DE2801419A1 - Abbildungsvorrichtung - Google Patents

Abbildungsvorrichtung

Info

Publication number
DE2801419A1
DE2801419A1 DE19782801419 DE2801419A DE2801419A1 DE 2801419 A1 DE2801419 A1 DE 2801419A1 DE 19782801419 DE19782801419 DE 19782801419 DE 2801419 A DE2801419 A DE 2801419A DE 2801419 A1 DE2801419 A1 DE 2801419A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
light
plate
layer
platelets
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19782801419
Other languages
English (en)
Other versions
DE2801419C2 (de
Inventor
Terence Frederick Knibb
Richard George O'rourke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Plessey Overseas Ltd
Original Assignee
Plessey Handel und Investments AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Plessey Handel und Investments AG filed Critical Plessey Handel und Investments AG
Publication of DE2801419A1 publication Critical patent/DE2801419A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2801419C2 publication Critical patent/DE2801419C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R13/00Arrangements for displaying electric variables or waveforms
    • G01R13/40Arrangements for displaying electric variables or waveforms using modulation of a light beam otherwise than by mechanical displacement, e.g. by Kerr effect
    • G01R13/404Arrangements for displaying electric variables or waveforms using modulation of a light beam otherwise than by mechanical displacement, e.g. by Kerr effect for discontinuous display, i.e. display of discrete values
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED

Description

^Tn 2 8 O 1 4 1
Kans Leva
ζ-
Unsere Akte: A 14 Lh/fi
PLESSEY HANDEL UND INVESTMENTS A.G.
Gartenstrasse 2
CH-6300 Zug (Schweiz)
Abbildungsvorrichtung
809829/0882
2ÖUU19
Die Erfindung betrifft eine Abbildungsvorrichtung und insbesondere eine Äbbildungsvorrichtung mit lichtemittierenden Dioden sowie ein Verfahren zur ihrer Herstellung.
Nach der Erfindung ist eine Abbildungsvorrichtung vorgesehen mit wenigstens einem Plättchen mit lichtemittierenden Dioden, das auf einem Substrat angeordnet ist,, wobei der Bereich des Substrates, der das Plättchen umgibt und die Verbindungsmittel wenigstens teilweise mit einem lichtabsorbierenden Material überzogen sind. Vorzugsweise ist das lichtabsorbierende Material Chromschwarz wenn Aluminium als Komponente der Verbindungsmittel verwendet wird, die den Kontakt mit den lichtemittierenden Dioden herstellen. Wenn nur Gold oder goldreiche Legierungen verwendet werden, wird hingegen vorzugsweise Platinschwarz verwendet.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird auf einem Substrat ein leitendes Muster erzeugt, ein Plättchen mit wenigstens einer lichtemittierenden Diode in elektrischen Kontakt mit einem Teil des leitenden Musters gebracht und wenigstens ein Teil der Oberfläche des Substrates und der elektrischen Verbindungen, die nicht von dem Plättchen bedeckt sind, mit einer Schicht aus einem lichtabsorbierenden Material überzogen. Vorzugsweise werden Bereiche des leitenden Musters, die nicht von Plättchen mit lichtemittierenden Dioden bedeckt sind, während des Elektroniederschlags, d.h. während der Platierung auf demselben Potential gehalten.
Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung wird ein Substrat mit einem Dickfilm-Schaltkreis hergestellt, der auf einer Hauptfläche des Substrates ausgebildet ist; jedes einer Anzahl von Plättchen mit lichtemittierenden Dioden mechanisch und elektrisch auf einer Fläche von ausgewählten Bereichen des Dickfilm-Kreises angebracht und angeschlossen; jedes der
809829/0882
Plättchen durch Golddrähte miteinander verbunden, wodurch die Plättchen elektrisch in Reihe geschaltet werden; worauf die ausgewählten Bereiche des Schaltkreises, die die Plättchen mit den lichtemittierenden Dioden umgeben, durch Aluminiumdrähte verbunden werden, so daß alle ausgewählten Bereiche des Schaltkreises auf gleichem Potential gehalten werden können; wonach eine Reinigung der Vorrichtung folgt; worauf die Teile des Substrates, auf denen elektrische Ausgangsklemmen ausgebildet worden sind, mit einer Schutzsubstanz überzogen werden, dann Ablagerung einer Schicht aus Chromschwarz auf der Vorrichtung; Entfernung des Überzugs aus der Schutz-Substanz von den Teilen des Substrates, die zuvor überzogen worden sind, derart, daß wenigstens eine Fläche von jedem der mit lichtemittierenden Dioden versehenen Plättchen nicht mit Chromschwarz überzogen ist; worauf schließlich alle Aluminium-Verbindungsdrähte entfernt werden.
Nach einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein Substrat mit einem leitenden Muster auf einer seiner Hauptflachen hergestellt, ein mit lichtemittierenden Dioden versehenes Plättchen mechanisch und elektrisch mit einem ausgewählten Teil des leitenden Musters auf dem Substrat verbunden, eine Schicht aus lichtabsorbierendem Material auf wenigstens einem Teil des Substrates niedergeschlagen, und das Plättchen mit den lichtemittierenden Dioden elektrisch mit dem Substrat mit Hilfe von Verbindungsmitteln verbunden, um eine Anzahl von Kontakten zu schaffen.
Vorzugsweise wird die Vorrichtung eingekapselt, indem sie mit einem Schutzmaterial überzogen wird, um die fertige Abbildungsvorrichtung vor Beschädigungen infolge Kontaktes mit einer schädlichen Umgebung zu schützen.
- 3 809829/0882
280 K 19
Beispielsweise Ausfuhrungsformen der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung erläutert, in der
Fig. 1 in Draufsicht eine Abbildungsvorrichtung nach der Erfindung zeigt.
Fig. 2 zeigt teilweise im Querschnitt längs der Linie X-X die Vorrichtung nach Fig. 1
Fig. 3 zeigt im Schnitt die Vorrichtung nach den Fig. 1 und umschlossen von einer Schutzschicht.
Die Abbildungsvorrichtung nach der Erfindung, wie sie in den Fig. 1 und 2 gezeigt ist, umfaßt ein Substrat 1, beispielsweise aus Keramik, mit einer Anzahl von freien (exposed) Metallbereichen 2a, 2b, 2c auf einer Hauptfläche 1a des Substrates. Diese Bereiche bestehen beispielsweise aus Gold. An einem Hauptteil von jedem der Bereiche 2b und 2c sind durch geeignete Mittel 3, beispielsweise mit Hilfe eines leitenden Klebstoffes, zwei Plättchen 4a und 4b mit lichtemittierenden Dioden angebracht. Weitere solche Plättchen können jedoch in gleicher Weise an anderen Bereichen des Substrates angebracht werden, um ein Feld zu bilden (nicht gezeigt). Die Plättchen 4a und 4b sind elektrisch durch Golddrähte 5a und 5b miteinander verbunden. Der Golddraht 5a verbindet den Bereich 2a mit einer Fläche des Plättchens 4a. Der Golddraht 5b verbindet den Teil des Bereiches 2b, der das Plättchen 4a umgibt, mit einer Fläche des Plättchens 4b. Die beiden Plättchen 4a und 4b sind somit in Reihe miteinander verbunden. Während eines Platierungsverfahrens ist es wichtig, die Bereiche 2a, 2b und 2c, die elektrisch miteinander verbunden sind, auf demselben Potential zu halten. Um daher dem Dioden-Spannungsabfall zu begegnen bzw. zu beseitigen, sind Aluminiumdrähte 6 vorgesehen, die den Teil
- 4 809829/0882
-/- 2ÖÜU19
des Bereiches 2b, der die lichtemittierende Diode 4a umgibt, mit dem Teil des Bereiches 2c, der die lichtemittierende Diode 4b umgibt, sowie den Bereich 2a mit dem Teil von 2b, der die lichtemittierende Diode4a umgibt, verbinden. Damit sind sämtliche Bereiche 2a, 2b, 2c zusammengeschaltet und können praktisch auf demselben elektrischen Potential gehalten werden.
Eine lichtabsorbierende Schicht 7 ist auf wenigstens einem Teil der Hauptfläche 1a des Substrates niedergeschlagen, derart, daß wenigstens eine Fläche von jeder der lichtemittierenden Dioden 4a und 4b nicht überdeckt ist. Die lichtabsorbierende Schicht 7 enthält oder besteht aus Chromschwarz wenn Gold und Aluminium Komponenten der verwendeten Verbindungsmittel sind, dagegen aus Platinschwarz wenn nur Gold oder goldreiche Legierungen als Verbindungsmittel verwendet werden.
Wenn Chromschwarz für die Schicht 7 verwendet wird, werden die Aluminiumdrähte 6 nach dem Niederschlagen der Schicht entfernt, um die elektrischen Verbindungen, die während der Niederschlagung verwendet wurden, zu entfernen. Die Drähte 6 können leicht erkannt werden, weil Chromschwarz nicht an Aluminium haftet.
Die Vorrichtung kann, wie Fig. 3 zeigt, gegen Beschädigungen infolge Kontaktes mit einer schädlichen Umgebung geschützt werden durch Einkapseln in ein geeignetes Material, z.B. Überdeckung mit einer Glasplatte oder durch einen Überzug aus Kunststoffmaterial.
Die Vorrichtung nach Fig. 3 ist durch eine Glasplatte 9 umschlossen, die an einem Rand 8 befestigt ist, der beispielsweise aus einem lichtabsorbierenden keramischen Material oder
- 5 809829/0882
-/- 280H19
einem lichtabsorbierenden Epoxyharz bestehen kann. Die Glasplatte 9 kann einen Zirkular-Polarisator enthalten, der die Lichtmenge reduziert, die von einem Aluminiumgitter 10 reflektiert wird, das auf der Hauptfläche der lichtemittierenden Diode 4b angeordnet ist.
Beim Verfahren zur Herstellung einer Abbildungsvorrichtung nach den Fig. 1 und 2 wird ein Substrat 1 hergestellt, beispielsweise aus einem keramischen Material mit einem Dickfilm-Schaltkreis, der auf einer Hauptfläche 1a des Substrates ausgebildet wird. Ferner können eines oder mehr Plättchen mit lichtemittierenden Dioden, beispielsweise 4a und 4b, vorgesehen werden. Danach werden die Plättchen 4a und 4b elektrisch und mechanisch mit ausgewählten Teilen der Bereiche 2b und 2c des Schaltkreises auf dem Substrat 1 verbunden unter Verwendung geeigneter Verbindungsmittel 3, z.B. Epoxyharz.
Dann werden die Plättchen 4a und 4b elektrisch durch Golddrähte 5a und 5b miteinander verbunden. Der Golddraht 5a verbindet den Bereich 2a mit einer Fläche des Plattchens 4a. Der Golddraht 5b verbindet den Teil des Bereiches 2b, der das Plättchen 4a umgibt, mit einer Fläche des Plättchens 4b. Die beiden Plättchen 4a und 4b sind somit elektrisch in Reihe geschaltet. Im Betrieb der Vorrichtung tritt jedoch eine Potentialdifferenz zwischen den Bereichen 2a, 2b und 2c auf infolge des Potentialabfalles über den Plättchen 4a und 4b.
Beim Piatieren ist diese Spannungsdifferenz unerwünscht, weshalb, wenn Platierungsmethoden angewendet werden, zur Beseitigung dieser Potentialdifferenz Aluininiumdrähte 6 an den Teil des Bereiches 2b, der die lichtemittierende Diode 4a umgibt, und an den Teil des Bereiches 2c, der die lichtemittierende Diode 4b umgibt, angeschlossen werden. Die
- 6 809829/0882
•/12·
elektrische Verbindung zwischen den Bereichen 2b und 2c durch die Aluminiumdrähte 6 führt dazu, daß die Bereiche 2a, 2b und 2c im wesentlichen auf demselben Potential gehalten werden können.
Danach wird das Substrat zusammen mit den Verbindungsdrahten und den Plättchen mit einem geeigneten Lösungsmittel gereinigt, beispielsweise mit erwärmtem Trichlorethylen. Danach werden die Teile des Substrates, auf denen elektrische Ausgangsanschlüsse gebildet wurden, mit einem Schutzmittel, beispielsweise einem Lack, überzogen. Die so vorbereitete Vorrichtung kann dann in diesem Zustand mit Nickel platiert werden, um die Gleichmäßigkeit des Niederschlags zu erhöhen. Danach wird eine Schicht 7 aus Chromschwarz auf der Hauptfläche der Vorrichtung niedergeschlagen, beispielsweise durch Piatieren. Wenn eine Piatiertechnik benutzt wird, können die folgenden Bedingungen verwendet werden.
Eine Lösung von Chromschwarz wird bei einer Stromdichte im Bereich von 1 bis 50 mA/mm über eine Zeit, die 1 Stunde nicht überschreitet, aufgebracht. Die Schutzmittel-Schicht auf den elektrischen Ausgangsanschlüssen wird dann entfernt, beispielsweise durch Eintauchen in ein geeignetes Lösungsmittel, z.B. Aceton. Danach werden die Aluminiumdrähte 6 entfernt, die leicht erkennbar sind, da sie durch die Schicht aus Chromschwarz nicht platiert werden.
Nach einem anderen Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Abbildungsvorrichtung wird ein Substrat z.B. aus Keramik hergestellt mit einer Anzahl von freien Metallbereichen auf einer seiner Hauptflächen, sowie mit wenigstens einem Plättchen mit einer lichtemittierenden Diode. Dieses Plättchen wird dann mechanisch und elektrisch auf einem ausgewählten Bereich der freien Metallfläche auf dem Substrat an-
- 7 809829/0882
.43·
gebracht, beispielsweise unter Verwendung eines leitenden Epoxyharzes. Danach wird ein lichtabsorbierendes Material, beispielsweise Platinschwarz, in geeigneter Weise aufgebracht oder nxedergeschlagen, beispielsweise durch Piatieren, überziehen und Tauchen, wobei diese Schicht wenigstens auf einem Teil des Substrates angebracht wird. Danach wird die lichtemittierende Diode elektrisch mit dem Substrat durch Golddrähte verbunden, um eine Anzahl elektrischer Kontakte zu schaffen, die durch die Schicht aus Platinschwarz erreicht werden.
Eine Modifikation des vorstehend beschriebenen Verfahrens besteht darin, wenigstens eine Fläche der Plättchen mit einem Schutzmittel zu überziehen, so daß diese Fläche während des Niederschlags bzw. während der Platierung geschützt ist. Das Schutzmittel kann auf das Plättchen aufgebracht werden vor und nachdem dieses an dem Substrat angebracht wird.
Eine weitere Modifikation, die bei beiden Verfahren angewandt werden kann, besteht darin, die Vorrichtung gegen Beschädigung infolge Kontaktes mit einer schädlichen Umgebung zu schützen, durch Einkapseln, wie in Fig. 3 gezeigt ist.
Die Vorrichtung kann z.B. in Verbindung mit hohen Lichtstärken verwendet werden, z.B. in Geräten der Luftfahrt.
809829/0882
. -4U-
L e e r s e

Claims (1)

  1. 28OH19
    Patentansprüche
    Abbildungsvorrichtung mit wenigstens einem Plättchen mit wenigstens einer lichtemittierenden Diode, das auf einem Substrat angebracht ist, dadurch gekennzeichnet , daß der Bereich des Substrates, der die Plättchen(4a, 4b) umgibt, sowie die entsprechenden Verbindungsmittel (5a, 5b, 6) wenigstens teilweise mit einem lichtabsorbierenden Material (7) überzogen sind.
    Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das lichtabsorbierende Material (7) Chromschwarz ist wenn Aluminium eine Komponente der Verbindungsmittel (5a, 5b, 6) ist.
    Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das lichtabsorbierende Material (7) Platinschwarz ist wenn Gold oder goldreiche Legierungen die Hauptkomponente der Verbindungsmittel (5a, 5b, 6 ) sind.
    4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß sie gegen Beschädigung infolge Kontaktes mit einer schädlichen Umgebung durch eine Umhüllung geschützt ist.
    5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Umhüllung aus einer Glasplatte (9) besteht, die an einem lichtabsorbierenden keramischen Rand (8) befestigt ist.
    809829/0882
    28UHI9
    6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Glasplatte (9) einen Zirkular-Polarisator enthält, um das Licht wesentlich zu reduzieren, das von einem Gitter reflektiert wird, das auf einer Fläche von jedem der Plättchen (4a, 4b) angeordnet ist.
    7. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Umhüllung aus einem überzug aus einem Kunststoffmaterial besteht.
    8. Verfahren zur Herstellung einer Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß auf einem Substrat ein leitendes Muster ausgebildet wird, daß wenigstens ein Plättchen mit einer lichtemittierenden Diode in elektrischem Kontakt mit einem Teil des leitenden Musters angebracht wird, und daß wenigstens ein Teil der Fläche des Substrates und die elektrischen Verbindungen, die nicht durch das oder die Plättchen bedeckt sind, mit einer Schicht aus einem lichtabsorbierenden Material überzogen werden.
    9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß ein Substrat mit einem Dickfilm-Schaltkreis auf einer seiner Hauptflächen hergestellt wird, daß jedes einer Anzahl von Plättchen mit lichtemittierenden Dioden mechanisch und elektrisch mit einer Fläche auf ausgewählten Bereichen des Dickfilm-Schaltkreises verbunden wird, daß die Plättchen durch Golddrähte miteinander verbunden werden, wodurch die Plättchen elektrisch in Reihe geschaltet werden, daß die ausgewählten Bereiche des Schaltkreises, die die Plättchen umgeben, durch Aluminiumdrähte verbunden werden, so daß alle ausgewählten Bereiche des Schaltkreises auf demselben
    B09829/0882
    Potential gehalten werden können, daß die Vorrichtung gereinigt wird, daß die Teile des Substrates, auf denen elektrische Ausgangsanschlüsse ausgebildet sind, mit einem Schutzmittel überzogen werden, daß eine Schicht aus Chromschwarz auf die Vorrichtung aufgebracht wird, daß der Überzug aus dem Schutzmittel von den Teilen des Substrates entfernt wird, die zuvor überzogen worden sind, derart, daß wenigstens eine Fläche von jedem der Plättchen nicht von Chromschwarz überzogen ist, und daß alle Aluminiumdrähte entfernt werden.
    10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch g e k e η η zeichnet , daß das Chromschwarz durch Piatieren in Form einer Schicht aufgebracht wird.
    11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß das Aufpiatieren der Chromschwarz-Schicht bei einer Stromdichte im Bereich von etwa 1 bis 50 mA/mm und über eine Zeitspanne durchgeführt wird, die 1 Stunde nicht überschreitet.
    12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß vor dem Niederschlagen der Schicht aus Chromschwarz die Vorrichtung mit Nickel platiert wird, um die Gleichmäßigkeit des Niederschlags der Chromschwarzschicht zu erhöhen.
    13. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß ein Substrat mit einem leitenden Muster auf einer seiner Hauptflächen hergestellt wird, daß wenigstens ein Plättchen mit wenigstens einer lichtemittierenden Diode mechanisch und elektrisch auf einem ausgewählten Teil des leitenden Musters auf dem Substrat angebracht wird, daß eine Schicht aus Platinschwarz auf wenigstens
    809829/0882
    Λ·
    einem Teil des Substrates niedergeschlagen wird, und daß das Plättchen elektrisch mit dem Substrat mittels Golddrähten verbunden wird, um eine Anzahl von Kontakten zu schaffen.
    14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet , daß wenigstens eine Fläche des Plättchens mit einem Schutzmittel überzogen wird, so daß diese Fläche während des Aufbringens der Platinschwarz-Schicht geschützt ist.
    15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet , daß das Schutzmittel auf das Plättchen aufgebracht wird, ehe dieses an dem Substrat angebracht wird.
    16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet , daß das Schutzmittel auf das Plättchen aufgebracht wird nachdem dieses an dem Substrat angebracht wird.
    17. Verfahren nach Anspruch 8 und 13, dadurch gekennzeichnet , daß nach dem Aufbringen der Schicht aus dem lichtabsorbierenden Material die Vorrichtung mit einem Schutz versehen wird, um Beschädigungen infolge eines Kontaktes mit einer schädlichen Umgebung zu verhindern.
    18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet , daß die Vorrichtung durch eine Glasplatte geschützt wird, die an einem Rand aus lichtabsorbierenden keramischen Material befestigt wird.
    19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch g e k e η η -
    809829/0882
    .5-
    zeichnet , daß die Glasplatte einen Zirkular-Polarisator enthält, um Licht, das von einem Gitter reflektiert wird, das auf einer Fläche des Plättchens angeordnet ist, merklich zu reduzieren.
    20. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet , daß die Schutzhülle aus einem überzug aus Kunststoffmaterial besteht.
    809829/0882
DE19782801419 1977-01-17 1978-01-13 Abbildungsvorrichtung Granted DE2801419A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1756/77A GB1597712A (en) 1977-01-17 1977-01-17 Display devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2801419A1 true DE2801419A1 (de) 1978-07-20
DE2801419C2 DE2801419C2 (de) 1988-05-11

Family

ID=9727441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782801419 Granted DE2801419A1 (de) 1977-01-17 1978-01-13 Abbildungsvorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (2) US4224116A (de)
JP (1) JPS53108398A (de)
DE (1) DE2801419A1 (de)
FR (1) FR2377677A1 (de)
GB (1) GB1597712A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007029369A1 (de) * 2007-06-26 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2018108823A1 (de) * 2016-12-14 2018-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende vorrichtung, pixelmodul, und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden vorrichtung

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55148482A (en) * 1979-05-08 1980-11-19 Canon Inc Semiconductor laser device
JPS5624969A (en) * 1979-08-09 1981-03-10 Canon Inc Semiconductor integrated circuit element
US4733127A (en) * 1984-06-12 1988-03-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Unit of arrayed light emitting diodes
NL8901230A (nl) * 1989-05-17 1990-12-17 Oce Nederland Bv Belichtings- en afdrukinrichting.
NL9101745A (nl) * 1991-10-18 1993-05-17 Oce Nederland Bv Belichtings- en afdrukinrichting.
DE59308636D1 (de) * 1992-08-28 1998-07-09 Siemens Ag Leuchtdiode
US5683777A (en) * 1993-06-16 1997-11-04 Rhone-Poulenc Rhodia Ag Multiple width fiber strip and method and apparatus for its production
IL123207A0 (en) 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
EP1356718A4 (de) * 2000-12-21 2009-12-02 Tessera Tech Hungary Kft Verpackte integrierte schaltungen und verfahren zu ihrer herstellung
DE10124426A1 (de) * 2001-05-18 2002-11-28 Omg Ag & Co Kg Oberflächenbeschichtung aus schwarzem Platin
JP2003046138A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Sharp Corp Ledランプ及びledランプ製造方法
US6856007B2 (en) * 2001-08-28 2005-02-15 Tessera, Inc. High-frequency chip packages
US20040137656A1 (en) * 2003-01-15 2004-07-15 Gurbir Singh Low thermal resistance light emitting diode package and a method of making the same
US6972480B2 (en) * 2003-06-16 2005-12-06 Shellcase Ltd. Methods and apparatus for packaging integrated circuit devices
EP1493666A1 (de) * 2003-07-02 2005-01-05 Airbus Deutschland GmbH Mehrlagige Leiterbahnenanordnung für die Stromversorgung einer Flugzeugkabinenbeleuchtung mit Leuchtdioden
JP2007528120A (ja) * 2003-07-03 2007-10-04 テッセラ テクノロジーズ ハンガリー コルラートルト フェレロェセーギュー タールシャシャーグ 集積回路装置をパッケージングする方法及び装置
US20050082654A1 (en) * 2003-09-26 2005-04-21 Tessera, Inc. Structure and self-locating method of making capped chips
US20050067681A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Tessera, Inc. Package having integral lens and wafer-scale fabrication method therefor
US20050139984A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Tessera, Inc. Package element and packaged chip having severable electrically conductive ties
US20050189622A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-01 Tessera, Inc. Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
KR101085144B1 (ko) * 2004-04-29 2011-11-21 엘지디스플레이 주식회사 Led 램프 유닛
US8143095B2 (en) * 2005-03-22 2012-03-27 Tessera, Inc. Sequential fabrication of vertical conductive interconnects in capped chips
US7566853B2 (en) * 2005-08-12 2009-07-28 Tessera, Inc. Image sensor employing a plurality of photodetector arrays and/or rear-illuminated architecture
US20070190747A1 (en) * 2006-01-23 2007-08-16 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer level packaging to lidded chips
US7936062B2 (en) * 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
US20080029879A1 (en) * 2006-03-01 2008-02-07 Tessera, Inc. Structure and method of making lidded chips
US8604605B2 (en) 2007-01-05 2013-12-10 Invensas Corp. Microelectronic assembly with multi-layer support structure
US20090261708A1 (en) * 2008-04-21 2009-10-22 Motorola, Inc. Glass-phosphor capping structure for leds
CN102683543B (zh) * 2011-03-15 2015-08-12 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3911431A (en) * 1973-01-22 1975-10-07 Tokyo Shibaura Electric Co Light-emitting display device
US4000437A (en) * 1975-12-17 1976-12-28 Integrated Display Systems Incorporated Electric display device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3501676A (en) * 1968-04-29 1970-03-17 Zenith Radio Corp Solid state matrix having an injection luminescent diode as the light source
FR2076284A5 (de) * 1970-01-08 1971-10-15 Radiotechnique Compelec
FR2123666A5 (de) * 1971-01-27 1972-09-15 Radiotechnique Compelec
US4024627A (en) * 1974-04-29 1977-05-24 Amp Incorporated Package mounting of electronic chips, such as light emitting diodes
US4032963A (en) * 1974-09-03 1977-06-28 Motorola, Inc. Package and method for a semiconductor radiant energy emitting device
DE2450456A1 (de) * 1974-10-24 1976-05-06 Bosch Gmbh Robert Nebelscheinwerfer
US3964157A (en) * 1974-10-31 1976-06-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of mounting semiconductor chips
GB1522145A (en) * 1974-11-06 1978-08-23 Marconi Co Ltd Light emissive diode displays
JPS5282183A (en) * 1975-12-29 1977-07-09 Nec Corp Connecting wires for semiconductor devices
DE2634264A1 (de) * 1976-07-30 1978-02-02 Licentia Gmbh Halbleiter-lumineszenzbauelement
US4088546A (en) * 1977-03-01 1978-05-09 Westinghouse Electric Corp. Method of electroplating interconnections

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3911431A (en) * 1973-01-22 1975-10-07 Tokyo Shibaura Electric Co Light-emitting display device
US4000437A (en) * 1975-12-17 1976-12-28 Integrated Display Systems Incorporated Electric display device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Optics and Laser Technology" (febr. 1975) 25-30 *
Ullmanns Enzyklopädie der technischen Chemie, 3. Auflage, Band 14 (1963) Seite 26 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007029369A1 (de) * 2007-06-26 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2018108823A1 (de) * 2016-12-14 2018-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende vorrichtung, pixelmodul, und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden vorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
DE2801419C2 (de) 1988-05-11
GB1597712A (en) 1981-09-09
JPS53108398A (en) 1978-09-21
US4224116A (en) 1980-09-23
US4259679A (en) 1981-03-31
FR2377677A1 (fr) 1978-08-11
FR2377677B1 (de) 1983-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2801419A1 (de) Abbildungsvorrichtung
DE19606074A1 (de) Verfahren zum Bilden einer Goldplattierungselektrode, ein Substrat auf Basis des Elektrodenbildungsverfahrens und ein Drahtverbindungsverfahren, das dieses Elektrodenbildungsverfahren anwendet
DE1817434A1 (de) Leitungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2548122A1 (de) Verfahren zum herstellen eines einheitlichen bauelementes aus einem halbleiterplaettchen und einem substrat
DE1259988B (de) Verfahren zum Herstellen flexibler elektrischer Schaltkreiselemente
DE4228274C2 (de) Verfahren zur Kontaktierung von auf einem Träger angeordneten elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen
DE2854273C2 (de)
DE2217647B2 (de) Verbindungsanordnung zum Anschließen einer integrierten Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102013203350A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1199344B (de) Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltungsplatte
DE102016103354A1 (de) Optoelektronisches bauteil mit einem leiterrahmen
WO2016162433A1 (de) Lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelements
DE1564066A1 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Kontakte auf der Oberflaeche elektronischer Bauelemente
DE2736056A1 (de) Elektrisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE2641540A1 (de) Halbleiterdiodeneinrichtung zur erzeugung oder zum empfang von strahlung
DE19640006B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
DE1292755B (de) Verfahren zum serienmaessigen Sockeln und Gehaeuseeinbau von Halbleiterbauelementen
DE10339022A1 (de) Halbleitervorrichtung
EP0278485B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Digitalisiertabletts
DE2031285C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Anzahl plättchenförmiger elektronischer Bauelemente mit Kunststoffgehäuse
DE3522168A1 (de) Verfahren zum erden oder masseverbinden von planaren bauelementen und integrierten schaltkreisen sowie nach diesem verfahren erhaltenes erzeugnis
DE1937508B2 (de) Verfahren zur herstellung eines mit elektrischen leitungsbahnen und/oder elektrischen durchkontaktierungen versehenen isolierstofftraegers
DE2214163A1 (de) Elektrische schaltungsanordnung
WO2005057150A1 (de) Bauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE19643670A1 (de) Überspannungs-Schutzmaterial zur Verwendung bei Schaltungsplatten

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: PLESSEY OVERSEAS LTD., ILFORD, ESSEX, GB

8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: BERENDT, T., DIPL.-CHEM. DR. LEYH, H., DIPL.-ING.

8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee