KR920020632A - 드라이에칭 방법 및 드라이에칭 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 고진공 고속배기형의 마이크로파 플라즈마 에칭장치의 개략단면도,
제2도는 본 발명에 관한 고진공 고속배기형의 마이크로파 플라즈마 에칭장치를 이용한 Si 에칭에 있어서의 가스유량과 에칭속도의 관계를 나타낸 도,
제3도는 본 발명에 관한 고진공 고속배기형의 마이크로파 플라즈마 에칭장치를 이용한 Si 에칭에 있어서의 가스압력과 언더커트량의 관계를 나타낸 도.
Claims (74)
- 플라즈마 방전하는 기구, 가스도입구, 가스배기구를 가지고 피처리물을 진공처리실내의 ECR 포지션 이외의 장소에 유지하는 수단, 가스도입구로부터 진공처리실내에 가스를 도입하는 수단, 그 가스에 의하여 방전부에 가스플라즈마를 발생시키기 위하여 전자파를 도입하는 수단, 그 가스 플라즈마 및 이에 의하여 발생하는 가스를 가스배기구를 통하여 진공처리실로부터 실효배기 속도500ℓ/sec 이상으로 배기하는 수단을 가지는 피처리물을 처리하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전자파 도입수단은 마이크로파 도입수단인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 에칭용 가스를 도입하는 수단은, 에칭용 가스배관과 에칭용 가스배관의 선단가스도입구와, 상기 에칭용가스의 유량조정기와 그 에칭용 가스가 그 진공처리실내에 도입될 때의 유속을 제어하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 유속을 제어하는 수단은, 가스도입구부에 설치된 완층부인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가스도입구는 복수의 구멍을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 에칭용 가스배관은 복수이고, 상기 진공처리실의 중심축에 대하여 실질적으로 대칭으로 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가스도입구는 실질적으로 상기 진공처리실의 중심축을 향하여 배치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 진공처리실내를 배기하는 수단은 배기속도가 2000ℓ/sec이상의 성능을 가지는 배기펌프인 것을 특징으로 하는 프라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 배기펌프는 터보분자 펌프인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 배기 콘덕턴스를 가변으로 하여 실효배기속도를 변화시키는 수단은 배기부에 설치한 콘덕턴스 밸브인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 배기수단은 가스의 배기속도를 변화시키는 가변 제어밸브를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 피처리물을 지공처리실내에 설치하고, 진공처리실에 가스를 도입하고, 그 가스를 플라즈마 방전하고, 그 가스플라즈마로 피처리물을 처리하고, 그 가스를 총실효배기속도 800ℓ/sec이상의 배기수단으로 배기하는 것을 특징으로 하는 프라즈마 처리방법.
- 제12항에 있어서, 상기 배기시에 실효배기속도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제12항에 있어서, 상기 처리는 적어도 15nm/min 이상의 에칭속도로 에칭을 행하는 처리로, 가스의 배기를 실효배기속도 500ℓ/sec이상 처리실내의 가스체재시간을 300msec 이내로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제12항에 있어서, 상기 가스공|급은 처리실내 가스압력 5mTorr 이하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방|법.
- 제12항에 있어서, 상기 가스공|급은 처리실내 압력이 1mTorr 이하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방|법.
- 제12항에 있어서, 상기 가스배|기는 처리실내 가스체재시간이 100msec 이하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 |처리방법.
- 제12항에 있어서, 상기 가스도|입은 처리실내 가스유속이 음속의 1/3 이하로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리|방법.
- 제12항에 있어서, 상기 가스공|급은 처리실내 가스압력이 0.5mTorr 이하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리|방법.
- 제12항에 있어서, 상기 가스배|기는 처리실내 가스체재 시간이 50msec 이하로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처|리방법.
- 제12항에 있어서, 상기 가스공|급은 처리실내에 공급되는 가스유량이 40sccm 이상으로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라|즈마 처리방법.
- 제12항에 있어서, 상기 가스배|기는 실효배기속도 1300ℓ/sec 이상으로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방|법.
- 제12항에 있어서, 상기 가스배|기는 실효배기속도 2000ℓ/sec 이상으로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방|법.
- 제12항에 있어서, 상기 가스공|급은 처리실내에 공급되는 가스유량이 100sccm 이상으로 행해지는 것을 특징으로 하는 플|라즈마 처리방법.
- 제1항에 있어서, 플라즈마의 |해리를 촉진하는 저장인가 수단을 가지는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 자장파 도입|수단이, 고주파 도입수단인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 플라즈마 방전하는 기구, 가스도입구, 가스배기구를 가지고, 피처리물을 진공처리실내에 유지하는 수단,가스도입구로부터 진공처리실내에 가스를 투입하는 수단, 그 가스에 의하여 방전부에 가스플라즈마를 발생시키기위하여 전자파를 도입하는 수단, 그 가스플라즈마 및 이에 의하여 발생하는 가스를 가스배기구를 통하여 진공처리실로부터 실효배기속도 800ℓ/sec 이상으로 배기하는 수단을 가지는 피처리물을 처리하는 플라즈마 처리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 전자파 |도입수단은 마이크로파 도입수단인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 에칭용 가스를 도입하는 수단은 에칭용 가스배관과 에칭용 가스배관의 선단가스도입구와, 상기 에칭용가스의 유량조정기와 그 에칭용 가스가 그 진공처리실내에 도입될 때의 유속을 제어하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 유속을 제어하는 수단은, 가스도입구부에 설치된 완층부인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 가스도|입구는 복수의 구멍을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 에칭용 가스배관은 복수이고, 상기 진공처리실의 중심축에 대하여 실질적으로 대칭으로 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 가스도입구는 실질적으로 상기 진공처리실의 중심축을 향하여 배기하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 진공처리실내를 배기하는 수단은 배기속도가 2000ℓ/sec이상의 성능을 가지는 배기펌프인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 배기펌|프는 터보분자 펌프인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 배기 |콘덕턴스를 가변으로 하여 실효배기속도를 변화시키는 수단은 배기부에 설치한 콘덕턴스 밸|브인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 배기수단은 가스의 배기속도를 변화시키는 가변제어 밸브를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 플라즈마 방전하는 기구, 가스도입구, 가스배기구를 가지고, 피처리물을 진공처리실내에 유지하는 수단, 가스도입구로부터 진공처리실내에 가스를 도입하는 수단, 그 가스에 의하여 방전부에 가스플라즈마를 발생시키기 위하여, 전자파를 도입하는 수단, 그 가스프로세즈마 및 이에 의하여 발생하는 가스를 가스배기구를 통하여 진공처리실로부터 실효배기속도 500ℓ/sec 이상으로 배기하는 수단을 가지고 가스체재시간을 300msec 이하로 하는 피처리물을 처리하는 플라즈마 처리장치.
- 플라즈마 방전하는 기구, 가스도입구, 가스배기구를 가지고, 피처리물을 진공처리실내에 유지하는 수단,가스도입구로부터 진공처리실내에 가스를 도입하는 수단, 그 가스에 의하여 방전부에 가스플라즈마를 발생시키기 위하여, 전자파를 도입하는 수단, 상기 가스플라즈마 및 이에 의하여 발생하는 가스를 가스 배기구를 통하여 진공처리실로부터, 실효배기속도 800ℓ/sec 이상으로 배기하는 수단을 가지고 가스압력을 5mTorr 이하로 하는 피처리물을 처리하는 플라즈마 처리장치.
- 플라즈마 방전하는 기구, 가스도입구, 가스배기구를 가지고, 피처리물을 진공처리실내에 ECR 포지션 이외의 장소에 유지하는 수단, 가스도입구로부터 진공처리실내에 가스를 도입하는 수단, 그 가스에 의하여 방전부에 가스플라즈마를 발생시키기 위하여, 전자파를 도입하는 수단, 상기 가스플라즈마 및 이에 의하여 발생하는 가스를 가스배기구를 통하여 진공처리실로부터, 실효배기속도 500ℓ/sec 이상으로 배기하는 수단을 가지는 피처리물을 처리하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 배기시|에 실효배기속도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 처리는 적어도 15nm/min 이상의 에칭속도로 에칭을 행하는 처리로, 가스의 배기를 실효배기속도 500ℓ/sec 이상, 처리실내의 가스체재 시간을 300msec 이내로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스공급은 처리실내 가스압력 5mTorr 이하로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스공급은 처리실내 가스 압력이 1mTorr 이하로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스배기는 처리실내 체재시간이 100msec 이하로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스도입은 처리실내 가스유속이 음속의 1/3이하로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스공급은 처리실내 가스압력이 0.5mTorr 이하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스배기는 처리실내 체재시간이 50msec 이하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스공급은 처리실내에 공급되는 가스유량이 40sccm이상에서 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스배기는 실효배기속도 2000ℓ/sec 이상으로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스배기는 실효배기속도 2000ℓ/sec 이상으로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제40항에 있어서, 상기 가스공급은 처리실내에 공급되는 가스유량이 100sccm 이상으로 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 플라즈마 방전하는 기구, 가스도입구, 가스배기구를 가지고, 피처리물을 진공처리실내에 유지하는 수단, 가스도입구로부터 진공처리실내에 가스를 도입하는 수단, 그 가스에 의하여 방전부에 플라즈마를 발생시키기 위하여 전자파를 도입하는 수단, 그 가스플라즈마 및 이에 의하여 발생하는 가스를 가스배기구를 통하여 진공처리실로부터, 실효배기속도 800ℓ/sec 이상으로 배기하는 수단을 가지고, 에칭속도가 50nm/min 이상으로 하는 피처리물을 처리하는 플라즈마 처리방법.
- 플라즈마 방전하는 기구, 가스도입구, 가스배기구를 가지고, 피처리물을 진공처리실내에 유지하는 수단, 가스도입구로부터 진공처리실내에 가스를 도입하는 수단, 그 가스에 의하여 방전부에 가스플라즈마를 발생시키기 위하여, 전자파를 도입하는 수단, 그 가스플라즈마 및 이에 의하여 발생하는 가스를 가스배기구를 통하여 진공처리실로부터, 실효배기속도 500ℓ/sec 이상으로 배기하는 수단을 가지고, 에칭속도가 50nm/min 이상으로 가스체재시간을 300msec 이하로 하는 피처리물을 처리하는 플라즈마 처리방법.
- 플라즈마 방전하는 기구, 가스도입구, 가스배기구를 가지고, 피처리물을 진공처리실내에 유지하는 수단, 가스도입구로부터 진공처리실내에 가스를 도입하는 수단, 그 가스에 의하여 방전부에 가스플라즈마를 발생시키기 위하여, 전자파를 도입하는 수단, 그 가스플라즈마 및 이에 의하여 발생하는 가스를 가스배기구를 통하여 진공처리실로부터 실효배기속도 800ℓ/sec 이상으로 배기하는 수단을 가지고, 가스압력 5mTorr 이하로 하여 피처리물을 처리하는 플라즈마 처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 진공처|리실의 높이와 폭의 비는 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제25항에 있어서, 상기 진공처|리실의 높이와 폭의 비는 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가스도|입구는 상기 진공처리실의 상부로부터 1/3이내의 높이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 |플라즈마 처리장치.
- 제25항에 있어서, 상기 가스도입구는 상기 진공처리실의 상부로부터 1/3이내의 높이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 에칭용 |가스의 유량조정기는 40sccm 이상의 유량조정기능을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 |처리장치.
- 제25항에 있어서, 상기 에칭용 |가스의 유량조정기는 40sccm 이상의 유량조정기능을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 |처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 시료대|는 평면상의 테이블형이고, 표면적이 500㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장|치.
- 제25항에 있어서, 상기 시료대|는 평면상의 테이블형이고, 표면적이 500㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장|치.
- 제1항에 있어서, 상기 진공처|리실에 에칭용가스를 도입하는 수단은 100sccm 이상의 유량조정기능을 가지는 것을 특징으|로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제25항에 있어서, 상기 진공처|리실에 에칭용가스를 도입하는 수단은 100sccm 이상의 유량조정기능을 가지는 것을 특징으|로 하는 플라즈마 처리장치.
- 상기 가스배기수단은, 동일진|공처리실에 설치된 복수개의 펌프로 이루어지는 것을 특징으로 하고, 그 펌프와 진공처리실|을 접속하는 배기구가 웨이퍼 중심축에 대하여 축대조로 배치되는 것을 특징으로 하는 플라|즈마 처리장치.
- 상기 복수개의 펌프는 단체(單|體)의 배기속도가 500ℓ/sec 이상의 배기펌프이고, 또 모든 펌프의 배기속도의 총합이 2000|ℓ/sec 이상이 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가스배|기수단은 동일 진공처리실에 복수개의 펌프로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처|리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 가스배|기수단은 동일 진공처리실에 복수개의 펌프로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처|리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 복수개|의 펌프는 웨이퍼 중심축에 대하여 축대조로 설치되고, 그 펌프와 진공처리실을 접속하는 |배기구가 웨이퍼 중심축에 대하여 축대조적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처|리장치.
- 제27항에 있어서, 상기 복수개의 펌프는 웨이퍼 중심축에 대하여 축대조로 설치되고, 그 펌프와 진공처리실을 접속하는 배기구가 웨이퍼 중심축에 대하여 축대조적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 실효배|기속도(SO)는 복수대의 배기펌프의 배기속도(Sl)로부터 Sn(n은 펌프의 대수를 나타내는 수|치)과 진공처리실의 배기콘덕턴스(C)에 의하여 다음식으로 표시되고, 또한 상기 실효배기속|도(SO)가 펌프배기속도의 총합의 2/3 이상이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처|리장치.
- 제25항에 있어서, 상기 실효배|기속도(SO)는 복수대의 배기펌프의 배기속도(Sl)로부터 Sn(n은 펌프의 대수를 나타내는 수|치)과 진공처리실의 배기콘덕턴스(C)에 의하여 다음식으로 표시되고, 또한 상기 실효배기속|도(SO)가 펌프배기속도의 총합의 2/3 이상이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처|리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 방전부|의 크기는 상단과 하단의 직경을 변화시켜 하단부 직경이 상단부 직경보다 크고, 그 하단부|는 에칭식의 웨이퍼의 높이보다 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 |것임.
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