KR920018886A - 반도체기판 평가방법 및 그 장치 - Google Patents

반도체기판 평가방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR920018886A
KR920018886A KR1019920004903A KR920004903A KR920018886A KR 920018886 A KR920018886 A KR 920018886A KR 1019920004903 A KR1019920004903 A KR 1019920004903A KR 920004903 A KR920004903 A KR 920004903A KR 920018886 A KR920018886 A KR 920018886A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor substrate
light
substrate
etching
evaluation method
Prior art date
Application number
KR1019920004903A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960006194B1 (ko
Inventor
모리야 미야시타
모쿠지 가게야마
하치로 히라츠카
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아오이 죠이치, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 아오이 죠이치
Publication of KR920018886A publication Critical patent/KR920018886A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960006194B1 publication Critical patent/KR960006194B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination

Abstract

내용 없음

Description

반도체기판 평가방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 장치의 평면도.
제2도는 제1도에 도시한 장치의 동작플로차트.
제3도는 웨이퍼표면상의 미림자와 결함을 구별하기 위한 플로차트.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 따른 장치의 단면도.

Claims (19)

  1. 반도체기판을 에칭하는 에칭공정과, 이 에칭공정에서 에칭한 상기 반도체기판의 표면에 광선이나 전자선 등의 빔을 조사하여 상기 기판의 표면에서 상기 빔의 반사빔을 받아들이는 검사공정 및, 임의의 에칭량에 대한 제1반사빔과 임의의 다른 에칭량에 대한 제2반사빔과의 관계로부터 상기 반도체기판을 평가하는 평가공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 빔으로서 레이저광을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 빔으로서 전자선을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 에칭공정에서는 pH8이상의 알칼리성 수용액을 이용하여 상기 반도체기판을 에칭하는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 평가공정에서는 상기 제1 및 제2반사빔의 강도를 비교하여 평가를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 검사공정에서는 상기 제1 및 제2반사빔으로서 산람빔을 받아들이는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 검사공정에서는 상기 빔을 상기 기판의 복수의 미소점에 차례로 조사하여, 그들 각 미소점 마다의 반사빔을 미소점 좌표와의 관계로 받아들이는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 평가공정에서는 상기 제1 및 제2반사빔으로부터 애칭횟수의 증가에 따라 지름이 증가하는 결함에 주목하여 평가하는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 검사공정이 0.5㎛이상의 미립자가 10000개/ft3이하의 환경하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  10. 반도체기판을 필요량만큼 에칭할수 있는 에칭기구와, 에칭후의 상기 반도체기판의 표면에 광선이나 전자선 등의 빔을 조사하는 빔사출수단, 상기 빔의 상기 기판표면에서의 반사빔을 받아들이는 반사빔 검출수단 및, 이 반사빔 검출수단으로부터의 출력에 의해 상기 기판을 평가하는 평가수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 빔사출수단이 상기 빔을 상기 기판의 복수의 미소점에 차례로 조사하는 것임을 특징으로 하는 반도체기판 평가장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 빔사출수단이 상기 빔을 조사하고 있는 상기 기판상의 좌표를 출력할수 있는 조사위치출력 수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가장치.
  13. 반도체기판을 전처리하는 전처리공정과, 이 전처리후의 상기 반도체기판 표면의 동일점에 대해 복수의 광빔을 각각 다른 입사각도로 조사하여 그들 각 입사각도 마다의 산란광을 검출하는 검사공정 및, 이 검사공정에서 얻은 다른 입사각도 마다의 산란광 강도에 의해 상기 반도체기판을 평가하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전처리로서 상기 반도체기판을 pH8이상의 분위기중에 놓아두는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가방법.
  15. 반도체기판을 전처리하는 전처리수단과, 이 전처리후의 상기 반도체기판 표면상의 동일점에 대하여 각각 다른 각도에서 복수의 광빔을 조사할 수 있는 발광수단, 상기 광빔의 상기 반도체기판 표면으로부터의 산란광을 받아들이는 수광수단 및, 이 수광수단으로부터의 상기 입사각 마다의 출력을 토대로 상기 반도체기판을 평가하는 평가수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 전처리수단은 에칭챔버를 갖추고 있고, 상기 발광수단은 상기 입사각도의 광을 사출하는 적어도 2개의 발광유니트를 갖추고 있으며, 상기 수광수단은 상기 발광유니트수에 대응되는 개수의 수광 유니트를 갖추고 있고, 이 소정 수광유니트는 그에 대응되는 특정 발광유니트로 부터의 산란광을 받아들이는 것이며, 상기 반도체기판을 그 면에 거의 수직인 축 주위로 회전시켜 상기 발광유니트로부터의 빛이 상기 반도체기판의 다른 지점을 조사할 수 있도록 하는 회전수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 회전수단이 상기 에칭챔버내에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체기판 평가 장치.
  18. 반도체기판을 pH7이상의 알칼리계 약액으로 처리함으로써, 그 기판의 표면에 직경 0.01~5㎛인 오복부를 0.1~1000개/㎠의 밀도로 형성한 것을 특징으로 하는 광산란식 반도체기판 파트클 측정장치 검정용 표준기판.
  19. 반도체기판을 pH7이상의 알칼리계 약액으로 처리함으로써, 그 기판의 표면에 직경 0.01~5㎛인 오복부를 0.1~1000개/㎠의 밀도로 형성하는 것을 특징으로 하는 광산락식 반도체기판 파티클 측정장치 검정용 표준기판의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920004903A 1991-03-27 1992-03-26 반도체기판 평가방법 및 그 장치 KR960006194B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3063586A JP2653566B2 (ja) 1991-03-27 1991-03-27 半導体基板評価方法及び装置
JP91-063586 1991-03-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920018886A true KR920018886A (ko) 1992-10-22
KR960006194B1 KR960006194B1 (ko) 1996-05-09

Family

ID=13233522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920004903A KR960006194B1 (ko) 1991-03-27 1992-03-26 반도체기판 평가방법 및 그 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5271796A (ko)
JP (1) JP2653566B2 (ko)
KR (1) KR960006194B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100299375B1 (ko) * 1998-04-17 2001-10-19 박종섭 반도체 박막의 표면 특성 모니터링 방법

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5766360A (en) * 1992-03-27 1998-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH06295945A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体製造プロセスの評価方法および装置
US5413941A (en) * 1994-01-06 1995-05-09 Micron Technology, Inc. Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes
JPH0817815A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Toshiba Corp 半導体デバイスの製造方法、半導体基板の処理方法、分析方法及び製造方法
KR970030227A (ko) * 1995-11-11 1997-06-26 김광호 현상 모니터링 장치 및 이를 이용한 현상 모니터링 방법
US5695601A (en) * 1995-12-27 1997-12-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for planarizing a semiconductor body by CMP method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the method
JPH10189677A (ja) * 1996-12-27 1998-07-21 Komatsu Electron Metals Co Ltd シリコンウェーハの評価方法
US5927512A (en) * 1997-01-17 1999-07-27 Micron Technology, Inc. Method for sorting integrated circuit devices
US6100486A (en) * 1998-08-13 2000-08-08 Micron Technology, Inc. Method for sorting integrated circuit devices
US5844803A (en) 1997-02-17 1998-12-01 Micron Technology, Inc. Method of sorting a group of integrated circuit devices for those devices requiring special testing
US5915231A (en) 1997-02-26 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method in an integrated circuit (IC) manufacturing process for identifying and redirecting IC's mis-processed during their manufacture
US5856923A (en) * 1997-03-24 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing
US7120513B1 (en) 1997-06-06 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (ICS) have undergone, such as repairs, to select procedures the ICS will undergo, such as additional repairs
US5907492A (en) * 1997-06-06 1999-05-25 Micron Technology, Inc. Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (IC's) have undergone, such as repairs, to select procedures the IC's will undergo, such as additional repairs
US5794175A (en) * 1997-09-09 1998-08-11 Teradyne, Inc. Low cost, highly parallel memory tester
US6049624A (en) * 1998-02-20 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Non-lot based method for assembling integrated circuit devices
US6559456B1 (en) * 1998-10-23 2003-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Charged particle beam exposure method and apparatus
US6494984B2 (en) * 1999-01-14 2002-12-17 Semitool, Inc. Flat media processing machine
US20030051656A1 (en) 1999-06-14 2003-03-20 Charles Chiun-Chieh Yang Method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
US6238273B1 (en) * 1999-08-31 2001-05-29 Micron Technology, Inc. Methods for predicting polishing parameters of polishing pads and methods and machines for planarizing microelectronic substrate assemblies in mechanical or chemical-mechanical planarization
KR20030021185A (ko) * 2000-06-30 2003-03-12 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 디누디드 존을 갖는 실리콘 웨이퍼를 형성하는 방법 및 장치
US6599815B1 (en) 2000-06-30 2003-07-29 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone
US6339016B1 (en) 2000-06-30 2002-01-15 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone
US6596553B1 (en) * 2002-06-26 2003-07-22 Advanced Micro Devices, Inc. Method of pinhole decoration and detection
US7195679B2 (en) * 2003-06-21 2007-03-27 Texas Instruments Incorporated Versatile system for wafer edge remediation
JP4755855B2 (ja) * 2005-06-13 2011-08-24 株式会社東芝 半導体ウェーハの検査方法
US7497026B2 (en) * 2007-01-11 2009-03-03 Sokudo Co., Ltd. Method and system for detection of wafer centering in a track lithography tool
CN104766807A (zh) * 2014-01-06 2015-07-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种检测化学气相沉积薄膜小微粒的方法
JP6352133B2 (ja) * 2014-09-26 2018-07-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 位置検出装置、基板処理装置、位置検出方法および基板処理方法
JP6536502B2 (ja) * 2016-07-06 2019-07-03 信越半導体株式会社 パーティクルカウンタ校正用ウェーハの作製方法
CN112461861B (zh) * 2020-12-09 2022-12-30 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法
CN113325004B (zh) * 2021-07-07 2023-03-31 上海超硅半导体股份有限公司 一种半导体晶片表面缺陷检测方法以及检测装置
JP2023032491A (ja) * 2021-08-27 2023-03-09 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE247771C (ko) *
JPS6056289B2 (ja) * 1976-12-27 1985-12-09 信越半導体株式会社 半導体シリコンの結晶欠陥検出方法および検出液
JPS54155761A (en) * 1978-05-30 1979-12-08 Fujitsu Ltd Appreciating method for crystal of semiconductor wafer
JPS57178135A (en) * 1981-04-27 1982-11-02 Toshiba Corp Specular surface defect observing device
JPS5975640A (ja) * 1982-10-23 1984-04-28 Nireko:Kk エツチピツト密度の測定方法
JPS60101942A (ja) * 1983-11-07 1985-06-06 Mitsubishi Chem Ind Ltd 単結晶表面のエツチピツトの測定方法およびそのための装置
JPS6063449A (ja) * 1984-04-25 1985-04-11 Hitachi Ltd 欠陥検査装置
JPS61122648A (ja) * 1984-11-20 1986-06-10 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 欠陥検査装置
JPS62119439A (ja) * 1985-11-20 1987-05-30 Mitsubishi Chem Ind Ltd 単結晶表面のエツチピツトの測定方法
JPH06103713B2 (ja) * 1986-12-18 1994-12-14 松下電子工業株式会社 結晶欠陥の測定方法
JPH0320647A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electron Corp 異物検査方法
JP2520316B2 (ja) * 1990-02-08 1996-07-31 三菱マテリアル株式会社 シリコンウエ―ハの微小ピットの検出方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100299375B1 (ko) * 1998-04-17 2001-10-19 박종섭 반도체 박막의 표면 특성 모니터링 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR960006194B1 (ko) 1996-05-09
US5271796A (en) 1993-12-21
JP2653566B2 (ja) 1997-09-17
JPH04299550A (ja) 1992-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920018886A (ko) 반도체기판 평가방법 및 그 장치
JP3140664B2 (ja) 異物検査方法及び装置
JP4512382B2 (ja) 小角散乱測定を含むｘ線反射率測定
DE3626724C2 (de) Anordnung zur Oberflächenprüfung
JP2004531735A (ja) 多重角度および多重波長照射を用いるウェハ検査システムのためのシステムおよび方法
WO2002013232A2 (en) Measurement of critical dimensions using x-rays
KR950701734A (ko) 물체 검사 방법 및 장치(method and apparatus for examining an object)
JPH1164234A (ja) 異物検出方法、および異物検出装置
KR880006525A (ko) 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치
JP2996193B2 (ja) ウェハ検査方法および装置
JPS63143831A (ja) 面板欠陥検出光学装置
JPH0254494B2 (ko)
JP2603078B2 (ja) 欠陥検査装置
US11749571B2 (en) System and method for high speed inspection of semiconductor substrates
JPH0545303A (ja) 欠陥検査装置
JP2964974B2 (ja) 異物検査方法
JPS62223649A (ja) 検査方法および装置
JPH03291552A (ja) 表面欠陥検査装置
JP3358674B2 (ja) ピンホール検出方法およびピンホール検出装置
KR19990071140A (ko) 반도체 검사설비의 레이저 스캐터링장치
JP2003247940A (ja) 多孔質材料の比誘電率検出方法及び異物検査装置
JPH05172731A (ja) 粒子検出方法
JPS6382349A (ja) 異物検査装置
JPH02134547A (ja) 異物検出装置
JPS60223124A (ja) パタ−ン検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030430

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee