KR880006525A - 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치 - Google Patents

표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR880006525A
KR880006525A KR870012127A KR870012127A KR880006525A KR 880006525 A KR880006525 A KR 880006525A KR 870012127 A KR870012127 A KR 870012127A KR 870012127 A KR870012127 A KR 870012127A KR 880006525 A KR880006525 A KR 880006525A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
surface quality
vertical line
diffused
semiconductor slice
Prior art date
Application number
KR870012127A
Other languages
English (en)
Inventor
한 페터
그룬드너 만프레드
커스탄 미카엘
자코브 허버트
Original Assignee
하인즈 실버나겔 로버트 뢰머
와커-헤미트로닉 게셀샤프트퍼 엘렉트로닉-그룬드스토프 엘베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하인즈 실버나겔 로버트 뢰머, 와커-헤미트로닉 게셀샤프트퍼 엘렉트로닉-그룬드스토프 엘베하 filed Critical 하인즈 실버나겔 로버트 뢰머
Publication of KR880006525A publication Critical patent/KR880006525A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B5/00—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques
    • G01B5/28—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (8)

  1. 방사광을 표면에 투사하고, 산란광을 검출하여 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법에 있어서, (a) 최소한 하나의 광선비임을 수직선에 대해 15°내지 85°의 각도로 슬라이스표면의 검사부위에 투사시키고, (b) 각 광선비임은 고유주파수로서 주기적으로 중단시키며, (c) 광선비임과 반도체 슬라이스사이의 상대적 이동에 의해 슬라이스 표면을 건너 검사부위를 이동시키고, (d) 상기 조건하에서 검사부위로부터 나와서 해당공간의 섹터로 들어오는 확산된 산란광의 부분은 투사된 각 광선과 관련된 고유중단 주파수에 의거하여 투사각도의 함수로서 기록시킴을 특징으로 한 상기방법.
  2. 제1항에 있어서, 광선비임으로서 레이져비임이 사용되는 것을 특징으로 하는 상기방법.
  3. 제2항에 있어서, 원하는 침무깊이에 해당하는 파장의 레이져 비임이 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 입사광 및/또는 확산된 난사광은 편광되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 검사부위는 1㎛ 내지 1mm의 직경을 가진 원에 해당하는 표면부위상에 설정시킴을 특징으로 하는 상기방법.
  6. 제1항에 있어서, 수직선에 의해 한정되는 평면상에서 반도체 슬라이스를 직선운동 시킴으로써 상기 상대적운동이 이루어짐을 특징으로 하는 상기방법.
  7. 제1항에 있어서, 수직선에 의해 한정되는 평면상에서 반도체 슬라이스의 회전에 의해 상기 상대적운동이 이루어짐을 특징으로 하는 상기방법.
  8. 광선비임을 발하는 최소한 하나의 광원을 구비하며, 검사할 물체를 비임통로내로 도입하고 그 안에서 이동시키는 표본 케리어를 구비하며, 표본케리어와 광원사이에 위치하여 고유 주파수에 따라 주기적으로 각광선비임을 중단시키는 초퍼(chopper)를 구비하며, 수직선을 중심으로 한 공간내로 들어온 산란광을 검출하는 측정장치를 구비하며, 측정된 신호를 기록하는 장치를 구비함을 특징으로 하는 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870012127A 1986-11-04 1987-10-30 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치 KR880006525A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3637477.6 1986-11-04
DE19863637477 DE3637477A1 (de) 1986-11-04 1986-11-04 Verfahren und vorrichtung zur ermittlung der qualitaet von oberflaechen, insbesondere von halbleiterscheiben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR880006525A true KR880006525A (ko) 1988-07-23

Family

ID=6313097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR870012127A KR880006525A (ko) 1986-11-04 1987-10-30 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0266728A3 (ko)
JP (1) JPS63124942A (ko)
KR (1) KR880006525A (ko)
DE (1) DE3637477A1 (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4933567A (en) * 1988-07-13 1990-06-12 Vti, Inc. Method and apparatus for nondestructively measuring subsurface defects in materials
EP0405806B1 (en) * 1989-06-30 1994-05-04 Jaguar Cars Limited Method of and apparatus for inspecting surfaces for defects
JPH0424541A (ja) * 1990-05-21 1992-01-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 内部欠陥測定方法および装置
JPH04157352A (ja) * 1990-10-19 1992-05-29 Nec Yamagata Ltd 表面異物検査装置
JPH04203956A (ja) * 1990-11-29 1992-07-24 Bando Chem Ind Ltd 外観検査方法および装置
DE4134747C2 (de) * 1991-10-22 1997-09-25 Fraunhofer Ges Forschung Lichtmeßanordnung zur Detektion von Oberflächendefekten
JP2653017B2 (ja) * 1993-08-10 1997-09-10 日本電気株式会社 ドライエッチング深さ測定方法および装置
JP3287227B2 (ja) * 1996-08-08 2002-06-04 三菱電機株式会社 微小異物検出方法及びその検出装置
JPH1076464A (ja) * 1996-08-30 1998-03-24 Canon Inc 研磨方法及びそれを用いた研磨装置
DE19635072C2 (de) * 1996-08-30 1998-10-22 Telefunken Microelectron Verfahren zur Messung und Bewertung der Rauhigkeit einer Halbleiteroberfläche sowie dessen Verwendung
AT407445B (de) * 1997-01-30 2001-03-26 Bruno Dr Ullrich Realisierung eines hybriden bistabilen schaltelementes durch wechselwirkung zweier lichtstrahlen in einem halbleiter
DE19716264C2 (de) 1997-04-18 2002-07-25 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Überprüfung einer Oberfläche eines Gegenstands
DE19720308C2 (de) * 1997-05-15 1999-05-20 Parsytec Computer Gmbh Vorrichtung zur kontinuierlichen Detektion von Fehlern nach Größe und Art auf der Oberfläche eines bewegten Materials
US6608676B1 (en) * 1997-08-01 2003-08-19 Kla-Tencor Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
DE29715904U1 (de) * 1997-09-01 1997-10-23 Omeca Messtechnik Gmbh Interferenzoptische Meßeinrichtung
US7088443B2 (en) 2002-02-11 2006-08-08 Kla-Tencor Technologies Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
DE10217028C1 (de) * 2002-04-11 2003-11-20 Nanophotonics Ag Meßmodul für Waferfertigungsanlagen
US20040042001A1 (en) 2002-04-18 2004-03-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Simultaneous multi-spot inspection and imaging
US7130039B2 (en) 2002-04-18 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Simultaneous multi-spot inspection and imaging
US7365834B2 (en) 2003-06-24 2008-04-29 Kla-Tencor Technologies Corporation Optical system for detecting anomalies and/or features of surfaces
CN103791838B (zh) * 2014-03-07 2017-03-22 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种微零件位姿自动测量方法
CN106461573A (zh) * 2014-04-03 2017-02-22 纬图有限责任公司 用于蓝宝石元件的光学检查的方法和系统
JP6601119B2 (ja) * 2015-10-05 2019-11-06 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法
CN112461861B (zh) * 2020-12-09 2022-12-30 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3782836A (en) * 1971-11-11 1974-01-01 Texas Instruments Inc Surface irregularity analyzing method
US4352017A (en) * 1980-09-22 1982-09-28 Rca Corporation Apparatus for determining the quality of a semiconductor surface
US4391524A (en) * 1981-03-16 1983-07-05 Rca Corporation Method for determining the quality of light scattering material
GB2098725A (en) * 1981-04-14 1982-11-24 United Biscuits Ltd Measurement of food material properties
JPS59180441A (ja) * 1983-03-31 1984-10-13 Kansai Paint Co Ltd メタリツク塗膜の色調判定方法およびその判定装置
DE3411934C2 (de) * 1983-04-22 1986-04-24 Erwin Sick Gmbh Optik-Elektronik, 7808 Waldkirch Fehlerfeststellungsvorrichtung
US4526468A (en) * 1983-06-30 1985-07-02 Rca Corporation Method for determining the phase of phase transformable light scattering material
JPS6154429A (ja) * 1984-08-27 1986-03-18 Canon Inc 光学的表面物性測定装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE3637477A1 (de) 1988-05-11
EP0266728A2 (de) 1988-05-11
EP0266728A3 (de) 1989-12-27
JPS63124942A (ja) 1988-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880006525A (ko) 표면품질, 특히 반도체 슬라이스의 표면품질을 측정하는 방법 및 장치
JPS56126747A (en) Inspecting method for flaw, alien substance and the like on surface of sample and device therefor
ES2049786T3 (es) Procedimiento para el funcionamiento de un detector optico de humos y detector de humos para ejecutar el procedimiento.
DE68902600T2 (de) Kruemmungsmessung eines transparenten oder durchscheinenden materials.
KR920018886A (ko) 반도체기판 평가방법 및 그 장치
US3405270A (en) Internal flaw detection using collimated beams
KR860009303A (ko) 부유미입자 측정 방법 및 그 장치
ATE113121T1 (de) Vorrichtung zur dimensionsmessung.
JPS5365777A (en) Surface defect detector
DE3772614D1 (de) Vorrichtung zur guetepruefung.
KR870010382A (ko) 막(膜)두께의 측정장치
JPS5667739A (en) Defect inspecting apparatus
JPH0228815B2 (ko)
JP2949853B2 (ja) 試料の厚さ測定装置
JPS5593003A (en) Measuring method for plate thickness of plate-shape transparent body
ES406936A1 (es) Procedimiento y dispositivos para la medida de los defectosopticos de un cuerpo, en particular de vidrio plano.
JPS6352004A (ja) 測定装置
JPS57111401A (en) External form inspector
JPS5794903A (en) Defect detector for disk surface
FR2187118A5 (en) Testing glass sheet for defects - using a laser beam injected via the edge of the glass
KR840002559A (ko) 광학 디스크 결합 측정 방법 및 장치
JPS54118891A (en) Surface deffct inspecting device
KR101952902B1 (ko) 빛의 굴절 현상을 이용한 광학 스캐닝 시스템
JP3658845B2 (ja) 青果物の食味特性測定用トレイ
EP0352797A3 (en) A method for detecting defects on specular surfaces and device operating according to this method

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid