KR930011180A - 크랙 방지 반도체 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 claims abstract 3
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- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- WWTBZEKOSBFBEM-SPWPXUSOSA-N (2s)-2-[[2-benzyl-3-[hydroxy-[(1r)-2-phenyl-1-(phenylmethoxycarbonylamino)ethyl]phosphoryl]propanoyl]amino]-3-(1h-indol-3-yl)propanoic acid Chemical compound N([C@@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)C(=O)O)C(=O)C(CP(O)(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)OCC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 WWTBZEKOSBFBEM-SPWPXUSOSA-N 0.000 abstract 1
- 229940126208 compound 22 Drugs 0.000 abstract 1
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Abstract
반도체 패키지(20)는 프레임(12) 및 리드(13)를 가지는 플래그 없는 리드 프레임(10)과, 상부 표면(24a) 및 하부 표면(24b)을 가지는 반도체 칩(24)을 포함하며, 하부 표면(24b)부가 상기 프레임(12)에 부착되고, 상부표면(24a) 및 하부표면(24b)의 노출된 어떠한 부분도 탄소 및 탄소 화합물에 무관하다. 잔류 탄소 및 탄소 화합물은 상부표면(24a)과 하부 표면의 노출된 부분에서 제거 되어진다. 몰드 컴파운드(22)는 상기 패키지(20)로부터 뻗어나온 리드(13)를 제외한 리드 프레임(10) 및 반도체 칩(24)을 감싼다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 사용되는 리드 프레임 부분의 평면도.
제2도는 본 발명 실시예의 확장된 단면도.
Claims (4)
- 크랙 방지 반도체 패키지를 제조하는 방법에 있어서, 다이 오프닝 및 리드를 가지는 플래그 없는 리드 프레임을 제공하며, 상부표면 및 하부표면을 가지는 반도체 칩을 제공하고, 여기에서 적어도 하부 표면이 그위에 잔류탄소 및 탄소 화합물을 가지며, 플래그 없는 리드 프레임에 반도체 칩의 제1부분의 하부 표면을 부착시켜, 반도체칩의 제2부분의 하부 표면이 노출되도록 하게 하고, 자외(UV)방사원을 제공하여, UV 방사원으로부터 소정의 거리에 플래그 없는 리드 프레임에 설치된 반도체 칩을 두며, 적어도 하부 표면을 산소 및 오존 상태에 두고, 반도체 칩과 그로부터 뻗어나옴 리드를 제외한 리드 프레임을 감싸는 단계를 구비하는 크랙 방지 반도체 패키지제조방법.
- 반도체 패키지 성분에 있어서, 상부표면, 하부표면 및 다수의 엣지 표면을 가지는 반도체 칩과, 리드 및 다이 오프닝을 포함하는 플래그 없는 리드 프레임을 구비하며, 상기 리드 프레임은 제1부분의 하부 표면에 기계적으로 부착되고, 다이 오프닝은 제2부분의 하부 면을 노출시키며, 노출된 제2부분의 하부 표면은 탄소 및 탄소합성물에 무관한 반도체 패키지 성분.
- 반도체 패키지 성분을 제조하는 방법에 있어서, 상부 표면, 하부 표면 및 다수의 엣지 표면을 가지는 반도체칩을 제공하며, 리드 및 프레임을 포함하는 리드 프레임을 제공하며, 상기 프레임이 적어도 하부 표면의 일부분에 기계적으로 부착되며, 하부 표면, 상부 표면 및 다수의 엣지 표면의 어떠한 노출된 부분으로부터도 탄소 및 탄소화합물을 제거하는 단계를 구비하는 반도체 패키지 성분 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제거 단계가 리드프레임 및 반도체 칩을 산소 및 오존 대기상태에 두고, 리드프레임 및 반도체 칩을 자외 방사선에 노출시키는 단계를 더 구비하는 반도체 패키지 성분 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US79084591A | 1991-11-12 | 1991-11-12 | |
US790,845 | 1991-11-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930011180A true KR930011180A (ko) | 1993-06-23 |
Family
ID=25151904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920020482A KR930011180A (ko) | 1991-11-12 | 1992-11-03 | 크랙 방지 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05218276A (ko) |
KR (1) | KR930011180A (ko) |
GB (1) | GB2261548A (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216175A (ja) * | 1993-01-15 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JPH09123206A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Towa Kk | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
US7479653B2 (en) | 2003-12-04 | 2009-01-20 | Henkel Ag & Co Kgaa | UV curable protective encapsulant |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3426423A (en) * | 1965-07-08 | 1969-02-11 | Molectro Corp | Method of manufacturing semiconductors |
US3606673A (en) * | 1968-08-15 | 1971-09-21 | Texas Instruments Inc | Plastic encapsulated semiconductor devices |
US5024968A (en) * | 1988-07-08 | 1991-06-18 | Engelsberg Audrey C | Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source |
-
1992
- 1992-10-16 JP JP4303184A patent/JPH05218276A/ja active Pending
- 1992-10-22 GB GB9222173A patent/GB2261548A/en not_active Withdrawn
- 1992-11-03 KR KR1019920020482A patent/KR930011180A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9222173D0 (en) | 1992-12-02 |
JPH05218276A (ja) | 1993-08-27 |
GB2261548A (en) | 1993-05-19 |
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