JP3202305B2

JP3202305B2 - 鏡面ウエーハの製造方法及び検査方法

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Publication number: JP3202305B2
Application number: JP6118692A
Authority: JP
Inventors: 泰章中里; 貴裕神田
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 1992-02-17
Filing date: 1992-02-17
Publication date: 2001-08-27
Anticipated expiration: 2016-08-27
Also published as: JPH05226203A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、超ＬＳＩから超々ＬＳ
Ｉのような高集積度の半導体デバイス（以下デバイスと
言う。）を製造するための、表面の平坦性に優れ、かつ
加工変質層や潜傷の存在しない鏡面ウエーハの製造方法
及びその検査方法に関するものである。

【０００２】

【発明の背景技術】Ｓｉ単結晶からなるウエーハは、通
常ＣＺ法又はＦＺ法等により引上げ製造されたＳｉ単結
晶棒を、その棒の引上中心軸を回転軸として円筒研磨
し、続いて同引上軸に対し垂直方向の一定幅を規則的に
切断して円板状のスライスを得た後、このスライスを更
に面取り、ラッピング、エッチング、熱処理、鏡面研磨
等の諸工程を経て製造される。これらの加工工程はウエ
ーハ製品の規格に対応して条件が設定される。この場
合、必要に応じて更に別の工程を追加したり加工順序を
変更することがあるが、鏡面研磨は常に最終段階で行わ
れる。このようにして製造されたウエーハは、その後洗
浄及び乾燥され、製品としての諸検査を受けた後に出荷
される。

【０００３】上記鏡面研磨は、１次研磨から２次、３次
研磨等の数段階の条件変更された研磨工程をもって構成
され、その最終段階の研磨を仕上研磨と称している。と
ころで、現在の主流をなす鏡面研磨方法は、研磨材（砥
粒）及び研磨布による機械的研磨と、エッチング性の加
工液による化学的研磨とを複合させたいわゆるメカノケ
ミカル研磨法と呼ばれるものであり、その一方のみの原
理による研磨は行われていない。その理由は、従来のデ
バイス製造用に供されるウエーハの品質及び生産性はこ
の方法によるもので満足されているからである。

【０００４】例えば、２段階による鏡面研磨を行う場
合、その第１段階として、粒子径が３０〜７０ｎｍの比
較的粗大なコロイダルシリカ研磨材を懸濁させたアルカ
リ性研磨液を用い、高い研磨圧力による速い研磨速度
（約１〜２μｍ／分）で、所定の最終取り代近くまで研
磨して平坦な表面を得る。次に第２段階として、研磨材
を１０〜３０ｎｍの細かい粒子径のものに切替えると同
時に、圧力を下げて１〜１０分の短時間、１μｍ前後の
ソフト研磨を仕上研磨として行う。

【０００５】あるいは、研磨材及び研磨液の各条件をほ
ぼ一定に保ちながら、研磨布及び研磨作業の機械的条件
を段階的に変更する方法もある。

【０００６】仕上研磨を終了したウエーハは、所定の方
法による洗浄を経て乾燥し、ウエーハ製品としての様々
の検査を受ける。ウエーハ製品としての品質検査は、そ
の電気的特性の外、光学的方法による外観不良やパーテ
ィクルの存在の有無、鏡面部の平坦度や面粗さの測定
等、主としてウエーハ表面部分の状態を検査する外、表
面汚染不純物の分析のような汚染物測定が中心であり、
デバイス製造上で問題となるウエーハ内部、特に表面近
傍に存在する結晶欠陥や加工歪のようなものに対する検
査は、部分的にしか為されていない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、デバイスの高
集積度化は留まるところなく進行し、超ＬＳＩから超々
ＬＳＩの世代に入るとともに、その素材であるウエーハ
製品に対する品質要求も当然のように厳しくなりつつあ
る。すなわち、超ＬＳＩの最小パターン寸法は１μｍ中
心であるが、超々ＬＳＩにおいては０．２５μｍ中心と
なり、このパターン微細化の進行に合せて、ウエーハ製
品の鏡面はより高度な平坦度と高度の結晶品質であるこ
とが要求される。

【０００８】この結晶品質の主要部分は単結晶棒の引上
げ時において決定されるが、以後のウエーハ製造のため
の加工工程でも大きな影響を受ける。その第１の影響
は、同加工工程で結晶が被った不純物汚染に起因する表
面や内部欠陥の発生であり、その第２の影響は、主とし
て機械的な加工工程において形成され、しかも入念な処
理によっても除去し得なかった、微細な加工変質層や潜
傷の存在である。

【０００９】第１の影響は、結晶本来の品質と複合し、
デバイスを製造する過程で直接的に現れるので、その解
明や対策はウエーハ供給者のみならず、使用者側におい
ても良く研究されている。すなわち、結晶本来の品質或
いは前記第１の影響に基づくとみられるウエーハの表面
部や内部に形成される酸化誘起積層欠陥（Ｏｘｉｄａｔ
ｉｏｎＩｎｄｕｃｅｄＳｔａｃｋｉｎｇＦａｕｌ
ｔｓ：以下ＯＳＦと言う。）又はその他の微小欠陥は、
セコエッチング液やジルトルエッチング液による表面処
理によって目にみえる形で浮き彫りにすることにより、
顕微鏡で検査することができる。この場合、ウエーハの
ごく表面に存在する結晶欠陥自身はこれらのエッチング
液処理で容易に除去されてしまうが、ウエーハが表面か
らエッチングされる過程において、結晶中の欠陥部分の
エッチング速度と他の非欠陥部分のエッチング速度が異
なるため、光の波長程度の凹凸がピットやヒロックとし
て観察される。

【００１０】これに対し、第２の影響によりウエーハ内
部に形成された加工変質層は、基板結晶の電気的特性に
悪影響を与えるだけではなく、デバイス作製の熱処理工
程で、転位やパーティクルの発生源となり、極端な場合
はウエーハ破断の原因ともなる。従って、ウエーハ製品
の製造工程は、この加工変質層が完全に除去されるよう
に工程が工夫され、その検査は電子顕微鏡やＸ線を応用
するものや、斜め研磨法による試料体の光学顕微鏡によ
る観察等によって行われている。

【００１１】しかしこの第２の影響部分、加工変質層の
存在については、それ自身がＯＳＦ発生源となるという
説があるものの、いまだ充分に解明されているとは言い
難く、前述のような第１の影響部分に内包して同時処理
され、独立した課題として取り上げられることは少ない
のが現状である。

【００１２】発明者等はこの問題に着目し、ウエーハに
おける結晶欠陥の発生原因を様々の検査方法により検討
した結果、この欠陥の成因は必ずしも結晶本来の品質
や、前記第１の影響によるもののみでなく、これまでの
加工変質層の検査方法では発見することができなかっ
た、第２の影響部分、すなわち潜在的な加工変質層若し
くは潜傷（以下これを潜傷と言う。）の存在も関与して
いるとの知見を得た。

【００１３】そこで発明者等は、このような潜傷の検査
方法や、その潜傷を無くすための方法を鋭意研究した結
果、従来法に優る鋭敏な検査方法と、同検査方法によっ
ても潜傷等が検出されない鏡面ウエーハの製造方法を完
成するに至った。

【００１４】

【００１５】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、以下
の発明を主要な構成とするものである。本発明は、Ｓｉ
単結晶からなる鏡面ウエーハを製造するための最終の仕
上研磨において、前記鏡面ウエーハを、５０重量％のフ
ッ化水素酸、７０重量％の硝酸、及び純酢酸各々の混合
容積比で１：（１〜１０）：（１〜５）の範囲にあるエ
ッチング液に浸漬して前記鏡面ウエーハの鏡面からの深
さで０．５〜１５μｍの範囲内をエッチングし、このエ
ッチング処理を受けた鏡面ウエーハの鏡面を微分干渉顕
微鏡により観察しこの観察により潜傷の存在が認められ
なくなるまで研磨材（砥粒）を含まない化学的研磨液及
び研磨布により鏡面ウエーハの研磨を行うことを特徴と
する鏡面ウエーハの製造方法を提供するものである。

【００１６】さらに本発明は、Ｓｉ単結晶からなる鏡面
ウエーハを、５０重量％のフッ化水素酸、７０重量％の
硝酸、及び純酢酸各々の混合容積比で１：（１〜１
０）：（１〜５）の範囲にあるエッチング液に浸漬して
同ウエーハ表面からの深さで０．５〜１５μｍの範囲を
エッチングし、このエッチング処理を受けたウエーハの
鏡面部を微分干渉顕微鏡により観察する各工程を有する
検査方法を提供するものである。

【００１７】以下、本発明について説明する。所定の方
法により製造されたウエーハからデバイスを製造する工
程において、ウエーハはしばしば８００〜１２００℃前
後の熱処理を受ける。その際Ｓｉ結晶中に存在する不純
物や欠陥がウエーハの表面近傍で析出すると、それを核
として結晶欠陥や転位を発生し、デバイスの特性に対し
悪影響を及ぼす。

【００１８】この結晶欠陥の中で特に注目されているの
は、ウエーハからデバイスを製造するプロセスにおける
熱酸化処理で発生するＯＳＦである。熱酸化処理がデバ
イス製造に不可欠のプロセスであることから、ウエーハ
製品に対してはＯＳＦ発生の有無を予測するための検査
が行われる。その方法は、ウエーハを酸素含有雰囲気中
で１１００〜１２００℃で約１時間の加熱処理をした
後、フッ酸で酸化膜を除去し、その鏡面部をセコエッチ
ング液又はジルトルエッチング液により処理した後、通
常の光学顕微鏡で観察するものである。

【００１９】このＯＳＦの発生は、結晶内部に存在する
不純物や欠陥あるいは表面汚染物質に起因するものと、
機械研磨時における損傷に起因するものとがあるとされ
ているが、その成因を区別することは困難である。しか
しながら、前述のように現状のウエーハ製品について
は、このような加工時における損傷は徹底的に除去する
ように各工程が組まれている。

【００２０】しかし発明者等は、現状のウエーハ製品の
加工時における損傷が完全に除去されているかどうかに
ついて疑問を持ち、従来の鏡面研磨法により製造された
ウエーハの鏡面部に対して種々のエッチング液による処
理を施しながら、その表面を検査する方法について検討
した。

【００２１】その結果、他のエッチング液によっては検
出されないが、本発明で使用の混酸エッチング液によっ
てある条件範囲で表面処理したウエーハ鏡面部を微分干
渉顕微鏡で観察するとき、通常の光学顕微鏡や光学式表
面粗さ計では観察できないスクラッチ状の歪像を観察す
ることができた。

【００２２】この歪像は、同混酸エッチング液により当
初のウエーハ鏡面からの深さで０μｍ以上で約１５μｍ
までのエッチングを行いながら、その面粗さを表面粗さ
計（ＷＹＫＯＴＯＰＯ３Ｄ）で測定する時、大体１
０〜１００ｎｍの値で測定される。しかし、約１５μｍ
以上のエッチング深さに達すると、その粗さは大きなう
ねり状の波に変化し、当初の鏡面において観察される歪
像は不鮮明になってくる。

【００２３】他方、ウエーハ鏡面とは反対側のＣＷ面
（鏡面加工を受けていない面）の初期観察像は上記鏡面
の場合とは明らかに異なっており、しかも、混酸エッチ
ング処理の過程ではその観察像は殆ど変化しない。従っ
て、このウエーハ鏡面側で観察される前記スクラッチ状
の歪像は、明らかにメカノケミカル研磨の際に生じたも
のであり、通常の検査方法では観察できない、鏡面の表
面層より数１０ｎｍ以下の深さで存在する歪像（潜傷）
であると推測された。

【００２４】また、この潜傷が発生する原因について発
明者等が色々と検討した結果、鏡面研磨工程において、
研磨剤に含まれている研磨材（砥粒）によってＳｉ表面
が引っ掻かれることによって生じるものであろうとの推
論に達した。

【００２５】そこで、研磨材を含まないケミカルエッチ
ング性研磨液と研磨布のみを使用し、本発明の潜傷検査
方法により潜傷の発生状況を観察しつつ仕上研磨を行っ
たところ、前記方法により潜傷の検出されないウエーハ
製造が可能であることが確認された。しかも、このウエ
ーハは従来のウエーハに比べてＯＳＦの発生が抑制され
たものであることが確認され、本発明の課題は解決され
た。

【００２６】

【作用】従来の鏡面研磨工程におけるメカノケミカル研
磨法では、平均粒子径で数１０ｎｍのコロイダルシリカ
を砥粒としてアルカリ液に懸濁された研磨剤と研磨布を
併用するが、一般に、物体を摺り合せると摩擦面に発熱
や凝着などを生じるで、柔らかい研磨布面で拭った場合
でも、それに付着した砥粒が研磨面に存在する水和膜を
擦する際にそれを突き破り、鏡面上に砥粒サイズとほぼ
同レベルの新たな機械的損傷やスクラッチを発生させて
いたものと考えられる。ただし、このような微細な損傷
（潜傷）は、従来の検査方法によっては検出されなかっ
たものと考えられる。

【００２７】ところで、Ｓｉのエッチングは、まずその
表面が酸化剤の作用により酸化され、この酸化物にフッ
化水素酸が作用して溶解する反応を繰り返すという模型
で説明することができる。たとえば、エッチング液とし
てよく知られているセコエッチング液やジルトルエッチ
ング液を例にとると、前者にはＫ₂Ｃｒ₂Ｏ₇、後者には
ＣｒＯ₃と、いずれも強力な酸化剤が配合され、残余が
フッ化水素酸と水で構成される。なお、前者は〈１０
０〉方位結晶のエッチングに、後者は〈１１１〉方位結
晶のエッチングに適するとされるが、特に区別しないで
使用する場合もある。

【００２８】一方、本発明で採用のエッチング液は酸化
剤が硝酸であり、これにフッ化水素酸の外、酢酸を加え
たものである。従って、何等の前処理（例えば熱酸化処
理）を受けていない共通のウエーハの鏡面に、各種のエ
ッチング液を作用させた場合に現れるエッチング作用の
相違点は、ウエーハ表面に対する酸化膜形成の仕方、及
び同酸化膜の溶解の仕方の差に基づくものであろうこと
は容易に想像される。

【００２９】すなわち、従来のエッチング液の場合は、
先ず酸化膜がマクロな形で形成され、このような微細な
損傷部を一度に酸化して隠蔽してしまうことが考えられ
る。これに対し、本発明で採用のエッチング液では、硝
酸本来の酸化剤としての性質に加え、その濃度や酢酸に
よる一種の緩衝効果が作用して、鏡面の表層部より極め
てミクロな形の酸化膜形成とその溶解が反復されるの
で、鏡面からの深さで０．５〜１５μｍ位までのエッチ
ング処理の進行においても、このような表面の微細な傷
は抹消されずに存続し、その像が微分干渉顕微鏡により
観察されるものと考えられる。

【００３０】また、この像が通常の光学顕微鏡では観察
されず、微分干渉顕微鏡のある特定条件の視野において
のみ観察されるのは、後者装置の目的が鏡面部の微細な
凹凸を観察することにあり、そのために偏光装置を使用
しているからである。

【００３１】さらに、このような潜傷の発生は、研磨材
（砥粒）に基づくものであろうとの推論から、本発明の
ように研磨剤における砥粒を排除した研磨液のみによる
仕上研磨工程を追加した結果、問題の潜傷は消滅した。
しかも、このようなウエーハにおいては、加工傷が原因
とみられるＯＳＦの発生が従来のウエーハの場合に比べ
て減少することが確認された。

【００３２】

【実施例】

実施例１及び実施例２先ず、ウエーハ鏡面の潜傷の検査方法について試験し
た。ここで、表１に示すように、Ｎｏ．１〜８の８種類
の各種電気的特性を有するウエーハを用意した。これら
のウエーハは、ＣＺ法によるＳｉ単結晶棒より製造さ
れ、直径１２５ｍｍで、通常のメカノケミカル研磨法に
より鏡面加工されたウエーハである。また、表２に示す
ような組成の混酸エッチング液（実施例１、２）と、比
較例としてセコエッチング液（比較例１）及びジルトル
エッチング液（比較例２）を調製した。そして、これら
４種のエッチング液を使用し、上記各電気的特性を有す
るウエーハについて、鏡面よりの取り代が３μｍになる
ような条件でエッチングを施し、その後エッチングされ
た鏡面部を通常の光学顕微鏡、及び微分干渉顕微鏡（Ｎ
ＩＤＥＣＫＩＭ−８Ａ）による５０倍倍率で観察し
た。

【００３３】この結果、通常の光学顕微鏡では全ての場
合について像の実質的な変化は観察されなかった。一
方、微分干渉顕微鏡で観察した場合、実施例１及び実施
例２のエッチング液による処理では、各種ウエーハ共通
に、エッチング後にはスクラッチ状の歪像が観察され、
変化が認められた。しかし、比較例１及び比較例２のエ
ッチング液による処理では、どのウエーハにおいても、
エッチング前の表面状態とエッチング後の表面状態では
鏡面像の実質的な変化は認められなかった。これらの観
察結果を表３に示す。

【００３４】表１ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 試料ウエーハ引上軸の方位導電型抵抗率（Ωｃｍ） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− Ｎｏ．１〈１００〉Ｐ型０．０３〜０．０５Ｎｏ．２〈１００〉Ｐ型１５．０〜１８．０Ｎｏ．３〈１００〉Ｎ型０．０２〜０．０５Ｎｏ．４〈１００〉Ｎ型１４．５〜１７．５Ｎｏ．５〈１１１〉Ｐ型０．０５〜０．０８Ｎｏ．６〈１１１〉Ｐ型１５．５〜１９．０Ｎｏ．７〈１１１〉Ｎ型０．０２〜０．０５Ｎｏ．８〈１１１〉Ｎ型１５．５〜１８．５ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−

【００３５】表２ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例１実施例２比較例１比較例２（混酸エッチ１）（混酸エッチ２）（セコエッチ）（ジルトルエッチ） −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− HF 1.0リットル HF 1.0リットル HF 1.0リットル HF 1.0リットル HNO₃ 3.0リットル HNO₃ 6.0リットル H₂O 0.5リットル H₂O 1.5リットル CH₃COOH 1.5リットル CH₃COOH 2.5リットル K₂Cr₂O₇ 25g CrO₃ 500g −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− HF：濃度50wt.% HNO₃：濃度70wt.% CH₃COOH：濃度100wt.%

【００３６】表３ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 試料ウエーハ実施例１実施例２比較例１比較例２ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− Ｎｏ．１変化あり変化あり変化なし変化なしＮｏ．２変化あり変化あり変化なし変化なしＮｏ．３変化あり変化あり変化なし変化なしＮｏ．４変化あり変化あり変化なし変化なしＮｏ．５変化あり変化あり変化なし変化なしＮｏ．６変化あり変化あり変化なし変化なしＮｏ．７変化あり変化あり変化なし変化なしＮｏ．８変化あり変化あり変化なし変化なし −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−

【００３７】実施例３実施例１で使用したのと同じ、結晶方位〈１００〉でＰ
型及びＮ型の各種抵抗率を有する４種のウエーハについ
て、エッチング代による影響を試験した。すなわち、こ
れらのウエーハに対し、実施例１と同じ混酸を使用し
て、その取り代が０．５、３．０、６．０、１０、１
５、２０μｍになるよう設定してそれぞれエッチング
し、その過程でのスクラッチ像の変化を観察した。

【００３８】この結果、スクラッチ像はそのすべての場
合において観察されたが、エッチング代の深まりととも
にスクラッチ線の像はぼやけてくる。ちなみに、その面
粗さを表面粗さ計（ＷＩＫＯＴＯＰＯ３Ｄ）で測定
したところ、当初の鏡面の粗さが１０ｎｍ以下の小さな
波であったものが、３μｍエッチングで１０〜５０ｎｍ
に、１０μｍエッチングでは５０〜１００ｎｍとエッチ
ング面の凹凸は拡大され、２０μｍエッチングでは１０
０〜５００ｎｍの大きなうねり状の波に変化した。従っ
て、このような表面粗さの拡大現象や、エッチング代を
多くとることによる作業上の無駄を考慮すると、エッチ
ング代は０．５〜１５μｍの範囲が適切であると考えら
れる。

【００３９】実施例４通常のメカノケミカル研磨方法により製造されたウエー
ハについて、上記検査方法による観察を行って潜傷の存
在を確認し、同潜傷を除去するための試験を行った。先
ず、結晶方位〈１００〉のＰ型及びＮ型で抵抗率１４〜
１８ΩｃｍのＳｉ単結晶棒より、所定の工程により鏡面
研磨加工された直径１２５ｍｍの従来品としてのウエー
ハを製造し、これを比較例３とした。

【００４０】鏡面加工の条件は次の通りとした。研磨布
は、１次及び２次をベロア型、３次をスエード型とする
硬度８０〜６０、圧縮率５〜１５、弾性圧縮率７０〜８
０の範囲のものを使用した。また研磨材はコロイダルシ
リカで平均粒子径３０〜１５ｎｍ、アルカリ液としてＮ
ａＯＨ濃度１〜０．３ｗｔ．％の水溶液について、３段
階の条件に分け、各段階について約１０分の研磨を行っ
た。ウエーハは、研磨機１回の処理単位６枚を１ロット
とし、Ｐ型及びＮ型のウエーハ各３ロットを製造した。

【００４１】この比較例３のＰ型及びＮ型ウエーハ各１
ロット／６枚について、実施例２で使用の混酸により５
μｍ深さに達するエッチング処理を施し、微分干渉顕微
鏡で鏡面部を検査したところ、全数のウエーハについて
スクラッチ状の潜傷を検出した。

【００４２】次に、実施例４として、上記比較例３の方
法で製造したＰ型、Ｎ型の各２ロット／１２枚に対し、
次の条件による鏡面研磨を追加した。すなわち、研磨布
はポリウレタンのスエード型で硬度が８０、圧縮率１
５、弾性圧縮率９０のものを使用し、研磨材を含まない
０．２ｗｔ．％のＮａＯＨ水溶液により約３０分の研磨
を行った。その後、各ロット／６枚のウエーハについ
て、実施例２で使用の混酸により５μｍ深さに達するエ
ッチング処理を施した後、微分干渉顕微鏡によりその表
面のスクラッチの有無を検査した。その結果、どのウエ
ーハにおいてもスクラッチ像はほぼ消滅していることが
観察された。

【００４３】実施例５前記比較例３で残されたＰ型及びＮ型の各６枚のウエー
ハと、実施例４で残されたＰ型及びＮ型の各６枚のウエ
ーハについて、酸素含有雰囲気中において１１００℃で
１００分の熱処理を行った後、セコエッチング液で処理
し、４００倍の顕微鏡で鏡面部に析出したＯＳＦを測定
した。このＯＳＦの測定は、ウエーハ鏡面部の５点視野
より計測された平均値である。表４は、各６枚のウエー
ハのＯＳＦ検査値を更に平均した値を示す。表４の結果
から、潜傷が除去されたウエーハについては、ＯＳＦの
発生も抑制されていることが分かる。

【００４４】表４ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 導電型抵抗率（Ωｃｍ）比較例３のウエーハ実施例４のウエーハ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− Ｐ型１５．０〜１８．０２７個／ｃｍ² ６個／ｃｍ² Ｎ型１４．５〜１７．５３３個／ｃｍ² ７個／ｃｍ² −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−

【００４５】

【発明の効果】本発明における鋭敏な検査方法によって
も、潜傷等が検出されない鏡面ウエーハの製造方法を提
供することができる。また本発明によって、鏡面ウエー
ハの潜傷の有無を検知する鋭敏な検査方法を提供するこ
とができる。本発明によれば、ＯＳＦの発生が少ない高
度な結晶品質を有するシリコンウエーハを提供すること
が可能となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭51−19483（ＪＰ，Ａ) 特開昭56−32116（ＪＰ，Ａ) 特開平１−17879（ＪＰ，Ａ) 特開平１−42823（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304,21/306,21/308

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｓｉ単結晶からなる鏡面ウエーハを製造
するための最終の仕上研磨において、前記鏡面ウエーハ
を、５０重量％のフッ化水素酸、７０重量％の硝酸、及
び純酢酸各々の混合容積比で１：（１〜１０）：（１〜
５）の範囲にあるエッチング液に浸漬して前記鏡面ウエ
ーハの鏡面からの深さで０．５〜１５μｍの範囲内をエ
ッチングし、このエッチング処理を受けた鏡面ウエーハ
の鏡面を微分干渉顕微鏡により観察し、この観察により
潜傷の存在が認められなくなるまで研磨材（砥粒）を含
まない化学的研磨液及び研磨布により鏡面ウエーハの研
磨を行うことを特徴とする鏡面ウエーハの製造方法。
【請求項２】前記最終の仕上研磨は、研磨材（砥粒）
を含む化学的研磨液及び研磨布による１段階以上の研磨
工程を経た後に行うものである請求項１に記載の鏡面ウ
エーハの製造方法。
【請求項３】前記最終の仕上研磨は、平面研削法によ
る研削工程を経た後に行うものである請求項１に記載の
鏡面ウエーハの製造方法。
【請求項４】前記化学的研磨液は、アルカリ金属の水
酸化物を含む水溶液又はアルカリ金属の水酸化物及びア
ンモニア水を含む水溶液である請求項１ないし請求項３
のいずれか１項に記載の鏡面ウエーハの製造方法。
【請求項５】前記最終の仕上研磨は、前記鏡面ウエー
ハの鏡面を微分干渉顕微鏡で観察することにより潜傷が
認められなくなるまで行うものである請求項１ないし請
求項４のいずれか１項に記載の鏡面ウエーハの製造方
法。
【請求項６】前記研磨布は、基布の上にポリウレタン
発泡層を設けたスエード型、又は基布にポリウレタン樹
脂を含浸発泡及び硬化処理して得られる不織布型のもの
であって、その研磨布表面部の特性値は、硬度（ＪＩＳ
Ｋ−６３０１）４０〜８０、圧縮率（ＪＩＳＬ−１０
９６）２〜２０、弾性圧縮率（ＪＩＳＬ−１０９６）
６０〜９９の範囲となるものである請求項１ないし請求
項５のいずれか１項に記載の鏡面ウエーハの製造方法。
【請求項７】Ｓｉ単結晶からなる鏡面ウエーハを、５
０重量％のフッ化水素酸、７０重量％の硝酸、及び純酢
酸各々の混合容積比で１：（１〜１０）：（１〜５）の
範囲にあるエッチング液に浸漬して前記鏡面ウエーハの
鏡面からの深さで０．５〜１５μｍの範囲内をエッチン
グし、このエッチング処理を受けた鏡面ウエーハの鏡面
を微分干渉顕微鏡により観察して潜傷の有無を検査する
各工程を有する鏡面ウエーハの検査方法。