号。与门54接收时钟选通(使能)信号和来自状态机52的预定输出信号,并且产生输出信号,这些输出信号与其它来自状态机52的预定输出信号组合在一起,构成从中央发生器控制电路40送往拟控制的各电压发生电路的静态选通和组合输出信号“C”。下文结合图4A和4B说明控制器50的操作示例。
电压检测电路44测量外加电压(图3所示VEXT)和由一组发生电路(图3)中预定的发生电路所产生的某些电压,并且一旦这些电压达到它们特定的阈值之后向控制器50发送相应的信号。应当理解,可以利用任何适当的公知电压检测电路来执行这些功能。
现在参看图3,该图是根据本发明的一个例示性电压发生器系统100(虚线方框内)的框图。系统100包括在一个多发生器芯片例如DRAM上的一组电压发生电路111-124(分别表示为GEN.1-GEN.14),这些电压发生电路由图2的中央发生器控制电路40控制。在例示性电压发生器系统100中,每个电压发生电路111-124都接收来自图2控制器50的独立控制信号“C”,和预定的外加电压(VEXT)。应当理解,为了简化附图,图中示意控制信号“C”和预定外加电压(VEXT)被经由单个输入导体加在每个电压发生电路111-124.实际上,这些输入信号是经分立的导体加在每个电压发生电路111-124上,除控制信号“C”和预定外部电压(VEXT)外,图中还示意来自电压发生电路113的输出(V3)被加在每个电压发生电路115-124,来自电压发生电路116的输出(V6)被输入到电压发生电路123.
在例示性电压发生器系统100中,电压发生电路111(GEN.1)对来自控制器50指定于其上的控制信号“C”和预定外加电压(VEXT)作出响应,用于产生耦合到每个电压发生电路112(GEN.2)和113(GEN.3)各自第一输入端的第一输出电压(V1A),和耦合到电压发生电路112第二输入端的第二输出电压(V1B)。电压发生电路112响应来自电压发生电路111的第一和第二电压V1A和V1B,指定于其上的控制信号“C”以及预定外加电压(VEXT),用于产生耦合到电压发生电路113第二输入端以及电压发生电路114(GEN.4)和115(GEN.5)各自的输入端的输出电压(V2).电压发生电路113响应指定于其上的控制信号“C”,预定外加电压(VEXT)以及分别自电压发生电路111和112接收的电压V1A和V2,用于产生输出电压(V3),该输出电压V3作为输入提供给电压发生电路115-124,并且作为输出信号自电压发生器系统100输出。
电压发生电路114响应被指定于其上的控制信号“C”,预定外加电压(VEXT),和接收自电压发生电路112的电压V2,用于产生被作为电压发生器系统输出信号的输出电压(V4)。电压发生电路115响应分别来自电压发生电路112和113的电压V2和V3,指定给其的控制信号“C”以及预定外加电压(VEXT),用于产生输出电压(V5)并将之作为输入信号输入到电压发生电路116(GEN.6)。电压发生电路116响应指定于其上的控制信号“C”,预定外加电压(VEXT)以及分别自电压发生电路113和115接收的电压V3和V5,用于产生输出电压(V6),该输出电压V6作为输入信号提供给电压发生电路117(GEN.7)和123(GEN.123)。电压发生电路117响应指定于其上的控制信号“C”,预定外加电压(VEXT)以及分别自电压发生电路113和116接收的电压V3和V6,用于产生输出电压(V7),该输出电压V7作为输入信号提供给电压发生电路118、121、122、123和124。
电压发生电路118(GEN.8)响应被指定于其上的控制信号“C”,预定外加电压(VEXT),和分别接收自电压发生电路113和117的电压V3和V7,用于产生被作为电压发生电路119(GEN.9)和120(GEN.10)输入信号的输出电压(V8)。电压发生电路119响应指定于其上的控制信号“C”,预定外加电压(VEXT)以及分别来自电压发生电路113和118的电压V3和V8,用于产生将之作为电压发生器系统100输出信号的输出电压(V9)。电压发生电路120响应指定于其上的控制信号“C”,预定外加电压(VEXT)以及分别自电压发生电路113和118接收的电压V3和V8,用于产生输出电压(V10),该输出电压V10作为输出信号自电压发生器系统110输出。电压发生电路121(GEN.11),122(GEN.12)和124(GEN.14)各自响应指定于其上的控制信号“C”,预定外加电压(VEXT)以及分别自电压发生电路113和117接收的电压V3和V7,用于分别产生输出电压V11,V12,V13和V14,这些输出电压均作为电压发生器系统100的输出信号。电压发生电路123(GEN.13)响应指定于其上的控制信号“C”,预定外加电压(VEXT)以及分别自电压发生电路113、116和117接收的电压V3、V6和V7,用于产生输出电压V13,该输出电压V13作为输出信号自电压发生器系统110输出。
电压发生器系统100可以等同于现代DRAM芯片和同步DRAM芯片上的发生器系统,这些发生器系统采用许多电压发生电路在芯片上产生十个以上的电压。这些电压包括数个参考电压(例如,用于输入/输出接收器,以及用于模拟电路中产生偏置电流的电压),以及数个以高或低工作电流供给DRAM的不同功能块(未示)的电压(例如,用于传感放大器或字线驱动器)。基本上,对于图1电压发生器系统22和图3电压发生器系统100中各发生电路来说存在三个不同的操作阶段,可以表示为(a)正常操作阶段(b)检测和熔接(burning-in)阶段,以及(c)上电阶段。
在“正常操作阶段”,无论是图1电压发生器系统22还是图3电压发生器系统100,发生电路(比如图3的发生电路111-124)必须保证在该芯片上提供的所有电压都是稳定的,并且从数个电源网(未示)抽取的所有需要的电流均加在芯片上。此外,必须确保发生电路自身不消耗过多的电流(比如,不同放大器内的偏置电流,和流经分压电阻(resistor divider)的电流。因此,需要提供峰值电流(比如用于检测操作)的电源网通常由一或多个数种类型的发生电路比如等待发生电路、有效发生电路和峰值电流发生电路馈电。等待发生电路一般是接通的,并且只提供微弱的电流,但是其自身也仅消耗微弱电流。其目的是在那些芯片不工作的时间和阶段维持电压电平。有效发生电路仅在芯片执行需要从相应电源网提取电流的功能时才被激活。该有效发生电路可以提供大电流,但同时它也要消耗较大的电流。为了激活有效发生电路,由图1的发生器系统或图2的控制器50对来自其它芯片功能的信号(比如,激活传感放大器的传感放大器选通信号)(图中未示出)进行判断,以便激活有效发生电路。有时,利用一个峰值电流发生电路来提供自电源网抽取的电流峰值。峰值电流发生电路可以由置于相应电源网和至该电源网的外加电压源(VEXT)或电流源之间的晶体管开关构成。在从电源网中抽取峰值电流的瞬间峰值电流发生电路被接通一段较短时间。通常,峰值电流发生电路自身并不具备调节功能,但是对由此获得的电压的精细调节由上文提及的有效发生电路完成。为了使峰值电流发生电路在正确的时刻接通,来自其它芯片功能的信号被耦合到发生器系统(例如,传感放大器选通信号)。
另外,在不同电源网的电压发生电路之间存在着一定的相互作用。例如,如果电压发生电路中为DRAM芯片上字线提升提供电压的的第一电压发生电路(例如,发生电路123)起作用,以恢复完全的电压电平,那么该电压发生电路将向这些预定电压发生电路中的第二个(比如,发生电路116)发送信号。这一信号将避免该第二个预定电压发生电路被关断,这是因为第一个电压发生电路自身消耗了来自第二个电压发生电路的电流。由于DRAM芯片能被用于具有不同结构因而要求某些电压发生电路具备不同的驱动能力的存储器装置,故此电压发生电路的配置必须适应这些场合。这是通过键合区或熔丝完成的,其中来自键合区和/或熔丝的信息被传递至图1的常规发生器系统22,或图2的控制器50。
在图1常规电压发生器系统22的不同运行阶段为了控制这些发生电路,在发生电路功能中引入了许多逻辑控制电路,发生电路功能通过分布在整个发生器系统22和各自发生电路单元(未示)内的本地逻辑电路(未示)执行。结果,致使常规电压发生器系统22的控制方案过于复杂。根据本发明,逻辑控制电路不再分布在发生电路111-124上。而是,控制器50的状态机52接收所有的输入信号,并且在编程的控制下向每个发生电路111-124提供单独的控制信号以便在每个可能的操作阶段期间在预定时刻将适当的发生电路111-124接通或关闭。应当理解,对于每个操作阶段来说用于状态机52的程序可以是任意的,只是设计者必须为每个可能的操作阶段定义一个理想的操作序列。如此的操作序列一经确定,可以容易地被转换成用于状态机52的相应程序指令序列,它使得发生器系统100响应状态机50所接收的预定输入信号而采取相应操作。
在测试和熔接阶段,发生电路必须执行超出它们的正常操作范围的许多附加的功能。例如,其中一个功能可以是某些或全部发生电路被禁用于测试目的。第二个功能可以是某些电压被置为与正常操作不同的数值。第三个功能可以是发生电路中某些确定其动态特性的时间常数可以被改变,以便确定最佳芯片功能的最优值。第四个功能可以是为了强化芯片(熔接测试),不得不将大多数内部电压设置得高于正常操作时的数值,这可以通过将VEXT设置为较高值并且允许内部参考电压随着该外部电压的上升而升高来实现。
上电阶段被定义为外部电压VEXT已施加在芯片上但内部电压还未建立的过渡状态。对上电阶段有两个主要的要求。它们是该阶段必须较短(例如,100微秒),以及必须按很好的限定方式进行。为了使上电阶段较短,发生器系统100需要执行数个额外的功能。由于所有的电源网都需要在很短的时间内从零伏升至其各自的数值,数个发生电路单元的驱动能力是不够的。有几种可行的方案可以解决这一问题。首先,在上电阶段的第一阶段,电源网被晶体管开关短路至VEXT,直至它们几乎达到它们的期望数值。然后,这些开关被再次打开,各自的发生电路单元接手对该电压的调节工作。其次,一些发生电路(比如,泵浦电路)的驱动能力取决于驱动这些泵浦电路的振荡器的频率。在上电阶段,高频振荡器被连接到这些泵浦电路以启动快速泵浦操作,然后在上电阶段之后采用较慢的振荡器驱动这些泵浦电路,快速振荡器被关断以节约能量。一般利用提供在控制器50输出端的静态选通信号启动某发生电路单元(例如,在上电阶段,或在测试模式阶段期间将其关断),并且这一信号在时间上没有太苛刻的(timecritical)要求。出现在控制器50输出端的组合信号被用于改变一或多个预定发生电路单元特性,所采用的具体方式比如通过改变其电压电平(微调),改变其驱动能力,改变其内部时间常数,或测试模式的具体功能。这些信号在时间上也不是比较严格的,在芯片正常操作期间不会改变。应当理解,在发生器系统100内,产生了动态选通信号和消息信号。动态选通信号用于在某发生电路需要开始调节其输出电压或需要开始产生电流(例如,峰值发生电路)的时候激活它。这些信号在时间要求上比较苛刻,并非每个发生电路都需要这样的输入信号(例如,备用发生电路)。消息信号是用于在发生电路单元之间交流的信号,例如它可以通知一个发生电路其输入泵浦电压电平还未建立以及提供泵浦电压的泵浦发生电路还在运转。这将使该发生电路推迟其的关断步骤,尽管与此相关的动态选通信号已经关闭。这些信号也是在时间要求上比较苛刻的,并非每个发生电路都需要这样的输入信号。
现在参看图4A和4B,图中所示为一个上电序列表,它解释的是图3发生器系统100在图2的示例性中央发生器控制电路40控制下的上电阶段用的上电序列表。在该表的步骤200,外部电压(VEXT)加在芯片,从而开始了这一序列。VEXT加在芯片上,导致控制器50内的状态机52复位控制器50内的预定触发器(图2未示),并且将“V6on”信号置于低状态,从而使所有从控制器50接收“V6on”信号的电路处于不工作状态。这时,发生电路111被激活以开始产生电压V1A和V1B,发生电路112被激活以开始产生电压V2,发生电路113被激活以开始产生电压V3,发生电路114被激活以开始产生电压V4,发生电路115被激活以产生电压V5并且导致某节点(未示)的初始下拉,发生电路117被激活以产生电压V7并且提供对升压转换(未示)的初始激励,发生电路116被激活并被置于等待模式以产生V6acc(V6有效)和V6sbm(V6等待模式)信号,发生电路118被激活以开始产生电压V8,信号V8osb(V8在等待状态)开始,发生电路119开始产生电压V9,发生电路120开始产生电压V10。在控制器50中,“bFINIT”(bFuse初始化)熔丝锁存信号被置于低态,而“bFSET”(bFuse置位)信号处于高态。“bFINIT”和“bFSET”信号是用于芯片上各熔丝的信号的示例。有关这些熔丝的信息并未施加在芯片上,但是在作为示例的上电阶段该熔丝信息可以被镇存到位于比如控制器50中的预定触发器(未示)。这是两个熔丝信号,它们需要确定关于它们何时变高或走低的时序关系,以便组织或控制熔丝信息锁存到预定触发器中的操作。由于熔丝是分散在整个芯片上的,重要的是要弄清楚在熔丝信息被锁存之前电压V6已经很好地建立起来,否则由于这些电路和供给这些电路的电压还未稳定,当实际上是逻辑“1”时也许会锁存为逻辑“0”,。
在表的步骤201,控制器50等待预定数量为X的时钟周期(例如,X=10),已知在这段时间内来自发生电路116(其在步骤200已被激活并被置于等待模式)的电压V6应当已达到预定电平。在表的步骤202,电压检测器44检测到V13(来自发生电路123的电压)处于所需电平(低或高),并且电压检测器44检测到电压V6已达到预定的高阈值,电压检测器44向控制器50发送V6DET信号,该信号表明在整个芯片上电压V6已完全建立。在表的步骤203,得知电压V6处于其合适电平的控制器在开始下一步骤204之前等待另一个X时钟周期。在表的步骤204,控制器50的“V6on”信号变高,电压V3驱动能力降低,电压V5不再处于下拉状态,升压开关对电压V7的激励作用被关断。在上电阶段的初期,发生电路被假定需要大的V7驱动能力,该V7驱动能力由其升压开关在步骤200激活,而在不再需要大的驱动能力时在步骤204被削弱。
在表的步骤205,控制器50产生“V14sbct”(V12等待电路)信号,发生电路124开始产生电压V14。在表的步骤206,控制器50产生“V13acct”(V13激活电路)和“V13sbct”(V13等待电路)信号,后一信号促使发生电路123被激活并置于等待模式。在表的步骤207,控制器产生熔丝锁存信号,并且bFINIT信号走高。在表的步骤208-211,控制器经历一系列的操作:等待Y个时钟周期(步骤208),是bFSET变低(步骤209)并且等待Z个时钟周期(步骤210),然后使bFSET变高(步骤211)。应当理解,bFINIT和bFSET信号发送给芯片上的其它电路而不是发生电路111-124中的任何一个,这是由于没有给出执行标记以“发生器电路”的那列中列明的任何操作的发生电路。被bFINIT和bFSET信号控制的触发器一般由中间电路控制,这些电路需要有关bFINIT和bFSET信号的特别时序。
在图3所示的该发生器电路100中,假定发生电路123是一个包括相关电源网的泵浦发生器,它接收VEXT电压(其根据标准仅有预定最大数值)并将该输入电压泵浦以提供输出负电压V13(比如,-0.5伏)。类似地,假定发生电路122是一个接收VEXT电压并将该输入电压泵浦以提供正的输出电压V12(比如,3.5伏)的泵浦发生器。在表的步骤212,来自发生电路123的电压V13达到其预定电平,并且产生V13LMT(V13限值)检测信号,该信号促使控制器50将“V13acct”(来自步骤206)变低以及使发生电路123中的“V13ac”激励信号关断。在表的步骤213,控制器50产生走高的“V12poct”(V12上电电路)控制信号,同时与发生电路122有关的电源网(未示)被启动。在表的步骤214,电压V12被发现达到电压V6数值的预定水平(85%),并且来自电压检测器44的V12DET(V12检测)信号达到预定的高数值。这促使控制器50将V12poct(来自步骤213)变低,并促使发生电路122的电源网关断。在表的步骤215,控制器产生“V12acct”和“V12sbct”使之变高,而这又促使发生电路122被激活并被置于等待状态。采纳表步骤212-215的原因是泵浦发生电路122和123不能被接通并立即从零电压变为它们的远高于或远低于VEXT施加电压的适当输出电压。所以,这要求将这些类型的发生电路的接通过程拉长。例如,与发生电路123有关的电源网(未示)必须被拉高至一定的电平,例如来自发生电路116的电压V6的85%,只有这样泵浦发生电路123才能开始正常工作。这是采用一个被称为“V13功率”电路的装置(未示)将之接通而完成的,该装置自身是一泵浦,正是它将发生电路123电源网上拉至高态。一旦电源网达到预定数值,它被再次切断,泵浦发生电路113开始操作。
在表的步骤216,控制器产生变高的“V8frct”(V8反馈调节电路)控制信号,它促使发生电路118的反馈调节器电路开始工作并且产生电压V8。在步骤217-220,控制器50等待X个时钟周期(步骤217),然后产生一个促使发生电路121开始产生电压V11(步骤118)的“V11acct”控制信号,控制器50再次等待X个时钟周期,然后产生一个“Vdet”(电压检测器)控制信号,该信号关断不再需要的电压检测器44从而节约了其应消耗的偏流。在表的步骤221和222,控制器50发出“PWRon”(上电)控制信号,宣称来自发生电路111-124的所有电压均是稳定的(步骤121),上电阶段宣告完成(步骤122),因为各发生电路已被启动并且已达到正确上电电平。
应当理解的是,由设计者针对芯片上需要的任何操作阶段创建类似的序列表,然后转换成供控制器50的状态机52使用的相应程序指令,以便在每个不同需要的操作阶段方面控制发生电路111-124。
本中央发生器控制装置40的优点是对各逻辑控制功能和电压发生功能加以明确分离。所以,由于所有的功能都可以单独加以校验,故而可以很容易地对总的系统校验,而且修改起来也极其灵便,可以对其功能的信号状况进行修改或替代,而不会对其它功能造成负面影响。具体而言,系统的逻辑行为由状态机52的指标来决定,对逻辑行为的改变很容易进行,并且不影响电压发生电路。更进一步地讲,作为例子,由于所有的延迟均在状态机52中进行,对上电操作阶段的编序不需额外的延迟电路,其原因是状态机52本来就是一个“序列发生器”。此外,对测试模式信号和熔丝信号的初始化不需要附加电路,因为这本来就在状态机52中执行,仅需说明的是这些信号在上电序列期间不作估测。
应当明白和理解的是上文说明的本发明特定实施例仅是对本发明基本原理的示意说明。本领域的技术人员可以对其作出各种与所说明的原理一致的修改方案。例如,应当理解的是可以对芯片上需要的每个操作阶段创建类似的序列表,然后将之转换成控制器50的状态机52使用的相应程序指令,从而控制发生电路111-124的每个不同操作阶段。更进一步,图4A和4B的序列表仅是上电阶段可以采用的序列示例,可以用任何其它期望的序列加以替代。

Claims (10)

1.控制多电压发生器芯片中各电压发生器的电路,其包括:
含有多个电压发生电路在内的发生器系统;和
中央发生器控制电路,所述中央发生器控制电路包括一个与所述多个电压发生电路的每一个以及该芯片上预定装置相耦合的控制器,该控制器响应来自芯片上预定装置的信号,对于发生器系统的至少两个分立操作阶段的每个阶段产生一个预定的输出控制信号序列并将之送往各个发生电路,以便以限定的时间周期控制芯片上的预定装置和所述多个发生电路的逻辑操作序列,使得从所述多个发生电路产生所需要的稳定电压输出,将之送往芯片上的预定电路。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于中央发生器控制电路还包括电压检测电路,用于检测所述多个电压发生电路中预定的电压发生电路内的电压阈值,以及根据所检测得到的电压电平产生输出至控制器的输出信号。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于控制器包括一个状态机,它对单独的程序序列起作用,用于针对每个操作阶段控制发生器系统。
4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于控制器包括一个状态机,该状态机包含:
输入逻辑电路,用于接收输入状态机的逻辑输入信号并且产生与对所接收逻辑输入信号的反应相应的预定输出控制信号;
锁存电路,对来自输入逻辑电路的输出控制信号和预定的其它输入信号作出反应,用于产生预定输出控制信号;以及
输出逻辑电路,用于接收输入状态机的逻辑输入信号和锁存电路输出的信号,以便产生状态机的预定输出控制信号。
5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于所述至少两个单独的操作阶段包括上电阶段和正常操作阶段。
6.动态随机存取存储器芯片,它包括:
一个包含多个电压发生电路在内的发生器系统,用于为预定的其它发生电路以及芯片上的其它装置产生电压;和
中央发生器控制电路,该中央发生器控制电路包括一个与所述多个电压发生电路中的每一个电路以及所述芯片其它装置中的预定装置相耦合的控制器,该控制器响应多个电压发生电路中的事件和来自芯片上预定的其它装置的信号,从而针对发生器系统操作的至少两个分立阶段的每个阶段产生一个预定的输出控制信号序列并将之送往各个发生电路,以便在限定的时间周期内控制芯片上的预定装置和所述发生电路组的逻辑操作顺序,使得从所述多个发生电路产生所需要的稳定电压输出,将之送往芯片上的预定电路。
7.根据权利要求6所述的电路,其特征在于中央发生器控制电路还包括电压检测电路,其用于检测所述多个电压发生电路中预定的电压发生电路内的电压阈值,以及根据所检测得到的电压电平产生输出至控制器的输出信号。
8.根据权利要求6所述的电路,其特征在于控制器包括一个状态机,它对单独的程序序列起作用,用于在每个操作阶段下控制发生器系统。
9.根据权利要求6所述的电路,其特征在于控制器包括一个状态机,该状态机包含:
输入逻辑电路,用于接收输入状态机的逻辑输入信号并且产生与对所接收逻辑输入信号的反应相应的预定输出控制信号;
锁存电路,对来自输入逻辑电路的输出控制信号和预定的其它输入信号作出响应,用于产生预定输出控制信号;以及
输出逻辑电路,用于接收输入状态机的逻辑输入信号和锁存电路输出的信号,以便产生状态机的预定输出控制信号。
10.根据权利要求6所述的电路,其特征在于所述至少两个单独的操作阶段包括上电阶段和正常操作阶段。
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