KR940010378A - 다결정 실리콘 박막의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 비정질 실리콘 박막(Amorphous Silicon : a-Si)을 저온에서 다결정 실리콘(Poly Crystauine Silicon : p-Si)박막으로 결정화시키는 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 유리기판(1) 위에 300∼500Å 두께로 형성된 a-Si : H(2)을 600℃에서 고상성장하여 다결정 실리콘 종자층(4)를 형성시키고, 그 위에a-Si : H 전구막(2)을 형성시킨 후 열처리하여 다결정 실리콘층층(3)을 형성시켜서 다결정 실리콘 박막을 제조하는 것에 관한 것이다.

본 발명의 다결정 실리콘은 다결정 실리콘 증자와 같은 크기를 갖고 종자를 바탕으로 한 주상(Colummar)방향으로서 성장을 이룬다. 따라서, 결정화된 p-Si의 결정립은 기존의 고상성장에 의한 결정립보다 크고 결정립계는 최소화되어 고이동도를 갖는 고품질의 다결정 실리콘을 이루게 되는 것이다. 본 발명에 의하여 결정화 온도를 580℃까지 낮출 수 있었고 결정화 시간을 단축시키므로서 유리기판의 흼과 수축을 감소시킬 수 있었다.

결과적으로 본 발명의 다결정 실리콘의 품질 향상으로 인해 박막 트랜지스터의 전체 효과 이동도를 높일 수 있었다.

Description

다결정 실리콘 박막의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2(A)도는 본 발명에 의한 결정화 전의 a-Si : H 박막의 단면도이고,

제2(B)도는 a-Si : H층이 결정화되어 P-Si 종자가 형성된 박막의 단면도이며,

제2(C)도는 p-Si 종자가 형성된 박막의 단면도이고,

제2(D)도는 p-Si 종자 위의 a-Si : H층이 결정화된 다결정 실리콘 박막의 단면도이며,

제3도는 라만 쉬프트(Raman Shift)의 결정화 시간별 편차 변화(521cm^-1기준)를 도시한 그래프이고,

제4도는 어닐링 시간에 대한 결정화 최고 강도비를 도시한 그래프이다.

Claims (3)

1. 다결정 실리콘 박막을 제조하는데 있어서, 유리기판(1) 상에 a-Si : H(2)를 형성한 후 열처리하여 다결정 실리콘 종자층(4)을 형성하며. 상기 다결정 실리콘 종자층(4) 상에 a-Si : H 전구막(2)을 형성한 후 열처리하여 다결정 실리콘층(3)을 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 종자층(4)은 유리기판(1)상에 300∼500Å 두께로 a-Si : H(2)을 형성한 후 600℃에서 고상성장시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층(3)은 a-Si : H 전구막(2)을 1000Å 이내의 두께로 형성한 후 580∼600℃ 20∼50시간 동안 고상성장시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.