KR960019871A - 수직의 캐비티 표면 방사 레이저 형성 방법 - Google Patents

수직의 캐비티 표면 방사 레이저 형성 방법 Download PDF

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Abstract

표면을 갖는 기판(103)에서, 상기 기판(103)상에는 브래그 반사기가 분포된 제1스택(105), 활성 영역(107), 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109), 접촉 영역(111) 및 절연층(115)이 제공된다. 제1분리 트렌치(201)는 상기 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109)에 절연층(115), 접촉 영역(111)을 통해 연장되어 형성된다. 절연층은 질화물층(304)상에 용착된다. 제2분리 트렌치(307)는 상기 질화물층(304), 상기 접촉 영역(111), 상기 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109), 상기 활성 영역(107) 및 상기 브래그 반사기가 분포원 제1스택(105)을 통해 형성되며, 상기 제2분리 트렌치(307)는 상기 제1분리 트렌치(201)를 둘러싼다. 제1전기 접속은 상기 브래크 반사기가 분포된 제1스택상에 형성되고 제2전기 접속(604)은 상기 접촉 영역(111)상에 형성된다.

Description

수직의 캐비티 표면 방사 레이저 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 기판의 단면도로서 활성 영역, 브래그 반사기가 분포된 제1 및 제2스택, 부분적으로 완료된 릿지 수직 캐비티 표면 방사 레이저의 접촉 영역이 도시된 도면,
제2도는 제1도에 도시된 기판의 단면도로서, 에칭 공정후의 부분적으로 완료된 릿지 수직 캐비티 표면 방사 레이저 도면.

Claims (2)

  1. 릿지 수직의 캐비티 표면 방사 레이저를 형성하는 방법에 있어서, 표면을 갖는 기판(103)을 제공하는 단계로서 상기 기판상에는 브래그 반사기가 분포된 제1스택(105)과, 활성 영역(107)과, 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109)과, 접촉 영역(111) 및 절연층(115)이 용착되며, 상기 브래그 반사기가 분포된 제1스택(105)은 상기 표면상에 위치되고, 상기 활성 영역(107)은 상기 브래크 반사기가 분포된 제1스택(105)상에 위치하며, 상기 브래크 반사기가 분포된 제2스택(109)은 상기 활성 영역(107)상에 위치하고, 상기 접촉 영역(111)은 상기 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109)상에 위치하며, 상기 절연층(115)은 상기 접촉 영역(111)상에 위치하는, 기판(103)을 제공하는 단계와, 릿지(206)를 형성하는 상기 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109)의 일부에 상기 절연층(115) 및 상기 접촉 영역(111)을 통해 제1분리 트렌치(201)를 패턴화하는 단계로서, 상기 제1분리 트렌치(201)는 상기 절연층(115)의 일부와, 상기 접촉 영역(111) 및 상기 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109)의 일부를 둘러싸는, 제1분리 트렌치(201) 패턴화 단계와, 상기 절연층(115), 상기 접촉 영역(111), 상기 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109), 상기 활성 영역(107) 및 상기 브래그 반사기가 분포된 제1스택(105)의 일부를 통해 상기 제1분리 트렌치(201)를 둘러싸는 제2분리 트렌치(307)를 패턴화하는 단계와, 상기 브래그 반사기가 분포된 제1스택(105)상에 제1전기 접촉부(314)를 형성하는 단계 및, 상기 릿지(206)의 상기 접촉 영역(111)상에 제2전기 접촉부(604)를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 릿지 수직 캐비티 표면 방사 레이저 형성 방법.
  2. 수직의 캐비티 표면 방사 레이저 형성 방법에 있어서, 표면을 갖는 기판(103)을 제공하는 단계로서, 상기 표면상에는 브래그 반사기가 분포된 제1스택(105), 활성 영역(107), 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109) 및 접촉 영역(111)을 용착시키는, 기판(103)의 제공 단계와, 상기 접촉 영역(111)상에 제1실리콘 질화물층(115)을 용착시키는 단계와, 상기 제1실리콘 질화물층(115)을 마스킹하는 단계로서, 상기 제1실리콘 질화물층(115)의 노출된 부분 및 노출되지 않은 부분이 커버링되도록 하며, 최소한 상기 노출된 한 부분은 상기 노출되지 않은 부분을 둘러싸는 마스킹 단계와, 상기 접촉 영역(111)을 통해 상기 제1실리콘 질화물층(115)의 노출된 부분 및 상기 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109)의 일부를 에칭하며, 이로써 메사(meas;206)를 둘러싸는, 제1분리 트렌치(201)를 형성하는 에칭 단계와, 상기 기판(103)의 표면(203)에 수소를 주입하여 한정 영역(205)을 형성하는 단계와, 상기 기판(103)상에 제2실리콘 질화물층(302)을 용착시키는 단계와, 상기 메사(206) 및 상기 제1분리 트렌치(201)를 커버링하고 상기 제1분리 트렌치(201)로부터 또다른 부분을 노출시키는 상기 제2실리콘 질화물층(302)을 마스킹하는 단계와, 상기 접촉 영역(111), 상기 브래그 반사기가 분포된 제2스택(109), 상기 활성 영역(107) 및 상기 브래그 반사기가 분포된 제1스택(105) 뿐만 아니라 상기 제2실리콘 질화물층(302)의 노출된 부분을 제거하기 위해 상기 제2실리콘 질화물층(302)외 노출된 부분을 에칭하며, 이로써, 제2분리 영역을 형성하는 에칭 단계와, 상기 브래그 반사기가 분포된 제1스택(105)상에 금속 접촉부(314)를 형성하는 단계와, 상기 기판(103)상에 제3실리콘 질화물층(402)을 용착시키는 단계와, 상기 메사(206)를 커버링하는 상기 제3실리콘 질화물층(402)을 노출시키는, 상기 제3실리콘 질화물층(402) 마스킹단계와, 상기 제3실리콘 질화물층(402)을 에칭하여 상기 메사(206)를 커버링하는, 상기 제3실리콘 질화물층(402) 에칭 단계와, 상기 기판(103)상에 도전 재료(502)를 융착하는 단계와, 상기 메사(205)상의 상기 도전 재료(502)의 일부가 노출되도록 상기 도전 재료(502)를 마스킹하는 단계와, 상기 도전 재료(502)를 에칭하여 상기 메사(206)상의 노출된 상기 도전 재료(502)의 일부를 제거하는, 도전 재료(502) 에칭 단계와, 상기 기판(103)의 표면상에 반사 방지 코팅을 용착시키는 단계와, 상기 도전 재료상의 상기 반사 방지 코팅의 일부가 노출되도록 상기 반사 방지 코팅을 마스킹하는 단계 및, 상기 반사 방지 코팅의 일부를 에칭하여 상기 도전 재료(206)의 일부를 노출시키고 상기 반사 방지 코팅을 제거하는 상기 반사 방지 코팅의 일부를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직의 캐비티 표면 방사 레이저 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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