DE19504967C2 - Verfahren zur Verbindung eines flexiblen Substrats mit einem Chip - Google Patents

Verfahren zur Verbindung eines flexiblen Substrats mit einem Chip

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ein derartiges Verfahren ist aus der DE 43 12 642 A1 bekannt.
Zur Verbindung von flexiblen Substraten mit einem elektronischen Bauelement, beispielsweise einem Chip, wird bislang üblicherweise das Thermokompression-Verfahren eingesetzt, bei dem eine sogenannte Thermode unter Einwirkung von Druck und Temperatur gegen Kontakt­ elemente des Substrats gedrückt wird, um diese mit Kontaktmetallisie­ rungen des Chips zu verbinden. Um hierbei Beschädigungen der tempe­ raturempfindlichen Kunststoff-Trägerschicht des Substrats, die in der Regel eine Zersetzungstemperatur aufweist, die im Bereich der zur Verbindung notwendigen Temperatur liegt, zu verhindern, ist es bei dem bekannten Verfahren erforderlich, vor Beaufschlagung der Kontaktele­ mente mit Druck und Temperatur die Trägerschicht und gegebenenfalls eine die Trägerschicht mit den Kontaktelementen verbindende Kleber­ schicht zu entfernen, so daß ein unmittelbarer Zugriff auf die Kontakte­ lemente des Substrats von deren Rückseite her möglich ist. Die Entfer­ nung der Trägerschicht erweist sich in der Praxis als sehr aufwendig; in der Regel werden hierzu in einem separaten Verfahren als "windows" bezeichnete Öffnungen in die Trägerschicht des Substrats geätzt. Derart vorbereitete Substrate lassen sich dann mittels einer als "inner-lead- bonding" bezeichneten Verbindungstechnik im Rahmen eines als "tape- automated-bonding" bezeichneten, automatisierten Verbindungsverfah­ rens einsetzen.
Aus der eingangs genannten DE 43 12 642 A1 ist ein Verfahren bekannt, bei dem ein Halb­ leiterchip mit seinen Anschlußflächen auf Kontaktelemente eines als sogenanntes "TAB-Band" ausgebildeten Substrats aufgelegt und nachfol­ gend durch Beaufschlagung durch Infrarotstrahlung mit dem Substrat kontaktiert wird. Zur unmittelbaren Kontaktierung der Anschlußflächen des Chips mit den Kontaktelementen des Substrats weist das "TAB-Band" im Bereich von Kontaktenden der Kontaktelemente eine Fensteröffnung in der Trägerschicht auf.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren vorzuschlagen, das ohne das vorstehend geschilderte separate Verfahren eine Verbindung von flexiblen Substraten mit elektronischen Bauele­ menten ermöglicht.
Zur Lösung dieser Aufgabe weist das erfindungsgemäße Verfahren die Merkmale des Anspruchs 1 auf.
Erfindungsgemäß erfolgt die Verbindung des Substrats mit dem Bauele­ ment in zwei Phasen. In einer ersten Phase erfolgt eine Beaufschlagung der Trägerschicht mit Ultraschall-induzierten mechanischen Schwingun­ gen und Druck derart, daß ein durch einen Trägerschichtbereich über­ deckter Anschlußbereich eines Kontaktelements freigelegt wird. In einer nachfolgenden zweiten Phase erfolgt eine Beaufschlagung des nunmehr im Anschlußbereich rückseitig freigelegten Kontaktelements mit Druck und Temperatur und/oder Ultraschall-induzierten mechanischen Schwingungen zur Verbindung mit der zugeordneten Kontaktmetallisierung.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht eine Kontaktierung zwi­ schen einem Substrat und einem Bauelement ohne eine getrennt vom Verbindungsvorgang und unabhängig von diesem durchgeführte Vorbe­ handlung des Substrats in einem separaten Verfahren. Vielmehr erfolgen gemäß der erfindungsgemäßen Lösung die erste Phase, die zur Vorberei­ tung der eigentlichen Kontaktierung dient, und die zweite Phase, die eigentliche Kontaktierungsphase, miteinander kombiniert in einem Arbeitsgang. Dabei wird für die "Freilegung" der Kontaktelemente im Anschlußbereich eine Energiebeaufschlagung gewählt, die im wesentli­ chen durch Ultraschall-induzierte Schwingungen und Druck gekennzeich­ net ist, also Energieformen, die sich für die Kunststoff-Trägerschicht als unschädlich erweisen, da sie nur diskret wirksam sind und nicht wie eine Temperaturbeaufschlagung der Trägerschicht zu großflächigen Zersetzun­ gen der Trägerschicht oder zu Delaminationen zwischen den Kontaktele­ menten und der Trägerschicht führen. Die zur Herstellung der thermi­ schen Verbindung notwendige Temperaturbeaufschlagung erfolgt lediglich im Verbindungsbereich zwischen den Kontaktelementen des Substrats und den Kontaktmetallisierungen des Bauelements.
Als besonders vorteilhaft erweist es sich, wenn die Energiebeaufschla­ gung mittels einer stiftförmigen Thermode erfolgt, die während der ersten Phase zur Beaufschlagung der Trägerschicht mit Ultraschall und während der zweiten Phase zur Beaufschlagung des Kontaktelements mit Tempe­ ratur und/oder Ultraschall beaufschlagt wird. Hierdurch wird es nämlich möglich, beide Phasen mit ein und demselben Werkzeug durchzuführen, so daß sich das Verfahren als besonders einfach in der Durchführung erweist und auch nur eine entsprechend einfach ausgebildete Vorrichtung zu dessen Durchführung notwendig ist.
Nachfolgend wird eine Möglichkeit zur Ausführung des Verfahrens anhand der Zeichnung mit Darstellung eines Verbindungsverfahrens unter Anwendung einer aus Ultraschall und Temperatur kombinierten Energie­ beaufschlagung näher erläutert.
Bei dem anhand der Zeichnung erläuterten Verfahren erfolgt die Energie­ beaufschlagung zur Verbindung eines Substrats 25 mit einem Chip 12 mittels einer Thermode 26.
Das Substrat 25 weist eine Trägerschicht 13 aus Polyimid mit Kontakte­ lementen 14, 15 auf.
Der Chip 12 weist auf seiner den Kontaktelementen 14, 15 des Substrats 25 zugewandten Oberseite erhöhte, üblicherweise als Bumps bezeichnete Kontaktmetallisierungen 17 auf, die zur Verbindung mit den Kontaktele­ menten 14, 15 dienen.
Bei dem Substrat 25 ist zwischen der Trägerschicht 13 und den Kontak­ telementen 14, 15 eine Kleberschicht 27 zur Verbindung der Kontaktele­ mente 14, 15 mit der Trägerschicht 13 vorgesehen. Bei einem derartig ausgebildeten Substrat können die Kontaktelemente aus einer auf die Trägerschicht auflaminierten Kupferfolie herausgearbeitet sein. Es wird betont, daß die Ausbildung des Substrats 25 keinen wesentlichen Einfluß auf die Anwendbarkeit des dargestellten Verfahrens hat.
Bei dem dargestellten Verfahren wird die Thermode 26 mit ihrem stiftförmigen Thermodenkopf 28 gegen die Rückseite 19 der Träger­ schicht 13 gefahren. Der Thermodenkopf 28 wird in einer ersten Phase des Verbindungsvorgangs gegen den Anschlußbereich 21 des Kontaktele­ ments 14 bewegt. Hierzu wird im wesentlichen durch Ultraschall­ induzierte mechanische Mikroschwingungen der Thermode 26 bzw. des Thermodenkopfs 28 unter gleichzeitiger Druckeinwirkung bzw. einer Vorschubbewegung die Trägerschicht 13 sowie die Kleberschicht 27 im Trägerschichtbereich 29 entfernt. Erst wenn der Thermodenkopf 28 im Anschlußbereich 21 rückwärtig am Kontaktelement 14 anliegt, erfolgt in der zweiten Phase eine zum Aufschmelzen der Kontaktmetallisierung 17 ausreichende Energiebeaufschlagung der Thermode 26, wobei gleichzeitig zur Sicherstellung einer guten Wärmekopplung die Thermode 26 gegen das Kontaktelement 14 gedrückt wird.
Die Art der Energiebeaufschlagung wird im wesentlichen durch die miteinander zu verbindenden Materialien der Kontaktelemente bzw. der Kontaktmetallisierungen bestimmt. Bei einer Gold/Gold-Kontaktierung erfolgt beispielsweise in der zweiten Phase eine Beaufschlagung mit Ultraschall, Temperatur und gegenüber der ersten Phase erhöhten Druck, um die Materialien durch eine Preßschweißung miteinander zu verbinden. Bei einer Gold/Zinn-Kontaktierung ist es vorteilhaft für die zweite Phase eine Beaufschlagung mit Temperatur und einen im Vergleich zum vorher­ gehenden Beispiel geringen Druck zu wählen, um die Materialien in einem Lötvorgang miteinander zu verbinden.
Die zum Aufschmelzen der Kontaktmetallisierung 17 und zur Verbindung der Kontaktmetallisierung 17 mit dem Kontaktelement 14 notwendige Temperatur liegt bei etwa 400°C. Diese Temperatur liegt im Bereich der Zersetzungstemperatur von Polyimid (etwa 400°C), so daß deutlich wird, daß eine unmittelbare Beaufschlagung der Trägerschicht 13, also ohne vorhergehende Entfernung des Trägerschichtbereichs 29, eine Beschädi­ gung der Trägerschicht 13 zur Folge hätte.

Claims (2)

1. Verfahren zur thermischen Verbindung von Kontaktelementen eines flexiblen Filmsubstrats mit Kontaktmetallisierungen eines elektroni­ schen Bauelements, wobei das flexible Substrat eine Trägerschicht aus Kunststoff aufweist und eine Energiebeaufschlagung der Kontaktele­ mente mit Druck und Temperatur und/oder Ultraschall-induzierten mechanischen Schwingungen zur Verbindung mit den zugeordneten Kontaktmetallisierungen von deren Rückseite her erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß vor Durchführung der Verbindung eine Beaufschlagung der Trä­ gerschicht (13) mit Ultraschall-induzierten mechanischen Schwingun­ gen und Druck derart erfolgt, daß ein durch einen Trägerschichtbe­ reich (29) überdeckter Anschlußbereich (21) eines Kontaktelements (14, 15) freigelegt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Energiebeaufschlagung mittels einer stiftförmigen Thermode (26) erfolgt, wobei die Thermode (26) während der ersten Phase zur Beaufschlagung der Trägerschicht (13) mit Ultraschall und während der zweiten Phase zur Beaufschlagung des Kontaktelements (14, 15) mit Temperatur und/oder Ultraschall beaufschlagt wird.
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DE19504967A DE19504967C2 (de) 1995-02-15 1995-02-15 Verfahren zur Verbindung eines flexiblen Substrats mit einem Chip
PCT/DE1996/000228 WO1996025263A2 (de) 1995-02-15 1996-02-14 Verfahren zur verbindung eines flexiblen substrats mit einem chip
JP8524577A JPH10513610A (ja) 1995-02-15 1996-02-14 可撓性基板をチップにボンディングする方法
US09/693,255 US6478906B1 (en) 1995-02-15 2000-10-20 Method for bonding a flexible substrate to a chip

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7745810B2 (en) 2001-07-25 2010-06-29 Nantero, Inc. Nanotube films and articles

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19751487A1 (de) 1997-11-20 1999-06-02 Pac Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Verbindung von Anschlußflächen zweier Substrate
DE19901623B4 (de) 1999-01-18 2007-08-23 Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Verbindung von Anschlußflächen zweier Substrate
US6299713B1 (en) 1999-07-15 2001-10-09 L. M. Bejtlich And Associates, Llc Optical radiation conducting zones and associated bonding and alignment systems
US6501043B1 (en) * 1999-10-22 2002-12-31 Medtronic, Inc. Apparatus and method for laser welding of ribbons
DE10036900C2 (de) * 2000-07-28 2002-07-11 Siemens Ag Verfahren zur Kontaktierung einer flexiblen Leiterplatte mit einem Kontaktpartner und Anordnung aus flexibler Leiterplatte und Kontaktpartner
DE20020373U1 (de) * 2000-12-01 2002-04-04 Robert Bosch Gmbh, 70469 Stuttgart Kabelbaumstecker, insbesondere als planare Zweizellen-Grenzstromsonde mit angespritztem Deckelelement
DE10124770C1 (de) 2001-05-21 2002-10-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Kontaktierung eines elektrischen Bauelementes mit einem eine Leiterstruktur aufweisenden Substrat
DE10125497C2 (de) * 2001-05-23 2003-06-05 Pac Tech Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Kontaktsubstrats sowie Kontaktsubstrat
EP1278240A2 (de) 2001-07-10 2003-01-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur Transferierung von einem Bauelement auf einen Verbindungsträger durch Löten ohne zusätzliches Lötmaterial
DE10147789B4 (de) 2001-09-27 2004-04-15 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Verlöten von Kontakten auf Halbleiterchips
US6776050B2 (en) * 2001-09-28 2004-08-17 Osrano Opto Semiconductors Gmbh Support for bending test of flexible substrates
GB0123676D0 (en) 2001-10-02 2001-11-21 Poly Flex Circuits Ltd Method of manufacturing circuits
DE10149140A1 (de) * 2001-10-05 2003-04-17 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Verbindung einer Siliziumplatte mit einer weiteren Platte
US6583385B1 (en) * 2001-12-19 2003-06-24 Visteon Global Technologies, Inc. Method for soldering surface mount components to a substrate using a laser
JP4206320B2 (ja) * 2003-09-19 2009-01-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
US20060196600A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Gi-Jung Nam Apparatus and method for bonding anisotropic conductive film using laser beam
DE102005029407B4 (de) * 2005-06-24 2008-06-19 Mühlbauer Ag Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Verbinden integrierter Schaltungen mit einem Substrat
DE102005035102A1 (de) * 2005-07-27 2007-02-01 Robert Bosch Gmbh Elektrisch leitende Verbindung und Verfahren zum Herstellen einer solchen
JP4514722B2 (ja) * 2006-02-20 2010-07-28 富士通セミコンダクター株式会社 フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法
KR100777575B1 (ko) * 2006-03-20 2007-11-16 주식회사 젯텍 레이저를 이용한 전자부품의 접속 방법 및 장치
JP2008227409A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Omron Corp 接合装置および接合方法
DE102009017659A1 (de) 2009-04-16 2010-10-28 Schott Ag Verfahren zur leitenden Verbindung eines Bauelementes auf einem transprenten Substrat
CN103474587B (zh) * 2013-09-30 2015-12-02 上海大学 Oled封装装置
CN103474588B (zh) * 2013-09-30 2016-04-13 上海大学 Oled封装装置及oled封装方法
DE102014205015B4 (de) 2014-03-18 2023-03-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Verbinden zweier elektrisch leitender Bauteile mittels eines Laserstrahls und Bauteileverbund
DE102016100561A1 (de) * 2016-01-14 2017-07-20 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren zur Platzierung und Kontaktierung eines Prüfkontakts
DE102017201679A1 (de) 2017-02-02 2018-08-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Fügen von Bauteilen auf eine Trägerstruktur unter Einsatz von elektromagnetischer Strahlung
US11410961B2 (en) 2020-03-17 2022-08-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for temperature modification in bonding stacked microelectronic components and related substrates and assemblies
US11973054B2 (en) * 2021-05-06 2024-04-30 Stroke Precision Advanced Engineering Co., Ltd. Method for transferring electronic device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD140942A1 (de) * 1978-12-20 1980-04-02 Horst Ahlers Verfahren und anordnung zur mikroverbindungstechnik mittels laser
US4970365A (en) * 1989-09-28 1990-11-13 International Business Machines Corporation Method and apparatus for bonding components leads to pads located on a non-rigid substrate
JPH05206220A (ja) * 1992-01-29 1993-08-13 Hitachi Ltd テープキャリアパッケージと回路基板との接続方法
US5250469A (en) * 1990-05-24 1993-10-05 Nippon Mektron, Ltd. IC mounting circuit substrate and process for mounting the IC
DE4312642A1 (de) * 1992-04-23 1993-10-28 Mitsubishi Electric Corp Verfahren und Vorrichtung zum Kontakieren
US5341979A (en) * 1993-09-03 1994-08-30 Motorola, Inc. Method of bonding a semiconductor substrate to a support substrate and structure therefore

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE140942C (de)
DE420049C (de) 1924-03-22 1925-10-15 Maschb Anstalt Humboldt Zwischenwand fuer Rohr- und Verbundmuehlen
DE2642339C3 (de) * 1976-09-21 1980-07-24 Fa. G. Rau, 7530 Pforzheim Kontaktkörper und Herstellungsverfahren hierzu
EP0292295B1 (de) * 1987-05-20 1993-01-27 Hewlett-Packard Company Automatisches Filmträgerbonden ohne Höcker
US4978385A (en) 1987-05-29 1990-12-18 Daicel Chemical Industries Ltd. 4-halopyridine-3-carboxamide compounds and herbicidal compositions thereof
US4906812A (en) * 1988-12-22 1990-03-06 General Electric Company Fiber optic laser joining apparatus
JPH03203340A (ja) * 1989-12-29 1991-09-05 Hitachi Ltd ワイヤボンディング方法および装置
US5055652A (en) 1990-10-01 1991-10-08 General Electric Company Laser soldering of flexible leads
DE4032860A1 (de) * 1990-10-12 1992-04-16 Zeiss Carl Fa Kraftgesteuerter kontaktapplikator fuer laserstrahlung
DE4200492C2 (de) * 1991-10-04 1995-06-29 Ghassem Dipl Ing Azdasht Vorrichtung zum elektrischen Verbinden von Kontaktelementen
US5354392A (en) * 1992-01-24 1994-10-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for connecting a wiring arranged on a sheet with another wiring arranged on another sheet by ultrasonic waves
US5847356A (en) 1996-08-30 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Laser welded inkjet printhead assembly utilizing a combination laser and fiber optic push connect system
JP3301355B2 (ja) * 1997-07-30 2002-07-15 日立電線株式会社 半導体装置、半導体装置用ｔａｂテープ及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD140942A1 (de) * 1978-12-20 1980-04-02 Horst Ahlers Verfahren und anordnung zur mikroverbindungstechnik mittels laser
US4970365A (en) * 1989-09-28 1990-11-13 International Business Machines Corporation Method and apparatus for bonding components leads to pads located on a non-rigid substrate
US5250469A (en) * 1990-05-24 1993-10-05 Nippon Mektron, Ltd. IC mounting circuit substrate and process for mounting the IC
JPH05206220A (ja) * 1992-01-29 1993-08-13 Hitachi Ltd テープキャリアパッケージと回路基板との接続方法
DE4312642A1 (de) * 1992-04-23 1993-10-28 Mitsubishi Electric Corp Verfahren und Vorrichtung zum Kontakieren
US5341979A (en) * 1993-09-03 1994-08-30 Motorola, Inc. Method of bonding a semiconductor substrate to a support substrate and structure therefore

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 1-161725 A (engl. Abstract) *
JP 5-109824 A (engl. Abstract) *
JP 6-69273 A (engl. Abstract) *
US-Z: IBM Technical Disclosure Bull., Bd. 31, 1988, S. 206-207 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7745810B2 (en) 2001-07-25 2010-06-29 Nantero, Inc. Nanotube films and articles

Also Published As

Publication number Publication date
US6478906B1 (en) 2002-11-12
WO1996025263A2 (de) 1996-08-22
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JPH10513610A (ja) 1998-12-22
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