KR930022589A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 제조방법Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 2
- 229920004880 RTP PEK Polymers 0.000 claims 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
본 발명은 듀얼게이트를 갖는 MOS디바이스의 P형 폴리게이트에서의 붕소이온의 침투를 억제하는 반도체장치의 관한 것으로, P형 게이트를 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 P형 게이트 반도체기판상에 옥시나이트라인층을 형성하고 그 위에 비정질 실리톤층과 폴리 실리콘층을 연속으로 형성한 후 상기 옥시 나이트 라이드층과 비정질실리콘층 및 폴리실리콘층을 게이트패턴으로 패터닝한 다음 붕소 또는 붕소화합물을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하면 반도체 디바이스의 안정화를 도모한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 P형 게이트형성방법을 도시한 공정순서도.
Claims (3)
- P형 게이트를 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기P형 게이트는 반도체기판상에 옥시나이트라이드층을 형성하고 그 위에 비정질실리콘층과 폴리실리콘층을 연속적으로 형성한 후 상기 옥시나이트라이드층과 비정질실리콘층 및 폴리실리콘층을 게이트패턴으로 패터닝한 다음 붕소 또는 붕소화합물을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 옥기나이트라이드층은 RTP장비내에서 O2+N2O또는 N2O에 의한 산화에 의한 산화에 의해 산화에 의해 형성하는 것을 특징으로 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질실리콘층과 폴리실리콘층을 연속적으로 형성하는 공정은 인사이튜로 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920007287A KR100224650B1 (ko) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920007287A KR100224650B1 (ko) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | 반도체장치의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930022589A true KR930022589A (ko) | 1993-11-24 |
| KR100224650B1 KR100224650B1 (ko) | 1999-10-15 |
Family
ID=19332505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920007287A KR100224650B1 (ko) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | 반도체장치의 제조방법 |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR100224650B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100345662B1 (ko) * | 1995-12-16 | 2002-11-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의게이트절연막형성방법 |
| KR100361537B1 (ko) * | 1995-12-27 | 2003-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
| US6699776B2 (en) | 1998-12-22 | 2004-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOSFET gate insulating film and method of manufacturing the same |
-
1992
- 1992-04-29 KR KR1019920007287A patent/KR100224650B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100345662B1 (ko) * | 1995-12-16 | 2002-11-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의게이트절연막형성방법 |
| KR100361537B1 (ko) * | 1995-12-27 | 2003-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
| US6699776B2 (en) | 1998-12-22 | 2004-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOSFET gate insulating film and method of manufacturing the same |
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