JPH05172731A - 粒子検出方法 - Google Patents
粒子検出方法Info
- Publication number
- JPH05172731A JPH05172731A JP3341386A JP34138691A JPH05172731A JP H05172731 A JPH05172731 A JP H05172731A JP 3341386 A JP3341386 A JP 3341386A JP 34138691 A JP34138691 A JP 34138691A JP H05172731 A JPH05172731 A JP H05172731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- particles
- sheet
- particle
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光を使用して粒子を検出する粒子を
検出する粒子検出方法に関し、高精度に粒子を検出する
ことを目的とする。 【構成】 光源１１からの照射光１１ａをハーフミラー
１２により分光し、それぞれの照射光１１ａ1 ，１１ａ
2 をガルバノメータ１３ａ1 ，１３ａ2 により、管１５
の直径より広いシート光１４ａ1 ，１４ａ2 を形成す
る。このシート光１４ａ1 ，１４ａ2 を管１５の側部水
平方向より角度θ1 ，θ2 で照射し、二次元のＣＣＤが
配列された検出部１７で該管１６の斜め断面全域を受光
する。そして、検出部１７からの画像信号１７ａで処理
部１８により粒子１５の数及び形状を検出する。
検出する粒子検出方法に関し、高精度に粒子を検出する
ことを目的とする。 【構成】 光源１１からの照射光１１ａをハーフミラー
１２により分光し、それぞれの照射光１１ａ1 ，１１ａ
2 をガルバノメータ１３ａ1 ，１３ａ2 により、管１５
の直径より広いシート光１４ａ1 ，１４ａ2 を形成す
る。このシート光１４ａ1 ，１４ａ2 を管１５の側部水
平方向より角度θ1 ，θ2 で照射し、二次元のＣＣＤが
配列された検出部１７で該管１６の斜め断面全域を受光
する。そして、検出部１７からの画像信号１７ａで処理
部１８により粒子１５の数及び形状を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光を使用して粒子を検
出する粒子検出方法に関する。
出する粒子検出方法に関する。
【０００２】近年、半導体製造においては、半導体の配
線パターンの微細化が急速に進んでおり、配線パターン
が微細になるに伴い、半導体の製造時に不良となるＩＣ
が増加し、歩留りを低下している。この半導体不良の原
因の一つに粒子による半導体製造プロセスへの影響が挙
げられる。
線パターンの微細化が急速に進んでおり、配線パターン
が微細になるに伴い、半導体の製造時に不良となるＩＣ
が増加し、歩留りを低下している。この半導体不良の原
因の一つに粒子による半導体製造プロセスへの影響が挙
げられる。
【０００３】従って、粒子による半導体製造時の不良を
減少させるために、粒子の粒径、数量等を高精度に検出
する必要がある。
減少させるために、粒子の粒径、数量等を高精度に検出
する必要がある。
【０００４】
【従来の技術】図５に、従来の粒子検出を説明するため
の図を示す。図５（Ａ）は側面方向よりみた概念図であ
り、図５（Ｂ）は上面方向よりみた概念図である。
の図を示す。図５（Ａ）は側面方向よりみた概念図であ
り、図５（Ｂ）は上面方向よりみた概念図である。
【０００５】図５（Ａ），（Ｂ）は、例えば、半導体製
造工程で使用される真空室を真空にする場合の吸引パイ
プ内で粒子を検出する場合を示している。図５（Ａ），
（Ｂ）において、吸引パイプ３１内を種々の粒径の粒子
３２が、図面上、上方より下方に移動される。この吸引
パイプ３１に、光源（図示せず）より水平に該吸引パイ
プ３１の直径より小さい幅を有する（又は収束される）
レーザ光３３（Ｈｅ−Ｎｅレーザ、半導体レーザ）が照
射される。
造工程で使用される真空室を真空にする場合の吸引パイ
プ内で粒子を検出する場合を示している。図５（Ａ），
（Ｂ）において、吸引パイプ３１内を種々の粒径の粒子
３２が、図面上、上方より下方に移動される。この吸引
パイプ３１に、光源（図示せず）より水平に該吸引パイ
プ３１の直径より小さい幅を有する（又は収束される）
レーザ光３３（Ｈｅ−Ｎｅレーザ、半導体レーザ）が照
射される。
【０００６】この場合、粒子３２にレーザ光３３が照射
されると、該粒子３２が反射により散乱光を発する。こ
の散乱光を、レーザ光３３と所定の角度で配置された一
次元の受光センサで構成される検出器３４により受光す
る。すなわち、受光したか否かで粒子３２の数量が計数
され、受光量により当該粒子３２の粒径を判別すること
ができるものである。
されると、該粒子３２が反射により散乱光を発する。こ
の散乱光を、レーザ光３３と所定の角度で配置された一
次元の受光センサで構成される検出器３４により受光す
る。すなわち、受光したか否かで粒子３２の数量が計数
され、受光量により当該粒子３２の粒径を判別すること
ができるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、粒子を検出す
る場合、粒子からの散乱光によって判別することから、
吸引パイプ３１内のレーザ光３３が照射されない部分を
通過する粒子が検出できないと共に、大きな粒子の影に
小さな粒子に位置した場合にはレーザ光３３が照射され
ずに検出できないこととなり、検出精度が低いという問
題がある。
る場合、粒子からの散乱光によって判別することから、
吸引パイプ３１内のレーザ光３３が照射されない部分を
通過する粒子が検出できないと共に、大きな粒子の影に
小さな粒子に位置した場合にはレーザ光３３が照射され
ずに検出できないこととなり、検出精度が低いという問
題がある。
【０００８】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、高精度に粒子の検出を行う粒子検出方法を提供
することを目的とする。
もので、高精度に粒子の検出を行う粒子検出方法を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１に、本発明方法の原
理説明図を示す。図１において、第１の工程は、光源か
らの光を所定数に分光し、それぞれ分光した光より前記
管の直径より広いシート光を形成する。第２の工程は、
該所定数のシート光を、粒子が通過する所定の管の側部
水平方向より所定角度で照射する。第３の工程では、該
管内の該シート光が照射された照射領域に位置する粒子
からの散乱光を、該シート光の方向と所定角度で二次元
的に受光する。そして、第４の工程では、該受光された
画像信号により、該粒子の数及び形状を検出する。
理説明図を示す。図１において、第１の工程は、光源か
らの光を所定数に分光し、それぞれ分光した光より前記
管の直径より広いシート光を形成する。第２の工程は、
該所定数のシート光を、粒子が通過する所定の管の側部
水平方向より所定角度で照射する。第３の工程では、該
管内の該シート光が照射された照射領域に位置する粒子
からの散乱光を、該シート光の方向と所定角度で二次元
的に受光する。そして、第４の工程では、該受光された
画像信号により、該粒子の数及び形状を検出する。
【００１０】
【作用】上述のように、粒子が通過する管の直径より広
いシート光を所定数形成して、該管に、側部水平方向よ
り所定角度で照射する。これにより、管内を通過する総
てが測定対象となり、しかも、例えば２つのシート光を
照射することであるシート光の照射領域で重なる粒子
も、他のシート光で照射されることとなり、検査もれを
防止することが可能となる。
いシート光を所定数形成して、該管に、側部水平方向よ
り所定角度で照射する。これにより、管内を通過する総
てが測定対象となり、しかも、例えば２つのシート光を
照射することであるシート光の照射領域で重なる粒子
も、他のシート光で照射されることとなり、検査もれを
防止することが可能となる。
【００１１】そして、このシート光が照射された管の照
射領域に粒子からの散乱光を、該シート光と所定角度
（例えば略直角）で２次元に受光する。
射領域に粒子からの散乱光を、該シート光と所定角度
（例えば略直角）で２次元に受光する。
【００１２】従って、２次元の受光の画像信号より該粒
子の数及び形状を検出することにより、同時に複数の粒
子を高精度に検出することが可能となる。
子の数及び形状を検出することにより、同時に複数の粒
子を高精度に検出することが可能となる。
【００１３】
【実施例】図２に、本発明方法の一実施例の構成図を示
す。図２において、粒子検出装置１０は、例えば、半導
体レーザの光源１１からの照射光（レーザ光）１１ａが
ハーフミラー１２を介して二つの照射光（レーザ光）１
１ａ1 ，１１ａ2 に分光される。
す。図２において、粒子検出装置１０は、例えば、半導
体レーザの光源１１からの照射光（レーザ光）１１ａが
ハーフミラー１２を介して二つの照射光（レーザ光）１
１ａ1 ，１１ａ2 に分光される。
【００１４】ハーフミラー１２からの一方のレーザ光１
１ａ1 はガルバノメータ１３ａ1 によりシート光１４ａ
1 が形成されて粒子１５が通過する透明管１６に照射さ
れる。また、ハーフミラー１２からの他方のレーザ光１
１ａ2 はガルバノメータ１３ａ2 によりシート光１４ａ
2 が形成されて透明管１６に照射される。ガルバノメー
タ１３ａ1 ，１３ａ2 は１枚の反射鏡を振動させてレー
ザ光１１ａ1 ，１１ａ 2 を走査するもので、透明管１６
の直径以上の幅のシート光１４ａ1 ，１４ａ2 を形成す
る。
１ａ1 はガルバノメータ１３ａ1 によりシート光１４ａ
1 が形成されて粒子１５が通過する透明管１６に照射さ
れる。また、ハーフミラー１２からの他方のレーザ光１
１ａ2 はガルバノメータ１３ａ2 によりシート光１４ａ
2 が形成されて透明管１６に照射される。ガルバノメー
タ１３ａ1 ，１３ａ2 は１枚の反射鏡を振動させてレー
ザ光１１ａ1 ，１１ａ 2 を走査するもので、透明管１６
の直径以上の幅のシート光１４ａ1 ，１４ａ2 を形成す
る。
【００１５】そして、シート光１４ａ1 は、透明管１６
に側部水平方向より角度θ1 で照射され、シート光１４
ａ2 は角度θ2 で照射される。このシート光１４ａ1 ，
１４ａ2 に略直角方向には検出部１７が位置する。検出
部１７は、例えば二次元のＣＣＤ（Charge Coupled Dev
ice ）を使用したもので、受光により粒子の画像信号１
７ａを処理部１８に出力する。
に側部水平方向より角度θ1 で照射され、シート光１４
ａ2 は角度θ2 で照射される。このシート光１４ａ1 ，
１４ａ2 に略直角方向には検出部１７が位置する。検出
部１７は、例えば二次元のＣＣＤ（Charge Coupled Dev
ice ）を使用したもので、受光により粒子の画像信号１
７ａを処理部１８に出力する。
【００１６】処理部１８は、検出部１７からの粒子１５
の画像信号１７ａより、一般的な画像処理により該粒子
１５の数及び形状を検出するものである。
の画像信号１７ａより、一般的な画像処理により該粒子
１５の数及び形状を検出するものである。
【００１７】ここで、図３に、図２の一適用例の構成図
を示す。図３において、例えば半導体製造における配線
パターンの形成が真空室２１内で行われる場合、真空室
２１は真空源（図示せず）より透明管である吸引パイプ
１６を介して吸引される。この吸引パイプ１６には粒子
検出装置１０が備え付けられており、該粒子検出装置１
０に設けられた表示部２２を真空室２１の観測窓２３よ
り観測する。
を示す。図３において、例えば半導体製造における配線
パターンの形成が真空室２１内で行われる場合、真空室
２１は真空源（図示せず）より透明管である吸引パイプ
１６を介して吸引される。この吸引パイプ１６には粒子
検出装置１０が備え付けられており、該粒子検出装置１
０に設けられた表示部２２を真空室２１の観測窓２３よ
り観測する。
【００１８】すなわち、真空室２１を真空にする場合
に、吸引パイプ１６を介して粒子（１５）を含むエアを
吸引するもので、該吸引パイプ１６を通過する粒子（１
５）を粒子検出装置１０により測定するものである。
に、吸引パイプ１６を介して粒子（１５）を含むエアを
吸引するもので、該吸引パイプ１６を通過する粒子（１
５）を粒子検出装置１０により測定するものである。
【００１９】次に、図４に、図２の動作を説明するため
の図を示す。図４（Ａ）は側面方向よりみた概念図であ
り、図４（Ｂ）は上面方向よりみた概念図である。
の図を示す。図４（Ａ）は側面方向よりみた概念図であ
り、図４（Ｂ）は上面方向よりみた概念図である。
【００２０】図４（Ａ），（Ｂ）において、透明管（吸
引パイプ）１６の側部水平方向より角度θ1 ，θ2 で二
つのシート光１４ａ1 ，１４ａ2 が照射される。透明管
１６内の該シート光１４ａ1 ，１４ａ2 の照射領域に粒
子１５が位置すると、該粒子１５でシート光１４ａ1 ，
１４ａ2 が反射して散乱光２４が発生する。
引パイプ）１６の側部水平方向より角度θ1 ，θ2 で二
つのシート光１４ａ1 ，１４ａ2 が照射される。透明管
１６内の該シート光１４ａ1 ，１４ａ2 の照射領域に粒
子１５が位置すると、該粒子１５でシート光１４ａ1 ，
１４ａ2 が反射して散乱光２４が発生する。
【００２１】検出部１７は、二次元のＣＣＤが使用され
ており、透明管１６の断面全域の画像を受光するもの
で、粒子１５の散乱光２４を受光する。この粒子１５の
散乱光２４は、シート光１４ａ1 によって発生している
場合と、シート光１４ａ2 によって発生している場合の
両方を受光することになる。従って、シート光１４
ａ1 ，１４ａ2 の距離の差を、最小粒子の径（例えば0.
1 μm ）の範囲内になるように角度θ1 とθ2 とを極め
て近い値で設定すれば、一つの粒子を二つのシート光１
４ａ1 ，１４ａ2 により、一度の撮像で散乱光２４を受
光することができる。
ており、透明管１６の断面全域の画像を受光するもの
で、粒子１５の散乱光２４を受光する。この粒子１５の
散乱光２４は、シート光１４ａ1 によって発生している
場合と、シート光１４ａ2 によって発生している場合の
両方を受光することになる。従って、シート光１４
ａ1 ，１４ａ2 の距離の差を、最小粒子の径（例えば0.
1 μm ）の範囲内になるように角度θ1 とθ2 とを極め
て近い値で設定すれば、一つの粒子を二つのシート光１
４ａ1 ，１４ａ2 により、一度の撮像で散乱光２４を受
光することができる。
【００２２】すなわち、二つのシート光１４ａ1 ，１４
ａ2 を微小の差で照射することにより、一つのシート光
１４ａ1 （１４ａ2 ）上で重なる粒径の異なる粒子１５
をマスクさせることなしに、確実に照射することができ
る。
ａ2 を微小の差で照射することにより、一つのシート光
１４ａ1 （１４ａ2 ）上で重なる粒径の異なる粒子１５
をマスクさせることなしに、確実に照射することができ
る。
【００２３】これにより、総ての粒子１５がシート光１
４ａ1 ，１４ａ2 により照射されて発生する散乱光２４
が漏れなく検出部１７で受光される。この検出部１７か
らの二次元の画像信号１７ａに基づいて処理部１８によ
り、粒子１５の数及び形状を検出する。これにより、複
数の粒子を同時に、かつ高精度に検出することができる
ものである。
４ａ1 ，１４ａ2 により照射されて発生する散乱光２４
が漏れなく検出部１７で受光される。この検出部１７か
らの二次元の画像信号１７ａに基づいて処理部１８によ
り、粒子１５の数及び形状を検出する。これにより、複
数の粒子を同時に、かつ高精度に検出することができる
ものである。
【００２４】このように、図３に示すような真空室２１
内で粒子の数、形状を検出できることは、その発生原因
を容易に判別することが可能となり、クリーンな状態で
例えば微細な配線パターン等を形成することができるも
のである。
内で粒子の数、形状を検出できることは、その発生原因
を容易に判別することが可能となり、クリーンな状態で
例えば微細な配線パターン等を形成することができるも
のである。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、粒子が通
過する管の直径より広いシート光を所定数形成して、該
管の側部水平方向より所定角度で照射することにより、
複数の粒子を同時に、かつ、高精度に検出することがで
きる。
過する管の直径より広いシート光を所定数形成して、該
管の側部水平方向より所定角度で照射することにより、
複数の粒子を同時に、かつ、高精度に検出することがで
きる。
【図１】本発明方法の原理説明図である。
【図２】本発明方法の一実施例の構成図である。
【図３】図２の一適用例の構成図である。
【図４】図２の動作を説明するための構成図である。
【図５】従来の粒子検出を説明するための図である。
１０ 粒子検出装置 １１ 光源 １１ａ，１１ａ1 ，１１ａ2 レーザ光 １２ ハーフミラー １３ａ1 ，１３ａ2 ガルバノメータ １４ａ1 ，１４ａ2 シート光 １５ 粒子 １６ 透明管 １７ 検出部 １８ 処理部
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の管（１６）内を通過する粒子（１
５）を検出する粒子検出方法において、 光源（１１）からの光を所定数に分光し、それぞれ分光
した光（１１ａ1 ，１１ａ2 ）より前記管（１６）の直
径より広いシート光（１４ａ1 ，１４ａ2 ）を形成する
工程と、 該所定数のシート光（１４ａ1 ，１４ａ2 ）を、前記管
（１６）の側部水平方向より所定角度（θ1 ，θ2 ）で
照射する工程と、 該管（１６）内の該シート光（１４ａ1 ，１４ａ2 ）が
照射された照射領域に位置する粒子（１５）からの散乱
光（２４）を、該シート光（１４ａ1 ，１４ａ 2 ）の方
向と所定角度で二次元的に受光する工程と、 該受光された画像信号（１７ａ）により、該粒子（１
５）の数及び形状を検出する工程と、 を含むことを特徴とする粒子検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3341386A JPH05172731A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 粒子検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3341386A JPH05172731A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 粒子検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05172731A true JPH05172731A (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=18345664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3341386A Withdrawn JPH05172731A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 粒子検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05172731A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005221310A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Toto Ltd | エアロゾル粒子径測定方法、装置およびそれを備える複合構造物作製装置 |
| JP2007507705A (ja) * | 2003-10-02 | 2007-03-29 | ユニデータ ヨーロッパ リミテッド | 微粒子検出器 |
| JP2008527366A (ja) * | 2005-01-14 | 2008-07-24 | ユニデータ ヨーロッパ リミテッド | 粒子状物質検出器 |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP3341386A patent/JPH05172731A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007507705A (ja) * | 2003-10-02 | 2007-03-29 | ユニデータ ヨーロッパ リミテッド | 微粒子検出器 |
| JP2005221310A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Toto Ltd | エアロゾル粒子径測定方法、装置およびそれを備える複合構造物作製装置 |
| JP2008527366A (ja) * | 2005-01-14 | 2008-07-24 | ユニデータ ヨーロッパ リミテッド | 粒子状物質検出器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102525814B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 검사용 3차원 이미징 | |
| JP3669101B2 (ja) | 回折光を使用した基板検査方法および装置 | |
| KR100522209B1 (ko) | 형광 포토레지스트 검사를 이용한 반도체 구조체의 자동 고속 광학적 검사 방법 및 장치 | |
| US4541715A (en) | Apparatus for detecting contaminants on the reticle of exposure system | |
| JPH02140742A (ja) | レティクル点検方法および装置 | |
| JPS6352696B2 (ja) | ||
| JP2003017536A (ja) | パターン検査方法及び検査装置 | |
| JPH05172731A (ja) | 粒子検出方法 | |
| JP2006017685A (ja) | 表面欠陥検査装置 | |
| JP2004531734A (ja) | 透明マスク基板の検査システムおよび方法 | |
| JP2000097872A (ja) | 光学的検査装置 | |
| JPH09243549A (ja) | パーティクルモニタ方法およびワーク処理装置 | |
| JP3657076B2 (ja) | ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置 | |
| JPH0462457A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JP2796906B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH0334577B2 (ja) | ||
| JPH01143904A (ja) | 薄膜検査装置 | |
| JP2002181726A (ja) | 半導体ウエハの検査装置及び検査方法 | |
| JPH0643111A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH07128245A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH08226899A (ja) | 半導体シリコンベアウエハの表面検査方法及びその表面検査装置 | |
| JP6330211B2 (ja) | 平板基板の表面状態検査方法及びそれを用いた平板基板の表面状態検査装置 | |
| JPH06258235A (ja) | 面検査装置 | |
| JP2004347434A (ja) | 微小欠陥検査装置及び回路基板の製造方法 | |
| JPH07134103A (ja) | 表面検査装置及び表面検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |