DE3600895A1 - Verfahren zur herstellung eines ic-siliciumwuerfel-verbunds mit heissschmelz-klebstoff auf seiner siliciumgrundflaeche - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines ic-siliciumwuerfel-verbunds mit heissschmelz-klebstoff auf seiner siliciumgrundflaeche

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DE3600895A1 DE19863600895 DE3600895A DE3600895A1 DE 3600895 A1 DE3600895 A1 DE 3600895A1 DE 19863600895 DE19863600895 DE 19863600895 DE 3600895 A DE3600895 A DE 3600895A DE 3600895 A1 DE3600895 A1 DE 3600895A1
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Description

Verfahren zur Herstellung eines IC-Siliciumwürfel-Verbunds mit Heißschmelz-Klebstoff auf seiner Siliciumgrundflache
Vor dieser Erfindung wurde gewöhnlich ein Integrierte SchaltungfSiliciumwürfel-Verbund durch würfelförmiges Unterteilen einer Siliciumscheibe mit einer Vielzahl von integrierten Schaltungen an ihrer Oberfläche hergestellt. Der Würfel (Die) in
(Waferform)
Scheibenform/wurde gewöhnlich unter Verwendung einer Diamantreißnadel, eines Laser-Anreißers oder einer Diamantsäge würfelförmig unterteilt. Der integrierte Würfelverbund wurde dann auf verschiedene leitende oder nichtleitende Substrate zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung aufgeklebt. Die Aufbringung des IC-Siliciumwür-
fei-Verbunds auf den Träger wurde gewöhnlich durch Aufbringen eines Klebstoffs auf die Siliciumgrundflache des integrierten Würfelverbunds bewerkstelligt, der dann in einer geeigneten Anordnung auf dem Träger placiert wurde. Eine andere Arbeitsweise bezog die Verwendung eines direkt auf dem Trägersubstrat befindlichen Klebstoffs und das Aufkleben der integrierten Schaltungswürfel darauf, ein. Obwohl das Verfahren für das Aufbringen des Klebstoffs auf die Trägersubstrat-Anordnung wirksame Ergebnisse lieferte, enthielt der Klebstoff
•J
oftmals ein organisches Lösungsmittel, was für benachbarte Komponenten auf dem Trägersubstrat schädlich war. Ein wahlweises Verfahren für das Aufbringen des Klebstoffs direkt auf die Grundfläche eines Integrierte Schaltung-Silicium-Verbunds war ebenfalls wirksam, jedoch unökonomisch.
Es wurde -nun gefunden, -daß eine ———— ■
Lösung eines Heißschmelz-Klebstoffs in einem organischen Lösungsmittel, vorzugsweise in einem Polyätherimidsxloxan, das weiter unten näher definiert werden wird, auf die Rückseite des integrierten Würfels, während dieser in Scheibenform vorliegt, aufgesponnen und anschließend getrocknet werden kann;
der erhaltene ■ — IC-Würfel in Scheibenform
kann anschließend unterteilt werden. Es kann eine Diamantreißnadel oder eine Diamantsäge zur Herstellung einer
Vielzahl von IC-Silicium-Verbundwürfein
mit einem Heißschmelz-Klebstoff an ihren entsprechenden SiIiciumgrundflachen verwendet werden.
Durch die vorliegende Erfindung wird daher ein Verfahren geschaffen, das darin besteht, daß man
(1) auf die Grundfläche einer Siliciumscheibe mit einer Vielzahl von integrierten Schaltungen auf ihrer oberen Oberfläche mittels Spin^beschichtung eine Lösung eines Heißschmelz-Klebstoffs in einem organischen Lösungsmittel aufbringt,
(2) den aufgebrachten Heißschmelz-Klebstoff trocknet und
(3) die Siliciumscheibe zur Bildung einer Vielzahl von Integrierte Schaltung-Silicium-Verbundwürfeln mit einem Heißschmelz-Klebstoff an ihren entsprechenden Grundflächen würfelförmig unterteilt.
In einer anderen Ausfuhrungsform der vorliegenden Erfindung
wird ein Verfahren zum Kleben eines Integrierte Schaltung-Silicium-Verbunds auf die Oberfläche eines Substrats geschaffen, welches
(1) das In-Kontakt-bringen der Oberfläche des Substrats mit der Grundfläche von zumindest einem Integrierte Schaltung-Silicium-Verbundwürfelf der mit einem Heißschmelz-Klebstoff behandelt worden ist/
(2) das Erwärmen des Heißschmelz-Klebstoffs, solange der Integrierte Schaltung-Silicium-Verbundwürfel in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und
(3) das Abkühlenlassen des Heißschmelz-Klebstoffs zur Herstellung der Verklebung des Integrierte-Schaltung-Verbundwürfeis mit dem Trägersubstrat,
umfaßt.
"1? Es wird auf Figur 1 Bezug genommen, welche eine Schnittan- ' sieht eines Integrierte Schaltung-Würfels in Scheibenform, die auf ihrer Grundfläche mit einem Heißschmelz-Klebstoff beschichtet ist, zeigt. Figur 2 zeigt einen Integrierte Schal tung-Verbundwürfel, hergestellt durch Schneiden des Würfels in Scheibenform der Figur 1. Figur 3 ist eine Anordnung von Integrierte Schaltung-Silicium-Verbundwürfeln, integral auf die Oberfläche eines Trägers mit geeigneten elektrischen Verbindungen geklebt.
Insbesondere wird in Figur 1 eine isolierte Gateelektrode
10, eine Signalelektrode
11, ein Siliciumsubstrat 12 und eine Heißschmelz-Klebstoffschicht 13 gezeigt.
In Figur 3 wird eine Hauptsignalelektrode 20 und eine Steuergateelektrode 21. gezeigt.
Der Heißschmelz-Klebstoff/ der bei der praktischen Durchführung der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, ist bevorzugterweise Polyätherimidsiloxan, das in der der US-PS 4 011 279 beschrieben ist. Weitere Heißschmelz-Klebstoffe, die bei der praktischen Durchführung der vorliegenden Erfindung angewandt werden können, sind irgendwelche thermoplastische Materialien, die bei einer Temperatur im Bereich von etwa 1000C bis 3000C und vorzugsweise im Bereich von 15O0C bis 2000C erweicht sein können. Die Aufbringung des Heißschmelz-Klebstoffs erfolgt vorzugsweise durch Spinnen einer Lösung des thermoplastischen Heißschmelz-Materials in einem organischen Lösungsmittel. Eine typische Mischung ist beispielsweise ein Polyätherimidpolysxloxan in einem organischen Lösungsmittel, wie N-Methylpyrrolidon oder Diglyme.
Bei der praktischen Durchführung der vorliegenden Erfindung wird der Integrierte Schaltung-Würfel (integrated circuit die) in Scheibenform mit einer Lösung eines Heißschmelz-Klebstoffs in einem organischen Lösungsmittel behandelt. Der Heißschmelz-Klebstoff wird auf die rückseitige Oberfläche der Siliciumscheibe bei etwa 2000 bis 7000 ü/min aufgesponnen. Die behandelte Scheibe wird dann bei einer Anfangstemperatur von etwa 100° bis 1200C 30 bis 60 Minuten lang erwärmt und anschließend bei einer Temperatur von etwa 180° bis 2200C während eines Zeitraums von 0,5 bis 1,0 Stunden gebrannt. Typischerweise wird auf der Oberfläche der Siliciumscheibe ein Heißschmelz-Klebstoff-Film mit einer Dicke im Bereich von etwa 0,5 bis etwa 25 μπι (0,5 bis etwa 25 Mikron) ausgebildet.
Die Siliciumscheibe wird dann unter Verwendung von beispielsweise einer Diamantreißnadel, eines Lasers oder einer Säge unter Bildung einer Vielzahl von Integrierte Schaltung-Silicium-Verbundwürfeln würfelförmig unterteilt.
(Array) Eine Integrierte Schaltung-Anordnung/kann anschließend durch Verwendung von einem oder mehreren der vorerwähnten Integrierte Schaltung-Silicium-Verbundwürfel auf einem Träger, wie beispielsweise auf einem nichtleitenden Substrat, beispielsweise Aluminiumoxid oder Berylliumoxid, oder einem leitenden Substrat, wie Aluminium oder Kupfer, zusammengebaut werden. Beim Erwärmen des Heißschmelz-Klebstoffs in einer lokalisierten Weise an der Grundfläche des Integrierte Schaltung-Verbunds, bei Temperaturen im Bereich von 1000C bis 3000C, kann der Verbund mit dent Trägersubstrat beim Abkühlen integral verbunden werden. Geeignete Anschlüsse können dann zur Herstellung einer Integrierte Schaltung-Silicium-Verbundanordnung, wie sie in Figur 3 gezeigt wird, hergestellt werden.
Zur näheren Erläuterung der vorliegenden Erfindung dienen die nachfolgenden Beispiele, welche jedoch die Erfindung nicht beschränken sollen. Alle Teile sind auf das Gewicht bezogen.
Beispiel 1
Eine Siliciumscheibe von 0,25 mm (10 mil) Dicke mit einem Durchmesser von 76 mm (3 inches) und einer Vielzahl von Integrierte Schaltung-Silicium-Verbunden an ihrer Oberfläche wurde an ihrer rückseitigen Oberfläche mit einem vollständig imidisierten Polyätherimidsiloxan behandelt. Das Polyätherimidsiloxan hatte chemisch verbundene Blöcke von Polydimethylsiloxan, gebunden an Bisphenol-A-Imidgruppen durch Propylen-Bindungen. Es wurde eine Lösung des Polyätherimidsiloxans in Diglyme verwendet. Nach der Spinxbeschichtung des Polyätherimidsiloxans bei 2000 U/min während eines Zeitraums von 30 Sekunden wurde die Scheibe 1/2 Stunde lang bei 1200C, gefolgt von einer 2 1/2stündigen Wärmebehandlung bei 1500C, getrocknet. Man erhielt einen Integrierte Schaltung-Verbund in Scheibenform mit einer Polyätherimid-Schicht an seiner
Grundfläche von 15 μπι (15 Mikron) . Die Scheibe wurde dann unter Verwendung einer "Microautomation Model 1006A"-Diamantsäge zur Herstellung von fünfzig Integrierte Schaltung-Silicium-Verbundwürfeln mit einem Durchmesser von 2,5 . mm (100 mil) unterteilt.
Sine IC-Silicium-Verbundarray wurde
mit mehreren der Integrierte Schaltung-Silicium-Verbundwürfel durch Placieren derselben in Kontakt mit einem Aluminiumoxid-Substrat hergestellt. Der Würfel wurde mit dem Substrat so in Kontakt gehalten, daß das Polyätherimidsiloxan auf eine Temperatur von etwa 2000C erwärmt werden konnte, wobei das Polyätherimidsiloxan erweichte und anschließend beim Abkühlen den Integrierte Schaltung-Würfel mit der Trägeroberfläche
durch Kleben verband. Eine brauchbare
IC Siliciumverbundarray · wurde dann durch entsprechendes Verbinden der Gateelektroden und der Hauptsignalelektroden der verschiedenen integrierten Schaltungen hergestellt.
Obwohl das vorstehende Beispiel auf lediglich einige wenige der sehr zahlreichen Variablen, die bei der praktischen Durchführung des Verfahrens der vorliegenden Erfindung angewandt werden können, abgestellt ist, sei darauf hingewiesen, daß die vorliegende Erfindung auf eine viel größere Vielzahl von Heißschmelz-Klebstoffen gerichtet ist.
Auf alle in der vorliegenden Beschreibung angeführten Patentschriften und Veröffentlichungen wird ausdrücklich Bezug genommen und der Offenbarungsgehalt aller dieser Veröffentlichungen durch diese Bezugnahme in vollem Umfang in die vorliegende Anmeldung integriert.
- Leerseite

Claims (3)

  1. Patentansprüche
    (V* Verfahren zur Herstellung eines IC-Siliciumwürfel-Verbunds, dadurch gekennzeichnet, daß man
    (1) auf die Grundfläche einer Siliciumscheibe mit einer Vielzahl von integrierten Schaltungen auf ihrer oberen Oberfläche mittels Spin~.beschichtung eine Lösung eines Heißschmelz-Klebstoffs in einem organischen Lösungsmittel aufbringt,
    (2) den aufgebrachten Heißschmelz-Klebstoff trocknet und
    (3) die Siliciumscheibe zur Bildung einer Vielzahl von
    IC-Silicium-Verbundwürfeln mit einem -—'■
    Heißschmelz-Klebstoff an ihren entsprechenden Grundflächen würfelförmig unterteilt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß der Heißschmelz-Klebstoff ein Polyätherimidsiloxan ist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch zeichnet, daß mehrere IC-Silicium
    g e k e η η -
    Verbundwürfel zur Herstellung einer Integrierte Schaltung-Silicium-Verbund-Anordnung durch Aufkleben derselben auf ein Aluminiumoxid-Substrat verwendet werden.
DE19863600895 1985-01-17 1986-01-15 Verfahren zur herstellung eines ic-siliciumwuerfel-verbunds mit heissschmelz-klebstoff auf seiner siliciumgrundflaeche Ceased DE3600895A1 (de)

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GB (1) GB2170042B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3739333A1 (de) * 1987-11-20 1989-06-01 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur herstellung von klebeverbindungen mittels laser
DE4413529A1 (de) * 1994-04-15 1995-10-19 Telefilter Tft Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296074A (en) * 1987-03-30 1994-03-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for bonding small electronic components
US5300812A (en) * 1992-12-09 1994-04-05 General Electric Company Plasticized polyetherimide adhesive composition and usage
JPH1135893A (ja) 1997-05-22 1999-02-09 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シート状ホットメルト接着剤、および半導体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3600246A (en) * 1968-05-17 1971-08-17 Rca Corp Method of making laminated semiconductor devices
US3706409A (en) * 1970-02-26 1972-12-19 Gen Electric Semiconductor lead attachment system including a semiconductor pellet orientation plate
US3756872A (en) * 1968-10-28 1973-09-04 Lucas Industries Ltd Method of making non-planar semiconductor devices
US3947303A (en) * 1974-07-30 1976-03-30 Semikron, Gesellschaft Fur Gleichrichterbau Und Elektronik M.B.H. Method for producing a surface stabilizing protective layer in semiconductor devices
US4021279A (en) * 1972-04-20 1977-05-03 Stichting Reactor Centrum Nederland Method of forming groove pattern

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3600240A (en) * 1968-12-12 1971-08-17 Ibm Epitaxial growth from solution with amphoteric dopant
US4011279A (en) * 1975-09-23 1977-03-08 General Electric Company Process for making polyimide-polydiorganosiloxane block polymers
DE2653366A1 (de) * 1976-11-24 1978-06-01 Siemens Ag Verfahren zum teilautomatisierten verbinden von halbleiterchips mit einem traeger
US4347302A (en) * 1980-06-06 1982-08-31 Alexander Gotman Process for applying a thin coating in liquid form and subsequently drying it
US4385083A (en) * 1980-08-25 1983-05-24 Applied Magnetics Corporation Apparatus and method for forming a thin film of coating material on a substrate having a vacuum applied to the edge thereof
EP0051165A1 (de) * 1980-11-03 1982-05-12 BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation) Aufnahmevorrichtung für auswechselbare ICs mit thermoplastischer Befestigung
JPS5827721A (ja) * 1981-08-10 1983-02-18 Hitachi Chem Co Ltd ポリアミド酸シリコン型中間体及びポリイミドシリコン共重合体樹脂の製造法
JPS5844712B2 (ja) * 1981-07-07 1983-10-05 日立化成工業株式会社 接着剤組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3600246A (en) * 1968-05-17 1971-08-17 Rca Corp Method of making laminated semiconductor devices
US3756872A (en) * 1968-10-28 1973-09-04 Lucas Industries Ltd Method of making non-planar semiconductor devices
US3706409A (en) * 1970-02-26 1972-12-19 Gen Electric Semiconductor lead attachment system including a semiconductor pellet orientation plate
US4021279A (en) * 1972-04-20 1977-05-03 Stichting Reactor Centrum Nederland Method of forming groove pattern
US3947303A (en) * 1974-07-30 1976-03-30 Semikron, Gesellschaft Fur Gleichrichterbau Und Elektronik M.B.H. Method for producing a surface stabilizing protective layer in semiconductor devices

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM J.Res.Develop., März 1977, S. 190-198 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3739333A1 (de) * 1987-11-20 1989-06-01 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur herstellung von klebeverbindungen mittels laser
DE4413529A1 (de) * 1994-04-15 1995-10-19 Telefilter Tft Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
GB2170042B (en) 1988-05-25
GB2170042A (en) 1986-07-23
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JPS61201432A (ja) 1986-09-06
GB8521611D0 (en) 1985-10-02
CN86100204A (zh) 1986-08-13
US4624724A (en) 1986-11-25
CN1004843B (zh) 1989-07-19
FR2576148A1 (fr) 1986-07-18
KR930006528B1 (ko) 1993-07-16

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