KR940016511A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 제조방법 Download PDF

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다케나오 네모토
다케시 노가미
나오키 마쓰가와
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토자끼 시노부
가와사끼 세이데쯔 가부시끼가이샤
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Abstract

미리 설정된 부가적인 소자를 포함하는 알루미늄의 내부 연결선을 가지는 반도체 소자, 여기서 부가적인 소자의 분리층은 내부 연결선을 형성한 후 열처리에 의하여 내부 연결선에서 알루미늄 그레인 경계를 따라 형성된다.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 반도체 장치(후에 팩키지 됨)의 실시예를 나타내는 개략적인 단면도, 제 2 도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 다른 실시예를 나타내는 개략적인 단면도, 제 3 도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 또 다른 실시예를 나타내는 개락적인 단면도, 제 4 도는 본 발명에 실시예에서 내부 연결선의 주요부분의 구조를 나타내기 위한 개략적인 도면, 제 5 도는 본 발명에 실시예에서 내부 연결선의 주요부분의 다른 구조를 나타내기 위한 개략적인 사시도, 제 6 도는 에징온도가 변화하는 동안 내부 연결선의 전자 이동 저항을 측정하여 얻어진 실험 결과를 나타내는 표, 제 7 도는 에징온도가 변화하는 동안 내부 연결선의 전자 이동 저항을 측정하여 얻어진 실험 결과를 나타내는 다른 표, 제 8 도는 에징주기가 변화하는 동안 내부 연결선의 전자 이동 저항(MTF)을 측정하여 얻어진 실험 결과를 나타내는 그래프.

Claims (11)

  1. 부가적인 소자의 설정된 양을 포함하는 Al 합금 박막의 내부 연결선을 형성하고, 내부 연결선의 부가적인 소자를 분리하기 위하여 내부 연결선을 열처리하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 부가적인 소자가 Cu인 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 내부 연결선은 Si를 포함하지 아니하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 내부 연결선은 열처리 실행된 온도로 Si에서 Al의 고용도보다 적은 양으로 Si를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 내부 연결선은 0.25%보다 적은 양의 Si를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는 200℃에서 290℃ 범위내에 온도를 실행하는 반도체 소자의 제조방법.
  7. 반도체 칩에서 부가적인 소자의 설정된 양을 포함하는 Al 합금 박막의 내부 연결층을 형성하고, 패케이지에 반도체 칩을 장착하며, 내부 연결선의 부가적인 소자를 분리하기 위하여 패케이지내에 장착된 반도체 칩의 내부 연결선을 열처리하는 반도체 소자의 제조방법.
  8. 부가적인 소자의 분리층은 내부 연결선이 형성된 후 열처리에 의하여 내부 연결선에서 알루미늄 그레인 경계를 따라 형성되고, 미리 설정된 부가적인 소자를 포함하는 알루미늄의 내부 연결선을 가지는 반도체 소자.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 부가적인 소자는 Cu인 반도체 소자.
  10. 패케이지와, 패케이지내에 장착된 반도체 칩과, 미리 설정된 부가적인 소자를 포함하는 알루미늄에 의하여 반도체 칩내에 형성된 내부 연결선으로 구성되고, 부가적인 소자의 분리층은 내부 연결선을 형성하고, 패케이지내 반도체 칩을 장착한 후 열처리에 의하여 내부 연결선에서 알루미늄 그레인 경계를 따라 형성되는 반도체 소자.
  11. 제11항에 있어서, 상기 부가적인 소자는 Cu인 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930030158A 1992-12-28 1993-12-28 반도체 장치 및 그 제조방법 KR940016511A (ko)

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JP92-349382 1992-12-28
JP34938292 1992-12-28
JP93-2836 1993-01-11
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JP06869093A JP3356319B2 (ja) 1992-12-28 1993-03-26 半導体装置及びその製造方法
JP93-68690 1993-03-26

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