KR930021309A - 기판재료의 작은 지름구멍 가공방법 - Google Patents

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가오리 시마
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가즈오 오오바
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가오리 시마
사카에 덴시 고오교오 가부시끼가이샤
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Abstract

피가공기판재료의 양쪽에 전극을 배치하고, 이 전극에 전압을 인가하고 기압 10내지 2×10³Torr하에서 플라즈마 방전처리하여, 피가공기판재료의 작은 지름구멍을 가공하는 방법. 다른 방법으로 2극간 간격을 0.01~50㎜로 하고, 전압파형의on이 5㎲내지 20s의 범위에서, 피크전압은 2극간 간격에 맞추어서 10V 내지 50.000V로 하는 방법이다.
이 방법들은 작은 지름 구멍에서 칩막힘, 구멍 내벽면의 평활화, 핀제가를 단시간에 확실하게 제거할수 있다.

Description

기판재료의 작은 지름구멍 가공방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 효과를 종례 예와 대비하여 구멍지름과 평균 광투과량을 광기전력의 전압과의 관계로 시험한 결과를 나타낸 그래프.

Claims (4)

  1. 피가공기판재료의 양쪽에 전극을 배치하고, 이 전극에 전압을 인가하고 기압 10내지 2×10³Torr하에서 플라즈마 방전처리하여, 피가공기판재료의 작은 지름구멍을 가공하는 것을 특징으로 하는 기판재료의 작은 지름구멍 가공방법.
  2. 피가공기판재료의 양쪽에 2극간 간격 0.01~50㎜로 전극을 배치하고, 기압 10내지 2×10³Torr하에서, 전압파형의on이 5㎲내지 20s의 범위에서, 피크전압은 2극간 간격에 맞추어서 10V 내지 50.000V로 변화시켜서 플라즈마 방전처리하여, 피가공기판재료의 작은 지름구멍을 가공하는 것을 특징으로 하는 기판재료의 작은 지름구멍 가공방법.
  3. 제1항에 있어서, 처리분위기는 공기, 비산화성가스, 반응가스, 증기 중의 하나인 기판재료의 작은 지름구멍 가공방법.
  4. 제2항에 있어서, 처리분위기는 공기, 비산화성가스, 반응가스, 증기 중의 하나인 기판재료의 작은 지름구멍 가공방법.
    ※ 참고사항 : 최초 출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930005642A 1992-04-07 1993-04-03 기판재료의 작은 지름구멍 가공방법 KR960013710B1 (ko)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2634536B2 (ja) * 1992-06-11 1997-07-30 栄電子工業株式会社 ドライプロセスコーティング加工方法および加工装置
JP2607346B2 (ja) * 1994-03-04 1997-05-07 栄電子工業株式会社 基板材料の小径穴加工方法
JP2680986B2 (ja) * 1994-03-17 1997-11-19 栄電子工業株式会社 プリント基板の小径穴加工方法及び装置
JP2625078B2 (ja) * 1994-03-29 1997-06-25 栄電子工業株式会社 基板材料の小径穴加工方法及び装置
JP2614697B2 (ja) * 1994-03-29 1997-05-28 栄電子工業株式会社 小径穴加工装置及びそれを使用する小径穴加工方法
JPH08132392A (ja) * 1994-11-02 1996-05-28 Sakae Denshi Kogyo Kk 基板材料の小径穴加工方法及び装置
JP2618211B2 (ja) * 1994-11-25 1997-06-11 栄電子工業株式会社 放電処理方法
US5581083A (en) * 1995-05-11 1996-12-03 The Regents Of The University Of California Method for fabricating a sensor on a probe tip used for atomic force microscopy and the like
US5838005A (en) * 1995-05-11 1998-11-17 The Regents Of The University Of California Use of focused ion and electron beams for fabricating a sensor on a probe tip used for scanning multiprobe microscopy and the like
JP4004596B2 (ja) * 1997-08-05 2007-11-07 一成 高木 プラスチックフィルムの製造方法
DE102008028167A1 (de) 2008-06-12 2009-12-31 Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasma-Jets
DE202008018264U1 (de) 2008-06-12 2012-07-04 Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasma-Jets
AT514283B1 (de) * 2013-04-19 2015-09-15 Tannpapier Gmbh Plasmaperforation
AT515408B1 (de) * 2014-04-03 2015-09-15 Tannpapier Gmbh Diffusionsoptimiertes Mundstückbelagpapier
US9757776B2 (en) * 2014-10-16 2017-09-12 The Boeing Company Clearing of apertures by plasma jets

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3862396A (en) * 1972-07-17 1975-01-21 Sanyo Kokusaku Pulp Co Apparatus for making perforations in sheet material by electric discharge
US4012307A (en) * 1975-12-05 1977-03-15 General Dynamics Corporation Method for conditioning drilled holes in multilayer wiring boards
FR2457148A1 (fr) * 1979-05-25 1980-12-19 Electricite De France Procede et dispositif d'elimination locale de revetement metallique
US4495399A (en) * 1981-03-26 1985-01-22 Cann Gordon L Micro-arc milling of metallic and non-metallic substrates
JPS57186389A (en) * 1981-05-11 1982-11-16 Hitachi Ltd Method of opening hole of printed board
JPS584398A (ja) * 1981-06-25 1983-01-11 三菱電機株式会社 穴明け装置
DE3316118C2 (de) * 1983-05-03 1986-10-16 Gerhard Dr.-Ing. 8501 Eckenthal Feld Verfahren zum Herstellen einer wasserdampfdurchlässigen Materialbahn
US4635358A (en) * 1985-01-03 1987-01-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for forming electrically conductive paths through a dielectric layer
US4721550A (en) * 1986-05-05 1988-01-26 New West Technology Corporation Process for producing printed circuit board having improved adhesion
US4787957A (en) * 1987-09-25 1988-11-29 Air Products And Chemicals, Inc. Desmear and etchback using NF3 /O2 gas mixtures

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