KR880006525A - 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치 - Google Patents

표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치 Download PDF

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KR880006525A
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light
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vertical line
diffused
semiconductor slice
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KR870012127A
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한 페터
그룬드너 만프레드
커스탄 미카엘
자코브 허버트
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하인즈 실버나겔 로버트 뢰머
와커-헤미트로닉 게셀샤프트퍼 엘렉트로닉-그룬드스토프 엘베하
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Publication date
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    • G01B5/28—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
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Abstract

내용 없음

Description

표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (8)

  1. 방사광을 표면에 투사하고, 산란광을 검출하여 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법에 있어서, (a) 최소한 하나의 광선비임을 수직선에 대해 15°내지 85°의 각도로 슬라이스표면의 검사부위에 투사시키고, (b) 각 광선비임은 고유주파수로서 주기적으로 중단시키며, (c) 광선비임과 반도체 슬라이스사이의 상대적 이동에 의해 슬라이스 표면을 건너 검사부위를 이동시키고, (d) 상기 조건하에서 검사부위로부터 나와서 해당공간의 섹터로 들어오는 확산된 산란광의 부분은 투사된 각 광선과 관련된 고유중단 주파수에 의거하여 투사각도의 함수로서 기록시킴을 특징으로 한 상기방법.
  2. 제1항에 있어서, 광선비임으로서 레이져비임이 사용되는 것을 특징으로 하는 상기방법.
  3. 제2항에 있어서, 원하는 침무깊이에 해당하는 파장의 레이져 비임이 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 입사광 및/또는 확산된 난사광은 편광되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 검사부위는 1㎛ 내지 1mm의 직경을 가진 원에 해당하는 표면부위상에 설정시킴을 특징으로 하는 상기방법.
  6. 제1항에 있어서, 수직선에 의해 한정되는 평면상에서 반도체 슬라이스를 직선운동 시킴으로써 상기 상대적운동이 이루어짐을 특징으로 하는 상기방법.
  7. 제1항에 있어서, 수직선에 의해 한정되는 평면상에서 반도체 슬라이스의 회전에 의해 상기 상대적운동이 이루어짐을 특징으로 하는 상기방법.
  8. 광선비임을 발하는 최소한 하나의 광원을 구비하며, 검사할 물체를 비임통로내로 도입하고 그 안에서 이동시키는 표본 케리어를 구비하며, 표본케리어와 광원사이에 위치하여 고유 주파수에 따라 주기적으로 각광선비임을 중단시키는 초퍼(chopper)를 구비하며, 수직선을 중심으로 한 공간내로 들어온 산란광을 검출하는 측정장치를 구비하며, 측정된 신호를 기록하는 장치를 구비함을 특징으로 하는 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870012127A 1986-11-04 1987-10-30 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치 KR880006525A (ko)

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