KR930022374A - 메모리 회로 - Google Patents

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KR930022374A
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differential data
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피. 디마코 데입시
더블유. 니콜레스 제임스
디. 스미쓰 더글라스
Original Assignee
빈센트. 비. 인그라시아
모토로라 인코포레이티드
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    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
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    • G11C11/417Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

메모리 회로는 메모리 셀로부터의 로우 레벨 차동 데이타 신호를 완전한 논리 레벨로 증폭하기 위해 센스 증폭기를 사용한다. 제1센스 증폭기는 판독 사이클동안 로우 레벨 차동 데이타 신호를 제1 및 제2노드에 중간 자동 전압 레벨로 변환한다. 제2센스 증폭기는 중간 차동 전압 레벨을 완전한 논리 레벨로 변환한다. 제1 및 제2센스 증폭기는 센싱을 완료한후 전력이 저하된다. 제2센스 증폭기의 전력 상승 지연 시간을 감소시키기 위해, 회로는 센싱이 완료될 때 중간 차동 데이타 신호를 균형 전압 레벨로 구동하고, 그것에 의해 메모리회로의 동작 속도가 증가한다. 래치 회로는 판독 사이클의 종료에서 출력 논리 레벨을 래치하기 위해, 제1센스 증폭기의 전력 저하로 동기된다.

Description

메모리 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 SRAM의 센스 증폭기 및 래치 회로를 예시한 개략도이다.

Claims (3)

  1. 어드레스 신호에 응답하여 차동 데이타 신호(a differential data signal)를 검색하는 메모리셀(12), 상기 차동 데이타 신호를 수신하기 위해 연결된 제1 및 제2입력과, 제1 및 제2노드에 증폭된 차동 데이타 신호를 제공하기 위해 연결된 제 1 및 제2출력을 가지며, 인에이블 입력에 인가된 제1클럭 신호의 제1상태동안 동작하는 증폭기(14), 상기 제1 및 제2노드에 연결되어, 상기 제1클럭신호의 제2상태동안 상기 증폭된 차동 데이타 신호를 상기 제1 및 제2노드에 균형 전압 레벨로 구동시키는 회로수단(74,76) 및 상기 제1노드에 연결되는 제1입력 및 상기 제2노드에 연결되는 제2입력과, 메모리 회로의 디지탈 출력 신호를 제공하는 출력을 갖는 차동 대 단일종단 변환기(a differential to single-ended converter; 20)를 포함하는 메모리 회로.
  2. 차동 데이타 신호를 수신하기 위해 연결된 제1및 제2입력과 , 제 1 및 제2노드에 증폭된 차동 데이타 신호를 제공하기 위해 연결된 제1 및 제2출력을 가지며, 인에이블 입력에 인가된 제1클럭 신호의 제1상태동안 동작하는 증폭기(14)2 상기 제1노드에 연결되는 제1입력 및 상기 제2노드에 연결되는 제2입력과, 메모리 회로의 디지탈 출력 신호를 제공하는 출력을 갖는 차동 대 단일종단 변환기(20), 및 상기 차동 대 단일종단 변환기의 상기 출력에 연결되고 상기 제1클럭 신호의 제2상태에 응답하여 상기 디지탈 데이타 신호를 래치하는 래치 수단(24)을 포함하는 어드레스 신호에 응답하여 차동 데이타 신호를 검색하는 메모리 회로.
  3. 차동 데이타 신호를 수신하기 위해 연결된 제1 및 제2입력과, 제1 및 제2노드에 증폭된 차동 데이타 신호를 제공하기 위해 연결된 제1 및 제2출력을 가지며, 인에이블 입력에 인가된 제1클럭 신호의 제1상태동안 동작하는 증폭기(14), 상기 제1 및 제2노드에 연결되어 상기 제1클럭 신호의 제2상태동안 상기 증폭된 차동 데이타 신호를 상기 제1 및 제2노드에 균형 전압 레벨로 구동시키는 회로수단(74,76), 상기 제1노드에 연결되는 제1입력, 상기 제2노드에 연결되는 제2입력 및, 메모리 회로의 디지탈 출력 회로를 제공하는 출력을 갖는 차동 대 단일종단 변환기(20) 및, 상기 차동 대 단일종단 변환기의 상기 출력에 연결되어 상기 제1클럭 신호의 제2상태에 응답해서 상기 디지탈 데이타 신호를 래치하는 래치수단(24)을 포함하는 어드레스 신호에 응답하여 차동 데이타 신호를 검색하는 메모리 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930005760A 1992-04-17 1993-04-07 메모리회로 KR100303735B1 (ko)

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5485430A (en) * 1992-12-22 1996-01-16 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Multiple clocked dynamic sense amplifier
TW223172B (en) * 1992-12-22 1994-05-01 Siemens Ag Siganl sensing circuits for memory system using dynamic gain memory cells
US5420533A (en) * 1993-12-28 1995-05-30 Goldstar Electron Co., Ltd. Pull-down circuit for wide voltage operation
DE69426977T2 (de) * 1994-05-03 2001-07-19 St Microelectronics Srl Abfühlverstärker mit Hysteresis
US6385710B1 (en) * 1996-02-23 2002-05-07 Sun Microsystems, Inc. Multiple-mode external cache subsystem
US6032274A (en) * 1997-06-20 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for compressed data testing of more than one memory array
US5935263A (en) * 1997-07-01 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for memory array compressed data testing
US5809038A (en) * 1997-07-24 1998-09-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reading compressed test data from memory devices
US5959921A (en) * 1997-07-24 1999-09-28 Micron Technology, Inc. Sense amplifier for complement or no-complementary data signals
JP3730373B2 (ja) * 1997-09-02 2006-01-05 株式会社東芝 半導体記憶装置
US6295618B1 (en) 1998-08-25 2001-09-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for data compression in memory devices
US6518798B2 (en) 2001-06-07 2003-02-11 Atmel Corporation Sense amplifier with improved latching
US20050040856A1 (en) * 2003-08-22 2005-02-24 Ravindraraj Ramaraju Domino circuitry compatible static latch
JP2007095254A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ装置
KR100801055B1 (ko) 2006-10-16 2008-02-04 삼성전자주식회사 데이터 수신기 및 이를 구비하는 반도체 장치
US7499342B2 (en) * 2007-01-05 2009-03-03 Freescale Semiconductor, Inc. Dynamic module output device and method thereof
KR100880378B1 (ko) * 2007-02-22 2009-01-23 삼성전자주식회사 트랜스미션 게이트 스위치, 그것을 이용하는 시스템 및그것의 데이터 입출력 방법
US8588020B2 (en) 2011-11-16 2013-11-19 United Microelectronics Corporation Sense amplifier and method for determining values of voltages on bit-line pair
US8908449B1 (en) 2013-09-10 2014-12-09 Freescale Semiconductor, Inc. Master-slave flip-flop with reduced setup time
US20240184730A1 (en) * 2022-12-01 2024-06-06 Nxp Usa, Inc. Eusb repeater for passing repeating mode packets between a differential bus and a single-ended bus

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4542483A (en) * 1983-12-02 1985-09-17 At&T Bell Laboratories Dual stage sense amplifier for dynamic random access memory
US4750155A (en) * 1985-09-19 1988-06-07 Xilinx, Incorporated 5-Transistor memory cell which can be reliably read and written
KR900006293B1 (ko) * 1987-06-20 1990-08-27 삼성전자 주식회사 씨모오스 디램의 데이터 전송회로
US4954992A (en) * 1987-12-24 1990-09-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Random access memory having separate read out and write in bus lines for reduced access time and operating method therefor
JP2837682B2 (ja) * 1989-01-13 1998-12-16 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
US5126974A (en) * 1989-01-20 1992-06-30 Hitachi, Ltd. Sense amplifier for a memory device
JPH02201797A (ja) * 1989-01-31 1990-08-09 Toshiba Corp 半導体メモリ装置

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Publication number Publication date
JP3810807B2 (ja) 2006-08-16
US5289415A (en) 1994-02-22
KR100303735B1 (ko) 2001-11-22
JPH0660672A (ja) 1994-03-04

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