DE4019915A1 - Verfahren und einrichtung zur herstellung einer verbindung zwischen einem bonddraht und einer metallischen kontaktflaeche - Google Patents

Verfahren und einrichtung zur herstellung einer verbindung zwischen einem bonddraht und einer metallischen kontaktflaeche

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DE4019915A1
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Guenther Dr Krueger
Bernhard Meier
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Robert Bosch GmbH
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Description

Stand der Technik
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum Her­ stellen einer Verbindung zwischen einem Bonddraht und einer metallischen Kontaktfläche, sowie eine nach diesem Verfahren kontak­ tierte elektronische Baugruppe nach der Gattung der unabhängigen Ansprüche.
Leiterplattenelemente, wie z. B. diskrete oder integrierte Halb­ leiterelemente, müssen mit Hilfe dünner Bonddrähte aus Gold oder Aluminium oder auch anderen Metallen wie Kupfer oder Palladium elektrisch mit ihrer Umwelt verbunden werden. Bei diesem Bondprozeß werden die Bonddrähte bei erhöhter Temperatur und unter Einwirkung von Ultraschallenergie mit einem metallisierten Anschluß, z. B. auf einer Leiterplatte oder einer Kontaktspinne, verbunden. Eine Gold­ metallisierung auf diesem Anschluß hat sich als zuverlässiges Kontaktmaterial bewährt.
Entscheidend für die Zuverlässigkeit einer Bondstelle sind saubere grenzschichtfreie Oberflächen. Es ist bekannt (DE-OS 37 04 200), die Kontaktstellen vor dem Bonden des Drahtes metallisch zu überziehen, um so eine Diffusionssperrschicht herzustellen, die eine Korrosion der Verbindungsstelle verhindert. Weiterhin wurde bereits vorge­ schlagen (DE-OS 36 41 524), um eine Interdiffusion zwischen dem Bonddraht und der Metallschicht der Kontaktfläche zu verhindern, die Bondstelle nach dem Bonden einer Thermobehandlung zu unterziehen. Dadurch soll einem Anwachsen intermetallischer Zusammensetzungen entgegengewirkt und so die Haltbarkeit der Bondverbindung gesteigert werden. Das metallische Überziehen der Kontaktfläche vor dem Bond­ prozeß läßt sich durch die nachgeschaltete Behandlung nicht ersetzen.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, daß sich der Bondprozeß unmittelbar auf der metallischen Kontaktfläche durchführen läßt, die vorzugsweise aus Nichtmetallen wie Kupfer oder Nickel gebildet ist. Eine aufwendige und teure Sondermetallisierung, z. B. mit Gold und Nickel, kann entfallen. So lassen sich insbesondere bei dem Einsatz unverpackter Halbleiterelemente auf Leiterplatten Aluminiumbond­ drähte unmittelbar auf entsprechende Kupferkontaktflächen bonden.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vor­ teilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des im Hauptanspruch angegebenen Vefahrens möglich. Um eine von Oxid oder sonstigen Ver­ unreinigungen freie Kontaktoberfläche herzustellen und um eine prin­ zipiell denkbare, aber technisch nur sehr schwer realisierbare naß­ chemische Vorbehandlung zu vermeiden, wird vorgeschlagen, zur Ent­ fernung des Oxids und der Verunreinigungen einen Laser, vorzugsweise einen Excimer-Laser (Phy. Blätter 46 Nr. 5 (1990) S. A334-A336), einzusetzen. Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Laser mit einer geeigneten Wellenlänge strahlt, so daß die zugeführte Energie aus­ reicht, um chemische Bindungen in Oxiden oder anderen Verunreini­ gungen aufzubrechen. Durch einen Impulsbetrieb des Lasers im Nano­ sekundenbereich ist es möglich, kurzzeitig hohe Energiedichten bereitzustellen.
In besonders einfacher Weise gestaltet sich der Aufbau einer Ein­ richtung zur Durchführung des Verfahrens, wenn eine handelsübliche Bondeinrichtung, z. B. ein Hand- oder Automatikbonder, mit einem Lasersystem kombiniert wird, wobei der Laserstrahl auf die Bond­ fläche gerichtet ist.
Durch das Wegfallen des Fertigungsschrittes einer Sondermetalli­ sierung der Kontaktfläche und durch das Einsparen von Edelmetall verbilligen sich die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herge­ stellten elektronischen Baugruppen.
Zeichnung
In Fig. 1 ist eine Kontaktfläche einer Leitenplatine vor dem Bonden im Schnitt dargestellt. Fig. 2 zeigt den Reinigungsprozeß, Fig. 3 den Bondvorgang und Fig. 4 die fertiggestellte Kontaktierung eines Bonddrahtes auf einer metallischen Kontaktfläche der Leiterplatte. In Fig. 5 ist eine mit einem Laser kombinierte Bondeinrichtung gezeigt.
Beschreibung eines Ausführungsbeispiels
Die in den Fig. 1 bis 4 dargestellte Leiterplatte 10 besitzt auf dem Substrat 11 eine Kontaktfläche 12. Diese Kontaktfläche 12 besteht aus einem Nichtedelmetall, vorzugsweise Kupfer und stellt das Verbindungsglied der integrierten Schaltung zu anderen Bauele­ menten oder elektrischen Anschlüssen dar. Durch Korrosionswirkungen kann die Kontaktfläche 12 von einer Metalloxidschicht 13 oder anderen organischen bzw. anorganischen Verunreinigungen 13′ bedeckt sein. Da diese Verunreinigungsschichten 13 und 13′ eine haftfeste Verbindung zwischen Bonddraht 20 und Kontaktfläche 12 verhindern, müssen sie vor dem Bonden des Drahtes 20 entfernt werden. Dazu (Fig. 2) wird ein Laserstrahl 22 auf die Kontaktfläche 12 fokussiert, welcher dann im Impulsbetrieb im Nanosekundenbereich auf die Verunreinigungsschichten 13 und 13′ einwirkt. Durch eine geeignete Wahl der Laserwellenlänge ist es möglich, das Metalloxid 13 und die anderen Verunreinigungen 13′ chemisch zu zerlegen. Die hierfür typischen Bindungsenergien liegen bei 4 bis 5 Elektronen­ volt. Solche Werte können mit einem Excimer-Laser mit einer Wellen­ länge von ca. 200 nm erreicht werden. Bei geeigneter Wahl der Energiedichte des Laserstrahls 22 ist es möglich, selektiv nur die Metalloxidschicht 13 und die anderen Verunreinigungen 13′ zu ent­ fernen und das Metall der Kontaktfläche 12 nicht anzugreifen.
Der Laserstrahl 22 entfernt auf diese Weise einen Teil 24 oder die gesamte Metalloxidschicht 13 und die anderen Verunreinigungen 13′ und legt die sich darunter befindliche Kontaktfläche 12 frei. In einem nachfolgenden Arbeitsgang (Fig. 3) erfolgt die Zuführung des Bonddrahtes 20 mittels einer Kapillare 26. Der Bonddraht 20 aus Aluminium, Gold, Kupfer, Palladium oder dergleichen kann an seinem zur Kontaktfläche 12 weisenden Ende eine Verdickung 28 besitzen, die innerhalb der Aussparung 24 auf die Kontaktfläche 12 aufgesetzt wird. Bevor der Bonddraht 20 beim Aufsetzvorgang in den Strahl­ bereich des Laserstrahls 22 eintaucht, wird der Laser 30 ausge­ schaltet. Mit 32 ist die Wirklinie des Lasers angedeutet, die unter einem Winkel α gegen die Vertikale geneigt auf die Kontaktfläche 12 trifft.
Nach dem Aufsetzen des Bonddrahtes 20 auf der Kontaktfläche 12 wird durch Zufuhr von Ultraschallenergie die Verdickung 28 mit der Kontaktfläche 12 verschweißt, wodurch eine einlegierte Zone 34 ent­ steht (Fig. 4). Das freie Ende des Bonddrahtes 20 kann jetzt nach außen geführt werden und einen weiteren Anschluß zur Leiterplatte herstellen.
Zur Durchführung des Verfahrens wird eine handelsübliche Bondein­ richtung 34 benützt (Fig. 5), bei der das Leiterplattenelement 10 auf einem Schlitten 36 befestigt ist. Die Zuführung des Bonddrahtes 20 mittels der Kapillare 26 kann dabei automatisch oder von Hand erfolgen. Zur Erzeugung des fokussierten Laserstrahls 22 ist an der Bondeinrichtung 34 ein Laser 30 vorgesehen. Der Laser 30 wird dazu mittels eines Anschlußflansches 38 in den Strahlengang der Beleuch­ tungsoptik eingekoppelt, es kann aber auch ein separater Strahlen­ gang vorgesehen sein.

Claims (9)

1. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen einem Bond­ draht (20) und einer metallischen Kontaktfläche (12), insbesondere bei Leiterplattenelementen (10), vorzugsweise diskreten oder inte­ grierten Halbleiterelementen, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfläche (12) vor dem Bonden des Drahtes (20) vom Oxid (13) und anderen Verunreinigungen (13′) befreit wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ent­ fernung des Oxids (13) und anderer Verunreingigungen (13′) von der Kontaktfläche (12) ein Laser (30), vorzugsweise ein Excimer-Laser, eingesetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Laser (30) in seiner Wellenlänge so gewählt ist, daß die zugeführte Energie ausreicht, das Oxid (13) und andere Verunreinigungen (13′) chemisch zu zerlegen.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Laser (30) eine Wellenlänge zwischen 180 nm und 350 nm, vorzugsweise 193 nm besitzt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeich­ net, daß der Laser (30) in kurzen Impulsen, vorzugsweise im Nanno­ sekundenbereich, auf die Oxidschicht (13) und andere Verunreini­ gungen (13′) wirkt.
6. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine handels­ übliche Bondeinrichtung (34) mit einem Lasersystem (30), vorzugs­ weise einem Excimer-Lasersystem, kombiniert ist.
7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserstrahl (22) auf die Bondfläche (24) fokussiert ist.
8. Elektronische Baugruppe, insbesondere Halbleiterelement, her­ gestellt nach dem Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, mit mindestens einer metallischen Kontaktfläche (12), auf der mindestens ein Bonddraht (20) aufgebracht ist, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Bonddraht (20) direkt auf die Kontaktfläche (12) ohne Zwischenschicht aufgebondet ist, und daß die Kontaktfläche (12) vor dem Aufbringen des Bonddrahts (20) durch Einwirkung eines oder mehrerer Laserimpulse vom Oxid (13) und anderer Verunreinigungen (13′) befreit ist.
9. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfläche (12) aus Kupfer oder Nickel besteht.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4202074A1 (de) * 1992-01-25 1993-07-29 Audi Ag Verfahren zum entlacken von teilen
DE4241575A1 (de) * 1992-12-10 1994-06-16 Baldwin Gegenheimer Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum kontaktfreien Entfernen von Schmutz von Gegenständen, insbesondere von Druckmaschinen-Zylindern
US5463951A (en) * 1993-01-20 1995-11-07 Baldwin-Gegenheimer Gmbh Printing machine spray device
DE4427111A1 (de) * 1994-07-30 1996-02-01 Kolbe & Co Hans Verfahren zur Herstellung einer zuverlässigen Bondverbindung
WO1996007984A1 (de) * 1994-09-05 1996-03-14 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung eines chipkartenmoduls für kontaktlose chipkarten
DE19617387C1 (de) * 1996-04-30 1997-11-20 Siemens Ag Verfahren zur Laserstrukturierung von Metalloberflächen
DE10006968A1 (de) * 2000-02-16 2001-09-06 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von Haftvermittlern in der Halbleiterfertigung
SG93927A1 (en) * 2001-02-16 2003-01-21 Inst Of Microelectronics Process of forming metal surfaces compatible with a wire bonding and semiconductor integrated circuits manufactured by the process
DE102004011929A1 (de) * 2004-03-11 2005-09-29 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung zwischen elektrischen Kontaktflächen
WO2008116761A1 (de) * 2007-03-28 2008-10-02 Robert Bosch Gmbh Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer bondverbindung

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4202074A1 (de) * 1992-01-25 1993-07-29 Audi Ag Verfahren zum entlacken von teilen
DE4241575A1 (de) * 1992-12-10 1994-06-16 Baldwin Gegenheimer Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum kontaktfreien Entfernen von Schmutz von Gegenständen, insbesondere von Druckmaschinen-Zylindern
US5592879A (en) * 1992-12-10 1997-01-14 Baldwin-Gegenheimer Gmbh Method and apparatus for the contact-free removal of dirt from the cylinders of printing machines
US5463951A (en) * 1993-01-20 1995-11-07 Baldwin-Gegenheimer Gmbh Printing machine spray device
DE4427111A1 (de) * 1994-07-30 1996-02-01 Kolbe & Co Hans Verfahren zur Herstellung einer zuverlässigen Bondverbindung
CN1105988C (zh) * 1994-09-05 2003-04-16 西门子公司 制作用于无触点智能卡的智能卡模块的方法
WO1996007984A1 (de) * 1994-09-05 1996-03-14 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung eines chipkartenmoduls für kontaktlose chipkarten
US5809633A (en) * 1994-09-05 1998-09-22 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a smart card module for contactless smart cards
DE19617387C1 (de) * 1996-04-30 1997-11-20 Siemens Ag Verfahren zur Laserstrukturierung von Metalloberflächen
DE10006968A1 (de) * 2000-02-16 2001-09-06 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von Haftvermittlern in der Halbleiterfertigung
SG93927A1 (en) * 2001-02-16 2003-01-21 Inst Of Microelectronics Process of forming metal surfaces compatible with a wire bonding and semiconductor integrated circuits manufactured by the process
DE102004011929A1 (de) * 2004-03-11 2005-09-29 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung zwischen elektrischen Kontaktflächen
WO2008116761A1 (de) * 2007-03-28 2008-10-02 Robert Bosch Gmbh Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer bondverbindung

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