KR930014607A - 스태택 랜덤 억세스 메모리장치 - Google Patents

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KR930014607A
KR930014607A KR1019910024192A KR910024192A KR930014607A KR 930014607 A KR930014607 A KR 930014607A KR 1019910024192 A KR1019910024192 A KR 1019910024192A KR 910024192 A KR910024192 A KR 910024192A KR 930014607 A KR930014607 A KR 930014607A
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곽충근
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • G11C11/41Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger

Abstract

본 발명은 열 방향으로 연장된 복수개의 비트라인쌍들; 행 방향으로 연장된 복수개의 워드라인들; 상기 비트라인쌍들과 상기 워드라인들의 각 교차 위치에 배열된 복수개의 메모리셀들; 상기 각 비트라인쌍들의 두개의 비트라인을 동일 전위로 선충전시키기 위한 복수개의 선충전 수단들; 상기 복수개의 비트라인쌍들 각각을 선택하기 위한 복수개의 컬럼선택수단들; 및 상기 컬럼선택수단들을 통하여 상기 비트라인쌍들과 연결되는 복수개의 센스증폭기들을 구비하고 상기 비트라인쌍을 구성하는 2개의 비트라인이 적어도 한번 이상 교차하는 비트라인쌍과 교차하지 않는 비트라인쌍이 교대로 배열됨을 특징으로 한다. 따라서, 셀의 안정도가 향상될 수 있다.

Description

스태택 랜덤 억세스 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 메모리장치의 비트라인 배열을 나타내기 위한 회로도이다.
제4도는 본 발명의 반도체 메모리장치의 동작 타이밍도를 나타낸것이다.

Claims (2)

  1. 열 방향으로 연장된 복수개의 비트라인쌍들; 행 방향으로 연장된 복수개의 워드라인들; 상기 비트라인쌍들과 상기 워드라인들의 각 교차 위치에 배열된 복수개의 메모리셀들; 상기 각 비트라인쌍들의 두개의 비트라인을 동일 전위로 선충전 시키기 위한 복수개의 선충전수단들; 상기 복수개의 비트라인쌍들 각각을 선택하기 위한 복수개의 컬럼선택수단들; 및 상기 컬럼선택수단들을 통하여 상기 비트라인쌍들과 연결되는 복수개의 센스증폭기들을 구비하고 상기 비트라인쌍을 구성하는 2개의 비트라인이 적어도 한번 이상 교차하는 비트라인쌍과 교차하지않는 비트라인쌍이 교대로 배열됨을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 억세스 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 한쌍의 꼬여진 비트라인들은 비트라인 길이의 1/2부분에서 상호 교차된 것을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 억세스 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910024192A 1991-12-24 1991-12-24 스태택 랜덤 억세스 메모리장치 KR930014607A (ko)

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