KR930008867A - 고속 테스트 장치를 가지는 시리얼 입출력 메모리 - Google Patents

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KR930008867A
KR930008867A KR1019910019191A KR910019191A KR930008867A KR 930008867 A KR930008867 A KR 930008867A KR 1019910019191 A KR1019910019191 A KR 1019910019191A KR 910019191 A KR910019191 A KR 910019191A KR 930008867 A KR930008867 A KR 930008867A
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황보준식
도재영
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)

Abstract

본 발명은 시리얼 입출력 메모리에 있어서, 모드선택회로와 고전압 검출회로를 구비하여, 테스트시레 내부제어 클럭의 주기를 단축시킨다.

Description

고속 테스트 장치를 가지는 시리얼 입출력 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 장치의 구성을 보여준다.
제3(A)도는 제3도의 본 발명에서 사용되는 모드 선택 회로의 실시예를 보여준다.
제3(B) 및 (C)도는 제3도의 본 발명에서 사용되는 고전압 검출회로의 여러 가지 실시예들을 보여준다.

Claims (2)

  1. 소정 주파수의 시스템 클럭을 입력하여 내부제어 클럭을 발생하는 복수개의 직렬 연결된 주파수 변환회로들을 가지는 시리얼 입출력 메모리에 있어서, 상기 복수개의 주파수 변환회로들 중 서로 이웃하는 주파수 변환 회로 사이에 위치하며 전압감지신호에 따라 앞단의 주파수 변환 회로의 클럭펄스와 상기 시스템 클럭중 어느 하나를 선택적으로 억세스 하는 모드 선택회로와, 외부에서 인가되는 전압의 레벨을 감지하여 상기 내부 전압감지 신호를 상기 모드 선택회로로 출력하는 고전압검출회로를 구비함을 특징으로 하는 시리얼 입출력 메모리.
  2. 시리얼 입출력 메모리에 있어서, 외부에서 인가되는 시스템 클럭을 직렬로 억세스하여 소정주기의 내부제어 클럭을 발생하는 복수개의 직렬연결된 카운터들과, 상기 카운터들중 서로 이웃하는 카운터사이에 위치하며 상기 시스템 클럭과 앞단의 카운터의 클럭펄스를 입력하여 상기 두 개의 입력중 어느 하나를 전압감지신호에 따라 선택적으로 전송하는 모드선택회로와, 외부에서 인가되는 전압의 레벨을 감지하는 내부전압 감지신호를 상기 모드선택회로로 출력하는 고전압검출 회로와 외부에서 입력되는 데이터 비트를 상기 내부제어 클럭의 주파수에 응답하여 전송하는 입력 쉬프트레지스터단을 구비함을 특징으로 하는 시리얼 입출력 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910019191A 1991-10-30 1991-10-30 고속테스트 장치를 가지는 시리얼 입출력 메모리 KR950000425B1 (ko)

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JPS59161131A (ja) * 1983-03-04 1984-09-11 Nec Corp 分周方式
JPS6467800A (en) * 1987-09-09 1989-03-14 Mitsubishi Electric Corp Nonvolatile semiconductor memory device

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