CN107078131B - 光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 - Google Patents

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Abstract

光电子半导体组件(1)包括具有载体上侧(23)和载体下侧(24)的载体(2)。多个发射光的半导体芯片(3)安置在载体上侧(23)上。至少两个电接触面(4)处于载体下侧(24)上。载体(2)具有金属芯(25)，其中金属芯(25)共计占载体(2)厚度的至少60％并且对载体(2)的机械强度的贡献达至少70％。金属芯(25)至少部分地直接借助陶瓷层(26)覆层，所述陶瓷层的厚度为最高100μm。陶瓷层(26)局部地直接借助金属层(27)覆层。半导体芯片(3)经由金属层(27)与接触面(4)电连接。

Description

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法
技术领域
提出一种光电子半导体组件。此外，提出一种用于制造这种光电子半导体组件的方法。
背景技术
在参考文献US 2014/0293554 A1中提出一种具有电绝缘陶瓷覆层的金属载体。
发明内容
待实现的目的在于：提出一种光电子半导体组件，所述光电子半导体组件朝外部的载体具有小的热阻。
此外，该目的通过本发明的光电子半导体组件和方法实现。所述光电子半导体组件具有：载体，所述载体具有载体上侧和与所述载体上侧相对置的载体下侧；多个发射光的半导体芯片，所述半导体芯片安置在所述载体上侧上；和在所述载体下侧上的、用于外部电接触所述半导体组件的至少两个电接触面，其中所述载体具有金属芯并且所述金属芯共计占所述载体厚度的至少60％并且对所述载体的机械强度的贡献达至少70％，所述金属芯至少部分地直接以陶瓷层覆层，所述陶瓷层的厚度为最高100μm，所述陶瓷层局部地直接借助金属层覆层，所述半导体芯片经由所述金属层与所述接触面电连接，所述载体由多个载体部件形成，每个载体部件的所述陶瓷层形成围绕所属的所述金属芯的唯一的、连贯的且闭合的层，所述载体上侧分别比所属的所述载体下侧具有更大的面积，所述载体部件经由至少一个灌封体彼此机械固定地连接，并且所述灌封体连同所述载体部件为所述半导体组件的用于机械承载的部件，使得全部载体下侧与所述灌封体齐平，发射光的所述半导体芯片串联地电连接，并且在所述载体上侧上的所述金属层结构化成印制导线和电连接面，所述半导体芯片处于所述载体上侧上，并且所述电连接面与所属的所述载体下侧电绝缘，使得所述载体部件的所述载体下侧无电位，并且完全由所述金属层覆盖，其中在所述载体部件上存在发射光的所述半导体芯片。优选的改进方案是下文的主题。
根据至少一个实施方式，光电子半导体组件包括载体。载体具有载体上侧和与该载体上侧相对置的载体下侧。载体上侧和载体下侧优选是载体的主侧。载体上侧和/或载体下侧能够平面地且平坦地构成。可行的是：载体由多个载体部件组成。替选于此，载体能够一件式地构成。
根据至少一个实施方式，半导体组件包括一个或多个发射光的半导体芯片。发射光能够表示：半导体芯片射出具有至少300nm或400nm或430nm和/或最高950nm或680nm或550nm或495nm的最大强度的波长的辐射。尤其地，发射光的半导体芯片是发射蓝光的发光二极管。
可选地可行的是：半导体组件具有附加的半导体芯片，所述附加的半导体芯片不设置用于产生辐射。这种半导体芯片例如是抗静电放电损害的保护二极管或者也是寻址芯片或控制芯片。下面，仅详细考虑发射光的半导体芯片并且术语半导体芯片在下面相应地表示发射光的半导体芯片。
根据至少一个实施方式，半导体芯片施加在载体上侧上。例如焊接或尤其导电地粘贴半导体芯片。
根据至少一个实施方式，半导体组件具有在载体下侧上的两个或多于两个的电接触面。电接触面不直接彼此电连接。例如接触面中的一个构建为阳极接触部并且接触面中的另一个构建为阴极接触部。半导体组件经由电接触面能从外部进行电接触，例如能以电学的方式并且优选也同时以机械的方式安置在电路板上。
根据至少一个实施方式，全部电接触面处于载体下侧上。这能够表示：光电子半导体组件是可表面安装的，所述光电子半导体组件因此是SMT组件。
根据至少一个实施方式，载体具有金属芯。金属芯优选是均匀的、实心的、单片的材料。金属芯能够由纯金属或者，优选由金属合金形成。金属芯是导电的。
根据至少一个实施方式，金属芯共计占载体总厚度的至少40％或60％或80％或90％。尤其沿垂直于载体上侧方向来确定载体的总厚度。替选地或附加地，载体的金属芯对载体的机械强度的贡献度达至少50％或70％或85％或95％。换言之，于是，金属芯是稳定载体或基本上稳定载体的部件。于是，载体的载体特性归因于金属芯。在这种情况下，载体的其他部件具有其他主功能，而与载体的承载能力的增长无关。
根据至少一个实施方式，金属芯局部地或整面地用陶瓷层覆层。陶瓷层优选与金属芯处于紧邻的、直接接触中。陶瓷层是电绝缘的、良好导热的层。尤其地，陶瓷层构建用于电绝缘，也就是说，在光电子半导体器的正常使用中，陶瓷层起电绝缘层作用。
根据至少一个实施方式，陶瓷层具有至少2μm或5μm或8μm的厚度。替选地或附加地，陶瓷层的厚度为最高100μm或50μm或20μm或15μm。可行的是：陶瓷层由大量陶瓷颗粒、例如AlN颗粒组成。陶瓷颗粒的平均直径优选为至少10nm或50nm和/或最高500nm或250nm或120nm。这种陶瓷层例如从参考文献US 2014/0293554 A1中已知，其关于陶瓷层的公开内容通过参引并入本文。
根据至少一个实施方式，局部地将金属层施加到陶瓷层上。金属层优选与陶瓷层处于紧邻的、物理接触。金属层尤其优选仅不完全地覆盖陶瓷层。
根据至少一个实施方式，半导体芯片与电接触面经由金属层电连接。也就是说，从接触面朝半导体芯片的电流至少部分地经由金属层引导。在此，能够存在附加的电连接部、例如经由键合线得到的附加的电连接部。
在至少一个实施方式中，光电子半导体组件包括载体，所述载体具有载体上侧和与载体上侧相对置的载体下侧。多个发射光的半导体芯片安置在载体上侧上。用于外部电接触半导体组件的至少两个电接触面位于载体下侧上。载体具有金属芯，其中金属芯共计占载体厚度的至少60％并且对载体的机械强度的贡献达至少70％。金属芯至少部分地直接借助陶瓷层覆层，其厚度为最高100μm。陶瓷层局部地直接借助金属层覆层。半导体芯片经由金属层与接触面电连接。
通过陶瓷层能实现金属芯的电绝缘，其中金属芯保持可导热地进行接触。由此，能实现半导体组件的成本适宜的构型、尤其类似QFN的构型。此外，半导体芯片能在空间上紧密地设置在载体上侧上并且能串联连接。这种半导体组件例如能够在汽车领域中应用为探照灯、尤其应用为前照灯。
在这种半导体组件中，借助载体，在半导体芯片和外部的安装面之间存在高的导热性和有效的热扩散。这尤其仅通过呈陶瓷层形式的薄的绝缘层且通过例如由良好导热的材料、如铝或铜构成的实心的金属芯实现。同时，通过电绝缘的陶瓷层能实现与载体下侧和与电接触面的电位分离。以该方式能实现在安装平台、例如金属芯电路板或印制电路板、简称PCB上的简单的设计和电路图。在载体上的各个半导体芯片之间的间距由此在将半导体组件安装在外部的安装平台上时不再具有显著意义。由于尤其将铝或铜用作为金属芯的材料，将半导体组件的热膨胀系数良好地匹配于金属芯电路板或印制电路板也是可行的。此外，在分隔过程中优选仅在锯割区域中存在相对少量金属，由此能实现在制造半导体组件期间在分隔时高的锯割速度。此外，能够成本有效地实现半导体组件的结构。
根据至少一个实施方式，载体由刚好三个或刚好两个或刚好四个或多于四个载体部件形成。在此，全部的载体部件优选处于共同的平面中。此外，载体部件优选彼此隔开地设置，也就是说，载体部件于是不接触。
根据至少一个实施方式，半导体芯片、尤其全部半导体芯片设置在载体部件中的最大的载体部件上。最大的载体部件在此尤其是载体部件中的中部的载体部件。
根据至少一个实施方式，接触面安置在载体部件中的两个较小的载体部件上。所述较小的载体部件优选是位于外部的载体部件，其中接触面处于所述较小的载体部件上。尤其地，具有半导体芯片的最大的载体部件处于两个外部的载体部件之间。
根据至少一个实施方式，全部载体部件的载体上侧和/或载体下侧位于共同的平面中。在此，载体上侧和载体下侧优选全部平面地且平坦地成形。
根据至少一个实施方式，每个载体部件的陶瓷层是围绕所属的金属芯的唯一的、连贯的且闭合的层。这要么在垂直于载体上侧观察的每个横截面中是适用的，要么至少在垂直于载体上侧的沿着载体的纵轴线的一个横截面中是适用的。例如，在俯视图中观察，纵轴线是载体的最长的对称线。在载体上侧的俯视图中观察，纵轴线能够是载体的最长的中线。
根据至少一个实施方式，全部载体部件的金属芯由相同半成品、尤其板半成品成形。成形为金属芯例如经由冲压、蚀刻、锯割和/或激光切割来进行。因为金属芯由相同板材成形，全部金属芯优选具有相同材料组分和厚度。
根据至少一个实施方式，如下载体部件不具有电接触面，在所述载体部件上安装半导体芯片。换言之，上面存在半导体芯片的该载体部件不设置用于朝外电接触半导体组件。
根据至少一个实施方式，载体部件的载体上侧分别与所属的载体下侧相比具有更大的面积或反之亦然。在此，载体下侧优选是缩小的载体上侧。换言之，于是经由缩放因子能使载体上侧和载体下侧重合地上下叠加。
根据至少一个实施方式，在载体上侧上的相邻的载体部件与在所属的载体下侧上相比分别具有更大的间距。这例如通过以下方式实现：在载体上侧上的相应的、相邻的载体部件之间的间隙与在载体下侧上相比具有更小的宽度。这例如能通过从两个彼此相对置的侧起蚀刻半成品来实现，载体部件由所述半成品形成。
根据至少一个实施方式，载体部件经由一个或多个灌封体彼此机械固定地连接。这意味着，在半导体组件的正常使用中，载体部件不从灌封体松开并且反之亦然。因此，通过灌封体建立机械完整性。
根据至少一个实施方式，至少一个灌封体连同载体部件是半导体组件的机械承载的部件。于是，半导体组件的其他部件不有助于或仅次要地有助于机械稳定性。
根据至少一个实施方式，全部载体下侧与灌封体齐平。由此，能产生平面的安装面。安装面包括载体下侧和灌封体的下侧。
根据至少一个实施方式，半导体组件具有不透光的第一灌封体。第一灌封体优选与载体上侧和载体下侧齐平。此外，灌封体能够与载体的端面齐平，其中端面将载体下侧和载体上侧彼此连接。这种齐平优选存在最高25μm或10μm或5μm或0.5μm的公差。于是换言之，第一灌封体限制在沿垂直于载体上侧的方向上的区域上，载体部件也处于所述区域中。
根据至少一个实施方式，半导体组件具有第二灌封体。第二灌封体对于在半导体组件运行中产生的辐射透光地或反射地形成。第二灌封体能够与载体的端面和/或载体上侧和/或半导体芯片的侧面齐平。在俯视图中观察，在载体上侧所处的平面中，第二灌封体能够与第一灌封体处于直接接触，尤其在载体部件之间的区域中处于直接接触。
根据至少一个实施方式，半导体组件具有至少三个或至少五个发射光的半导体芯片。半导体芯片、优选全部发射光的半导体芯片串联电连接。
根据至少一个实施方式，将在载体部件的载体上侧上的金属层结构化成电的印制导线和/或电的连接面，在所述载体部件上安置半导体芯片。于是例如，在每个电的连接面上施加半导体芯片中的刚好一个半导体芯片。
根据至少一个实施方式，电连接面与所属的载体部件的载体下侧电绝缘。所述电绝缘一方面能通过结构化成连接面实现并且另一方面通过电绝缘的陶瓷层实现。
根据至少一个实施方式，半导体芯片分别在两个彼此相对置的主侧上电接触。例如，主侧中的一个主侧形成为面状的电接触部，并且另一主侧包括例如用于键合线的连接区域。替选地可行的是：半导体芯片是倒装芯片。在这种情况下，半导体芯片能够安置在两个不同的电连接面上并且与所述电连接面电连接。此外，可行的是：在倒装芯片的情况下，半导体芯片不与任何连接面处于电连接。那么可行的是：所述连接面替选地或者仅用作为机械的固定面并且例如仅经由键合线进行电接触。
根据至少一个实施方式，半导体组件具有一个或多个发光材料小板。发光材料小板能够单独地制造。这能够意味着，发光材料小板关于其形状与半导体组件的其他组成部分分开地制造。尤其地，发光材料小板是机械自承的并且在机械自承的状态下构建在半导体组件中。
根据至少一个实施方式，将发光材料小板中的刚好一个发光材料小板配属给半导体芯片中的刚好一个半导体芯片。于是换言之，在半导体芯片和发光材料小板之间存在一一对应的关联关系。替选地，能够将一个发光材料小板配属给多个半导体芯片。
根据至少一个实施方式，在俯视图中观察，发光材料小板分别重合地位于半导体芯片中的一个半导体芯片上方。相邻的发光材料小板优选不接触。发光材料小板分别构建用于部分地或完全地将所属的半导体芯片的光转换成更长波的光。尤其地，经由发光材料小板产生绿光、黄光和/或红光。直接出自半导体芯片的光和发光材料的更长波的光能够混合成混合色的光、尤其混合成白色光。
根据至少一个实施方式，发光材料小板在远离载体的方向上与灌封体齐平。于是，半导体组件的上侧通过发光材料小板连同灌封体形成。
根据至少一个实施方式，发光材料小板具有至少10μm或25μm和/或最高500μm或250μm或75μm的厚度。此外，发光材料小板优选靠近所属的半导体芯片。在所属的半导体芯片和发光材料小板之间的平均间距于是优选为最高25μm或10μm或5μm。例如，发光材料小板经由硅树脂粘贴在所属的半导体芯片上。发光材料小板能够具有发光材料颗粒和基体材料，发光材料颗粒嵌入到基体材料中。替选地，可行的是：发光材料小板例如由发光材料陶瓷形成。
根据至少一个实施方式，陶瓷层限制于如下载体部件的载体上侧，在所述载体部件上安置半导体芯片。换言之，于是通过陶瓷层在半导体芯片和相关的载体部件的金属芯之间仅存在一个电绝缘部。另一载体部件因此能够不具有陶瓷层，在所述载体部件上不存在半导体芯片。
根据至少一个实施方式，载体部件中的一个或全部载体部件的金属芯环绕地且完全设有陶瓷层。于是换言之，在任何部位处都不露出金属芯。
根据至少一个实施方式，金属芯由铝、铜、铜合金或铝合金形成。陶瓷层优选由陶瓷形成，所述陶瓷具有金属芯的主要组成部分，例如铝或铜。如果金属芯是铝芯，那么陶瓷例如包括氮化铝和/或氧化铝或由其构成。
根据至少一个实施方式，在金属层的一个或多个子层中，金属层包括下述材料中的一种或多种或者由下述材料中的一种或多种构成：Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt。
根据至少一个实施方式，在横截面中观察，在远离载体上侧的方向上，载体部件分别首先具有恒定的宽度并且直接在此之后载体部件直至载体下侧变细。恒定宽度的区域例如涉及载体总厚度的最小10％或20％和/或最高60％或40％。
此外，提出一种用于制造这种光电子半导体组件的方法。因此，方法的特征也针对光电子半导体组件公开并且反之亦然。
在至少一个实施方式中，方法至少包括或仅包括下列步骤，其中所述步骤优选以给出的顺序进行：
-提供金属半成品并且通过蚀刻、冲压、锯割、切割和/或激光处理将半成品成形为载体复合结构，使得成形金属芯，
-在载体复合结构的金属芯上产生陶瓷层，
-在陶瓷层上产生并且结构化金属层，使得也形成电接触面，
-施加并且电接触半导体芯片，
-产生至少一个灌封体，并且
-将载体复合结构分隔成载体和光电子半导体组件。
根据至少一个实施方式，载体复合结构具有载体和其载体部件以及连接接片，所述连接接片将载体和载体部件彼此机械连接。在分隔载体复合结构时，部分或完全地移除和/或分割该连接接片。通过连接接片，载体复合结构至少在产生灌封体之前是机械稳定的并且能作为唯一的组件操作。替选于连接接片，可行的是：载体和载体部件例如借助粘接安置在临时的载体薄膜上。
根据至少一个实施方式，除在尤其通过分割连接接片分隔成半导体组件时形成的表面之外，载体部件整面地设有陶瓷层。
附图说明
接下来参考附图根据实施例详细阐述在此所描述的光电子半导体组件。相同的附图标记在此说明各个附图中的相同的元件。然而在此不按比例关系示出，更确切地说，为了更好的理解能够夸张大地示出各个元件。
附图示出：
图1至图5示出在此描述的光电子半导体组件的实施例的示意图。
具体实施方式
在图1B中以俯视图并且在图1A中以沿着纵轴线L的剖视图示出光电子半导体组件1的一个实施例。在此，在俯视图中观察，纵轴线L是半导体组件1和/或载体2的最长的中轴线。
半导体组件1具有载体2。载体2通过三个彼此间隔开的载体部件21a、21b、21c形成。每个载体部件21a、21b、21c包括金属芯25。将各一个陶瓷层26施加在金属芯25上。在横截面中观察，参见图1A，陶瓷层26是围绕所属的金属层25的连续的、连贯的且闭合的层。将各一个金属层27施加到陶瓷层26上。金属层27例如借助蒸镀或电镀产生。
载体2具有载体下侧24和与载体下侧相对置的载体上侧23。在载体上侧23上施加多个发射光的半导体芯片3、尤其发光二级管芯片。在载体上侧23上，将金属层27结构化成多个电连接面7。将各一个半导体芯片3施加在连接面7中的刚好一个连接面上并且以电以及机械的方式与所述连接面7连接。经由将金属层27结构化成连接面7，实现半导体芯片3的串联。在此，半导体芯片3不与最大的载体部件21b的下侧24处于直接电接触中，所述最大的载体部件沿着纵轴线L观察居中地处于较小的载体部件21a、21c之间。因此，中部的载体部件21b的下侧是无电位的。
通过两个位于外部的载体部件21a、21c进行半导体组件1的电接触。在所述载体部件的下侧上存在电接触面4，半导体组件1借助所述电接触面能外部电接触。在此，在附图中相应地未示出外部的安装载体。载体部件21a、21c与中部的载体部件21b的电连接经由键合线8建立。
可选地，如也在全部其他实施例中，在载体部件中的一个上安置ESD保护二极管9。ESD保护二极管9在半导体芯片3中并联地电连接。
在图1B中的俯视图中表明具有多个载体2的载体复合结构20。围绕载体2的点划线尤其表示分离线S，在所述分离线处能够将载体复合结构20分隔成各个载体2。相邻的载体2经由连接接片彼此连接，所述连接接片仅不完整地绘制。沿着分离线S仅存在连接接片，使得在分割成各个载体2时例如借助锯割，仅少量硬的、尤其金属的和/或陶瓷的材料被穿透。也参见图2和图3，分隔成载体2以及半导体组件1优选在产生在图1中未示出的灌封体之后才进行。
在载体下侧24上与在载体上侧23上相比，在相邻的载体部件21a、21b、21c之间的间距更小。这例如能通过不同的蚀刻工艺从载体上侧23和载体下侧24起实现。通过在载体下侧24上的载体部件21a、21b、21c之间的较大的间距能实现在外部的安装载体上的较大的定位公差。
尤其，为了制造半导体组件1，首先提供由金属芯25的材料构成的半成品。紧接着，例如借助于从下侧24和上侧23起进行蚀刻将该半成品结构化成载体复合结构20。为此，尤其分别从载体复合结构20的主侧起需要尤其两个光刻平面。
紧接着，施加陶瓷层26并且施加金属层27。接下来，尤其经由第三光刻平面，将金属层27结构化成连接面7。随后，施加半导体芯片3和可选的ESD保护二极管9以及经由键合线8进行电互联。
在施加和/或互联半导体芯片3之后，仍能够在载体复合结构20中进行组件的电学测试和/或光学测试。在可选的测试之后，产生在图1中未示出的灌封体，载体部件21a、21b、21c经由所述灌封体彼此固定地机械连接。
在产生在图1中未示出的灌封体之后，例如借助锯割沿着分离线S进行分隔。因此，锯割基本上仅穿过灌封体进行。
在如在图2的剖面图中示出的实施例中，单独的发光材料小板6分别设置在半导体芯片3下游。经由由半导体芯片3产生的辐射连同发光材料小板6例如能产生白色的光。发光材料小板6能够是全部结构相同的或也能够具有不同的发光材料或发光材料混合物。发光材料小板例如是添加有发光材料颗粒的硅树脂小板或发光材料陶瓷小板。
在施加发光材料小板6之后，产生灌封体5，所述发光材料小板也能够存在于全部其他的实施例中。灌封体5优选对于产生的光是透光的或反射的。灌封体5例如由热塑性塑料、环氧化物、硅树脂或环氧化物-硅树脂混合材料作为基础材料制造。例如将用于吸收的颗粒或将优选用于反射的、例如由二氧化钛构成的颗粒添加给灌封体5的基础材料。
在远离载体上侧23的方向上，键合线8优选不伸出发光材料小板6。在远离载体上侧23的方向上，灌封体5以及发光材料小板6能够彼此齐平。替选地，可行的是：在俯视图中观察，灌封体5覆盖发光材料小板6。
灌封体5和外部的导体框部件21a、21c在载体2的端面22上同样彼此齐平。替选地，灌封体5在侧向方向上也能够分别超出载体部件21a、21b、21c，使得在俯视图中观察，载体部件21a、21b、21c能够环绕地完全由灌封体5的材料包围。相应的布置在全部其他实施例中也是可行的。
在如图3中以剖面图示出的实施例中，半导体组件1具有第一灌封体5a和第二灌封体5b。第一灌封体5a例如构成为是辐射不可穿过的，例如所述第一灌封体由深色的或黑色的环氧化物材料或热塑性塑料构成。透光的或反射的第二灌封体5b能够如结合图2阐述的那样构成。
通过划分成第一灌封体5a和第二灌封体5b能够彼此单独地优化机械特性和光学特性。因此，例如第一灌封体5a为了将载体部件彼此机械连接而被优化，所述第一灌封体在横截面中观察处于与载体2相同的区域中。
此外，根据图3的实施例对应于如在图2中示出的实施例。
与图2和3的视图不同，如也在全部其他实施例中那样，可行的是：载体2的端面22以及灌封体5、5a、5b的侧面倾斜于安装面10伸展、即以不等于90°的角伸展。同样地，可行的是：在端面22中或在灌封体5、5a、5b的侧面中形成阶梯。例如在分割成半导体组件1时产生这种倾斜的或分阶梯的侧面，其中例如通过借助V形锯片进行锯割或通过例如借助宽度不同的锯片从两个彼此相对置的侧起进行锯割来产生。
在图4A中以沿着纵轴线L的剖面图并且在图4B中以俯视图图解示出半导体组件1的另一实施例。为了简化图示，在图4中未绘出灌封体4。
在图4中，仅最大的、中部的载体部件21b在载体上侧23上设有金属芯25上的陶瓷层26。金属层27也仅延伸到载体上侧23和载体下侧24上并且不延伸到载体部件21a、21b、21c的侧面上。根据图4的半导体组件能类似于图1的半导体组件示出。与此不同地，优选仅需要两个光刻平面和一个荫罩。
一方面，通过仅薄的陶瓷层26能实现电绝缘并且另一方面穿过载体2至外部的热沉或外部的安装载体的热阻小。由此，也能实现半导体芯片3在载体上侧23上的较高的面密度。
在下一实施例中，参见图5A中的剖面图和图5B中的俯视图，载体2一件式地构成。经由设有金属层26的贯通孔28实现在载体上侧23和载体下侧24之间的电连接。尤其通过分离线区域S中刻痕或折断来分隔成半导体组件。经由第一光刻平面能产生贯通孔28。借助第二光刻平面能从金属层27中结构化连接面7。
与图1至4的实施例不同，唯一的载体部件的下侧不是无电位的，在所述载体部件上施加半导体芯片3。电接触面4安置在所述下侧24上。
在此所描述的发明不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的每个组合，即使该特征或者该组合本身未详细地在权利要求中或者实施例中说明时也是如此。
本专利申请要求德国专利申请10 2014 116 529.2的优先权，所述德国专利申请的公开内容就此通过参考并入本文。
附图标记列表
1 光电子半导体组件
10 安装面
2 载体
20 载体复合结构
21 载体部件
22 载体的端面
23 载体上侧
24 载体下侧
25 金属芯
26 陶瓷层
27 金属层
28 贯通孔
3 发射光的半导体芯片
4 电接触面
5 灌封体
6 发光材料小板
7 连接面
8 键合线
9 ESD保护二极管
L 载体的纵轴线
S 分离线

Claims (14)

1.一种光电子半导体组件(1)，所述光电子半导体组件具有
-载体(2)，所述载体具有载体上侧(23)和与所述载体上侧相对置的载体下侧(24)，
-多个发射光的半导体芯片(3)，所述半导体芯片安置在所述载体上侧(23)上，和
-在所述载体下侧(24)上的、用于外部电接触所述半导体组件(1)的至少两个电接触面(4)，
其中
-所述载体(2)具有金属芯(25)并且所述金属芯(25)共计占所述载体(2)厚度的至少60％并且对所述载体(2)的机械强度的贡献达至少70％，
-所述金属芯(25)至少部分地直接以陶瓷层(26)覆层，所述陶瓷层的厚度(26)为最高100μm，
-所述陶瓷层(26)局部地直接借助金属层(27)覆层，
-所述半导体芯片(3)经由所述金属层(27)与所述接触面(4)电连接，
-所述载体(2)由多个载体部件(21)形成，
-每个载体部件(21)的所述陶瓷层(26)形成围绕所属的所述金属芯(25)的唯一的、连贯的且闭合的层，
-所述载体上侧(23)分别比所属的所述载体下侧(24)具有更大的面积，
-所述载体部件(21)经由至少一个灌封体(5)彼此机械固定地连接，并且所述灌封体(5)连同所述载体部件(21)为所述半导体组件(1)的用于机械承载的部件，使得全部载体下侧(24)与所述灌封体(5)齐平，
-发射光的所述半导体芯片(3)串联地电连接，并且在所述载体上侧(23)上的所述金属层(27)结构化成印制导线和电连接面(7)，所述半导体芯片(3)处于所述载体上侧上，并且
-所述电连接面(7)与所属的所述载体下侧(24)电绝缘，使得所述载体部件(21)的所述载体下侧(24)无电位，并且完全由所述金属层(27)覆盖，其中在所述载体部件上存在发射光的所述半导体芯片(3)。
2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述载体(2)由刚好三个单独的、彼此隔开的载体部件(21)形成，
其中所述载体部件(21)设置在共同的平面中并且彼此隔开，并且
其中所述半导体芯片(3)设置在所述载体部件(21)的最大的、中部的载体部件上，并且所述接触面(4)处于两个较小的、外部的所述载体部件(21)上。
3.根据上一项权利要求所述的光电子半导体组件(1)，
其中全部载体部件(21)的所述载体上侧(23)和所述载体下侧(24)平面地成形并且位于共同的平面中，
其中全部载体部件(21)的所述金属芯(26)由相同的板半成品通过冲压、蚀刻和/或锯割成形。
4.根据权利要求2或3所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述载体部件(2)不具有所述接触面(4)，在所述载体部件上设置有所述半导体芯片(3)，
其中相邻的载体部件(21)之间的在所述载体上侧(23)上的间距分别小于在所属的所述载体下侧(24)上的间距。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述半导体组件(1)具有包括所述载体下侧(24)的平面的安装面(10)。
6.根据上一项权利要求所述的光电子半导体组件(1)，
所述光电子半导体组件包括不透光的第一灌封体(5a)和透光的第二灌封体(5b)，
其中所述第一灌封体(5a)与所述载体上侧(23)和所述载体下侧(24)齐平以及与所述载体(2)的端面(22)齐平，其分别具有最高25μm的公差。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体组件(1)，其包括至少三个发射光的半导体芯片(3)。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述半导体芯片(3)分别在两个彼此相对置的主侧上电接触并且分别与所述电连接面(7)中的刚好一个电连接面处于直接的电接触中并且机械固定在相应的所述连接面(7)上。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
所述光电子半导体组件包括多个单独制造的发光材料小板(6)，所述发光材料小板分别配属于所述半导体芯片(3)中的刚好一个半导体芯片，并且所述发光材料小板构建用于将所属的所述半导体芯片(3)的光部分地转换成更长波长的光。
10.根据上一项权利要求所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述发光材料小板(6)在远离所述载体(2)的方向上与所述灌封体(5)齐平，
其中所述发光材料小板(6)的平均厚度在25μm和250μm之间，其中包括边界值，并且所述发光材料小板(6)与所属的所述半导体芯片(3)的平均间距为最高10μm。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中在远离所述载体上侧(23)的方向上，在横截面中观察，所述载体部件(21)首先分别具有恒定的宽度并且紧接着所述载体部件(21)朝载体下侧(24)变细。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体组件(1)，
其中所述金属芯(25)完全地借助所述陶瓷层(26)覆层并且所述陶瓷层具有最小2μm并且最大15μm的厚度，
其中所述陶瓷层(26)由具有最高250μm平均直径的AlN颗粒制成，并且
其中所述金属芯(25)由Al、Cu或具有Al或Cu的合金构成，并且所述金属层(27)包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pd和/或Pt或由Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pd和/或Pt构成。
13.一种用于制造根据权利要求1所述的光电子半导体组件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：
-提供金属半成品并且通过蚀刻、冲压和/或激光切割将所述半成品成形为载体复合结构(20)，使得成形金属芯(25)，
-在所述载体复合结构(20)的所述金属芯(25)上产生陶瓷层(26)，-在所述陶瓷层(26)上产生并且结构化所述金属层(27)，使得也形成电接触面(4)，
-施加并且电接触所述半导体芯片(3)，
-产生至少一个灌封体(5)，并且
-将所述载体复合结构(20)分隔成所述载体(2)和所述光电子半导体组件(1)。
14.根据上一项权利要求所述的方法，
其中所述方法步骤以给出的顺序执行，
其中在将所述半成品成形为所述载体复合结构(20)时，进行所述半成品的两个彼此相对置的主侧的蚀刻。
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