KR930005214A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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silicon wafer
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강성훈
김성태
박문규
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5A도 내지 제5D도는 본 발명의 일실시예를 설명하기 위한 공정 순서도.

Claims (11)

  1. 실리콘웨이퍼상에 유전체막을 형성하는 방법에 있어서, 실리콘웨이퍼를 리액터 안으로 로드시키는 단계와 상기 실리콘 웨이퍼상의 자연산화막을 질화시키기 위한 가스를 흘려주면서 온도를 램핑시키는 단계와 상기 자연산화막을 질화시키는 단계로 이루어진 공정과, 상기 질화된 자연산화막상에 유전체막을 형성하기 위해 유전체막 증착온도로 조절하는 단계와 유전체막을 중착시키는 단계와 유전체막이 증착된 실리콘웨이퍼를 리액테에서 꺼내는 단계로 이루어진 공정이 구비된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리콘웨이퍼상의 자연산화막을 질화시키기 위한 가스 NH3또는 NH3와 N2의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유전체막은 SiN막 또는 SiON막의 단일막이거나 SiN/SiON, SiON/SiN/SiON등의 복합막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실리콘웨이퍼를 리액터안으로 로드시키는 단계에서의 온도범위는 300℃∼800℃인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 실제적인 온도의 응용범위는 300℃∼600℃인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실리콘웨이퍼상의 자연산화막을 질화시키기 위한 가스를 흘려주면서 온도를 램핑시키는 단계에서의 온도범위는 600℃∼1100℃인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 실제적인 온도의 응용범위는 600℃∼900℃인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 유전체막을 증착시키는 은도범위는 600℃∼900℃인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 공정는 핫월 LPCVD시스템에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 공정은 자연산화막을 질화시키는 공정과 유전체막을 형성하는 공정을 핫월 LPCVD시스템의 동일한 리액터내에서 연속적으로 행하는 인사이튜 공정이거나 핫월 LPCVD시스템에서 자연산화막을 질화한 다음 다른 시스템으로 유전체막을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 유전체막은 게이트절연막, 패시베이션막 또는 소자분리영역형성시의 층간막등에 이용할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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