KR950007026A - 반도체 소자의 산화막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 산화막 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950007026A KR950007026A KR1019930016493A KR930016493A KR950007026A KR 950007026 A KR950007026 A KR 950007026A KR 1019930016493 A KR1019930016493 A KR 1019930016493A KR 930016493 A KR930016493 A KR 930016493A KR 950007026 A KR950007026 A KR 950007026A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sio
- oxide film
- layer
- semiconductor device
- forming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 산화막 형성방법에 관한 기술로, 실리콘 기판상에 저압 화학 기상 증착법으로 Si를 과잉 포함하고 있는 SiO2(Si-rich-Sio2)층을 형성시킨 후 고온의 N2O 분위기에서 열처리하여 Si-rich-Sio2층을 균일한 분포로 질화시켜 절연 강도 및 계면특성이 향상되도록 한 반도체 소자의 산화막 형성방법에 관해 기술되어 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도 는 본 발명에 따른 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 공정을 설명하기 위한 단면도,
제2A 및 제2B도는 본 발명의 제1실시예를 설명하기 위한 단면도,
제3도는 본 발명의 제2실시예를 설명하기 위한 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 산화막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1) 상에 Si-rich-Sio2층(2)을 N2O 가스 및 SiH4가스를 사용하여 저압 화학 기상 증착법으로 형성한 후 고온의 N2O 분위기에서 열처리하여 Si3N4및 SiO2가 혼합된 형태의 산화막(3)을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, Si-rich-Sio2층(2)을 형성하기전에 SiO2층(4)을 상기 실리콘 기판(1)상에 먼저 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Si-rich-Sio2층(2)을 형성하기전에 SiO2층(4)을 상기 실리콘 기판(1) 상에 형성하고, 상기 Si-rich-Sio2층(2)을 SiH4에 대한 N2O의 가스비를 다단계로 조절한 분위기에서 형성한 후 상기 Si-rich-Sio2층(2) 상부에 다시 SiO2층(4)을 형성한 다음 고온의 N2O 분위기에서 열처리하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR93016493A KR960012629B1 (en) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | Oxide film forming method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR93016493A KR960012629B1 (en) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | Oxide film forming method of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950007026A true KR950007026A (ko) | 1995-03-21 |
| KR960012629B1 KR960012629B1 (en) | 1996-09-23 |
Family
ID=19361864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR93016493A KR960012629B1 (en) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | Oxide film forming method of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960012629B1 (ko) |
-
1993
- 1993-08-25 KR KR93016493A patent/KR960012629B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960012629B1 (en) | 1996-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920007116A (ko) | 내층 절연막 형성방법 | |
| KR960019581A (ko) | 집적회로용 절연체와 그 제조 공정 | |
| KR890011081A (ko) | 집적회로 제조방법 | |
| KR970703443A (ko) | 집적 회로의 저온 플라즈마-증착 방법(Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits) | |
| KR940006197A (ko) | 반도체장치의 콘택부 형성방법 | |
| KR890012363A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR950007026A (ko) | 반도체 소자의 산화막 형성방법 | |
| KR940012532A (ko) | 반도체 장치 및 제조방법 | |
| KR900017144A (ko) | 콜드웰 cvd 반응기에서의 티타늄 질화물 증착장치 및 그 방법 | |
| KR970063761A (ko) | 피막 제조 방법 | |
| KR100309125B1 (ko) | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법 | |
| KR970003719A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR980005419A (ko) | 소자내의 표면 상태 패시베이션 촉진 방법 | |
| KR980005677A (ko) | 반도체 소자의 실리사이드 형성방법 | |
| KR900013587A (ko) | 고융점금속 규화물박막을 가진 반도체장치의 제조방법 | |
| KR930018676A (ko) | 게이트절연막 형성방법 | |
| KR960039194A (ko) | 평탄화 절연막 형성방법 | |
| KR930003242A (ko) | Mos 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR870009448A (ko) | 박막형성방법 | |
| KR940021758A (ko) | 텅스텐 박막의 증착 방법 | |
| KR970072188A (ko) | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법 | |
| KR930005214A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR890011056A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR950021102A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960002472A (ko) | 화학기상증착법에 의한 산화막 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100825 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |