KR920022504A - 대규모 집적 회로를 위한 도전체 트랙의 구성 - Google Patents

대규모 집적 회로를 위한 도전체 트랙의 구성 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

대규모 집적 회로를 위한 도전체 트랙의 구성
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 및 제3도는 본 발명에 일치하는 2개의 다른 실시예의 도전체 트랙의 구조를 개략적으로 도시한 상면 단면도.

Claims (11)

  1. 대규모 집적 회로를 위한 도전체 트랙의 구성에 있어서, 본질적으로 제1방향으로 확장된 적어도 2개의 아래의 도전체 트랙들과, 상기 아래의 도전체 트랙들의 위에 본질적으로 제1방향으로 확장된 적어도 2개의 위의 도전체 트랙들과, 상기의 세그먼트를 사이에 갭으로 정의되는 세그먼트를로 세분화되는 상기 아래의 도전체 트랙들의 각 도전체 트랙과, 상기 하나의 세그먼트위에 배치된 상기 위의 도전체 트랙으로 인도하는 하나의 접촉부를 갖는 상기 세그먼트들의 각각의 세그먼트와, 그리고 제2방향에 있는 적어도 상기 접촉부들 중의 하나의 부근에 있는 상기 갭들 중의 하나를 갖는 상기 세그먼트를에 인접한 상기 아래의 도전체 트랙들을 포함하는 것을 특징으로 하는 대규모 집적 회로를, 위한 도전체 트랙의 구성.
  2. 제1항에 있어서, 연속적인 셀 필드들과, 확장된 상기의 도전체 트랙들의 각각을 통하여 삽입된 결선 필드들과, 그리고 상기 결선 필드에 유일하게 배치되는 상기의 갭들과 상기의 접촉부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전체 트랙의 구성.
  3. 제2항에 있어서, 상기의 결선 필드들은 제1결실 필드 및 제1방향으로 상기 제1결선 필들뒤에 있는 제2결선 필드를 갖고, 상기의 아래의 도전체 트랙들은 홀수 및 짝수의 아래의 도전체 트랙들을 갖고, 상기의 결선 필드에서, 상기 짝수의 아래의 도전체 트랙들의 각각은 상기 갭들중의 하나를 갖고 상기 홀수의 아래의 도전체 트랙들의 각각은 상기 홀수의 아래의 도전체 트랙위에 배치된 상기 위의 도전체 트랙으로 인도하는 상기 접촉부를 중 한 집촉부를 갖고, 그리고 상기 제2결선 필드에서 모든 짝수의 아래의 도전체 트랙은 상기 접촉부들 중 하나의 접촉부를 갖고 모든 홀수의 아래의 도전체 트랙은 상기 갭들 중 하나의 갭을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전체 트랙의 구성.
  4. 제2항에 있어서, 상기 갭들의 각각은 상기 결선 필드들 중의 하나의 바람직한 부분을 거쳐 확장되는 것을 특징으로 하는 도전체 트랙의 구성.
  5. 제3항에 있어서, 상기 갭들의 각각은 상기 결선 필드들 중의 하나의 바람직한 부분을 거쳐 확장되는 것을 특징으로 하는 도전체 트랙의 구성.
  6. 제1항에 있어서, 인접한 접촉부들은 스태거된 구조를 형성하는 것에 의해 서로 차단되는 것을 특징으로 하는 도전체 트랙의 구성.
  7. 제1항에 있어서, 각각 인접하여 3번 꺽인 접속부들은 3번 스태거된 구조를 형성하도록 서로 스태거되는 것을 특징으로 하는 도전체 트랙의 구성.
  8. 제1항에 있어서, 상기의 아래의 도전체 트랙들은 상기의 접촉부들에 인접한 접촉 영역으로 확장되는 것을 특징으로 하는 도전체 트랙의 구성.
  9. 제1항에 있어서, 상기의 위의 도전체 트랙들은 상기 접촉부들에 인접한 접촉 영역으로 확장되는 것을 특징으로 하는 도전체 트랙의 구성.
  10. 제1항에 있어서, 상기의 위 및 아래의 도전체 트랙들은 상기 접촉부들에 인접한 접촉 영역으로 화장되는 것을 특징으로 하는 도전체 트랙의 구성.
  11. 제1항에 있어서, 상기의 아래 및 위의 도진체 트랙들은 굽은 코스를 갖는것을 특징으로하는 도전체 트랙의 구성.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920008204A 1991-05-15 1992-05-15 초대규모 집적 회로를 위한 도전체 트랙 구조 KR100279954B1 (ko)

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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3122297B2 (ja) * 1993-12-28 2001-01-09 株式会社東芝 半導体装置
JPH08306774A (ja) * 1995-05-01 1996-11-22 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6577007B1 (en) * 1996-02-01 2003-06-10 Advanced Micro Devices, Inc. Manufacturing process for borderless vias with respect to underlying metal
JPH1092714A (ja) * 1996-09-11 1998-04-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US8350309B2 (en) 1998-03-30 2013-01-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory
US6353242B1 (en) 1998-03-30 2002-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory
JP4008629B2 (ja) * 1999-09-10 2007-11-14 株式会社東芝 半導体装置、その設計方法、及びその設計プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US6522011B1 (en) * 2000-08-15 2003-02-18 Micron Technology, Inc. Low capacitance wiring layout and method for making same
DE10126566C1 (de) * 2001-05-31 2002-12-05 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung
DE10259634B4 (de) * 2002-12-18 2008-02-21 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung von Kontakten auf einem Wafer
US7709888B2 (en) * 2004-09-29 2010-05-04 Panasonic Corporation Semiconductor device
JP4599375B2 (ja) * 2007-07-17 2010-12-15 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ
JP4770930B2 (ja) * 2009-01-21 2011-09-14 ソニー株式会社 クロスポイント型半導体メモリ装置及びその製造方法
JP5571030B2 (ja) 2011-04-13 2014-08-13 株式会社東芝 集積回路装置及びその製造方法
US8441127B2 (en) * 2011-06-29 2013-05-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bump-on-trace structures with wide and narrow portions
US20130026641A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 United Microelectronics Corp. Conductor contact structure and forming method, and photomask pattern generating method for defining such conductor contact structure
US9184111B2 (en) * 2013-11-09 2015-11-10 Delta Electronics, Inc. Wafer-level chip scale package
US9911693B2 (en) 2015-08-28 2018-03-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices including conductive lines and methods of forming the semiconductor devices
US9754872B1 (en) * 2016-05-16 2017-09-05 Micron Technology, Inc. Assemblies having shield lines of an upper wiring level electrically coupled with shield lines of a lower wiring level
US10304771B2 (en) 2017-03-10 2019-05-28 Micron Technology, Inc. Assemblies having shield lines of an upper wiring layer electrically coupled with shield lines of a lower wiring layer
WO2017200639A1 (en) * 2016-05-16 2017-11-23 Micron Technology, Inc. Assemblies having shield lines of an upper wiring level electrically coupled with shield lines of a lower wiring level
US10818729B2 (en) * 2018-05-17 2020-10-27 Macronix International Co., Ltd. Bit cost scalable 3D phase change cross-point memory

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0048610B1 (en) * 1980-09-22 1986-01-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and its manufacture
JP2511415B2 (ja) * 1986-06-27 1996-06-26 沖電気工業株式会社 半導体装置
JPS6344742A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2765583B2 (ja) * 1988-10-20 1998-06-18 株式会社リコー 半導体メモリ装置
JPH0379059A (ja) * 1989-08-22 1991-04-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2856778B2 (ja) * 1989-09-07 1999-02-10 株式会社東芝 半導体装置の配線構造

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EP0513715A1 (de) 1992-11-19
JP3129836B2 (ja) 2001-01-31
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DE59209852D1 (de) 2000-08-31
EP0513715B1 (de) 2000-07-26

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