CN110494994A - 用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 - Google Patents

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Abstract

提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供半导体层序列(2)，所述半导体层序列在衬底(29)上具有设为用于产生或用于接收辐射的有源区(20)；b)构成至少一个凹部(25)，所述凹部延伸穿过所述有源区；c)借助于电镀沉积在半导体层序列上构成金属增强层(3)，其中金属增强层完全覆盖半导体层序列并且至少部分填充凹部；以及d)移除衬底。此外，提出一种光电子半导体芯片(1)。

Description

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
技术领域
本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片的方法和一种光电子半导体芯片。
背景技术
为了制造薄膜半导体芯片，例如薄膜发光二极管芯片，可以将外延的半导体层序列从生长衬底转移到替代载体上。为此，典型地应用接合工艺，其中替代载体和半导体层序列彼此机械稳定地连接。
发明内容
目的是提出一种方法，借助所述方法可以简单地且可靠地制造光电子半导体芯片。此外，应提出一种光电子半导体芯片，其特征在于良好的光电子特征和长的使用寿命。
所述目的尤其通过根据独立权利要求的方法或半导体芯片来实现。其他设计方案和适当方案是从属权利要求的主题。
提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。
根据该方法的至少一个实施方式，提供半导体层序列，所述半导体层序列具有设为用于产生或用于接收辐射的有源区，例如在衬底上提供。衬底例如是用于外延沉积半导体层序列的半导体层的生长衬底或是与生长衬底不同的辅助载体，例如借助于MOCVD或MBE。半导体层序列例如具有第一导电类型的第一半导体层和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，其中有源区设置在第一半导体层与第二半导体层之间。有源区于是处于pn结中。
第一半导体层、第二半导体层和有源区可以分别单层地或多层地构成。有源区例如设为用于产生和/或用于接收在紫外、可见或红外光谱范围内的辐射。
根据该方法的至少一个实施方式，该方法包括如下步骤，在该步骤中构成凹部，所述凹部延伸穿过有源区。在构成凹部时，移除半导体层序列的材料，如借助于湿化学或干化学刻蚀移除。例如，至少一个凹部延伸穿过第二半导体层和有源区。例如，凹部在第一半导体层中终止或完全穿透第一半导体层。
根据该方法的至少一个实施方式，该方法包括如下步骤，在该步骤中在半导体层序列上构成金属增强层。例如，金属增强层借助于电镀沉积构成。电镀沉积尤其适合于相对大的层厚度，因为电镀沉积的特征在于例如与诸如蒸镀或溅射的方法相比明显更高的沉积速率。此外，至少一个凹部可以借助于电镀方法可靠地填充。
金属增强层例如厚到，使得其是自支承的。金属增强层尤其厚到，使得其至少能够承载其自重和例如附加地也能够承载半导体层序列的重量。
在竖直方向上，即垂直于有源区的主延伸平面，金属增强层的层厚度例如为至少3μm、至少5μm、至少10μm或至少100μm。
根据至少一个实施方式，金属增强层完全覆盖半导体层序列。金属增强层于是构成为，使得半导体层序列被整面地覆盖。于是不需要金属增强层在横向方向上的结构化。
根据该方法的至少一个实施方式，金属增强层至少部分地填充凹部。在竖直方向上看，即垂直于半导体层序列的半导体层的主延伸平面，金属增强层于是至少部分地延伸进入到凹部中。尤其是，凹部在构成金属增强层之后完全由固态材料填充。
根据该方法的至少一个实施方式，该方法包括如下步骤，在该步骤中移除衬底。移除衬底尤其在构成金属增强层之后进行。借助于金属增强层可以机械稳定半导体层序列，使得对此不再需要衬底并且因此可以移除。
在该方法的至少一个实施方式中，为了制造光电子半导体芯片，在衬底上提供半导体层序列，其具有设为用于产生或用于接收辐射的有源区。构成至少一个凹部，所述凹部延伸穿过有源区。金属增强层借助于电镀沉积在半导体层序列上构成，其中金属增强层完全覆盖半导体层序列并且至少部分地填充凹部。移除衬底。
金属增强层于是可以满足载体的功能，该载体机械稳定半导体层序列。因此不需要将半导体层序列重新接合到替代载体上，然而可以附加地进行。对于金属增强层，存在关于材料的大的选择。例如，适合于电镀沉积的是镍、金、铜、钯、铑或银。金属增强层本身也可以多层地构成。
此外已证实的是，在电镀沉积的情况下借助于工艺参数可以有针对性地设定金属增强层的应力。在半导体芯片中的机械应力，例如由于在半导体层序列与载体之间的不同的热膨胀系数引起的机械应力，因此可以克服。例如，经由用于电镀沉积的电解质的组成部分、pH值、添加的添加剂、转速、通量、电流强度、电流强度的时间变化曲线或温度来设定应力，所述时间变化曲线例如呈斜坡形状。
此外，电镀沉积的特征在于小的材料需求，因为仅必须沉积对于金属增强层实际所需的那么多的材料。
根据该方法的至少一个实施方式，在构成金属增强层之前构成晶种层。例如，通过蒸镀或溅射将晶种层构成在半导体层序列上。晶种层尤其是能导电的。晶种层例如整面地构成在半导体层序列上。
例如，晶种层构成为镜层，所述镜层反射由有源区要产生的或要接收的辐射。替选地，在构成晶种层之前可以将镜层施加到半导体层序列上。在这两种情况下，镜层对于在有源区中要产生的或要接收的辐射的峰值波长的反射率例如为至少60％、优选至少80％。
借助于镜层，可以由镜层反射在光电子半导体芯片运行中朝向金属增强层的方向伸展的辐射份额。
根据该方法的至少一个实施方式，金属增强层的竖直扩展为至少5μm或至少10μm。例如，金属增强层的竖直扩展至少与半导体层序列的竖直扩展一样大。例如，竖直扩展为最高200μm或最高150μm。
根据该方法的至少一个实施方式，金属增强层形成半导体芯片的载体，该载体机械稳定半导体层序列。例如，金属增强层的竖直扩展在50μm和200μm之间，其中包括边界值，尤其在100μm和150μm之间，其中包括边界值。
例如，金属增强层的竖直扩展为半导体芯片的总竖直扩展的至少60％或至少80％。
根据该方法的至少一个实施方式，在构成金属增强层之后将载体固定在金属增强层的背离半导体层序列的侧上。载体例如是能导电的。例如，载体包含金属或由金属构成。替选地，载体可以包含半导体材料或由半导体材料构成。载体于是单独地或至少与金属增强层一起引起半导体层序列的机械稳定。
根据该方法的至少一个实施方式，借助于直接接合连接将载体固定在金属增强层上。在直接接合连接时，机械稳定的连接通常通过压力和/或热量的作用来进行。直接接合方法例如借助于范德华连接或氢键进行。单独的接合层、如例如粘合层或焊料层对于构成直接接合连接并不必需。
根据该方法的至少一个实施方式，金属增强层在背离半导体层序列的侧上平坦化。例如，金属增强层受到化学机械抛光方法。金属增强层的例如由于要填充的凹部引起的不平坦性因此可以得到补偿。尤其是，在将载体借助于直接结合方法固定在金属增强层上之前，可以将金属增强层平坦化。这样提高直接接合连接的可靠性。
通过制造方法制造的半导体芯片具有半导体本体，半导体本体具有半导体层序列的一部分。
根据该方法的至少一个实施方式，至少一个凹部是内部的凹部，其在横向方向上完全被半导体本体的材料包围。半导体本体可以具有一个或多个这样的凹部。
根据该方法的至少一个实施方式，至少一个凹部是环绕的凹部，其在横向方向上至少局部地环绕半导体本体。
在制造半导体芯片时，环绕的凹部可以在两个并排要制造的半导体芯片之间形成分离沟槽，所述分离沟槽在横向方向上将各个本导体本体彼此分离。借助所描述的方法，对于每个半导体本体可以构成仅一个或多个内部的凹部，仅一个环绕的凹部或一个或多个内部的凹部和环绕的凹部。至少一个内部的凹部和环绕的凹部可以在共同的制造步骤中或在两个不同的制造步骤中形成。
根据该方法的至少一个实施方式，在构成金属增强层之后和在剥离衬底之后形成半导体本体。例如，从背离金属增强层的侧开始局部移除半导体层序列，以构成分离沟槽。
根据该方法的至少一个实施方式，金属增强层在环绕的凹部中与半导体本体电绝缘。在环绕的凹部的区域中，金属增强层于是并不用于电接触半导体本体。
根据该方法的至少一个实施方式，金属增强层在环绕的凹槽中电接触半导体本体。例如，金属增强层或晶种层与第一半导体层邻接。金属增强层于是形成框架状地环绕半导体本体的用于半导体本体、尤其用于第一半导体层的电端子。经由内部的凹部的电接触可以附加地进行，然而并非强制必需的。
光电子半导体芯片在至少一个实施方式中具有半导体本体，该半导体本体具有半导体层序列，其中半导体层序列具有设为用于产生或用于接收辐射的有源区。半导体芯片具有至少一个凹部，所述凹部延伸穿过有源区。半导体芯片包括金属增强层，所述金属增强层完全覆盖半导体层序列并且至少部分填充凹部。半导体芯片没有半导体层序列的生长衬底。例如，金属增强层形成半导体芯片的载体或在金属增强层的背离半导体本体的侧上设置载体。
上文所描述的方法特别适合于制造半导体芯片。结合该方法所详述的特征因此也可以用于半导体芯片，并且反之亦然。
附图说明
其他设计方案和适宜方案从以下结合附图对实施例的描述中得出。
附图示出：
图1A至1F以剖面图(图1A至1E)和以图1F中的俯视图根据示意性所示的中间步骤示出用于制造半导体芯片的方法的一个实施例；
图2A至2D根据示意性以剖面图所示的中间步骤示出用于制造半导体芯片的方法的一个实施例；
图3A至3C根据示意性以剖面图示出的中间步骤示出用于制造半导体芯片的方法的一个实施例；以及
图4A至4C以剖面图(图4A和4B)以及以俯视图(图4C)根据示意性所示的中间步骤示出用于制造半导体芯片的方法的一个实施例。
相同的、相同类型的或相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。
这些附图分别是示意图并且因此不一定符合比例。更确切而言，为了阐明而夸大地示出相对小的元件和尤其层厚度。
具体实施方式
在图1A至1F中示出用于制造半导体芯片的方法的一个实施例，其中在图1E中以沿着在图1F中绘出的俯视图示出的线AA’的剖面图示出制成的半导体芯片的局部。
为了简化的视图，在这些图中仅仅示出半导体层序列2的局部，在该方法期间从所述半导体层序列中产生光电子半导体芯片。典型地，在复合件中同时制造多个光电子半导体芯片。在分割复合件时，形成半导体芯片，其中对于每个被分割的半导体芯片由半导体层序列2形成半导体本体。
具有设为用于产生辐射或用于接收辐射的有源区20的半导体层序列2在衬底29上提供(图1A)。例如，衬底29是用于借助于外延方法、如借助于MOCVD或MBE制造半导体层序列2的生长衬底。
有源区20设置在第一导电类型(例如n型导电)的第一半导体层21与具有与第一导电类型不同的第二导电类型、例如p型导电的第二半导体层22之间。有源区20、第一半导体层21和第二半导体层22可以分别多层地构成。这些层的细节为了简化的视图未示出。
在半导体层序列2中构成凹部25，所述凹部延伸穿过有源区20。
凹部25尤其穿透第二半导体层22和有源区20和在第一半导体层21中终止。例如，凹部通过湿化学或干化学刻蚀方法构成。
至少凹部25的侧面局部地被绝缘层6、例如介电氧化物层或氮化物层覆盖。为了以后的电接触，在绝缘层6中，在凹部25的区域中构成开口，在所述开口中第二半导体层21露出。
与之不同，绝缘层6也可以经受各向异性的反向刻蚀工艺，使得将绝缘层6在基本上平行于半导体层序列的半导体层的主延伸平面伸展的水平面处移除，而竖直地或基本上竖直地伸展的面、如凹部25的侧面保持被涂层。尤其是与借助于光刻方法在绝缘层中构成开口相比，这样可以使凹部25的横向扩展从而用于有源区20的面积损失最小化。
在半导体层序列2上设置有连接层4。连接层4设为用于电接触第二半导体层22。此外，在半导体层序列2上设置有绝缘层6，所述绝缘层完全覆盖连接层4并且也覆盖凹部25的侧面至少到有源区20的高度。
如在图1B中所示，在半导体层序列2上构成晶种层31。晶种层31可以整面地构成，使得不需要晶种层的结构化或晶种层的结构化的施加。在凹部25中，晶种层31与第一半导体层21邻接。晶种层31例如构成为用于在有源区20中在运行中要产生的或要接收的辐射的镜层。例如，晶种层31包含在紫外、可见和/或红外光谱范围内具有高反射率的材料，所述材料例如为银、镍、钯、铑、铬或金。
然而，原则上其他能导电的材料、例如铜也适合于晶种层31。晶种层31也可以多层地构成。
在未结构化的晶种层31上随后施加金属增强层3(图1C)。金属增强层尤其借助于电镀方法沉积。例如，金属增强层包含镍、金或铜或其他金属。金属增强层3也可以多层地构成，例如具有朝向半导体层序列的金层和在金层的背离半导体层序列2的侧上设置的镍层。在金属增强层多层地构成的情况下，最靠近半导体层序列的层、如金层的厚度例如为金属增强层的后续的子层的厚度的最高50％或最高10％。
金属增强层3构造得厚，使得所述金属增强层是自支承的并且即使在不存在衬底29的情况下也可以使半导体层序列2机械稳定。例如，金属增强层的厚度在5μm和200μm之间，其中包括边界值，例如在100μm和150μm之间，其中包括边界值。
金属增强层3可以构成为，使得至少部分地补偿例如由于不同的热膨胀系数、如相对于半导体层序列2的不同的热膨胀系数引起的应力。应力的设定可以在电镀沉积金属增强层3期间进行，例如经由电解质的适合的参数，如经由其组成部分、经由添加剂、经由PH值、经由转速、经由通量、电流强度、电流强度的时间变化曲线和/或经由温度进行，所述时间变化曲线例如呈斜坡形状。
在图1C所示的实施例中，将第一接触部51构成到金属增强层3上。然而与之不同，金属增强层3的背离半导体层序列2的表面可以形成第一接触部。
在下文中，如在图1D中所示，移除衬底29，如借助于激光剥离方法(Laser LiftOff，LLO)，借助于机械方法和/或借助于化学方法。
其中移除生长衬底的半导体芯片也称作为薄膜半导体芯片。
此外，在本发明的范围内，薄膜半导体芯片、如薄膜发光二极管芯片的特征可以在于如下特征性特征中的至少一个特征：
-在半导体本体28的朝向载体元件、例如金属增强层3的第一主面处施加有镜层或如构成为集成在半导体层序列中的布拉格镜，所述半导体本体包括具有有源区20的半导体层序列2，所述布拉格镜将在半导体层序列中产生的或要探测的辐射的至少一部分向回反射到所述半导体层序列中；
-半导体层序列2具有在20μm或更小的范围内的厚度、特别从3μm至10μm的范围内的厚度、如5μm的厚度；和/或
-半导体层序列2包含至少一个半导体层，所述半导体层具有至少一个面，所述面具有混匀结构，所述混匀结构在理想情况下引起光在半导体层序列中近似遍历的分布，也就是说，所述混匀结构具有尽可能遍历随机的散射特性。
薄膜发光二极管芯片的基本原理例如在I.Schnitzer等人的Appl.Phys.Lett.”63(16)，1993年10月18日，第2174–2176页中予以描述，其公开内容就此而言通过引用结合于本申请。
半导体层序列2的这样露出的第一半导体层21形成要制造的半导体芯片的辐射透射面10。该面在移除衬底29之后可以设有粗糙部27，如借助于湿化学刻蚀工艺。
在移除衬底29之后，对于每个要制造的半导体芯片1从半导体层序列2中可以分别从半导体层序列2中构成半导体本体28。通过分割从晶片复合件中得到的、制成的半导体芯片1在图1E中以半导体芯片的俯视图的沿着在图1F中所示的线AA’的剖面图示出。
各个半导体本体28因此在施加金属增强层之后从半导体层序列2中构成。金属增强层2满足用于半导体本体28的半导体层序列的载体的功能。因此可以省去重新接合工艺，其中将半导体层序列2转移到预制的载体上。
除了半导体层序列2的典型地仅为几微米的总厚度之外，半导体芯片1的竖直扩展基本上对应于金属增强层3的竖直扩展。例如，增强层的竖直扩展为半导体芯片1的总竖直扩展的至少70％或至少80％。
半导体芯片1具有第二接触部52，所述第二接触部与第二半导体层22导电地连接。例如，第二接触部52是沉积到连接层4的露出的区域上的层或连接层4的露出的表面。第二接触部52设置在半导体本体的侧向。半导体本体28的辐射透射面10于是没有外部电接触部，所述外部电接触部可能会引起遮蔽。第一接触部51和第二接触部52尤其设置在金属增强层3的相对置的侧上。经由第一接触部51和第二接触部52能够从外部电接触半导体芯片。
此外，半导体本体28可以在背离金属增强层3的侧上由钝化层遮挡(未明确示出)。
半导体芯片1的特征在于在运行中产生的损耗热量的特别高效的散热。即使在大的运行电流的情况下因此也能够简化地实现高效率。此外，金属增强层3可以引起在背离辐射透射面10的侧上的半导体芯片的特别不敏感的和高效的封装。促进半导体芯片的高的使用寿命。
根据图2A至2D以示意性剖面图示出另一实施例。该实施例基本上对应于结合图1A至1F所描述的实施例。尤其是，半导体层序列2和沉积在半导体层序列2上的层在图2A所示的中间阶段中如结合图1A所描述的那样构成。
在施加金属增强层3之后，所述金属增强层借助于材料剥离平坦化，如借助于化学机械抛光。金属增强层3的例如由于待填充的凹部25引起的不平坦性可以补偿成，使得金属增强层3在背离半导体层序列的侧上是平坦的。接下来，将载体8施加到金属增强层3上。这尤其借助于材料配合的连接进行。
在材料配合的连接中，优选预制的连接配对物借助于原子和/或分子力保持在一起。材料配合的连接例如可以借助于接合层、例如粘合层或焊料层来实现。通常，连接的分离伴随有破坏连接机构和/或连接配对物中的至少一个。
尤其是，可以应用直接接合连接。在直接接合连接中，尤其仅仅在压力和/或热量的作用下进行机械连接。接合层、如焊料层或粘合层在直接接合连接中并不必需。尤其是，直接接合连接可以经由范德华力或氢键结合进行。
载体8适宜地能导电地构成。例如，载体包含金属或由金属构成，如铜、铝或钼或尤其掺杂的半导体材料，如硅或锗。载体8的背离半导体层序列2的表面用作为第一接触部51。然而替选地，也如在第一实施例中那样，单独的层形成第一接触部。后续的步骤、尤其移除衬底、由半导体层序列构成半导体本体和构成第二接触部可以如结合图1D至1F所描述的那样进行。
在该实施例中，金属增强层3与载体8一起形成机械地承载半导体本体28的半导体层序列的元件。在该实施例中，金属增强层因此可以更薄地构成并且例如具有至少5μm的层厚度。
在图3A至3C中所示的实施例基本上对应于结合图1A至1F所描述的实施例。
与之不同，如在图3A中所示的那样，从背离衬底28的侧起构成多个凹部25。内部的凹部251对应于在图1A中所示的凹部25。附加地，构成环绕的凹部552，所述环绕的凹部同样延伸至少穿过第二半导体层22和有源区20。在该实施例中，因此将要制造的半导体芯片的半导体本体28还在构成金属增强层3之前由半导体层序列2构成。
在半导体层序列2上整面地构成晶种层31。随后，整面地施加金属增强层3。金属增强层填充内部的凹部251和环绕的凹部252。在内部的凹部251中，晶种层和金属增强层与第一半导体层21导电地连接。在环绕的凹部252中，所述层借助于绝缘层6与第一半导体层21电绝缘。金属增强层3至少局部地沿着要制造的半导体芯片的半导体本体28的环周伸展到有源区20的高度。
在构成金属增强层3之后，如结合图1D至1F所描述的那样，可以执行其他制造步骤，尤其是移除衬底29，构成粗糙部27和构成第二接触部52。
环绕的凹部252在图3A所示的中间步骤中不一定必须延伸穿过整个半导体层序列2。替选地也可考虑的是，环绕的凹部252在竖直方向上仅仅部分地延伸穿过半导体层序列2并且在环绕的凹部的区域中在构造粗糙部27时移除半导体层序列2的材料。
金属增强层3形成要制造的半导体本体的金属封装部，其中金属增强层将半导体层序列2的背离衬底的表面和半导体本体28的侧面完全地或至少部分地至有源区20的高度覆盖。当然，在制造方法的所述变型方案中也可以将载体8施加到金属增强层3上，尤其如结合图2C所描述的那样。
在图4A至4C中示出用于制造半导体芯片的方法的另一实施例。该实施例基本上对应于结合图3A至3C所描述的实施例。
与之不同，除了镜层7之外还设有晶种层31。镜层7处于晶种层31与半导体层序列2之间。用于晶种层的材料在此情况下可以与材料的反射率无关地选择。镜层7本身也可以是多层的并且例如具有金属层和包含TCO材料的层(TCO：透明导电氧化物，英语：TransparentConductive Oxide)。
当然，这种附加的镜层也可以应用于前面的实施例中或在本实施例中可以省去。
此外，金属增强层3和晶种层31在环绕的凹部252的区域中与第一半导体层21导电地连接。
金属增强层3于是形成至少局部地沿着半导体本体28的环周伸展的电端子35。换言之，半导体本体28框架状地沿着其环周电接触。
与所示的实施例不同，取决于第一半导体层21的横向导电性和半导体本体28的横向扩展，也可以省去内部的凹部251，使得环绕的凹部252是唯一的凹部，其从半导体层序列2的背离衬底28的侧起引入到所述半导体层序列中。
本发明并不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其包含权利要求中的特征的任意组合，即使这些特征或组合本身并未明确地在权利要求或实施例中说明时也如此。
本专利申请要求德国专利申请10 2017 107 198.9的优先权，其公开内容通过参引结合于此。
附图标记表
1 半导体芯片
10 辐射透射面
2 半导体层序列
20 有源区
21 第一半导体层
22 第二半导体层
25 凹部
251 内部的凹部
252 环绕的凹部
27 粗糙部
28 半导体本体
29 衬底
3 金属增强层
31 晶种层
35 电端子
4 连接层
51 第一接触部
52 第二接触部
6 绝缘层
7 镜层
8 载体

Claims (15)

1.一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：
a)提供半导体层序列(2)，所述半导体层序列在衬底(29)上具有设为用于产生或用于接收辐射的有源区(20)；
b)构成至少一个凹部(25)，所述凹部延伸穿过所述有源区；
c)借助于电镀沉积在所述半导体层序列上构成金属增强层(3)，其中所述金属增强层完全地覆盖所述半导体层序列并且至少部分地填充所述凹部；以及
d)移除所述衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中在构成所述金属增强层之前构成晶种层(31)。
3.根据权利要求2所述的方法，
其中所述晶种层构成为镜层，或在构成所述晶种层之前，将镜层(7)施加到所述半导体层序列上。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述金属增强层形成所述半导体芯片的载体(8)，所述载体机械稳定所述半导体层序列。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，
其中在步骤c)之后将载体(8)固定在所述金属增强层的背离所述半导体层序列的侧上。
6.根据权利要求5所述的方法，
其中将所述载体借助于直接接合连接固定在所述金属增强层上。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中将所述金属增强层在背离所述半导体层序列的侧上平坦化。
8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述半导体芯片具有带有所述半导体层序列的半导体本体(28)。
9.根据权利要求8所述的方法，
其中所述至少一个凹部是内部的凹部(251)，所述内部的凹部在横向方向上完全由所述半导体本体的材料包围。
10.根据权利要求8或9所述的方法，
其中所述至少一个凹部是环绕的凹部(252)，所述环绕的凹部在横向方向上至少局部地环绕所述半导体本体。
11.根据权利要求10所述的方法，
其中所述金属增强层在所述环绕的凹部中与所述半导体本体电绝缘。
12.根据权利要求10所述的方法，
其中所述金属增强层在所述环绕的凹部中电接触所述半导体本体。
13.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，
其中将所述半导体本体在步骤c)之后和在步骤d)之后由所述半导体层序列形成。
14.一种光电子半导体芯片，包括：
-半导体本体(28)，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有设为用于产生或用于接收辐射的有源区(20)；
-至少一个凹部(25)，所述凹部延伸穿过所述有源区；
-金属增强层(3)，所述金属增强层完全覆盖所述半导体层序列并且至少部分地填充所述凹部；
其中所述半导体芯片没有所述半导体层序列的生长衬底，和其中(i)所述金属增强层形成所述半导体芯片的载体(8)，或(ii)在所述金属增强层的背离所述半导体本体的一侧上设置有载体(8)。
15.根据权利要求14所述的光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片是根据权利要求1至13中任一项制造的。
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