KR890004331A - 고입피던스를 이용한 스태틱램의 데이타 출력 버퍼 - Google Patents
고입피던스를 이용한 스태틱램의 데이타 출력 버퍼 Download PDFInfo
- Publication number
- KR890004331A KR890004331A KR870009589A KR870009589A KR890004331A KR 890004331 A KR890004331 A KR 890004331A KR 870009589 A KR870009589 A KR 870009589A KR 870009589 A KR870009589 A KR 870009589A KR 890004331 A KR890004331 A KR 890004331A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- output
- differential amplifier
- data
- read
- write control
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1057—Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
- G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
- G11C11/419—Read-write [R-W] circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/106—Data output latches
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
내용없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 일반적인 스태틱램에서의 데이타 출력 버퍼 개략구성도, 제 4 도는 본 발명에 따른 회로도, 제 5 도는 본 발명에 따른 제 4 도의 동작파형도.
Claims (1)
- 메모리 셀로부터 데이타를 증폭하는 차동증폭기(SA)와, 상기 차동증폭기(SA)와, 상기 차동증폭기(SA)의 출력데이타를 기입 독출하도록 제어 하는 리드/라이트 제어버퍼(R/WB)을 구비한 스태틱램의 데이타 출력 버퍼회로에 있어서, 차동증폭기의 출력(SAS)을 상기 리드/라이트 제어버퍼(R/WB) 출력 인에이블 신호에 따라 부 논리합하는 제 1수단과, 상기 차동증폭기의 부 출력(SAS)을 상기 리드/라이트 제어 버퍼(R/WB)의 데이타출력 인에이블신호(OE)에 따라 부논리 합하는 제 2 수단과, 상기 제 1,2수단의 컴먼 전류통로를 형성하여 상기 제 1,2 수단의 출력변화에 따른 응답속도를 상승키시고 잡음을 제거하는 제 3 수단과, 상기 제 1 수단의 출력을 인버팅하는 제 4 수단과, 상기 제 2 수단의 출력을 2차에 걸친 인버팅에 의해 버퍼링하는 제 5 수단과, 상기 제 3,4수단의 출력에 따라 고임피던스를 가지며 트랜지션되는 데이타를 출력하는 제 6 수단으로 구성됨을 특징으로 하는 회로.※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019870009589A KR900007214B1 (ko) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | 고임피던스를 이용한 스태틱램의 데이타 출력버퍼 |
JP63213860A JPH01158693A (ja) | 1987-08-31 | 1988-08-30 | 高インピーダンスを用いたスタティックramのデータ出力バッファ |
US07/238,247 US5067109A (en) | 1987-08-31 | 1988-08-30 | Data output buffer circuit for a SRAM |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019870009589A KR900007214B1 (ko) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | 고임피던스를 이용한 스태틱램의 데이타 출력버퍼 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR890004331A true KR890004331A (ko) | 1989-04-21 |
KR900007214B1 KR900007214B1 (ko) | 1990-10-05 |
Family
ID=19264122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019870009589A KR900007214B1 (ko) | 1987-08-31 | 1987-08-31 | 고임피던스를 이용한 스태틱램의 데이타 출력버퍼 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5067109A (ko) |
JP (1) | JPH01158693A (ko) |
KR (1) | KR900007214B1 (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2667941B2 (ja) * | 1992-09-17 | 1997-10-27 | 三菱電機株式会社 | メモリセル回路 |
JP3029958B2 (ja) * | 1993-01-18 | 2000-04-10 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US5469385A (en) * | 1993-05-11 | 1995-11-21 | Texas Instruments Incorporated | Output buffer with boost from voltage supplies |
US5367206A (en) * | 1993-06-17 | 1994-11-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Output buffer circuit for a low voltage EPROM |
KR0151443B1 (ko) * | 1994-12-19 | 1998-12-01 | 김광호 | 메모리장치의 데이터 입출력 감지회로 |
EP0743648B1 (en) * | 1995-05-19 | 2000-03-29 | STMicroelectronics S.r.l. | Output stage for integrated circuits, particularly for electronic memories |
FR2735300B1 (fr) * | 1995-06-12 | 1997-08-14 | Matra Mhs | Dispositif d'interfacage de sortie programmable parmi trois etats pour memoire en technologie cmos |
KR100223747B1 (ko) * | 1995-12-28 | 1999-10-15 | 김영환 | 고속 저잡음 출력 버퍼 |
KR100244456B1 (ko) * | 1997-03-22 | 2000-02-01 | 김영환 | 데이터 출력 버퍼를 위한 클럭 조절 장치 |
US7906804B2 (en) | 2006-07-19 | 2011-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6068718A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-04-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
US4644505A (en) * | 1984-06-11 | 1987-02-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Broadband matching network |
US4719602A (en) * | 1985-02-07 | 1988-01-12 | Visic, Inc. | Memory with improved column access |
-
1987
- 1987-08-31 KR KR1019870009589A patent/KR900007214B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-08-30 US US07/238,247 patent/US5067109A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-30 JP JP63213860A patent/JPH01158693A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01158693A (ja) | 1989-06-21 |
KR900007214B1 (ko) | 1990-10-05 |
US5067109A (en) | 1991-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920704302A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR930006724A (ko) | 반도체 장치 및 전자기기 | |
KR930003153A (ko) | 반도체집적 회로장치 | |
KR890004331A (ko) | 고입피던스를 이용한 스태틱램의 데이타 출력 버퍼 | |
KR930022374A (ko) | 메모리 회로 | |
KR870002592A (ko) | 메모리 회로 | |
KR950009718A (ko) | 고속 감지 증폭기 | |
KR940022561A (ko) | 반도체 메모리의 출력회로 | |
JPS5755592A (en) | Memory device | |
KR910010530A (ko) | 램 테스트시 고속 기록회로 | |
KR970051189A (ko) | 메모리의 데이타 읽기회로 | |
KR920017115A (ko) | 반도체기억장치 | |
US4658160A (en) | Common gate MOS differential sense amplifier | |
KR920003169A (ko) | 낮은 동작 전류를 갖는 sam 데이터 억세스 회로 및 그 방법 | |
KR890016572A (ko) | Spam의 센스앰프 등화회로 | |
KR890013578A (ko) | BiCMOS기록-회복(write-recovery) 회로 | |
KR100546338B1 (ko) | 데이터 비트 수에 따라 데이터 스트로브 신호를선택적으로 출력하는 버퍼 회로 및 시스템 | |
JP2523736B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR870007511A (ko) | 데이타 판독회로 | |
KR900010778A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
KR940006073Y1 (ko) | 데이타 판독회로 | |
KR20000014224A (ko) | 센스 앰프 제어 회로 | |
KR960042364A (ko) | 동기식 스태틱램 | |
KR970076803A (ko) | 분리 확장 데이터 출력모드를 갖는 반도체 메모리장치 | |
KR940002690A (ko) | 원타임 입출력 데이타 기록 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040331 Year of fee payment: 15 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |