WO2012034752A1 - Trägersubstrat für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und optoelektronisches bauelement - Google Patents

Trägersubstrat für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und optoelektronisches bauelement Download PDF

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carrier substrate
optoelectronic component
base body
electrically conductive
aluminum oxide
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PCT/EP2011/062551
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Johann Ramchen
Stefan Gruber
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Definitions

  • Carrier substrate for an optoelectronic component for an optoelectronic component
  • the invention relates to a carrier substrate for a
  • Optoelectronic component a method for its
  • the invention has for its object to provide a carrier substrate for an optoelectronic device, which in particular by a good thermal conductivity, a high breaking strength and cost-effective production
  • Carrier substrate for an optoelectronic device a Body made of aluminum. That is, the base body is essentially made of aluminum, which does not preclude the aluminum from containing small amounts of contaminants that affect the properties of the metal
  • At least portions of the body are provided with an electrically insulating aluminum oxide layer.
  • an electrically conductive layer On portions of the electrically insulating aluminum oxide layer is advantageously an electrically conductive layer
  • the carrier substrate has a first and a second
  • the first main surface may be the top side of the carrier substrate, which is provided as a mounting surface for an optoelectronic component.
  • the second main surface is, for example, the underside of the carrier substrate, which is provided, for example, to mount the carrier substrate on a printed circuit board.
  • the carrier substrate has at least one opening extending from the first main area to the second main area of the carrier substrate.
  • Breakthrough passes, wherein the electrically conductive layer in the at least one opening by means of the electrically insulating aluminum oxide layer of the
  • Body is electrically isolated.
  • an inner surface of the opening is provided with the electrically insulating aluminum oxide layer. Due to the fact that the base body of the carrier substrate is in
  • Aluminum oxide layer can be produced in a comparatively simple manner by oxidation of the aluminum base body, in particular by means of an anodization process. This reduces the production costs, in particular in comparison to a layer deposition by means of PVD or CVD methods.
  • the breakthrough running through the main body advantageously makes it possible to separate the electrically conductive layer from the first main surface of the carrier substrate, which is provided for mounting an optoelectronic component, to the
  • the carrier substrate is thus in particular
  • SMD Surface Mounted Device
  • the electrically conductive layer is electrically insulated from the base in the opening by means of the electrically insulating aluminum oxide layer.
  • the inner surface of the aperture has the electrically insulating
  • the electrically conductive layer in the opening is electrically insulated from the main body, it is in particular possible to form two plated-through holes in the carrier substrate, which are formed by mutually separated partial areas of the electrically conductive layer.
  • the carrier substrate it is also possible for the carrier substrate to have only one via, wherein the electrically conductive base body made of aluminum forms a further electrically conductive connection between the first and the second main surface of the carrier substrate.
  • the carrier substrate has a thickness of between 50 ⁇ and 400 ⁇ on.
  • the carrier substrate may advantageously have such a small thickness, since the breaking sensitivity due to the
  • Base body made of aluminum is lower than, for example, in carrier substrates made of ceramic or semiconductor material.
  • the entire base body is provided with the aluminum oxide layer.
  • the entire first and second major surface, the side edges of the carrier substrate and the inner surfaces of the apertures are provided with the aluminum oxide layer.
  • the one provided with the aluminum oxide layer forms
  • Base body outwardly electrically isolated body, which is used to form connection areas with
  • an optoelectronic semiconductor chip mounted on the first main surface of the carrier substrate electrically conductively connects to a rear side contact on the second main surface of the carrier substrate.
  • the base body made of aluminum is initially provided.
  • Part of the base body which includes the inner surface of the opening generated.
  • an electrically conductive layer is applied at least to partial areas of the aluminum oxide layer, wherein the electrically conductive layer extends through the at least one opening.
  • the breakdown in the carrier substrate is preferably generated by laser drilling. In this way, one or more openings in the carrier substrate
  • the aluminum oxide layer is preferably by a
  • Basic body comparatively easily be provided with an electrically insulating layer, with the
  • Coating process also hard to reach places such as in particular the inner surfaces of the breakthroughs reliably the electrically insulating aluminum oxide layer can be provided.
  • subregions of the main body before the anodization process with a
  • the aluminum oxide layer is advantageously formed only on the unmasked areas of the base body. After removing the electrically insulating mask layer, the base body in the previously masked areas is free of the electrically insulating aluminum oxide layer.
  • two opposing areas on the first and second major surfaces of the body may be free of the aluminum oxide layer so as to create an electrically and / or thermally highly conductive connection between the first and second major surfaces of the carrier substrate.
  • the electrically conductive layer is preferably
  • galvanically produced This can be done, for example, such that first a seed layer is applied over the entire surface of the aluminum oxide layer, for example by sputtering.
  • the germ layer can be
  • first and / or second main surface of the carrier substrate can be provided with an electrically insulating mask layer, in order to prevent galvanic growth of the electrically conductive layer on these regions, so that
  • the electrically conductive layer for example a copper layer, galvanically grown until a desired layer thickness is reached and / or the openings are completely filled with the material of the electrically conductive layer.
  • the electrically insulating mask layer and the seed layer are removed again from the carrier substrate.
  • the optoelectronic component described herein comprises the above-described carrier substrate and a
  • optoelectronic semiconductor chip which is arranged on the carrier substrate.
  • the optoelectronic semiconductor chip can be a radiation emitter or a
  • Semiconductor chip to be an LED chip or a laser diode chip.
  • the electrically conductive layer forms a first and a second connection region on the
  • the electrically conductive layer advantageously forms a first and a second rear side contact on the second main surface of the carrier substrate, wherein the first electrical connection region is connected to the first rear side contact by means of the at least one through-passage extending through the aperture.
  • the two electrical connection regions on the first main surface of the carrier substrate are each by means of a
  • the optoelectronic component can thus be advantageously mounted on the second main surface of the carrier substrate, for example on a printed circuit board, so that the
  • the second electrical connection region and the second backside contact directly adjoin the base body, so that they are electrically connected to one another by the electrically conductive base body.
  • the two back contacts are optoelectronic component surface mount also in this embodiment, the two back contacts.
  • the first contact of the semiconductor chip is connected to the first connection region by means of a bonding wire.
  • the first contact can
  • the second contact is arranged on a base surface of the semiconductor chip facing the carrier substrate, with which the semiconductor chip is mounted on the second connection region.
  • Figure 1 is a schematic representation of a cross section through an optoelectronic device with a
  • Figure 2 is a schematic representation of a cross section through an optoelectronic device with a
  • Figures 3A to 31 is a schematic representation of a
  • Figure 4 is a schematic representation of a cross section through an optoelectronic device with a Carrier substrate according to a third embodiment.
  • the optoelectronic component 10 shown in FIG. 1 has an optoelectronic semiconductor chip 13, which is mounted on a carrier substrate 1.
  • the carrier substrate 1 has a main body 2 of aluminum.
  • the surfaces of the main body 2 are provided with an electrically insulating aluminum oxide layer 3.
  • the aluminum oxide layer 3 can in particular by a
  • a first opening 5 and a second opening 6 are formed in the base body 2.
  • the openings 5, 6 can advantageously in the carrier substrate 1 by means of
  • an electrically conductive layer 4 is applied on portions of the electrically insulating aluminum oxide layer 3.
  • the electrically conductive layer 4 forms on the first main surface 11 of the carrier substrate 1 a first connection region 7 and a second connection region 8.
  • the electrically conductive layer 4 extends through the openings 5, 6 through from the first main surface 11 to the second main surface 12 of the carrier substrate 1. On the second main surface 12 of the carrier substrate 1, the electrically conductive layer 4 forms a first
  • the first rear-side contact 17 is connected to the first connection contact 7 by means of the part of the electrically conductive connection layer 4 running through the opening 5
  • the second rear side contact 18 by means of extending through the opening 6 part of the electrically conductive
  • Breakthroughs 5, 6 is the electrically conductive
  • Connection layer 4 by means of the electrically insulating
  • Alumina layer 3 isolated from the main body 2.
  • the semiconductor chip 13 has a first electrical contact 15, which is arranged on the first connection region 8.
  • the first electrical contact 15 can be realized by a solder connection.
  • a second electrical contact 14 of the semiconductor chip 13 may, for example, on a carrier substrate 1
  • Bondpad can act.
  • the second electrical contact 14 is connected by a bonding wire 9 to the first connection region 7.
  • the optoelectronic component 10 can be mounted, for example, on a printed circuit board.
  • the optoelectronic component 10 is thus
  • the optoelectronic semiconductor chip 13 has an active layer 16, which is a
  • Radiation-emitting or radiation-detecting layer can act. Preferably, it is in the
  • Optoelectronic semiconductor chip 13 to an LED chip or a semiconductor laser diode chip.
  • the carrier substrate 1 with the main body 2 made of aluminum is characterized in particular by a high thermal conductivity.
  • the heat generated during operation of the optoelectronic semiconductor chip 13 can thus be dissipated well by the carrier substrate 1.
  • carrier substrate 1 Another advantage of the carrier substrate 1 is that it is less susceptible to breakage than
  • carrier substrates which consist of a ceramic or a semiconductor material.
  • the carrier substrate 1 can thus be produced with comparatively large lateral expansions and in an advantageously small thickness.
  • the thickness of the carrier substrate 1 is between 50 ⁇ and including 400 ⁇ .
  • the lateral extent of the carrier substrate may in particular be 10 cm or more.
  • the further exemplary embodiment of an optoelectronic component 20 shown in FIG. 2 differs from the optoelectronic component 10 illustrated in FIG. 1 in that the optoelectronic component 20 has only a single opening 5 in the carrier substrate 1. As in the first embodiment, a portion of the electrically conductive layer 4, which connects through the
  • Breakthrough 5 extends, a first connection region 7 on the first main surface 11 of the carrier substrate 1 with a first Rear side contact 17 on the second main surface 12 of the
  • the second connection region 8 on the first main surface 11 of the carrier substrate 1 is through the electrically conductive
  • Base body 2 made of aluminum with the second rear side contact 18 is connected.
  • Alumina layer 3 provided. During the production of the carrier substrate 1, these regions of the main body 2 can be provided, for example, with an electrically insulating
  • Mask layer are provided before the remaining areas of the body 2 are oxidized by an anodization process.
  • Component 20 are mounted, for example, on a printed circuit board or a heat sink.
  • a base body 2 is made
  • an opening 5 is produced in the main body 2.
  • the at least one opening 5 in the base body 2 is preferably by means of
  • Subareas of the surfaces of the base body 2 has been provided with an electrically insulating mask layer 19.
  • the regions of the surface of the main body 2 which are not covered by the electrically insulating mask layer 19 have been oxidized by means of an anodization process.
  • an electrically insulating aluminum oxide layer 3 has been formed in this way.
  • the inner surface of the aperture 5 has been provided with the aluminum oxide layer 3 by means of the anodization process
  • Aluminum oxide layer 3 compared to conventional
  • Coating be produced in a simple manner to the main body 2.
  • the mask layer used for the anodization process was removed from the base body 2 again.
  • a seed layer 21 has been applied to the base body 2, which is partially provided with the aluminum oxide layer 3.
  • Seed layer 21 is an electrically conductive layer which serves to prepare the later galvanic growth of the electrically conductive layer.
  • the Seed layer 21 may be a Cu layer or a Ti-Cu layer sequence.
  • the seed layer 21 can be applied by sputtering, for example.
  • an electrically insulating mask layer 22 has been applied to partial regions of the seed layer 21.
  • the patterning of the mask layer 22 can be carried out by methods known per se, such as, for example, photolithography.
  • the electrically conductive layer 4 has been galvanically produced on the regions of the seed layer 21 that are not covered by the mask layer 22.
  • the electrodeposition is preferably carried out until the electrically conductive layer 4 the
  • Breakthrough 5 in the body 2 completely fills.
  • the galvanically produced electrically conductive layer 4 is preferably a copper layer.
  • the electrically insulating mask layer 22 and the seed layer 21 have been removed again in the regions uncovered by the electrically conductive layer 4.
  • a subregion of the electrically conductive layer 4 forms on the first main surface 11 of the carrier substrate 1 a first connection region 7 which, by means of the through-passage 5 extending through the via with a first backside contact 17 on the second main surface 12 of
  • Carrier substrate 1 is electrically connected.
  • Another subregion of the electrically conductive layer 4 forms a second connection region 8 at the first Main surface 11 of the support substrate 1 from.
  • Terminal area 8 is in direct contact with a portion of the main body 2 which is not provided with the electrically insulating aluminum oxide layer 3.
  • a further subregion of the electrically conductive layer 4 forms a second rear-side contact 18, which, like the second connecting region 8, adjoins the electrically conductive main body 2 and in this way with the second
  • Terminal region 8 is electrically connected.
  • the carrier substrate 1 of the optoelectronic component 20 shown in FIG. 2 was produced, onto which the semiconductor chip is subsequently mounted and
  • the carrier substrate 1 is advantageously only about 50 ⁇ to 400 ⁇ thick.
  • the carrier substrate 1 may have a size of 10 cm or more in the lateral direction.
  • Fig. 4 is another embodiment of a
  • Optoelectronic component 24 shown in which both the first electrical contact 14 and the second electrical contact of the semiconductor chip 13 are respectively located on the side remote from the carrier substrate 1 side of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip is electrically insulated from the carrier substrate 1 by an electrically insulating layer 23, for example an electrically insulating substrate.
  • the first electrical contact 14 and the second electrical contact 15 are each with a
  • the main body 2 of the carrier substrate 1 advantageously functions as a thermal
  • the heat generated during operation of the semiconductor chip 13 can be dissipated via the main body 2 and the region of the electrically conductive layer 4, which is opposite the semiconductor chip 13, to a printed circuit board (not shown).
  • Embodiments corresponds to the third embodiment of the first embodiment.

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Abstract

Es wird ein Trägersubstrat (1) für ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 24) angegeben, das einen Grundkörper (2) aus Aluminium enthält, wobei zumindest Teilbereiche des Grundkörpers (2) mit einer elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) versehen sind und auf Teilbereiche der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) eine elektrisch leitfähige Schicht (4) aufgebracht ist. Das Trägersubstrat (1) weist mindestens einen Durchbruch (5) auf, der sich von einer ersten Hauptfläche (11) zu einer zweiten Hauptfläche (12) des Trägersubstrats (1) erstreckt, wobei die elektrisch leitfähige Schicht (4) mindestens eine Durchkontaktierung ausbildet, die durch den Durchbruch (5) hindurch verläuft und in dem Durchbruch (5) mittels der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) von dem Grundkörper (2) elektrisch isoliert ist. Ferner werden ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des Trägersubstrats (1) und ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 24) mit einem derartigen Trägersubstrat (1) angegeben.

Description

Beschreibung
Trägersubstrat für ein optoelektronisches Bauelement,
Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches
Bauelement
Die Erfindung betrifft ein Trägersubstrat für ein
optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zu dessen
Herstellung und ein optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen Trägersubstrat.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2010 045 783.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Trägersubstrat für ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, das sich insbesondere durch eine gute Wärmeleitfähigkeit, eine hohe Bruchfestigkeit und eine kostengünstige Herstellung
auszeichnet. Weiterhin sollen ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des Trägersubstrats und ein optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen Trägersubstrat angegeben werden . Diese Aufgaben werden durch ein Trägersubstrat für ein optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zu dessen
Herstellung und ein optoelektronisches Bauelement gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte
Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind
Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausgestaltung umfasst das
Trägersubstrat für ein optoelektronisches Bauelement einen Grundkörper aus Aluminium. Das heißt, dass der Grundkörper im Wesentlichen aus Aluminium besteht, was nicht ausschließt, dass das Aluminium geringe Mengen von Verunreinigungen enthalten kann, welche die Eigenschaften des Metalls
Aluminium, insbesondere hinsichtlich der elektrischen und thermischen Leitfähigkeit, nicht wesentlich ändern.
Zumindest Teilbereiche des Grundkörpers sind mit einer elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht versehen. Auf Teilbereiche der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht ist vorteilhaft eine elektrisch leitfähige Schicht
aufgebracht .
Das Trägersubstrat weist eine erste und eine zweite
Hauptfläche auf. Beispielsweise kann die erste Hauptfläche die Oberseite des Trägersubstrats sein, die als Montagefläche für ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen ist. Die zweite Hauptfläche ist beispielsweise die Unterseite des Trägersubstrats, die zum Beispiel dazu vorgesehen ist, das Trägersubstrat auf eine Leiterplatte zu montieren.
Das Trägersubstrat weist mindestens einen Durchbruch auf, der sich von der ersten Hauptfläche zu der zweiten Hauptfläche des Trägersubstrats erstreckt.
Die elektrisch leitfähige Schicht bildet vorteilhaft
mindestens eine Durchkontaktierung aus, die durch den
Durchbruch hindurch verläuft, wobei die elektrisch leitfähi Schicht in dem mindestens einen Durchbruch mittels der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht von dem
Grundkörper elektrisch isoliert ist. Insbesondere ist eine Innenfläche des Durchbruchs mit der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht versehen. Dadurch, dass der Grundkörper des Trägersubstrats im
Wesentlichen aus Aluminium besteht, zeichnet sich das
Trägersubstrat insbesondere durch eine gute
Wärmeleitfähigkeit aus. Die elektrisch isolierende
Aluminiumoxidschicht kann auf vergleichsweise einfache Weise durch eine Oxidation des Aluminium-Grundkörpers erzeugt werden, insbesondere mittels eines Anodisierungsprozesses . Dadurch verringert sich der Herstellungsaufwand insbesondere im Vergleich zu einer Schichtabscheidung mittels PVD- oder CVD-Verfahren.
Der durch den Grundkörper verlaufende Durchbruch ermöglicht es vorteilhaft, die elektrisch leitfähige Schicht von der ersten Hauptfläche des Trägersubstrats, die zur Montage eines optoelektronischen Bauelements vorgesehen ist, zur
gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche zu führen, an der das Trägersubstrat auf eine Leiterplatte montiert werden kann. Das Trägersubstrat ist also insbesondere
oberflächenmontierbar, das heißt es kann für ein SMD (Surface Mounted Device ) -Bauelement verwendet werden.
Die elektrisch leitfähige Schicht ist in dem Durchbruch mittels der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht von dem Grundkörper elektrisch isoliert. Insbesondere weist die Innenfläche des Durchbruchs die elektrisch isolierende
Aluminiumoxidschicht auf. Dadurch, dass die elektrisch leitfähige Schicht in dem Durchbruch von dem Grundkörper elektrisch isoliert ist, ist es insbesondere möglich, zwei Durchkontaktierungen in dem Trägersubstrat auszubilden, die durch voneinander getrennte Teilbereiche der elektrisch leitfähigen Schicht gebildet werden. Alternativ ist es auch möglich, dass das Trägersubstrat nur eine Durchkontaktierung aufweist, wobei der elektrisch leitfähige Grundkörper aus Aluminium eine weitere elektrisch leitfähige Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche des Trägersubstrats ausbildet.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung weist das Trägersubstrat eine Dicke zwischen einschließlich 50 μπι und 400 μπι auf. Das Trägersubstrat kann vorteilhaft eine derart geringe Dicke aufweisen, da die Bruchempfindlichkeit aufgrund des
Grundkörpers aus Aluminium geringer ist als beispielsweise bei Trägersubstraten aus Keramik oder Halbleitermaterial.
Bei einer Ausgestaltung des Trägersubstrats ist der gesamte Grundkörper mit der Aluminiumoxidschicht versehen. In diesem Fall sind also die gesamte erste und zweite Hauptfläche, die Seitenflanken des Trägersubstrats sowie die Innenflächen der Durchbrüche mit der Aluminiumoxidschicht versehen. In diesem Fall bildet der mit der Aluminiumoxidschicht versehene
Grundkörper einen nach außen hin elektrisch isolierten Körper aus, der zur Ausbildung von Anschlussbereichen mit
verschiedenen Teilbereichen einer elektrisch leitfähigen Schicht versehen kann. Bei einer anderen Ausgestaltung ist ein Teilbereich der
Oberfläche des Grundkörpers nicht von der
Aluminiumoxidschicht bedeckt. Insbesondere ist es möglich, dass zwei gegenüberliegende Teilbereiche der Oberfläche des Grundkörpers an der ersten Hauptfläche und an der zweiten Hauptfläche nicht von der Aluminiumoxidschicht bedeckt sind. In diesem Fall bildet der Grundkörper eine elektrisch
leitfähige Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche des Trägersubstrats aus, so dass der Grundkörper beispielsweise einen auf die erste Hauptfläche des Trägersubstrats montierten optoelektronischen Halbleiterchip mit einem Rückseitenkontakt an der zweiten Hauptfläche des Trägersubstrats elektrisch leitend verbindet.
Bei einer Ausgestaltung des Verfahrens zur Herstellung des Trägersubstrats für ein optoelektronisches Bauelement wird zunächst der Grundkörper aus Aluminium bereitgestellt.
Nachfolgend wird mindestens ein Durchbruch in dem Grundkörper erzeugt. In einem weiteren Schritt wird eine elektrisch isolierende Aluminiumoxidschicht auf zumindest einem
Teilbereich des Grundkörpers, welcher die Innenfläche des Durchbruchs umfasst, erzeugt.
In einem weiteren Schritt wird eine elektrisch leitfähige Schicht zumindest auf Teilbereiche der Aluminiumoxidschicht aufgebracht, wobei sich die elektrisch leitfähige Schicht durch den mindestens einen Durchbruch erstreckt.
Der Durchbruch in dem Trägersubstrat wird vorzugsweise mittels Laserstrahlbohrens erzeugt. Auf diese Weise können ein oder mehrere Durchbrüche in dem Trägersubstrat
vergleichsweise schnell mit hoher Präzision erzeugt werden.
Die Aluminiumoxidschicht wird vorzugsweise durch einen
Anodisierungsprozess erzeugt. Auf diese Weise kann der
Grundkörper vergleichsweise einfach mit einer elektrisch isolierenden Schicht versehen werden, wobei mit dem
Anodisierungsprozess im Vergleich zu herkömmlichen
Beschichtungsverfahren auch schwer zugängliche Stellen wie insbesondere die Innenflächen der Durchbrüche zuverlässig mit der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht versehen werden können.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens werden Teilbereiche des Grundkörpers vor dem Anodisierungsprozess mit einer
elektrisch isolierenden Maskenschicht maskiert. In diesem Fall wird die Aluminiumoxidschicht vorteilhaft nur auf den unmaskierten Bereichen des Grundkörpers ausgebildet. Nach dem Entfernen der elektrisch isolierenden Maskenschicht ist der Grundkörper in den zuvor maskierten Bereichen frei von der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht.
Insbesondere können zwei gegenüberliegende Bereiche an der ersten und zweiten Hauptfläche des Grundkörpers frei von der Aluminiumoxidschicht sein, um auf diese Weise eine elektrisch und/oder thermisch gut leitfähige Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche des Trägersubstrats zu erzeugen .
Die elektrisch leitfähige Schicht wird vorzugsweise
galvanisch hergestellt. Dies kann beispielsweise derart erfolgen, dass zunächst eine Keimschicht (seed layer) ganzflächig auf die Aluminiumoxidschicht aufgebracht wird, zum Beispiel mittels Sputterns . Die Keimschicht kann
beispielsweise eine Kupferschicht oder eine Titan/Kupfer- Schichtenfolge sein. Nachfolgend können einzelne Bereiche der ersten und/oder zweiten Hauptfläche des Trägersubstrats mit einer elektrisch isolierenden Maskenschicht versehen werden, um auf diesen Bereichen das galvanischen Aufwachsen der elektrisch leitfähigen Schicht zu verhindern, so dass
voneinander getrennte Bereiche der elektrisch leitfähigen Schicht erzeugt werden. Nachfolgend wird die elektrisch leitfähige Schicht, beispielsweise eine Kupferschicht, galvanisch gewachsen, bis eine gewünschte Schichtdicke erreicht ist und/oder die Durchbrüche vollständig mit dem Material der elektrisch leitfähigen Schicht aufgefüllt sind. In einem weiteren Verfahrensschritt werden die elektrisch isolierende Maskenschicht und die Keimschicht wieder von dem Trägersubstrat entfernt.
Das hierin beschriebene optoelektronische Bauelement umfasst das zuvor beschriebene Trägersubstrat und einen
optoelektronischen Halbleiterchip, der auf dem Trägersubstrat angeordnet ist.
Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich um einen Strahlungsemittierenden oder um einen
Strahlungsempfangenden optoelektronischen Halbleiterchip handeln. Insbesondere kann der optoelektronische
Halbleiterchip ein LED-Chip oder ein Laserdiodenchip sein.
Dadurch, dass das optoelektronische Bauelement das
Trägersubstrat mit dem Grundkörper aus Aluminium aufweist, kann die beim Betrieb erzeugte Wärme gut von dem
optoelektronischen Halbleiterchip abgeführt werden.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements bildet die elektrisch leitfähige Schicht einen ersten und einen zweiten Anschlussbereich an der dem
Halbleiterchip zugewandten ersten Hauptfläche des
Trägersubstrats aus, wobei ein erster elektrischer Kontakt des Halbleiterchips mit dem ersten Anschlussbereich und ein zweiter elektrischer Kontakt des Halbleiterchips mit dem zweiten Anschlussbereich elektrisch leitend verbunden ist. Weiterhin bildet die elektrisch leitfähige Schicht vorteilhaft an der zweiten Hauptfläche des Trägersubstrats einen ersten und einen zweiten Rückseitenkontakt aus, wobei der erste elektrische Anschlussbereich mittels der mindestens einen durch den Durchbruch verlaufenden Durchkontaktierung mit dem ersten Rückseitenkontakt verbunden ist.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung ist der zweite
elektrische Anschlussbereich mittels einer weiteren
Durchkontaktierung, die durch einen weiteren Durchbruch in dem Trägersubstrat verläuft, mit dem zweiten
Rückseitenkontakt verbunden. Bei dieser Ausgestaltung sind also die beiden elektrischen Anschlussbereiche an der ersten Hauptfläche des Trägersubstrats jeweils mittels einer
Durchkontaktierung mit einem zugeordneten Rückseitenkontakt an der zweiten Hauptfläche des Trägersubstrats verbunden. Das optoelektronische Bauelement kann somit vorteilhaft an der zweiten Hauptfläche des Trägersubstrats beispielsweise auf eine Leiterplatte montiert werden, so dass das
optoelektronische Bauelement insbesondere ein
oberflächenmontierbares Bauelement ist.
Bei einer alternativen Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements grenzen der zweite elektrische Anschlussbereich und der zweite Rückseitenkontakt direkt an den Grundkörper an, so dass sie durch den elektrisch leitfähigen Grundkörper elektrisch miteinander verbunden sind. Bei dieser
Ausgestaltung ist also der erste elektrische Anschlussbereich mittels einer Durchkontaktierung mit dem ersten
Rückseitenkontakt verbunden, während der zweite elektrische Anschlussbereich durch den elektrisch leitfähigen Grundkörper mit dem zweiten Rückseitenkontakt verbunden ist. Wie bei der Ausgestaltung mit zwei Durchkontaktierungen ist das optoelektronische Bauelement auch bei dieser Ausgestaltung den beiden Rückseitenkontakten oberflächenmontierbar .
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung ist der erste Kontakt de Halbleiterchips mittels eines Bonddrahts mit dem ersten Anschlussbereich verbunden. Der erste Kontakt kann
insbesondere an der vom Trägersubstrat abgewandten Oberfläch des Halbleiterchips angeordnet sein. Der zweite Kontakt ist an einer dem Trägersubstrat zugewandten Grundfläche des Halbleiterchips angeordnet, mit welcher der Halbleiterchip auf den zweiten Anschlussbereich montiert ist.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von
Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Figuren 1 bis näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein optoelektronisches Bauelement mit einem
Trägersubstrat gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,
Figur 2 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein optoelektronisches Bauelement mit einem
Trägersubstrat gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, und
Figuren 3A bis 31 eine schematische Darstellung eines
Verfahrens zur Herstellung eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem
Ausführungsbeispiel, und
Figur 4 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein optoelektronisches Bauelement mit einem Trägersubstrat gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel.
Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die
dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen .
Das in Figur 1 dargestellte optoelektronische Bauelement 10 weist einen optoelektronischen Halbleiterchip 13 auf, der auf ein Trägersubstrat 1 montiert ist.
Das Trägersubstrat 1 weist einen Grundkörper 2 aus Aluminium auf. Die Oberflächen des Grundkörpers 2 sind mit einer elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht 3 versehen. Die Aluminiumoxidschicht 3 kann insbesondere durch eine
Anodisierung des Grundkörpers 2 hergestellt sein.
In dem Grundkörper 2 sind ein erster Durchbruch 5 und ein zweiter Durchbruch 6 ausgebildet. Die Durchbrüche 5, 6 können in dem Trägersubstrat 1 vorteilhaft mittels
Laserstrahlbohrens hergestellt werden. Auf Teilbereiche der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht 3 ist eine elektrisch leitfähige Schicht 4 aufgebracht. Die elektrisch leitfähige Schicht 4 bildet an der ersten Hauptfläche 11 des Trägersubstrats 1 einen ersten Anschlussbereich 7 und einen zweiten Anschlussbereich 8 aus.
Die elektrisch leitfähige Schicht 4 erstreckt sich durch die Durchbrüche 5, 6 hindurch von der ersten Hauptfläche 11 zu der zweiten Hauptfläche 12 des Trägersubstrats 1. An der zweiten Hauptfläche 12 des Trägersubstrats 1 bildet die elektrisch leitfähige Schicht 4 einen ersten
Rückseitenkontakt 17 und einen zweiten Rückseitenkontakt 18 aus. Der erste Rückseitenkontakt 17 ist mittels des durch den Durchbruch 5 verlaufenden Teils der elektrisch leitfähigen Anschlussschicht 4 mit dem ersten Anschlusskontakt 7
elektrisch leitend verbunden. Entsprechend ist der zweite Rückseitenkontakt 18 mittels des durch den Durchbruch 6 verlaufenden Teils der elektrisch leitfähigen
Anschlussschicht 4 mit dem zweiten Anschlussbereich 8
elektrisch leitend verbunden. Insbesondere in den
Durchbrüchen 5, 6 ist die elektrisch leitfähige
Anschlussschicht 4 mittels der elektrisch isolierenden
Aluminiumoxidschicht 3 von dem Grundkörper 2 isoliert.
Der Halbleiterchip 13 weist einen ersten elektrischen Kontakt 15 auf, der auf dem ersten Anschlussbereich 8 angeordnet ist. Insbesondere kann der erste elektrische Kontakt 15 durch eine Lötverbindung realisiert sein.
Ein zweiter elektrischer Kontakt 14 des Halbleiterchips 13 kann beispielsweise an einer dem Trägersubstrat 1
gegenüberliegenden Seite angeordnet sein, wobei es sich bei dem zweiten elektrischen Kontakt 14 insbesondere um ein
Bondpad handeln kann. Der zweite elektrische Kontakt 14 ist durch einen Bonddraht 9 mit dem ersten Anschlussbereich 7 verbunden .
An den Rückseitenkontakten 17, 18 kann das optoelektronische Bauelement 10 beispielsweise auf eine Leiterplatte montiert werden. Das optoelektronische Bauelement 10 ist also
insbesondere ein oberflächenmontierbares Bauelement. Der optoelektronische Halbleiterchip 13 weist eine aktive Schicht 16 auf, bei der es sich um eine
Strahlungsemittierende oder strahlungsdetektierende Schicht handeln kann. Vorzugsweise handelt es sich bei dem
optoelektronischen Halbleiterchip 13 um einen LED-Chip oder um einen Halbleiterlaserdiodenchip .
Das Trägersubstrat 1 mit dem Grundkörper 2 aus Aluminium zeichnet sich insbesondere durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus. Die beim Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 13 entstehende Wärme kann somit durch das Trägersubstrat 1 gut abgeführt werden.
Ein weiterer Vorteil des Trägersubstrats 1 besteht darin, dass es eine geringere Bruchempfindlichkeit als
Trägersubstrate aufweist, die aus einer Keramik oder einem Halbleitermaterial bestehen. Das Trägersubstrat 1 kann somit mit vergleichsweise großen lateralen Ausdehnungen und in einer vorteilhaft geringen Dicke hergestellt werden.
Vorzugsweise beträgt die Dicke des Trägersubstrats 1 zwischen einschließlich 50 μπι und einschließlich 400 μπι. Die laterale Ausdehnung des Trägersubstrats kann insbesondere 10 cm oder mehr betragen. Das in Figur 2 dargestellte weitere Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 20 unterscheidet sich von dem in Figur 1 dargestellten optoelektronischen Bauelement 10 dadurch, dass das optoelektronische Bauelement 20 nur einen einzigen Durchbruch 5 in dem Trägersubstrat 1 aufweist. Wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel verbindet ein Teilbereich der elektrisch leitfähigen Schicht 4, der durch den
Durchbruch 5 verläuft, einen ersten Anschlussbereich 7 an der ersten Hauptfläche 11 des Trägersubstrats 1 mit einem ersten Rückseitenkontakt 17 an der zweiten Hauptfläche 12 des
Trägersubstrats 1.
Der zweite Anschlussbereich 8 an der ersten Hauptfläche 11 des Trägersubstrats 1 ist durch den elektrisch leitfähigen
Grundkörper 2 aus Aluminium mit dem zweiten Rückseitenkontakt 18 verbunden. Bei dieser Ausgestaltung sind Teilbereiche des Grundkörpers 2, auf denen die Teilbereiche der elektrisch leitfähigen Schicht 4 angeordnet sind, die den ersten
Anschlussbereich 8 und den zweiten Rückseitenkontakt 18 ausbilden, nicht mit der elektrisch isolierenden
Aluminiumoxidschicht 3 versehen. Bei der Herstellung des Trägersubstrats 1 können diese Bereiche des Grundkörpers 2 beispielsweise mit einer elektrisch isolierenden
Maskenschicht versehen werden, bevor die übrigen Bereiche des Grundkörpers 2 durch einen Anodisierungsprozess oxidiert werden .
Aufgrund der guten Wärmeleitfähigkeit von Aluminium kann bei dem optoelektronischen Bauelement 20 die beim Betrieb des
Halbleiterchips 13 erzeugte Wärme besonders gut zur zweiten Hauptfläche 12 des Trägersubstrats 1 hin abgeführt werden. An der zweiten Hauptfläche 12 kann das optoelektronische
Bauelement 20 beispielsweise auf eine Leiterplatte oder eine Wärmesenke montiert werden.
Die Herstellung des Trägersubstrats 1, das beispielsweise bei dem optoelektronischen Bauelement 20 der Figur 2
verwendet wird, ist in den folgenden Figuren 3A bis 31 schematisch anhand von Zwischenschritten dargestellt.
Bei dem Verfahren wird zunächst ein Grundkörper 2 aus
Aluminium bereitgestellt, wie in Figur 3A dargestellt. Wie in Figur 3B dargestellt, wird in dem Grundkörper 2 ein Durchbruch 5 hergestellt. Der mindestens eine Durchbruch 5 in dem Grundkörper 2 wird vorzugsweise mittels
Laserstrahlbohrens hergestellt.
Bei dem m Figur 3C dargestellten Zwischenschritt sind
Teilbereiche der Oberflächen des Grundkörpers 2 mit einer elektrisch isolierenden Maskenschicht 19 versehen worden.
Bei dem in Figur 3D dargestellten Zwischenschritt sind die nicht von der elektrisch isolierenden Maskenschicht 19 bedeckten Bereiche der Oberfläche des Grundkörpers 2 mittels eines Anodisierungsprozesses oxidiert worden. Auf diesen Teilbereichen der Oberfläche des Grundkörpers 2 ist auf dies Weise eine elektrisch isolierende Aluminiumoxidschicht 3 ausgebildet worden. Insbesondere ist die Innenfläche des Durchbruchs 5 mit der Aluminiumoxidschicht 3 versehen worden Mittels des Anodisierungsprozesses kann die
Aluminiumoxidschicht 3 im Vergleich zu herkömmlichen
Beschichtungsverfahren auf vergleichsweise einfache Weise au dem Grundkörper 2 erzeugt werden.
Bei dem in Figur 3E dargestellten Zwischenschritt wurde die für den Anodisierungsprozess verwendete Maskenschicht wieder von dem Grundkörper 2 entfernt.
Bei dem in Figur 3F dargestellten Zwischenschritt ist eine Keimschicht 21 auf den teilweise mit der Aluminiumoxidschicht 3 versehenen Grundkörper 2 aufgebracht worden. Die
Keimschicht 21 ist eine elektrisch leitfähige Schicht, die zur Vorbereitung des späteren galvanischen Aufwachsens der elektrisch leitfähigen Schicht dient. Insbesondere kann die Keimschicht 21 eine Cu-Schicht oder einer Ti-Cu- Schichtenfolge sein. Die Keimschicht 21 kann beispielsweise mittels Sputterns aufgebracht werden. Bei dem in Figur 3G dargestellten Zwischenschritt ist auf Teilbereiche der Keimschicht 21 eine elektrisch isolierende Maskenschicht 22 aufgebracht worden. Die Strukturierung der Maskenschicht 22 kann mit an sich bekannten Verfahren wie beispielsweise Fotolithographie erfolgen.
Bei dem in Figur 3H dargestellten Zwischenschritt wurde die elektrisch leitfähige Schicht 4 auf den von der Maskenschicht 22 unbedeckten Bereichen der Keimschicht 21 galvanisch hergestellt. Die galvanische Abscheidung erfolgt vorzugsweise derart lange, bis die elektrisch leitfähige Schicht 4 den
Durchbruch 5 in dem Grundkörper 2 vollständig auffüllt. Bei der galvanisch hergestellten elektrisch leitfähigen Schicht 4 handelt es sich vorzugsweise um eine Kupferschicht. In einem weiteren Verfahrensschritt sind, wie in Figur 31 dargestellt, die elektrisch isolierende Maskenschicht 22 und die Keimschicht 21 in den von der elektrisch leitfähigen Schicht 4 unbedeckten Bereichen wieder entfernt worden. Ein Teilbereich der elektrisch leitfähigen Schicht 4 bildet an der ersten Hauptfläche 11 des Trägersubstrats 1 einen ersten Anschlussbereich 7 aus, der mittels der durch den Durchbruch 5 verlaufenden Durchkontaktierung mit einem ersten Rückseitenkontakt 17 an der zweiten Hauptfläche 12 des
Trägersubstrats 1 elektrisch leitend verbunden ist.
Ein weiterer Teilbereich der elektrisch leitfähigen Schicht 4 bildet einen zweiten Anschlussbereich 8 an der ersten Hauptfläche 11 des Trägersubstrats 1 aus. Der zweite
Anschlussbereich 8 ist in direktem Kontakt mit einem Bereich des Grundkörpers 2, der nicht mit der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht 3 versehen ist.
An der zweiten Hauptfläche 12 des Trägersubstrats 1 bildet ein weiterer Teilbereich der elektrisch leitfähigen Schicht 4 einen zweiten Rückseitenkontakt 18 aus, der wie der zweite Anschlussbereich 8 an den elektrisch leitfähigen Grundkörper 2 angrenzt und auf diese Weise mit dem zweiten
Anschlussbereich 8 elektrisch leitend verbunden ist.
Auf diese Weise wurde das Trägersubstrat 1 des in Figur 2 dargestellten optoelektronischen Bauelements 20 hergestellt, auf das nachfolgend der Halbleiterchip montiert und
elektrisch an die Anschlussbereiche 7, 8 angeschlossen werden kann. Das Trägersubstrat 1 ist vorteilhaft nur etwa 50 μπι bis 400 μπι dick. Das Trägersubstrat 1 kann in lateraler Richtung eine Größe von 10 cm oder mehr aufweisen. Insbesondere ist es möglich, das Trägersubstrat 1 in einem Verbund herzustellen, der in lateraler Richtung eine Größe von 10 cm oder mehr aufweist, wobei der Verbund nachfolgend zu einer Vielzahl von Trägersubstraten 1 vereinzelt wird. In Fig. 4 ist eine weiteres Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelements 24 dargestellt, bei sich dem sowohl der erste elektrische Kontakt 14 als auch der zweite elektrische Kontakt des Halbleiterchips 13 jeweils an der vom Trägersubstrat 1 abgewandten Seite des Halbleiterchips befinden. An der Grundfläche ist der Halbleiterchip ist mit einer elektrisch isolierenden Schicht 23, beispielsweise einem elektrisch isolierenden Substrat, vom Trägersubstrat 1 elektrisch isoliert. Der erste elektrische Kontakt 14 und der zweite elektrische Kontakt 15 sind jeweils mit einem
Bonddraht 9 mit dem ersten Anschlussbereich 7 bzw. dem zweiten Anschlussbereich 8 verbunden. Der Grundkörper 2 des Trägersubstrats 1 fungiert vorteilhaft als thermischer
Anschluss für den optoelektronischen Halbleiterchip 13.
Insbesondere kann die beim Betrieb des Halbleiterchips 13 entstehende Wärme über den Grundkörper 2 und den Bereich der elektrisch leitenden Schicht 4, welcher dem Halbleiterchip 13 gegenüberliegt, an eine Leiterplatte (nicht dargestellt) abgeführt werden.
Hinsichtlich weiterer Details und vorteilhafter
Ausgestaltungen entspricht das dritte Ausführungsbeispiel dem ersten Ausführungsbeispiel.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Trägersubstrat (1) für ein optoelektronisches Bauelement (10), wobei
- das Trägersubstrat (1) einen Grundkörper (2) aus Aluminium enthält,
- zumindest Teilbereiche des Grundkörpers (2) mit einer elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) versehen sind,
- auf Teilbereiche der elektrisch isolierenden
Aluminiumoxidschicht (3) eine elektrisch leitfähige Schicht (4) aufgebracht ist,
- das Trägersubstrat mindestens einen Durchbruch (5) aufweist, der sich von einer ersten Hauptfläche (11) zu einer zweiten Hauptfläche (12) des Trägersubstrats (1) erstreckt,
- die elektrisch leitfähige Schicht (4) mindestens eine Durchkontaktierung ausbildet, die durch den Durchbruch (5) hindurch verläuft in dem Durchbruch (5) mittels der elektrisch isolierenden Aluminiumoxidschicht (3) von dem Grundkörper (2) elektrisch isoliert ist.
2. Trägersubstrat nach Anspruch 1,
wobei das Trägersubstrat (1) eine Dicke zwischen
einschließlich 50 μπι und 400 μπι aufweist.
3. Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei der gesamte Grundkörper (2) mit der
Aluminiumoxidschicht (3) versehen ist.
4. Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei zumindest ein Teilbereich der Oberfläche des Grundkörpers (2) nicht von der Aluminiumoxidschicht bedeckt (3) ist.
5. Verfahren zur Herstellung eines Trägersubstrats (1) für ein optoelektronisches Bauelement (10), umfassend die Schritte :
- Bereitstellen eines Grundköpers (2) aus Aluminium,
- Erzeugen mindestens eines Durchbruchs (5, 6) in dem Grundkörper,
- Erzeugen einer elektrisch isolierenden
Aluminiumoxidschicht (3) auf zumindest einem Teilbereich des Grundkörpers, welcher die Innenfläche des mindestens einen Durchbruchs (5, 6) umfasst,
- Aufbringen einer elektrisch leitfähigen Schicht (4) zumindest auf Teilbereiche der Aluminiumoxidschicht (3), wobei sich die elektrisch leitfähige Schicht (4) durch den mindestens einen Durchbruch (5) erstreckt.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
wobei der mindestens eine Durchbruch (5) mittels
Laserstrahlbohrens erzeugt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6,
wobei die Aluminiumoxidschicht (3) durch einen
Anodisierungsprozess erzeugt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
wobei Teilbereiche des Grundkörpers (2) vor dem
Anodisierungsprozess mit einer elektrisch isolierenden Maskenschicht (19) maskiert werden.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8,
wobei die elektrisch leitfähige Schicht (4) galvanisch hergestellt wird.
10. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 24) mit einem
Trägersubstrat (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei ein optoelektronischer Halbleiterchip (13) auf dem
Trägersubstrat (1) angeordnet ist.
11. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 24) nach Anspruch
10,
bei dem die elektrisch leitfähige Schicht (4) einen ersten Anschlussbereich (7) und einen zweiten
Anschlussbereich (8) an der dem Halbleiterchip (13) zugewandten ersten Hauptfläche (11) des Trägersubstrats (1) ausbildet, wobei ein erster elektrischer Kontakt (14) des Halbleiterchips (13) mit dem ersten
Anschlussbereich (7) und ein zweiter elektrischer
Kontakt (15) des Halbleiterchips (13) mit dem zweiten Anschlussbereich (8) elektrisch leitend verbunden sind.
12. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 24) nach Anspruch 11,
wobei die elektrisch leitfähige Schicht (4) an der zweiten Hauptfläche (12) des Trägersubstrats (1) einen ersten (17) und einen zweiten (18) Rückseitenkontakt ausbildet, wobei der erste Anschlussbereich (7) mittels der mindestens einen durch den Durchbruch (5)
verlaufenden Durchkontaktierung mit dem ersten
Rückseitenkontakt (17) verbunden ist.
13. Optoelektronisches Bauelement (10, 24) nach Anspruch 12, wobei der zweite Anschlussbereich (8) mittels einer weiteren Durchkontaktierung, die durch einen weiteren Durchbruch (6) verläuft, mit dem zweiten Rückseitenkontakt (18) verbunden ist.
14. Optoelektronisches Bauelement (20) nach Anspruch 12,
wobei der zweite Anschlussbereich (8) und der zweite Rückseitenkontakt (18) direkt an den Grundkörper (2) angrenzen, so dass sie durch den Grundkörper (2)
elektrisch miteinander verbunden sind.
15. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) einem der nach Ansprüche 11 bis 14,
wobei der erste elektrische Kontakt (14) des
Halbleiterchips (13) mittels eines Bonddrahts (9) mit dem ersten Anschlussbereich (7) verbunden ist, und der zweite elektrische Kontakt (15) an einer Grundfläche des Halbleiterchips (13) angeordnet ist, mit welcher der Halbleiterchip (13) auf dem zweiten Anschlussbereich (8) montiert ist.
PCT/EP2011/062551 2010-09-17 2011-07-21 Trägersubstrat für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und optoelektronisches bauelement WO2012034752A1 (de)

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