JPH04209532A - シリコン結晶選択エッチング液 - Google Patents
シリコン結晶選択エッチング液Info
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- JPH04209532A JPH04209532A JP40535590A JP40535590A JPH04209532A JP H04209532 A JPH04209532 A JP H04209532A JP 40535590 A JP40535590 A JP 40535590A JP 40535590 A JP40535590 A JP 40535590A JP H04209532 A JPH04209532 A JP H04209532A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
【産業上の利用分野】この発明は、シリコンウェハ表面
および結晶内の結晶欠陥検査に用いられるシリコン結晶
選択エツチング液に関するものである。 ［０００２］
および結晶内の結晶欠陥検査に用いられるシリコン結晶
選択エツチング液に関するものである。 ［０００２］
【従来の技術】従来、シリコンウェハ表面および結晶内
の結晶欠陥評価に最も用いられるシリコン結晶選択エツ
チング液には、酸化剤として重クロム酸や重クロム酸カ
ノウム等の六価クロムが含まれており（例えば、Ｗｒｉ
ｇｈｔ液〔成分比／ＨＦ ６０ｍ１ ＋ＨＮＯ：１
３０ｍ１＋Ｈ２０６０ｍ１＋Ｃｒ０３（５Ｍ）３０ｍｌ
＋Ｃｕ（ＮＯ３） ・３ Ｈ２Ｏ２ｇ千木酢酸６０ｍ
１；Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｍ
ｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ、１２４巻（１９７７）Ｐ
、７５７〕や、５ｉｒｔｌ液〔成分比／ＨＦ ： Ｃｒ
０３ （５Ｍ） ＝１ ： １ ；Ｚｅｉｔｓｃｈｒ
ｉｆｔ ｆｕｒ Ｍｅｔａｌｌｋｕｎｄｅ、５２巻
（１９６１）Ｐ、５２９］等がある。）、作業時の危険
性や環境汚染が問題視され、六価クロムが含まれていな
い選択エツチング液の開発が期待されていた。また、今
までにも酸化剤として六価クロムの代わりに硝酸を含ん
だ選択エツチング液の報告はあるが、報告された成分比
では（例えば、Ｄａｓｈ液〔成分比／ＨＦ ：ＨＮＯ３
：ＣＨ：１ｃＯＯＨ＝１ ： ３ ： １０ ； Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ、２７巻（１９５６）Ｐ、１１９３：ｌや、Ｓｃｈ
ｍｍｅｌ液〔成分比／ＨＦ ：ＨＮＣｈ＝１５５ ：
１ ； Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ、１２３巻（１９７
６）Ｐ、７３４）等がある。）、上記の六価クロムを含
有するエツチング液に匹敵する性能は得られなかった。 ［０００３］
の結晶欠陥評価に最も用いられるシリコン結晶選択エツ
チング液には、酸化剤として重クロム酸や重クロム酸カ
ノウム等の六価クロムが含まれており（例えば、Ｗｒｉ
ｇｈｔ液〔成分比／ＨＦ ６０ｍ１ ＋ＨＮＯ：１
３０ｍ１＋Ｈ２０６０ｍ１＋Ｃｒ０３（５Ｍ）３０ｍｌ
＋Ｃｕ（ＮＯ３） ・３ Ｈ２Ｏ２ｇ千木酢酸６０ｍ
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ｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ、１２４巻（１９７７）Ｐ
、７５７〕や、５ｉｒｔｌ液〔成分比／ＨＦ ： Ｃｒ
０３ （５Ｍ） ＝１ ： １ ；Ｚｅｉｔｓｃｈｒ
ｉｆｔ ｆｕｒ Ｍｅｔａｌｌｋｕｎｄｅ、５２巻
（１９６１）Ｐ、５２９］等がある。）、作業時の危険
性や環境汚染が問題視され、六価クロムが含まれていな
い選択エツチング液の開発が期待されていた。また、今
までにも酸化剤として六価クロムの代わりに硝酸を含ん
だ選択エツチング液の報告はあるが、報告された成分比
では（例えば、Ｄａｓｈ液〔成分比／ＨＦ ：ＨＮＯ３
：ＣＨ：１ｃＯＯＨ＝１ ： ３ ： １０ ； Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ、２７巻（１９５６）Ｐ、１１９３：ｌや、Ｓｃｈ
ｍｍｅｌ液〔成分比／ＨＦ ：ＨＮＣｈ＝１５５ ：
１ ； Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃ
ｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ、１２３巻（１９７
６）Ｐ、７３４）等がある。）、上記の六価クロムを含
有するエツチング液に匹敵する性能は得られなかった。 ［０００３］
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
解消するために、酸化剤として六価クロムの代わりに硝
酸を含有させ、かつ含有成分比を最適化することによっ
て六価クロムによる作業の危険性および環境汚染を絶廃
させつつ、従来の六価クロム含有のエツチング液と同等
あるいはより優れた性能を有するエツチング液を提供す
ることを目的とするものである。 ［０００４］
解消するために、酸化剤として六価クロムの代わりに硝
酸を含有させ、かつ含有成分比を最適化することによっ
て六価クロムによる作業の危険性および環境汚染を絶廃
させつつ、従来の六価クロム含有のエツチング液と同等
あるいはより優れた性能を有するエツチング液を提供す
ることを目的とするものである。 ［０００４］
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコン結晶
を選択的にエツチングするエツチング液に関するもので
あり、酸化剤として硝酸３６．５〜４９．５体積％、酸
化物溶解剤として弗酸１．５〜５体積％、反応緩衝剤と
して酢酸１２．５〜３３．５体積％、及び残部が水およ
び不可避なる不純物からなることを特徴とする。また、
上記配合内で、所定の成分に調整すればエツチングする
結晶方位を選択することを可能にするものである。 ［０００５］
を選択的にエツチングするエツチング液に関するもので
あり、酸化剤として硝酸３６．５〜４９．５体積％、酸
化物溶解剤として弗酸１．５〜５体積％、反応緩衝剤と
して酢酸１２．５〜３３．５体積％、及び残部が水およ
び不可避なる不純物からなることを特徴とする。また、
上記配合内で、所定の成分に調整すればエツチングする
結晶方位を選択することを可能にするものである。 ［０００５］
【作用】半導体結晶を基板として製造された集積演算素
子内に結晶欠陥が発生した場合、リーク電流や信号の遅
延などを生じ、演算機能が乱される。そこで、これらの
結晶欠陥の低減、発生制御をすることが極めて重要とな
る。そのためには、これらの欠陥の同定を行ない、評価
をすることが必要となる。欠陥評価法として最も広く使
われているのは、選択エツチング法である。これは、欠
陥を含む結晶を選択性を有する液でエツチングし、欠陥
部分をエッチビットとして現出させ、光学顕微鏡や走査
型電子顕微鏡で観察する方法である。選択エツチング法
は、破壊測定であることを除けば、手法が極めて簡便で
、欠陥の種類の同定や密度分布測定が可能である。特に
数個７６ｍ２オーダーの低密度な欠陥を検出したり、ウ
ェハ面全体の分布を測定する際には極めて有効な手段と
なる。 ［０００６１本発明のエツチング液の成分範囲である、
硝酸３６．５〜４９．５体積％、弗酸１．５〜５体積％
、酢酸１２．５〜３３．５体積％、及び残部が水および
不可避なる不純物からなる液を用いて、欠陥を含む結晶
をエツチングすると、表面の結晶方位によらず欠陥形状
を反映した明瞭なエッチビットが現出し、表面荒れも少
ないため、欠陥の種類、大きさ、密度、位置、及び分布
等を正確に判断することができる。しかし、硝酸が３６
．５体積％未満、あるいは弗酸が１．５体積％未満、あ
るいは酢酸が３３．５体積％超の場合には、表面荒れが
増加しかつエッチピット形状が実際の欠陥形状と異なる
ため、選択エツチング液としては不適となる。また、硝
酸が４９．５体積％超、あるいは弗酸が５体積％超、あ
るいは酢酸が１２．５体積％未溝の場合には、エッチビ
ットが明瞭には現出しなくなり、選択エツチング液とし
ては不適となる。更に、上記成分範囲内で、各結晶方位
に対して特に優れた性能を有する液の成分範囲が存在す
る。硝酸３８．５〜４６体積％、弗酸１．５〜５体積％
、酢酸１６．５〜２９体積％、及び残部が水および不可
避なる不純物からなる選択エツチング液を用いて、表面
の結晶方位が（１００）方向である結晶欠陥を含む結晶
をエツチングすると、エッチビット形状が実際の欠陥形
状に極めて近く、表面荒れが少ないため、欠陥の種類、
大きさ、及び形状を判断する際に、特に有利である。ま
た、硝酸４１〜４９４５体積％、弗酸１．５〜５体積％
、酢酸１２．５〜２７体積％、及び残部が水および不可
避なる不純物からなる選択エツチング液を用いて、表面
の結晶方位が（１１１）方向である結晶欠陥を含む結晶
をエツチングすると、エッチビットが極めて明瞭で、表
面荒れが極めて少ないため、欠陥の種類、大きさ、及び
密度を判断する際に特に有利である。 ［０００７］従来用いられてきた選択エツチング液とし
ては、 （１００）結晶に対してはＷｒｉｇｈｔ液（成
分比／ＨＦ ６０ｍ ｌ ＋ＨＮＯ３３０ｍ ｌ ＋
Ｈ２０６０ｍｌ＋ｃｒｏ３（５Ｎｉ）３０ｍｌ＋Ｃｕ
（ＮＯ３） ・３Ｈ２０２ｇ十水氷酢酸６０１）が、
（１１１）結晶に対してはＷｒｉｇｈｔ液及び５ｉｒ
ｔｌ液（成分比／ＨＦ ： Ｃｒｏ３（５Ｍ） ＝１
： １）が掲げられる。本発明の、硝酸３６４５〜４９
．５体積％、弗酸１．５〜５体積％、酢酸１２．５〜３
３．５体積％、及び残部が水および不可避なる不純物か
らなるエツチング液で結晶欠陥を含む結晶をエツチング
すると、欠陥形状を反映した明瞭なエッチビットが現出
することや表面荒れが少ないことの点で、表面の結晶方
位によらずＷｒｉｇｈｔ液と同等かあるいは優れている
。また、硝酸３８．５〜４６体積％、弗酸１４５〜５体
積％、酢酸１６．５〜２９体積％、及び残部が水および
不可避なる不純物からなるエツチング液で、結晶欠陥を
含む表面の結晶方位が（１００）方向の結晶をエツチン
グすると、エッチピットの形状が実際の欠陥形状に極め
て近いことや表面荒れが少ないことの点で、Ｗｒｉｇｈ
ｔ液の場合より優れている。 さらに、硝酸４１〜４９．５体積％、弗酸１．５〜５体
積％、酢酸１２．５〜２７体積％、及び残部が水および
不可避なる不純物からなる液で、結晶欠陥を含む表面の
結晶方位が（１１１）方向の結晶をエツチングするとエ
ッチビットの形状が極めて明瞭でかつ表面荒れが極めて
少ないことの点で、Ｗｒｉｇｈｔ液及び５ｉｒｔｌ液の
場合より優れている。
＊＊［０００８］
子内に結晶欠陥が発生した場合、リーク電流や信号の遅
延などを生じ、演算機能が乱される。そこで、これらの
結晶欠陥の低減、発生制御をすることが極めて重要とな
る。そのためには、これらの欠陥の同定を行ない、評価
をすることが必要となる。欠陥評価法として最も広く使
われているのは、選択エツチング法である。これは、欠
陥を含む結晶を選択性を有する液でエツチングし、欠陥
部分をエッチビットとして現出させ、光学顕微鏡や走査
型電子顕微鏡で観察する方法である。選択エツチング法
は、破壊測定であることを除けば、手法が極めて簡便で
、欠陥の種類の同定や密度分布測定が可能である。特に
数個７６ｍ２オーダーの低密度な欠陥を検出したり、ウ
ェハ面全体の分布を測定する際には極めて有効な手段と
なる。 ［０００６１本発明のエツチング液の成分範囲である、
硝酸３６．５〜４９．５体積％、弗酸１．５〜５体積％
、酢酸１２．５〜３３．５体積％、及び残部が水および
不可避なる不純物からなる液を用いて、欠陥を含む結晶
をエツチングすると、表面の結晶方位によらず欠陥形状
を反映した明瞭なエッチビットが現出し、表面荒れも少
ないため、欠陥の種類、大きさ、密度、位置、及び分布
等を正確に判断することができる。しかし、硝酸が３６
．５体積％未満、あるいは弗酸が１．５体積％未満、あ
るいは酢酸が３３．５体積％超の場合には、表面荒れが
増加しかつエッチピット形状が実際の欠陥形状と異なる
ため、選択エツチング液としては不適となる。また、硝
酸が４９．５体積％超、あるいは弗酸が５体積％超、あ
るいは酢酸が１２．５体積％未溝の場合には、エッチビ
ットが明瞭には現出しなくなり、選択エツチング液とし
ては不適となる。更に、上記成分範囲内で、各結晶方位
に対して特に優れた性能を有する液の成分範囲が存在す
る。硝酸３８．５〜４６体積％、弗酸１．５〜５体積％
、酢酸１６．５〜２９体積％、及び残部が水および不可
避なる不純物からなる選択エツチング液を用いて、表面
の結晶方位が（１００）方向である結晶欠陥を含む結晶
をエツチングすると、エッチビット形状が実際の欠陥形
状に極めて近く、表面荒れが少ないため、欠陥の種類、
大きさ、及び形状を判断する際に、特に有利である。ま
た、硝酸４１〜４９４５体積％、弗酸１．５〜５体積％
、酢酸１２．５〜２７体積％、及び残部が水および不可
避なる不純物からなる選択エツチング液を用いて、表面
の結晶方位が（１１１）方向である結晶欠陥を含む結晶
をエツチングすると、エッチビットが極めて明瞭で、表
面荒れが極めて少ないため、欠陥の種類、大きさ、及び
密度を判断する際に特に有利である。 ［０００７］従来用いられてきた選択エツチング液とし
ては、 （１００）結晶に対してはＷｒｉｇｈｔ液（成
分比／ＨＦ ６０ｍ ｌ ＋ＨＮＯ３３０ｍ ｌ ＋
Ｈ２０６０ｍｌ＋ｃｒｏ３（５Ｎｉ）３０ｍｌ＋Ｃｕ
（ＮＯ３） ・３Ｈ２０２ｇ十水氷酢酸６０１）が、
（１１１）結晶に対してはＷｒｉｇｈｔ液及び５ｉｒ
ｔｌ液（成分比／ＨＦ ： Ｃｒｏ３（５Ｍ） ＝１
： １）が掲げられる。本発明の、硝酸３６４５〜４９
．５体積％、弗酸１．５〜５体積％、酢酸１２．５〜３
３．５体積％、及び残部が水および不可避なる不純物か
らなるエツチング液で結晶欠陥を含む結晶をエツチング
すると、欠陥形状を反映した明瞭なエッチビットが現出
することや表面荒れが少ないことの点で、表面の結晶方
位によらずＷｒｉｇｈｔ液と同等かあるいは優れている
。また、硝酸３８．５〜４６体積％、弗酸１４５〜５体
積％、酢酸１６．５〜２９体積％、及び残部が水および
不可避なる不純物からなるエツチング液で、結晶欠陥を
含む表面の結晶方位が（１００）方向の結晶をエツチン
グすると、エッチピットの形状が実際の欠陥形状に極め
て近いことや表面荒れが少ないことの点で、Ｗｒｉｇｈ
ｔ液の場合より優れている。 さらに、硝酸４１〜４９．５体積％、弗酸１．５〜５体
積％、酢酸１２．５〜２７体積％、及び残部が水および
不可避なる不純物からなる液で、結晶欠陥を含む表面の
結晶方位が（１１１）方向の結晶をエツチングするとエ
ッチビットの形状が極めて明瞭でかつ表面荒れが極めて
少ないことの点で、Ｗｒｉｇｈｔ液及び５ｉｒｔｌ液の
場合より優れている。
＊＊［０００８］
【実施例】表１に、本発明のエツチング液を用いた実施
例について示す。いずれも六価クロムを含んでいない。 図１，２は、本発明を各々（１００）結晶及び（１１１
）結晶に適用し、結晶内に存在する酸化誘起積層欠陥を
現出させたときのエッチビットのスケッチ例である。 比較として六価クロムを含有するＷｒｉｇｈｔ液（成分
比／ＨＦ ６０ｍ１＋ＨＮＯ３３０ｍ１＋Ｈ２Ｏ６０
ｍ１ ＋Ｃｒｏ３ （５Ｍ）３０ｍｌ ＋Ｃｕ （ＮＯ
３） ・３８２０２ｇ十水氷酢酸６０ｍ１）により現
出させた積層欠陥のエッチビットスケッチも合わせて示
す。試料は、（１００）結晶、 （１１１）結晶とも
窒素雰囲気中で８００℃１６時間保持後、−度室温に降
温し、ひきつづいて酸素雰囲気中で１１００℃４時間保
持することにより結晶内の（１１１）の結晶面上に積層
欠陥を誘起させた。エツチングは、まず１０％弗酸に３
０分試料を浸し、酸化膜を除去した後、２４〜２７℃で
エツチングを行ない、微分干渉顕微鏡でエッチビット形
状を観察した。この結果より、木節クロムを含有しない
本発明のエツチング液は、硝酸３６．５〜４９．５体積
％かつ弗酸１６５〜５体積％かつ酢酸１２．５〜３３．
５体積％の範囲において、欠陥形状を反映した明瞭なエ
ッチピットが現出することや表面荒れが少ないことの点
で、比較例の六価クロム含有のＷｒｉｇｈｔ液に匹敵す
る性能を有することが分かる。特に、 （１００）結晶
に対しては、硝酸３８．５〜４６体積％かつ弗酸１．５
〜５体積％かつ酢酸１６．５〜２９体積％の範囲におい
て、エッチビット形状が実際の欠陥形状に極めて近いこ
とや表面荒れが少ないことの点で、Ｗｒｉｇｈｔ液より
性能が優れていることが分かる。また、 （１１１）結
晶に対しては、硝酸４１〜４９．５体積％かつ弗酸１．
５〜５体積％かつ酢酸１２．５〜２７体積％の範囲にお
いて、エッチビット形状が極めて明瞭でかつ表面荒れが
極めて少ないことの点で、Ｗｒｉｇｈｔ液より性能が優
れていることが分かる。 ［０００９］
例について示す。いずれも六価クロムを含んでいない。 図１，２は、本発明を各々（１００）結晶及び（１１１
）結晶に適用し、結晶内に存在する酸化誘起積層欠陥を
現出させたときのエッチビットのスケッチ例である。 比較として六価クロムを含有するＷｒｉｇｈｔ液（成分
比／ＨＦ ６０ｍ１＋ＨＮＯ３３０ｍ１＋Ｈ２Ｏ６０
ｍ１ ＋Ｃｒｏ３ （５Ｍ）３０ｍｌ ＋Ｃｕ （ＮＯ
３） ・３８２０２ｇ十水氷酢酸６０ｍ１）により現
出させた積層欠陥のエッチビットスケッチも合わせて示
す。試料は、（１００）結晶、 （１１１）結晶とも
窒素雰囲気中で８００℃１６時間保持後、−度室温に降
温し、ひきつづいて酸素雰囲気中で１１００℃４時間保
持することにより結晶内の（１１１）の結晶面上に積層
欠陥を誘起させた。エツチングは、まず１０％弗酸に３
０分試料を浸し、酸化膜を除去した後、２４〜２７℃で
エツチングを行ない、微分干渉顕微鏡でエッチビット形
状を観察した。この結果より、木節クロムを含有しない
本発明のエツチング液は、硝酸３６．５〜４９．５体積
％かつ弗酸１６５〜５体積％かつ酢酸１２．５〜３３．
５体積％の範囲において、欠陥形状を反映した明瞭なエ
ッチピットが現出することや表面荒れが少ないことの点
で、比較例の六価クロム含有のＷｒｉｇｈｔ液に匹敵す
る性能を有することが分かる。特に、 （１００）結晶
に対しては、硝酸３８．５〜４６体積％かつ弗酸１．５
〜５体積％かつ酢酸１６．５〜２９体積％の範囲におい
て、エッチビット形状が実際の欠陥形状に極めて近いこ
とや表面荒れが少ないことの点で、Ｗｒｉｇｈｔ液より
性能が優れていることが分かる。また、 （１１１）結
晶に対しては、硝酸４１〜４９．５体積％かつ弗酸１．
５〜５体積％かつ酢酸１２．５〜２７体積％の範囲にお
いて、エッチビット形状が極めて明瞭でかつ表面荒れが
極めて少ないことの点で、Ｗｒｉｇｈｔ液より性能が優
れていることが分かる。 ［０００９］
【表１】
［００１０１
【発明の効果］本発明を半導体結晶欠陥評価に用いた場
合、従来の六価クロム系選択エツチング液に匹敵するあ
るいはそれより優れた性能を持つために、今まで原因不
明とされてきた高集積演算素子の演算エラーの原因とな
る結晶欠陥の解明が可能となり、しいてはデバイス製造
歩留まり向上・＼結びつくなど、工業上の効果は犬であ
る。また、本発明は六価クロムを含有しないため、作業
上の危険性、あるいは環境汚染への問題が解決される上
、今まで付帯設備として必要であった六価クロム廃液保
管・処理設備が不必要となり、その方面での工業上の効
果も大である。
合、従来の六価クロム系選択エツチング液に匹敵するあ
るいはそれより優れた性能を持つために、今まで原因不
明とされてきた高集積演算素子の演算エラーの原因とな
る結晶欠陥の解明が可能となり、しいてはデバイス製造
歩留まり向上・＼結びつくなど、工業上の効果は犬であ
る。また、本発明は六価クロムを含有しないため、作業
上の危険性、あるいは環境汚染への問題が解決される上
、今まで付帯設備として必要であった六価クロム廃液保
管・処理設備が不必要となり、その方面での工業上の効
果も大である。
【図１】本発明を（１００）結晶に適用し、結晶内に存
在する酸化誘起積層欠陥を現出させたときのエッチピッ
１へのスケッチの例である。比較例として、穴部クロム
を含有するＷｒｉｇｈｔ液により現出させた積層欠陥の
エッチピッ１〜のスケッチも合わせて示しである。
在する酸化誘起積層欠陥を現出させたときのエッチピッ
１へのスケッチの例である。比較例として、穴部クロム
を含有するＷｒｉｇｈｔ液により現出させた積層欠陥の
エッチピッ１〜のスケッチも合わせて示しである。
【図２】本発明を（１１１）結晶に適用し、結晶内に存
在する酸化誘起積層欠陥を現出させたときのエッチピッ
トのスケッチの例である。比較例として、六価クロムを
含有するＷｒｉｇｈｔ液により現出させた積層欠陥のエ
ッチピッ１〜のスケッチも合わせて示しである。
在する酸化誘起積層欠陥を現出させたときのエッチピッ
トのスケッチの例である。比較例として、六価クロムを
含有するＷｒｉｇｈｔ液により現出させた積層欠陥のエ
ッチピッ１〜のスケッチも合わせて示しである。
Claims (3)
- 【請求項１】硝酸３６．５〜４９．５体積％、弗酸１．
５〜５体積％、酢酸１２．５〜３３．５体積％、及び残
部が水および不可避なる不純物からなることを特徴とす
るシリコン結晶選択エッチング液。 - 【請求項２】硝酸３８．５〜４６体積％、弗酸１．５〜
５体積％、酢酸１６．５〜２９体積％、及び残部が水お
よび不可避なる不純物からなり、かつ表面の結晶方位が
（１００）方向である結晶に対して適用されることを特
徴とするシリコン結晶選択エッチング液。 - 【請求項３】硝酸４１〜４９．５体積％、弗酸１．５〜
５体積％、酢酸１２．５〜２７体積％、及び残部が水お
よび不可避なる不純物からなり、かつ表面の結晶方位が
（１１１）方向である結晶に対して適用されることを特
徴とするシリコン結晶選択エッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40535590A JPH04209532A (ja) | 1990-12-06 | 1990-12-06 | シリコン結晶選択エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40535590A JPH04209532A (ja) | 1990-12-06 | 1990-12-06 | シリコン結晶選択エッチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04209532A true JPH04209532A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18514961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40535590A Withdrawn JPH04209532A (ja) | 1990-12-06 | 1990-12-06 | シリコン結晶選択エッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04209532A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5943549A (en) * | 1996-12-27 | 1999-08-24 | Komatsu Electronics Metals Co., Ltd. | Method of evaluating silicon wafers |
| WO2006080264A1 (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 選択エッチング方法及びシリコン単結晶基板 |
| KR100646730B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-11-23 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 결정 결함 평가용 부식액 및 이를 이용한결정결함 평가방법 |
| KR100706822B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법및 기판의 재생 방법 |
| JP2008131052A (ja) * | 2006-11-23 | 2008-06-05 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | Ｓｉ基板およびＳｉＧｅ基板用のクロムを含まないエッチング液、そのエッチング液を使用して欠陥を明らかにする方法、およびそのエッチング液を使用してＳｉ基板およびＳｉＧｅ基板を処理するプロセス |
| US7642198B2 (en) | 2004-03-29 | 2010-01-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for evaluating crystal defects of silicon wafer |
| JP2011114080A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン基板のエッチング方法およびシリコン基板の不純物分析方法 |
| JP2011209271A (ja) * | 2011-01-19 | 2011-10-20 | Lasertec Corp | 検査装置及び欠陥分類方法 |
-
1990
- 1990-12-06 JP JP40535590A patent/JPH04209532A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7811464B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-10-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Preferential etching method and silicon single crystal substrate |
| KR100706822B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법및 기판의 재생 방법 |
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| JP2011114080A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン基板のエッチング方法およびシリコン基板の不純物分析方法 |
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