KR930014607A - 스태택 랜덤 억세스 메모리장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 열 방향으로 연장된 복수개의 비트라인쌍들; 행 방향으로 연장된 복수개의 워드라인들; 상기 비트라인쌍들과 상기 워드라인들의 각 교차 위치에 배열된 복수개의 메모리셀들; 상기 각 비트라인쌍들의 두개의 비트라인을 동일 전위로 선충전시키기 위한 복수개의 선충전 수단들; 상기 복수개의 비트라인쌍들 각각을 선택하기 위한 복수개의 컬럼선택수단들; 및 상기 컬럼선택수단들을 통하여 상기 비트라인쌍들과 연결되는 복수개의 센스증폭기들을 구비하고 상기 비트라인쌍을 구성하는 2개의 비트라인이 적어도 한번 이상 교차하는 비트라인쌍과 교차하지 않는 비트라인쌍이 교대로 배열됨을 특징으로 한다. 따라서, 셀의 안정도가 향상될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 메모리장치의 비트라인 배열을 나타내기 위한 회로도이다.
제4도는 본 발명의 반도체 메모리장치의 동작 타이밍도를 나타낸것이다.
Claims (2)
- 열 방향으로 연장된 복수개의 비트라인쌍들; 행 방향으로 연장된 복수개의 워드라인들; 상기 비트라인쌍들과 상기 워드라인들의 각 교차 위치에 배열된 복수개의 메모리셀들; 상기 각 비트라인쌍들의 두개의 비트라인을 동일 전위로 선충전 시키기 위한 복수개의 선충전수단들; 상기 복수개의 비트라인쌍들 각각을 선택하기 위한 복수개의 컬럼선택수단들; 및 상기 컬럼선택수단들을 통하여 상기 비트라인쌍들과 연결되는 복수개의 센스증폭기들을 구비하고 상기 비트라인쌍을 구성하는 2개의 비트라인이 적어도 한번 이상 교차하는 비트라인쌍과 교차하지않는 비트라인쌍이 교대로 배열됨을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 억세스 메모리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 각 한쌍의 꼬여진 비트라인들은 비트라인 길이의 1/2부분에서 상호 교차된 것을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 억세스 메모리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100675517B1 (ko) * | 2005-09-09 | 2007-01-30 | 주식회사 엑셀반도체 | 시리얼 플래쉬 메모리 장치 및 프리차아지 방법 |
KR100942939B1 (ko) * | 2003-12-11 | 2010-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 쓰기시간을 줄이는 반도체 메모리 소자 |
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- 1991-12-24 KR KR1019910024192A patent/KR930014607A/ko not_active Application Discontinuation
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1992
- 1992-05-15 JP JP4123524A patent/JPH05175463A/ja active Pending
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Also Published As
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JPH05175463A (ja) | 1993-07-13 |
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