KR940012726A - 반도체 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고출력용 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로 종래에는 메사 구조가 형성된 P형기판에 n형 전류 제한층을 형성하고 메사구조가 노출되도록 V-흠을 형성하였다.

그런데 V-흠형성시 메사구조가 노출되지 않으면 전류가 통하지 않게 되고 과다식각하며 스트레스를 받아서 소자의 수명 및 신뢰도가 저하되는 등의 문제가 있어서 공정이 어려웠다.

본 발명은 기판에 절연막을 증착하고 메사구조를 형상한 다음 절연막은 V-흠의 폭만큼으로 패터닝하고 그위에 전류제한층을 형성한후 V-흠을 형성하였다.

V-흠형성시 절연막이 노출되도록 하고 다음에 절연막을 제거함으로 V-흠 형성이 쉽고 소자의 수명 및 신뢰도와 수율이 향상된다.

Description

반도체 레이저 다이오드 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 공정 사시도.

Claims (1)

1. 제1도전형 기판(1)에 절연막(8)을 형성하고 1차 메사구조를 형성하는 공정과, 절연막(8)을 V-흠 폭으로 패터닝 하고 전류제한층(2)을 증착하는 공정과, 절연막(8) 상측의 전류제한층(2)에 V-흠을 형성하고 2차메사구조를 형성하는 공정과 절연막(8)을 제거하고 제1도전형 클래드층(3), 활성층(4) 제2도전형클래드층(5)을 차례로 증착하는 공정과, 양미러쪽을 제1도전형 클래드층(3) 소정부위까지 제거하는 공정과, 전면에 제2도전형 클래드층(6)과 제2도전형 캡층(7)을 증착하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.