KR930006528B1 - 집적회로 실리콘 다이 복합체 제조 방법 - Google Patents

집적회로 실리콘 다이 복합체 제조 방법 Download PDF

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Description

집적회로 실리콘 다이 복합체 제조 방법
제1도는 열가소성 접착제가 베이스상에 코팅된 웨이퍼 형태의 집적회로 다이 복합체를 도시한 단면도.
제2도는 제1도에 도시된 웨이퍼 형태의 다이 복합체를 절단하여 형성된 집적회로 복합체 다이의 도시도.
제3도는 적당한 전기 접속에 따라 캐리어 표면상에 일체로 접착된 집적회로 실리콘 다이 복합체 배열의 도시도.
본 발명은 집적회로 실리콘 다이 복합체(die composite)의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 집적회로 실리콘 다이 복합체는 일반적으로 표면상에 다수의 집적회로를 갖는 실리콘 웨이퍼를 다이스(dice)함으로써 형성된다. 웨이퍼 형태의 다이는 일반적으로 다이아몬드 스크라이브(diamond scribe), 레이저 스크라이브 또는 다이아몬드 톱을 이용하여 다이스된다. 그때 집적된 다이는 여러가지 도전성 또는 비도전성 기판상에 접착되어 집적회로 배열을 형성하게 된다. 집적회로 실리콘 다이를 캐리어 상에 접착시키는 것은 일반적으로 캐리어상의 적당한 위치에 놓여지게 되는 집적회로 다이의 실리콘 베이스에 접착제를 가함으로써 이루어진다. 다른 기술은 캐리어 기판상에 직접 접착제를 바르고, 그 위에 집적회로 다이를 접착시키는 것이다. 캐리어 배열기판상에 접착제를 제공하는 과정이 효과적인 결과를 초래하더라도, 상기 접착제는 종종 캐리어 기판상의 인접한 성분에 이롭지 못한 유기 용재를 내포하고 있다. 집적회로 실리콘의 베이상에 직접 접착제를 제공하는 다른 과정도 효과적이지만 비경제적이었다.
본 발명은 열가소성 접착제 특히 이하 규정되는, 주로 폴리에테르이미드 실록산(polyetherimidesiloxane)의 유기용제 용액이 웨이퍼 형태의 집적된 다이의 뒷면상에 스핀(spin)된 후 건조되며 그후 웨이퍼 형태의 결과 집적회로 다이 복합체가 다이스될 수 있는 방법에 근거를 둔다. 다이아몬드 스크라이브나 다이아몬드 톱은 각 실리콘 베이스상에 열가소성 접착제를 갖는 다수의 집적회로 실리콘 다이 복합체를 생산하는데 이용될 수 있다.
본 발명에 의하면, 상면에 다수의 집적회로를 갖는 실리콘 웨이퍼의 베이스상에 열가소성(hot melt) 접착제의 유기용제 용액을 스핀 코팅하는 단계와, 상기 열가소성 접착제를 건조시키는 단계와, 상기 실리콘 웨이퍼를 다이스하여 각 베이스상에 열가소성 접착제층을 갖는 다수의 집적회로 실리콘 다이 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 양상에 따르면, 기판의 표면과 열가소성 접착제로 처리된 적어도 하나의 집적회로 실리콘 복합체의 베이스를 접촉시키는 단계와, 집적회로 실리콘 복합체 다이가 기판 표면과 접촉하는 동안 열가소성 접착제를 가열하는 단계와, 집적회로 복함체 다이를 캐리어 기판에 접착하기 위해서 열가소성 접착제를 냉각시키는 단계로 이루어진 기판의 표면상에 집적회로 실리콘 다이 복합체를 접착시키기 위한 방법이 제공된다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다.
제1도에는 절연 게이트 전극(10), 신호전극(11), 실리콘 기판(12) 및 열가소성 접착제층(13)이 도시된다.
제3도에는, 주신호 전극(20) 및 제어 게이트 전극(21)이 도시된다.
본 발명의 실시예에 이용될 수 있는 열가소성 접착제로는 주로 본 발명과 동일한 양수인에게 양도되고, 참조로 반영된 Berger 및 Juliano의 미합중국 특허 제4,011,279호에 기술된 폴리에테르이미드 실록산을 들 수 있다. 본 발명의 실시예에 이용될 수 있는 다른 열가소성 접착제로는 약 100℃ 내지 300℃의 범위, 주로 150℃ 내지 200℃ 범위내의 온도에서 연화될 수 있는 어떤 열가소성 물질을 들 수 있다. 열가소성 접착제의 접착은 주로 열가소성 물질의 유기 용제 용액을 스핀함으로써 이루어진다. 예를들어, 통상적인 혼합물은 N-메틸피롤리돈(methylpyrolidone) 또는 디글림(diglyme)과 같은 유기용제의 폴리에테르이미드 폴리실록산이다.
본 발명의 실시예에서, 웨이퍼 형태의 집적회로 다이의 베이스는 열가소성 접착제의 유기용제 용액으로 처리된다. 열가소성 접착제는 약 2000 내지 7000rpm으로 실리콘 웨이퍼 뒤측 표면상에 스핀된다. 그 다음, 처리된 웨이퍼는 30 내지 60분동안 약 100 내지 120℃의 초기온도에서 가열된 후, 0.5 내지 1시간동안 약 180 내지 200℃의 온도로 구워진다. 통상적으로, 실리콘 웨이퍼의 표면상에는 약 0.5 내지 25마이크론의 두께를 가진 열가소성 접착막이 형성된다.
그다음, 예를들어 다이아몬드 스크라이브, 레이저, 또는 톱등을 이용해서 실리콘 웨이퍼가 다이스되어, 다수의 집적회로 실리콘 복합체 다이가 형성된다.
그후, 예를들어 알루미나 또는 산화베릴륨 같은 비도전성 기판이나 알루미늄 또는 구리같은 도전성 기판 같은 캐리어상에 하나 이상의 상술된 집적회로 실리콘 다이 복합체를 이용함에 의해 집적회로 배열이 구성될 수 있다. 100℃ 내지 300℃ 범위내의 온도로, 집적회로 복합체의 베이스 열가소성 접착제를 가열한 후 냉각시킴에 따라, 상기 복합체는 캐리어 기판에 일체로 접착될 수 있다. 이렇게하여 제3도에 도시한 바와 같은 집적회로 실리콘 복합체 배열을 형성하기 위한 적당한 접속이 이루어진다.
본 기술의 숙련자가 본 발명을 더욱 양호하게 실실할 수 있게 하기 위해서 다음과 같은 실시예가 실예로서 주어지며, 한정되는 것은 아니다. 모든 부분은 중량으로 표시된다.
[예 1]
3인치의 직경과 표면상에 다수의 집적회로 실리콘을 갖는 10밀(mill) 실리콘 웨이퍼는 상기 웨이퍼의 뒤표면이 완전히 이미드화된 폴리에테르이미드 실록산으로 처리된다. 상기 폴리에테르이미드 실록산은 프로필렌 결합(propylene linkages)을 통해 비스페놀(bisphenol)-A 이미드 그룹에 부착된 화학 결합된 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane) 블럭을 갖는다. 디글림으로는 폴리에테르이미드실록산의 용액이 이용되고 있다. 30초동안 200rpm으로 폴리에테르이미드실록산을 스핀코팅한 후, 150℃로 2-1/2시간 열처리하고, 120℃로 1/2시간 동안 웨이퍼를 건조시킨다. 베이스상에 15마이크론 폴리에테르이미드를 코팅한 웨이퍼 형태의 집적회로 복합체가 얻어진다. 그 다음 50개의 직경 100밀인 집적회로 실리콘 다이 복합체를 생성하기 위해 마이크로오토메이션 모델 1006A 다이아몬드 톱을 사용하여 상기 웨이퍼를 다이스한다.
집적회로 실리콘 복합체 배열은 몇몇 집적회로 실리콘 복합체 다이를 알루미나 기판과 접촉해 놓으므로서 형성된다. 상기 다이가 기판과 접촉되므로, 폴리에테르이미드 실록산은 상기 실록산을 연화한 후에 냉각함에 따라 캐리어 표면에 집적회로 다이가 접착될 수 있도록 약 200℃의 온도까지 상승하게 된다. 그러므로 유용한 집적회로 실리콘 복합체 배열은 여러가지 집적회로의 주신호 전극 및 게이트 전극을 각각 결합함으로써 형성된다.
비록 상기 실시예가 본 발명의 방법의 실시예에 이용될 수 있는 많은 변화중 단지 일부에 속하더라도 본 발명은 각종의 열가소성 접착제에 관한 것임을 알아야 할 것이다.

Claims (3)

  1. 상면에 다수의 집적회로를 갖는 실리콘 웨이퍼의 베이상에 열가소성 접착제의 유기용제 용액을 스핀 코팅하는 단계와, 상기 열가소성 접착제를 건조시키는 단계와, 상기 실리콘 웨이퍼를 다이스하여 각 베이스 상에 열가소성 접착체층을 갖는 다수의 집적회로 실리콘 다이 복합체를 형성하는 단계로 이루어진 집적회로 실리콘 다이 복합체 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열가소성 접착제는 폴리에테르이미드 실록산인 집적회로 실리콘 다이 복합체 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 집적회로 실리콘 다이 복합체가 상기 다이를 알루미나 기판상에 접착하여 집적회로 실리콘 복합체 배열을 형성하는데 이용된는 집적회로 실리콘 다이 복합체 제조 방법.
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Publications (2)

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KR860006133A KR860006133A (ko) 1986-08-18
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GB (1) GB2170042B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296074A (en) * 1987-03-30 1994-03-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for bonding small electronic components
DE3744764A1 (de) * 1987-11-20 1989-06-01 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur herstellung von klebeverbindungen mittels laser
US5300812A (en) * 1992-12-09 1994-04-05 General Electric Company Plasticized polyetherimide adhesive composition and usage
DE4413529C2 (de) * 1994-04-15 1996-07-25 Tele Filter Tft Gmbh Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement
JPH1135893A (ja) 1997-05-22 1999-02-09 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シート状ホットメルト接着剤、および半導体装置
CN111599743A (zh) * 2020-07-06 2020-08-28 绍兴同芯成集成电路有限公司 复合式胶膜结合通孔玻璃载板结构生产晶圆的方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3600246A (en) * 1968-05-17 1971-08-17 Rca Corp Method of making laminated semiconductor devices
GB1285708A (en) * 1968-10-28 1972-08-16 Lucas Industries Ltd Semi-conductor devices
US3600240A (en) * 1968-12-12 1971-08-17 Ibm Epitaxial growth from solution with amphoteric dopant
US3706409A (en) * 1970-02-26 1972-12-19 Gen Electric Semiconductor lead attachment system including a semiconductor pellet orientation plate
US4021279A (en) * 1972-04-20 1977-05-03 Stichting Reactor Centrum Nederland Method of forming groove pattern
DE2436600A1 (de) * 1974-07-30 1976-02-19 Semikron Gleichrichterbau Verfahren zur erzielung einer oberflaechenstabilisierenden schutzschicht bei halbleiterbauelementen
US4011279A (en) * 1975-09-23 1977-03-08 General Electric Company Process for making polyimide-polydiorganosiloxane block polymers
DE2653366A1 (de) * 1976-11-24 1978-06-01 Siemens Ag Verfahren zum teilautomatisierten verbinden von halbleiterchips mit einem traeger
US4347302A (en) * 1980-06-06 1982-08-31 Alexander Gotman Process for applying a thin coating in liquid form and subsequently drying it
US4385083A (en) * 1980-08-25 1983-05-24 Applied Magnetics Corporation Apparatus and method for forming a thin film of coating material on a substrate having a vacuum applied to the edge thereof
EP0051165A1 (en) * 1980-11-03 1982-05-12 BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation) Repairable IC package with thermoplastic chip attach
JPS5827721A (ja) * 1981-08-10 1983-02-18 Hitachi Chem Co Ltd ポリアミド酸シリコン型中間体及びポリイミドシリコン共重合体樹脂の製造法
JPS5844712B2 (ja) * 1981-07-07 1983-10-05 日立化成工業株式会社 接着剤組成物

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