JPH0249977A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
- Publication number
- JPH0249977A JPH0249977A JP20094188A JP20094188A JPH0249977A JP H0249977 A JPH0249977 A JP H0249977A JP 20094188 A JP20094188 A JP 20094188A JP 20094188 A JP20094188 A JP 20094188A JP H0249977 A JPH0249977 A JP H0249977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- vacuum chamber
- chamber
- vacuum pump
- pump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に使用される真空装置に関す
る。
る。
従来、この種の真空装置は真空室を高真空に排気するた
め、１台の気体凝縮型真空ポンプを用いていた。
め、１台の気体凝縮型真空ポンプを用いていた。
上述した従来の真空室内部の排気は真空ポンプ上部の口
径もしくは排気管によってその断面積の大小によって時
間当りの排気量が決定される。特に排気する気体中に水
分が含まれている場合には真空排気に長時間必要とし設
備の稼動効率を著しく低下させるばかりでなく、真空ポ
ンプの寿命、あるいは排気特性を悪化させるという欠点
がある。
径もしくは排気管によってその断面積の大小によって時
間当りの排気量が決定される。特に排気する気体中に水
分が含まれている場合には真空排気に長時間必要とし設
備の稼動効率を著しく低下させるばかりでなく、真空ポ
ンプの寿命、あるいは排気特性を悪化させるという欠点
がある。
本発明の目的は前記課題を解決した真空装置を提供する
ことにある。
ことにある。
上述した従来の真空装置に対し、本発明は排気に時間の
かかる気体を凝縮させることで真空到達時間を短縮させ
るという相違点を有する。
かかる気体を凝縮させることで真空到達時間を短縮させ
るという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る真空装置におい
ては、真空チャンバ内を真空排気する気体凝縮型真空ポ
ンプと、真空チャンバの真空排気立上り時に主として水
分を凝縮吸着しつつ真空排気する補助の気体凝縮型真空
ポンプとを有するものである。
ては、真空チャンバ内を真空排気する気体凝縮型真空ポ
ンプと、真空チャンバの真空排気立上り時に主として水
分を凝縮吸着しつつ真空排気する補助の気体凝縮型真空
ポンプとを有するものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
図において、本発明は真空チャンバ１内を真空排気する
気体凝縮型真空ポンプ２と、真空チャンバ１の真空排気
立上り時に主として水分を凝縮吸着しつつ真空排気する
補助の気体凝縮型真空ポンプ３とを有し、メインとなる
気体凝縮型真空ポンプ２を排気管４を介して真空チャン
バ１に連結するとともに、補助の気体凝縮型真空ポンプ
３を真空チャンバ１の真空吸込口１ａに直接連結したも
のである。５はロータリポンプである。
気体凝縮型真空ポンプ２と、真空チャンバ１の真空排気
立上り時に主として水分を凝縮吸着しつつ真空排気する
補助の気体凝縮型真空ポンプ３とを有し、メインとなる
気体凝縮型真空ポンプ２を排気管４を介して真空チャン
バ１に連結するとともに、補助の気体凝縮型真空ポンプ
３を真空チャンバ１の真空吸込口１ａに直接連結したも
のである。５はロータリポンプである。
本発明によれば、真空チャンバ１の真空排気立上り時に
主として水分を凝縮吸着するため、真空チャンバ内が所
要の真空度に到達する時間を大巾に短縮することができ
る。
主として水分を凝縮吸着するため、真空チャンバ内が所
要の真空度に到達する時間を大巾に短縮することができ
る。
ところで、真空チャンバ１内の気体は排気管４を介して
メインの気体凝縮型真空ポンプ２に導かれるので、真空
チャンバ１の真空到達時間は排気管４を通過する量によ
って決定されている。さらにメインの気体凝縮型真空ポ
ンプ２は気体の蒸気圧以下の温度に低下させ凝縮したガ
スを吸着する原理を用いるため、それぞれの気体凝縮温
度に応じた冷却機構と冷却板を有することとなり、排気
性能を向上させるためには大型のものが必要である。そ
こで、本発明は真空チャンバ１に小型の気体凝縮型真空
ポンプ３を設け、比較的蒸気圧の高い気体を主に排気す
ることで短時間で所要の真空に達することを可能とし、
メインポンプ２の排気寿命も延長させることも合せて可
能にさせる。
メインの気体凝縮型真空ポンプ２に導かれるので、真空
チャンバ１の真空到達時間は排気管４を通過する量によ
って決定されている。さらにメインの気体凝縮型真空ポ
ンプ２は気体の蒸気圧以下の温度に低下させ凝縮したガ
スを吸着する原理を用いるため、それぞれの気体凝縮温
度に応じた冷却機構と冷却板を有することとなり、排気
性能を向上させるためには大型のものが必要である。そ
こで、本発明は真空チャンバ１に小型の気体凝縮型真空
ポンプ３を設け、比較的蒸気圧の高い気体を主に排気す
ることで短時間で所要の真空に達することを可能とし、
メインポンプ２の排気寿命も延長させることも合せて可
能にさせる。
第２図は本発明の小型気体凝縮型真空ポンプ３の構造を
示したもので、１段目の冷却機構３ａと、シェブロンバ
ッフル３ｂと、冷凍機３Ｃと、冷却板３ｄと、水分を吸
着させる活性炭３ｅとからなる。該真空ポンプ３の構造
は気体の中でも比較的蒸気圧の高い分子を凝縮させるこ
とを目的とした構造を持たせ、冷却板３ｄは表面積を広
げるため、波板状になっており、その中心側には活性炭
３ｅを貼付けた形状を有している。また冷却機構部は蒸
気圧の高い分子を凝縮させることを目的としたため、従
来の構造をより簡素にした単独のシリンダ機構で冷却で
き、小型でしかも安価に製作できるものである。
示したもので、１段目の冷却機構３ａと、シェブロンバ
ッフル３ｂと、冷凍機３Ｃと、冷却板３ｄと、水分を吸
着させる活性炭３ｅとからなる。該真空ポンプ３の構造
は気体の中でも比較的蒸気圧の高い分子を凝縮させるこ
とを目的とした構造を持たせ、冷却板３ｄは表面積を広
げるため、波板状になっており、その中心側には活性炭
３ｅを貼付けた形状を有している。また冷却機構部は蒸
気圧の高い分子を凝縮させることを目的としたため、従
来の構造をより簡素にした単独のシリンダ機構で冷却で
き、小型でしかも安価に製作できるものである。
第３図は小型気体凝縮型真空ポンプ３のクールダウン時
間と到達真空時間を示す図、第４図はその排気速度を示
す図である。本発明の小型気体凝縮型真空ポンプ３はク
ールダウンも早く蒸気圧の高い気体分子等の排気速度が
大きいので、真空チャンバの排気開始時の立上り専用と
してメインポンプ２と併用することにより真空チャンバ
の到達真空排気時間を大巾に短縮させると共にメインポ
ンプの寿命を延長できる。
間と到達真空時間を示す図、第４図はその排気速度を示
す図である。本発明の小型気体凝縮型真空ポンプ３はク
ールダウンも早く蒸気圧の高い気体分子等の排気速度が
大きいので、真空チャンバの排気開始時の立上り専用と
してメインポンプ２と併用することにより真空チャンバ
の到達真空排気時間を大巾に短縮させると共にメインポ
ンプの寿命を延長できる。
以上説明したように本発明は真空チャンバ内の主として
水分を凝縮吸着しつつ真空排気する補助の気体凝縮型真
空ポンプを装備したので、短時間で高真空排気を行うこ
とができる効果がある。
水分を凝縮吸着しつつ真空排気する補助の気体凝縮型真
空ポンプを装備したので、短時間で高真空排気を行うこ
とができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は本発
明における補助の気体凝縮型真空ポンプを示す断面図、
第３図は真空ポンプのクールダウン時間と到達真空時間
との関係を示す特性図、第４図は排気速度を示す特性図
である。
明における補助の気体凝縮型真空ポンプを示す断面図、
第３図は真空ポンプのクールダウン時間と到達真空時間
との関係を示す特性図、第４図は排気速度を示す特性図
である。
Claims (1)
- （１）真空チャンバ内を真空排気する気体凝縮型真空ポ
ンプと、真空チャンバの真空排気立上り時に主として水
分を凝縮吸着しつつ真空排気する補助の気体凝縮型真空
ポンプとを有することを特徴とする真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20094188A JPH0249977A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20094188A JPH0249977A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249977A true JPH0249977A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16432843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20094188A Pending JPH0249977A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249977A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000299312A (ja) * | 1991-04-04 | 2000-10-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2000299311A (ja) * | 1991-04-04 | 2000-10-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP20094188A patent/JPH0249977A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000299312A (ja) * | 1991-04-04 | 2000-10-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2000299311A (ja) * | 1991-04-04 | 2000-10-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
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