JPH10189677A - シリコンウェーハの評価方法 - Google Patents
シリコンウェーハの評価方法Info
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- JPH10189677A JPH10189677A JP8357515A JP35751596A JPH10189677A JP H10189677 A JPH10189677 A JP H10189677A JP 8357515 A JP8357515 A JP 8357515A JP 35751596 A JP35751596 A JP 35751596A JP H10189677 A JPH10189677 A JP H10189677A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
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- G01N21/8803—Visual inspection
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウェーハの加工工程、すなわち鏡面
研磨加工および洗浄が酸化膜耐圧にどのような影響を与
えるかを簡易的に予測し、加工工程の品質管理及び改善
に寄与することができるようなシリコンウェーハの評価
方法を提供する。 【解決手段】 この評価方法は、加工工程でシリコンウ
ェーハに発生した加工キズや、目視では判別できない局
部的な残留歪み等に起因する酸化膜耐圧特性の劣化を予
測する方法で、シリコンウェーハに選択エッチングを施
し、ウェーハ表面を深さ０．５〜５μｍ除去する。次
に、ウェーハ表面のエッチピット数を光学顕微鏡でカウ
ントし、得られたエッチピット密度とエッチピット密度
判定値とに基づいて良否を判定する。前記判定値は５×
１０5 個／ｃｍ2 以下とし、不良と判定されたシリコン
ウェーハの加工ラインに対して工程の改善を行う。
研磨加工および洗浄が酸化膜耐圧にどのような影響を与
えるかを簡易的に予測し、加工工程の品質管理及び改善
に寄与することができるようなシリコンウェーハの評価
方法を提供する。 【解決手段】 この評価方法は、加工工程でシリコンウ
ェーハに発生した加工キズや、目視では判別できない局
部的な残留歪み等に起因する酸化膜耐圧特性の劣化を予
測する方法で、シリコンウェーハに選択エッチングを施
し、ウェーハ表面を深さ０．５〜５μｍ除去する。次
に、ウェーハ表面のエッチピット数を光学顕微鏡でカウ
ントし、得られたエッチピット密度とエッチピット密度
判定値とに基づいて良否を判定する。前記判定値は５×
１０5 個／ｃｍ2 以下とし、不良と判定されたシリコン
ウェーハの加工ラインに対して工程の改善を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
の評価方法に係り、特に詳しくは、シリコンウェーハに
対する鏡面研磨加工の良否およびその要因としての研磨
加工工程の良否を判定するに好適なシリコンウェーハの
評価方法に関する。
の評価方法に係り、特に詳しくは、シリコンウェーハに
対する鏡面研磨加工の良否およびその要因としての研磨
加工工程の良否を判定するに好適なシリコンウェーハの
評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスには、一般にＣＺ法また
はＦＺ法を用いて製造したシリコン単結晶をスライス
し、外周の面取りを行った後、表裏両面にクラインディ
ング、ラッピング、ポリシング等を施して少なくとも片
面が鏡面仕上げされたシリコンウェーハが用いられる。
はＦＺ法を用いて製造したシリコン単結晶をスライス
し、外周の面取りを行った後、表裏両面にクラインディ
ング、ラッピング、ポリシング等を施して少なくとも片
面が鏡面仕上げされたシリコンウェーハが用いられる。
【０００３】シリコンウェーハに鏡面仕上げのための研
削、研磨加工を施すことによって、ウェーハ表面に目視
で確認できるスクラッチ等の加工キズや、目視では判別
できない局部的な残留歪み等（これらを一括して以後加
工欠陥という）が加えられる。特開平８−７０００９号
公報に開示された半導体シリコンウェーハの製造方法に
よれば、前記目視で判別できない残留歪みの有無は、シ
リコンウェーハに選択エッチングを施せば顕微鏡で確認
可能である。また、前記残留歪みは、シリコンウェーハ
に低温かつ短時間の熱処理を施すことにより消去するこ
とができるとされている。
削、研磨加工を施すことによって、ウェーハ表面に目視
で確認できるスクラッチ等の加工キズや、目視では判別
できない局部的な残留歪み等（これらを一括して以後加
工欠陥という）が加えられる。特開平８−７０００９号
公報に開示された半導体シリコンウェーハの製造方法に
よれば、前記目視で判別できない残留歪みの有無は、シ
リコンウェーハに選択エッチングを施せば顕微鏡で確認
可能である。また、前記残留歪みは、シリコンウェーハ
に低温かつ短時間の熱処理を施すことにより消去するこ
とができるとされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記半導体シリコンウ
ェーハの製造方法は、鏡面研磨加工によってシリコンウ
ェーハの表面に生じた残留歪みを消去するための方法で
あり、結果の良否は選択エッチングにより確認すること
ができる。しかしながら、シリコンウェーハに選択エッ
チング等を施しても、確認された加工欠陥が半導体デバ
イスにとって重要な品質特性である酸化膜耐圧等の電気
的特性にどの程度悪影響を与えているかという点につい
ては予測することができない。従って、シリコンウェー
ハの加工工程における品質上の問題点を摘出して改善す
ることが困難であった。
ェーハの製造方法は、鏡面研磨加工によってシリコンウ
ェーハの表面に生じた残留歪みを消去するための方法で
あり、結果の良否は選択エッチングにより確認すること
ができる。しかしながら、シリコンウェーハに選択エッ
チング等を施しても、確認された加工欠陥が半導体デバ
イスにとって重要な品質特性である酸化膜耐圧等の電気
的特性にどの程度悪影響を与えているかという点につい
ては予測することができない。従って、シリコンウェー
ハの加工工程における品質上の問題点を摘出して改善す
ることが困難であった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、シリコンウェーハの加工工程、すなわち鏡
面研磨加工および洗浄と酸化膜耐圧の良否との関係を簡
易的に評価し、加工工程の品質管理及び改善に寄与する
ことができるようなシリコンウェーハの評価方法を提供
することを目的としている。
れたもので、シリコンウェーハの加工工程、すなわち鏡
面研磨加工および洗浄と酸化膜耐圧の良否との関係を簡
易的に評価し、加工工程の品質管理及び改善に寄与する
ことができるようなシリコンウェーハの評価方法を提供
することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るシリコンウェーハの評価方法は、鏡面
研磨加工と洗浄処理とを施したシリコンウェーハの表面
を選択エッチングにより深さ０．５〜５μｍ除去した
後、光学顕微鏡を用いて表面のエッチピット数をカウン
トし、前記エッチピット数から算出したエッチピット密
度とエッチピット密度判定値とに基づいてシリコンウェ
ーハの良否を判定する構成とした。
め、本発明に係るシリコンウェーハの評価方法は、鏡面
研磨加工と洗浄処理とを施したシリコンウェーハの表面
を選択エッチングにより深さ０．５〜５μｍ除去した
後、光学顕微鏡を用いて表面のエッチピット数をカウン
トし、前記エッチピット数から算出したエッチピット密
度とエッチピット密度判定値とに基づいてシリコンウェ
ーハの良否を判定する構成とした。
【０００７】また、上記シリコンウェーハの評価方法に
おいて、選択エッチング後のエッチピット密度判定値を
５×１０5 個／ｃｍ2 以下とした。
おいて、選択エッチング後のエッチピット密度判定値を
５×１０5 個／ｃｍ2 以下とした。
【０００８】
【発明の実施の形態および実施例】シリコンウェーハの
表面を選択エッチングにより深さ０．５〜５μｍ除去す
ることにより、ウェーハ表面の加工欠陥が光学顕微鏡等
で観察可能なサイズまで拡大される。従って、選択エッ
チング後シリコンウェーハの表面に現れているエッチピ
ット数を光学顕微鏡でカウントすれば、その数値からエ
ッチピット密度を容易に求めることができる。
表面を選択エッチングにより深さ０．５〜５μｍ除去す
ることにより、ウェーハ表面の加工欠陥が光学顕微鏡等
で観察可能なサイズまで拡大される。従って、選択エッ
チング後シリコンウェーハの表面に現れているエッチピ
ット数を光学顕微鏡でカウントすれば、その数値からエ
ッチピット密度を容易に求めることができる。
【０００９】上記手順により算出したエッチピット密度
をエッチピット密度判定値と比較してシリコンウェーハ
の加工の良否を判定するが、酸化膜耐圧が８ＭＶ／ｃｍ
以上のシリコンウェーハは、エッチピット密度が５×１
０5 個／ｃｍ2 以下の場合に限られる。従って、エッチ
ピット密度判定値を５×１０5 個／ｃｍ2 以下とするこ
とにより、半導体デバイスに要求されている酸化膜耐圧
特性を満足するか否かを正しく判定することができる。
そして、判定結果が不良であったシリコンウェーハの加
工条件に対して改善を進めればよい。
をエッチピット密度判定値と比較してシリコンウェーハ
の加工の良否を判定するが、酸化膜耐圧が８ＭＶ／ｃｍ
以上のシリコンウェーハは、エッチピット密度が５×１
０5 個／ｃｍ2 以下の場合に限られる。従って、エッチ
ピット密度判定値を５×１０5 個／ｃｍ2 以下とするこ
とにより、半導体デバイスに要求されている酸化膜耐圧
特性を満足するか否かを正しく判定することができる。
そして、判定結果が不良であったシリコンウェーハの加
工条件に対して改善を進めればよい。
【００１０】次に、本発明に係るシリコンウェーハの評
価方法の実施例について図面を参照して説明する。図１
は本発明の実施例におけるシリコンウェーハの評価手順
を示す工程図で、各ステップの左端に記載した数字は工
程番号である。シリコンウェーハを鏡面研磨加工した
後、表面の洗浄を行う。その後、第１工程で、評価対象
のシリコンウェーハを、ＨＦ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ3ＣＯＯ
Ｈ：Ｈ2Ｏ＝１：１５：３：ｘ（容積比、ｘは一般的に
３）からなる選択エッチング液を用いて約０．５〜５μ
ｍの深さにエッチングする。エッチング開始時の選択エ
ッチング液の温度は２０〜２５℃とする。次に第２工程
で、前記選択エッチングを施したシリコンウェーハの表
面を光学顕微鏡により観察し、ウェーハの表面に存在す
るエッチピットの個数をカウントする。第３工程では、
カウントしたエッチピット数に基づいてエッチピット密
度を算出し、得られたエッチピット密度をエッチピット
密度判定値と比較して良否を判定する。この場合のエッ
チピット密度判定値は、５×１０5 個／ｃｍ2 以下であ
る。そして、前記手順により不良と判定されたシリコン
ウェーハを加工条件に対する評価とし、それをもとに改
善を実施する。
価方法の実施例について図面を参照して説明する。図１
は本発明の実施例におけるシリコンウェーハの評価手順
を示す工程図で、各ステップの左端に記載した数字は工
程番号である。シリコンウェーハを鏡面研磨加工した
後、表面の洗浄を行う。その後、第１工程で、評価対象
のシリコンウェーハを、ＨＦ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ3ＣＯＯ
Ｈ：Ｈ2Ｏ＝１：１５：３：ｘ（容積比、ｘは一般的に
３）からなる選択エッチング液を用いて約０．５〜５μ
ｍの深さにエッチングする。エッチング開始時の選択エ
ッチング液の温度は２０〜２５℃とする。次に第２工程
で、前記選択エッチングを施したシリコンウェーハの表
面を光学顕微鏡により観察し、ウェーハの表面に存在す
るエッチピットの個数をカウントする。第３工程では、
カウントしたエッチピット数に基づいてエッチピット密
度を算出し、得られたエッチピット密度をエッチピット
密度判定値と比較して良否を判定する。この場合のエッ
チピット密度判定値は、５×１０5 個／ｃｍ2 以下であ
る。そして、前記手順により不良と判定されたシリコン
ウェーハを加工条件に対する評価とし、それをもとに改
善を実施する。
【００１１】本発明におけるエッチピット密度判定値の
適否を確認するため、次の実験を行った。光学顕微鏡観
察に基づいてエッチピット密度を算出したシリコンウェ
ーハと同じ結晶及び同じ場所より切りだし片面鏡面加工
されたシリコンウェーハに酸化性雰囲気中で熱処理を施
し、ウェーハ表面に熱酸化膜を形成した。次に、ＣＶＤ
法を用いて前記熱酸化膜上に多結晶シリコン層を形成
し、フォトリソグラフィにより所定面積、所定個数の多
結晶シリコン電極を形成した。こられの手順を経て、シ
リコンウェーハと多結晶シリコン電極との間に熱酸化膜
からなる絶縁層が介在するＭＯＳキャパシタが構成され
た。そこで、前記多結晶シリコン電極とウェーハとの間
に電圧を印加して酸化膜の絶縁破壊電界強度を測定し
た。
適否を確認するため、次の実験を行った。光学顕微鏡観
察に基づいてエッチピット密度を算出したシリコンウェ
ーハと同じ結晶及び同じ場所より切りだし片面鏡面加工
されたシリコンウェーハに酸化性雰囲気中で熱処理を施
し、ウェーハ表面に熱酸化膜を形成した。次に、ＣＶＤ
法を用いて前記熱酸化膜上に多結晶シリコン層を形成
し、フォトリソグラフィにより所定面積、所定個数の多
結晶シリコン電極を形成した。こられの手順を経て、シ
リコンウェーハと多結晶シリコン電極との間に熱酸化膜
からなる絶縁層が介在するＭＯＳキャパシタが構成され
た。そこで、前記多結晶シリコン電極とウェーハとの間
に電圧を印加して酸化膜の絶縁破壊電界強度を測定し
た。
【００１２】図２は、上記ＭＯＳキャパシタ構成のシリ
コンウェーハに対して行った絶縁破壊電界強度（酸化膜
耐圧）とエッチピット密度との関係を示す図である。図
中、■、●、▲はそれぞれ研磨加工条件Ａ、Ｂ、Ｃによ
って鏡面仕上げされたシリコンウェーハを示す。また、
○は研磨加工条件Ｂから得られたシリコンウェーハに表
面状態を変更する処理を加えたものである。これらのシ
リコンウェーハについて絶縁破壊電界強度を測定した結
果、電界強度が１０ＭＶ／ｃｍ以上の良品グループと、
絶縁破壊電界強度が２〜６ＭＶ／ｃｍの不良品グループ
とに分類された。前記良品グループのエッチピット密度
は良否判定ラインの左側、すなわち５×１０5 個／ｃｍ
2 以下であり、不良品グループのエッチピット密度は良
否判定ラインの右側、すなわち５×１０5 個／ｃｍ2 を
超えている。これにより、エッチピット密度が５×１０
5 個／ｃｍ2 以下のシリコンウェーハであれば酸化膜耐
圧に関して良品であることが確認された。
コンウェーハに対して行った絶縁破壊電界強度（酸化膜
耐圧）とエッチピット密度との関係を示す図である。図
中、■、●、▲はそれぞれ研磨加工条件Ａ、Ｂ、Ｃによ
って鏡面仕上げされたシリコンウェーハを示す。また、
○は研磨加工条件Ｂから得られたシリコンウェーハに表
面状態を変更する処理を加えたものである。これらのシ
リコンウェーハについて絶縁破壊電界強度を測定した結
果、電界強度が１０ＭＶ／ｃｍ以上の良品グループと、
絶縁破壊電界強度が２〜６ＭＶ／ｃｍの不良品グループ
とに分類された。前記良品グループのエッチピット密度
は良否判定ラインの左側、すなわち５×１０5 個／ｃｍ
2 以下であり、不良品グループのエッチピット密度は良
否判定ラインの右側、すなわち５×１０5 個／ｃｍ2 を
超えている。これにより、エッチピット密度が５×１０
5 個／ｃｍ2 以下のシリコンウェーハであれば酸化膜耐
圧に関して良品であることが確認された。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
リコンウェーハに対する鏡面研磨加工の良否、特に、従
来の技術では予測が困難であった鏡面研磨加工による酸
化膜耐圧への影響度を、鏡面研磨加工を施したシリコン
ウェーハに選択エッチングを施し、エッチピット密度を
求めるだけで簡易的に評価することができる。従って、
シリコンウェーハの酸化膜耐圧評価を行わなくても、加
工工程の良否を評価して品質の管理、又は改善に結びつ
けることが可能となる。
リコンウェーハに対する鏡面研磨加工の良否、特に、従
来の技術では予測が困難であった鏡面研磨加工による酸
化膜耐圧への影響度を、鏡面研磨加工を施したシリコン
ウェーハに選択エッチングを施し、エッチピット密度を
求めるだけで簡易的に評価することができる。従って、
シリコンウェーハの酸化膜耐圧評価を行わなくても、加
工工程の良否を評価して品質の管理、又は改善に結びつ
けることが可能となる。
【００１４】また、本発明による評価方法は、シリコン
ウェーハに対する研磨加工工程の良否評価のみに限定さ
れるものではなく、シリコンウェーハの電気的特性につ
いて評価を行う場合の簡易的代用手段として利用するこ
とができる。
ウェーハに対する研磨加工工程の良否評価のみに限定さ
れるものではなく、シリコンウェーハの電気的特性につ
いて評価を行う場合の簡易的代用手段として利用するこ
とができる。
【図１】本発明によるシリコンウェーハの評価手順を示
す工程図である。
す工程図である。
【図２】シリコンウェーハのエッチピット密度と絶縁破
壊電界強度との関係を示す図である。
壊電界強度との関係を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成９年１月３１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスには、一般にＣＺ法また
はＦＺ法を用いて製造したシリコン単結晶をスライス
し、外周の面取りを行った後、ラッピング、ポリシング
等を施して少なくとも片面が鏡面仕上げされたシリコン
ウェーハが用いられている。 ─────────────────────────────────────────────────────
はＦＺ法を用いて製造したシリコン単結晶をスライス
し、外周の面取りを行った後、ラッピング、ポリシング
等を施して少なくとも片面が鏡面仕上げされたシリコン
ウェーハが用いられている。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年２月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】また、上記シリコンウェーハの評価方法に
おいて、選択エッチング後のエッチピット密度判定値を
５×１０５個とし、エッチピット密度がエッチピット密
度判定値以下であるとき良品と判定する。
おいて、選択エッチング後のエッチピット密度判定値を
５×１０５個とし、エッチピット密度がエッチピット密
度判定値以下であるとき良品と判定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】上記手順により算出したエッチピット密度
をエッチピット密度判定値と比較してシリコンウェーハ
の加工の良否を判定するが、酸化膜耐圧が８ＭＶ／ｃｍ
以上のシリコンウェーハは、エッチピット密度が５×１
０５個／ｃｍ２以下の場合に限られる。従って、エッチ
ピット密度判定値を５×１０５個／ｃｍ ２とし、それ以
下を良品とすることにより、半導体デバイスに要求され
ている酸化膜耐圧特性を満足するか否かを正しく判定す
ることができる。そして、判定結果が不良であったシリ
コンウェーハの加工条件に対して改善を進めればよい。
をエッチピット密度判定値と比較してシリコンウェーハ
の加工の良否を判定するが、酸化膜耐圧が８ＭＶ／ｃｍ
以上のシリコンウェーハは、エッチピット密度が５×１
０５個／ｃｍ２以下の場合に限られる。従って、エッチ
ピット密度判定値を５×１０５個／ｃｍ ２とし、それ以
下を良品とすることにより、半導体デバイスに要求され
ている酸化膜耐圧特性を満足するか否かを正しく判定す
ることができる。そして、判定結果が不良であったシリ
コンウェーハの加工条件に対して改善を進めればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】次に、本発明に係るシリコンウェーハの評
価方法の実施例について図面を参照して説明する。図１
は本発明の実施例におけるシリコンウェーハの評価手順
を示す工程図で、各ステップの左端に記載した数字は工
程番号である。シリコンウェーハを鏡面研磨加工した
後、表面の洗浄を行う。その後、第１工程で、評価対象
のシリコンウェーハを、ＨＦ：ＨＮＯ３：ＣＨ３ＣＯＯ
Ｈ：Ｈ２Ｏ＝１：１５：３：ｘ（容積比、ｘは一般的に
３）からなる選択エッチング液を用いて約０．５〜５μ
ｍの深さにエッチングする。エッチング開始時の選択エ
ッチング液の温度は２０〜２５℃とする。次に第２工程
で、前記選択エッチングを施したシリコンウェーハの表
面を光学顕微鏡により観察し、ウェーハの表面に存在す
るエッチピットの個数をカウントする。第３工程では、
カウントしたエッチピット数に基づいてエッチピット密
度を算出し、得られたエッチピット密度をエッチピット
密度判定値と比較して良否を判定する。この場合のエッ
チピット密度判定値は、５×１０５個／ｃｍ ２とし、良
品はそれ以下である。そして、前記手順により不良と判
定されたシリコンウェーハを加工条件に対する評価と
し、それをもとに改善を実施する。
価方法の実施例について図面を参照して説明する。図１
は本発明の実施例におけるシリコンウェーハの評価手順
を示す工程図で、各ステップの左端に記載した数字は工
程番号である。シリコンウェーハを鏡面研磨加工した
後、表面の洗浄を行う。その後、第１工程で、評価対象
のシリコンウェーハを、ＨＦ：ＨＮＯ３：ＣＨ３ＣＯＯ
Ｈ：Ｈ２Ｏ＝１：１５：３：ｘ（容積比、ｘは一般的に
３）からなる選択エッチング液を用いて約０．５〜５μ
ｍの深さにエッチングする。エッチング開始時の選択エ
ッチング液の温度は２０〜２５℃とする。次に第２工程
で、前記選択エッチングを施したシリコンウェーハの表
面を光学顕微鏡により観察し、ウェーハの表面に存在す
るエッチピットの個数をカウントする。第３工程では、
カウントしたエッチピット数に基づいてエッチピット密
度を算出し、得られたエッチピット密度をエッチピット
密度判定値と比較して良否を判定する。この場合のエッ
チピット密度判定値は、５×１０５個／ｃｍ ２とし、良
品はそれ以下である。そして、前記手順により不良と判
定されたシリコンウェーハを加工条件に対する評価と
し、それをもとに改善を実施する。
Claims (2)
- 【請求項１】 鏡面研磨加工と洗浄処理とを施したシリ
コンウェーハの表面を選択エッチングにより深さ０．５
〜５μｍ除去した後、光学顕微鏡を用いて表面のエッチ
ピット数をカウントし、前記エッチピット数から算出し
たエッチピット密度とエッチピット密度判定値とに基づ
いてシリコンウェーハの良否を判定することを特徴とす
るシリコンウェーハの評価方法。 - 【請求項２】 選択エッチング後のエッチピット密度判
定値を５×１０5 個／ｃｍ2 以下としたことを特徴とす
る請求項１記載のシリコンウェーハの評価方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8357515A JPH10189677A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | シリコンウェーハの評価方法 |
| TW086114406A TW384518B (en) | 1996-12-27 | 1997-10-02 | Method of evaluating silicon wafers |
| US08/998,757 US5943549A (en) | 1996-12-27 | 1997-12-29 | Method of evaluating silicon wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8357515A JPH10189677A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | シリコンウェーハの評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189677A true JPH10189677A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18454526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8357515A Pending JPH10189677A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | シリコンウェーハの評価方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH10189677A (ja) |
| TW (1) | TW384518B (ja) |
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-
1996
- 1996-12-27 JP JP8357515A patent/JPH10189677A/ja active Pending
-
1997
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- 1997-12-29 US US08/998,757 patent/US5943549A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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