JPS6154429A - 光学的表面物性測定装置 - Google Patents

光学的表面物性測定装置

Info

Publication number
JPS6154429A
JPS6154429A JP59176817A JP17681784A JPS6154429A JP S6154429 A JPS6154429 A JP S6154429A JP 59176817 A JP59176817 A JP 59176817A JP 17681784 A JP17681784 A JP 17681784A JP S6154429 A JPS6154429 A JP S6154429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation source
light
fiber
radiation
reflected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59176817A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Saito
謙治 斉藤
Noritaka Mochizuki
望月 則孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59176817A priority Critical patent/JPS6154429A/ja
Publication of JPS6154429A publication Critical patent/JPS6154429A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64Fluorescence; Phosphorescence
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4738Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
    • G01N21/474Details of optical heads therefor, e.g. using optical fibres
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/645Specially adapted constructive features of fluorimeters
    • G01N2021/6484Optical fibres

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は物質の表面反射率及び蛍光を測定する光学的表
面物性測定装置に関するものである。
[従来の技術] 本発明における反射率測定装置の基本形態は、参照文献
rJournal of Chemical Ph7s
ics J7918、 15・0ctober  −1
983,P、 3701〜3709に記載されたもので
ある。以下、この測定装置の基本概念を第3図に基いて
説明する。
放射1itlからの放射束3−1.3−2は楕円反射鏡
2によって平行な放射束3−3となって、モノクロメー
タ−4へ入射する。モノクロメータ−4からの出射放射
束は、Y字型ファイバー50の入力部5を経てファイバ
ー6.7へ各々伝達される。放射束はファイバー6と9
及び7と10の間にあるチョッパ8によって交互に伝達
され、ファイバー9からの放射束はその端面11から被
検面28へ、ファイバー10からの放射束はその端面1
2から参照面30に各々交互に照射される。被検面28
からの反射放射束13は端面11からファイバー15へ
、参照面30からの反射放射束14は端面12からファ
イバー18へ伝達され、17のモノクロメータ−に入射
する。
モノクロメータ−17からの射出放射束34は、遮光筒
35等を経てフォトマルチプライヤ−18へ入力され、
その後ログアンブリファイヤー20、バイパスフィルタ
ー21、アンブリファイヤー22、位相同期回路23、
A−Dコンバータ25を経てマイクロコンピュータ−2
7にデジタル信号として入力される。
なお、モノクロメータ−4と17は、マイクロコンピュ
ータ−27にあらかじめ記憶されている信号33により
ステップモーター1B−1,18−2を介して各々同期
させて波長走査される。またチョッパ8の走査信号24
は1位相同期回路を経てマイクロコンピュータ−27へ
入力される。
次に、マイクロコンピュータ−27に入力される信号に
ついて説明する。
第3図において、被検面2S、参照面30から反射して
電気的増巾系を経てマイクロコンビエータ−27へ入る
信号を、各々rl+r2とすると、rl+r2は次のよ
うに表わされる。
rl =I□ Xtl XRI r2= I o X t2 XR2 但し、各記号は下記事項を表わす。
tl :被検面検出側光学系透過率 t2 :参照面検出側光学系透過率 R五 :被検面反射率 R2:参照面反射率 被検面2Sの反射率R1は前記r+t”rzで徐し、更
に1.とt2の違いを補正する為の項Asで除したもの
に参照面と同物質の理論反射率8丁を乗じたものにより
得られる。これを式に表わすと次のようになる。
なお、(1)式においては、R2!#Rv  とし、A
sに関しては、被検面に参照面と同一物質を置いた時、
そこから反射して増巾系を経てマイクロコンピュータ−
27に入る信号値(Io X t 1XR2)を、参照
面から反射して増巾系を経て同じくマイクロコンピュー
タ−27へ入る信号(Io X t2 XR2)で除し
たもの、すなわち また、被検面28、参照面30から反射した放射束の、
電気的に増巾された信号rl+r2は、チ冒ツバ8の周
期Tに同期して、その周期Tの間隔で交互に伝達される
。第2図は、r□+r2と周期Tの関係を表わしたもの
である。したがって、何個分かのr、の和を取ったもの
の平均値をrlの値、また何個分かのrlの和を取った
ものの平均値をrlの値とすることもできる。
この様にrl、rzと(り式を用いることにより得られ
た被検面からの反射率R1のモノクロメータ−による可
変波長に対する関係、更には二種類の被検面からの反射
率の相対差のモノクロメータ−による可変波長に対する
関係を、プロッター28やブラウン管36に表示させた
り、ディスク37に記録させる。
尚上記文中におけるファイバーは、ファイバーに限定さ
れることなくセルフォックや、レンズによる結像のリレ
ーや、内面反射を呈した導波路の様なものでも良い。
[発明が解決しようとする問題点] 従来の方式では、被検面の表面反射率しか測定すること
ができず、蛍光の測定には他の8置を別に用意する必要
があった。このため試料のセー。
ティング等、測定作業が重複し、大変不便であった。
本発明はこのような問題点に着目し、なされたもので、
簡単かつ実施容易な方法により、表面反射率及び蛍光を
同時にしかも高感度、高精度に測定することができる装
置の提供を目的としている。
[問題点を解決するための手段] 第1図は本発明の基本概念を示す図である0図中、9 
、15.80はファイバー、4,1?はモノクロメータ
−01は第1の放射源、38は、Arレーザー等による
m2の放射源で、被検面の蛍光を得る為の励起放射源、
8.40は、第1放射源1並びに第2放射源38からの
放射束を任意の周波数で断続的に照射させるチョッパ、
38は、第2放射源38からの正反射放射束を吸収する
ための光吸収体(牛の角状で内部が黒色塗料により反射
防止されたもの)である。
[作 用] 前記技術的手段は、次の様に作用する。第1図において
、第1の放射源から照射され被検面から反射される波長
入、の放射束は、ファイバー15によってモノクロメー
タ−4に入力される。一方、′第2の放射源から照射さ
れ被検面から反射される波長λ2の放射束は、ファイバ
ー80によってモノクロメータ−17に入力される。こ
の時、第1の放射源からの光と、第2の放射源からの光
を、各々の中間部に設けたチョッパ8及び40によって
、異なった周波数で交互に照射すれば、それぞれの反射
率をS/N比よく分離することができる。
[実施例] 本実施例では、第3図に示した装置図において、被検面
29への照射部を、第1図に示した構成に基づいて変更
した。したがって、モノクロメータ−4及び17から以
降における各信号の流れは、前記[従来の技術]で説明
した通りである。この様にして装置の構成を定めた後、
反射放射束検出用の第1放射束からの光と、蛍光発生用
の第2の放射源からの光を、被検面に対し各々異なった
周波数でチョップした結果、反射放射束と蛍光散乱光を
S/N比良く同時に計測することができた。
なお、被検面に用いられる物質としては、L−B(ラン
グミュアーブロジェッ))n!の様な物も含まれる。
[発明の効果] 以上の説明で明らかなように1本発明は、第1の放射源
のほかに第2の放射源を設けると共に、各ファイバ一端
部を一体構造とし、各々異なった周波数でチゴップする
ことより1表面反射率及び蛍光を同時に、しかも高感度
、高精度に測定することを可能にした。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の基本概念を示す構成図、第2図は、
信号rl+r2と周期Tとの関係を表わすグラフ、第3
図は、本発明に係わる反射率測定装置の基本形態を示す
構成図。 1;放射源 2;楕円反射鏡 3−1.3−2;放射束 3−3;平行な放射束 4.17;モノクロメータ− 5、Y字型ファイバー人力部 6 、7 、9 、10.15.1B、80;ファイバ
ーa、aO;チョッパ 11.12;ファイバ一端面 13.14.反射放射束 18−1.18−2;ステップモーター18;フォトマ
ルチプライヤ− 20;ログアンブリファイヤー 21、バイパスフィルター 22;アンブリファイヤー 23;位相同期回路 24;チョッパ8の走査信号 25;八−〇コンバータ 27;マイクロコンピュータ− 28;プロッター 28;被検面 30;参照面 31;冷却器 32;安定化電源 33;ステップモータ1B−1,18−2走査信号34
;モノクロメーター17からの射出放射束35;遮光筒 36;ブラウン管 37;ディスク 38:第2放射源 39:光吸収体 50;T字型ファイバー rl ;被検面29から反射した放射束の電気的に増巾
された信号 r2 ;参照面30から反射した放射束の電気的に増巾
された信号 T;チ目ツバ8の走査周期

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)第1の放射源からの光を、チョッパを介して被検面
    へ照射し、その反射放射束を第1のモノクロメーターに
    入射させる手段と、第2の放射源からの光を、チョッパ
    を介して同じく被検面へ照射し、励起された蛍光を、第
    2のモノクロメーターに入射させる手段とを有し、前記
    チョッパを制御して第1および第2の放射源からの光を
    被検面に交互に照射して、反射率及び蛍光を同時に測定
    する光学的表面物性測定装置。 2)第1、第2の放射源からの光を、それぞれ異なった
    周波数で制御することを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の光学的表面物性測定装置。 3)前記第1の放射源からの光を被検面に導く照射用フ
    ァイバーと、被検面からの光を第1および第2のモノク
    ロメーターに導く検出用ファイバーを設け、これらのフ
    ァイバーの被検面に対向する端部を一体化したことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的表面物性測
    定装置。
JP59176817A 1984-08-27 1984-08-27 光学的表面物性測定装置 Pending JPS6154429A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59176817A JPS6154429A (ja) 1984-08-27 1984-08-27 光学的表面物性測定装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59176817A JPS6154429A (ja) 1984-08-27 1984-08-27 光学的表面物性測定装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6154429A true JPS6154429A (ja) 1986-03-18

Family

ID=16020361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59176817A Pending JPS6154429A (ja) 1984-08-27 1984-08-27 光学的表面物性測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6154429A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0266728A2 (de) * 1986-11-04 1988-05-11 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Qualität von Oberflächen, insbesondere von Halbleiterscheiben
JP2008020454A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Byk-Gardner Gmbh 表面特性を決定する装置および方法
US7633612B2 (en) 2006-07-13 2009-12-15 Byk-Gardner Gmbh Apparatus and method for determining surface properties

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0266728A2 (de) * 1986-11-04 1988-05-11 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Qualität von Oberflächen, insbesondere von Halbleiterscheiben
JP2008020454A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Byk-Gardner Gmbh 表面特性を決定する装置および方法
US7633612B2 (en) 2006-07-13 2009-12-15 Byk-Gardner Gmbh Apparatus and method for determining surface properties
JP2010008423A (ja) * 2006-07-13 2010-01-14 Byk-Gardner Gmbh 角度オフセット修正を用いる表面特性の決定
JP2010072005A (ja) * 2006-07-13 2010-04-02 Byk-Gardner Gmbh 表面特性を決定する装置および方法
US7834991B2 (en) 2006-07-13 2010-11-16 Byk Gardner Gmbh Determining surface properties with angle offset correction

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2847899A (en) Method of and apparatus for spectrochemical analysis
US5154512A (en) Non-contact techniques for measuring temperature or radiation-heated objects
JPS6234039A (ja) 免疫反応測定に用いる蛍光検出装置
JPH022097B2 (ja)
EP0586054A1 (en) Spectroscopic imaging system using a pulsed electromagnetic radiation source and an interferometer
JPS6154429A (ja) 光学的表面物性測定装置
JP2973639B2 (ja) シ―ト状物体の特性測定装置
JP3207882B2 (ja) 分光蛍光光度計のスペクトル補正方法及びスペクトル補正機能付分光蛍光光度計
JPS6151569A (ja) 細胞識別装置
JPS602615B2 (ja) エネルギ補償分光螢光計
JP3597887B2 (ja) 走査式光学組織検査装置
JPS6459018A (en) Method and measuring instrument for long time resolution total reflection spectrum analyzing
JPS6154432A (ja) 光学的表面物性測定装置
JPH11295159A (ja) 応力測定装置
JPH0427844A (ja) 不透明試料の顕微吸収分布測定装置
US4240753A (en) Method for the quantitative determination of turbidities, especially of immune reactions
JPH05281130A (ja) 異物検査装置
JPS5694245A (en) Quantitative apparatus for determining reaction product of antigen antibody utilizing laser light
JPH01274041A (ja) 濃度測定方法
JPH01295134A (ja) 自動化学分折装置
RU2017084C1 (ru) Устройство для регистрации и визуального наблюдения электромагнитного излучения инфракрасного диапазона
JPS6154430A (ja) 光学的表面物性測定装置
JPS5694244A (en) Quantitative apparatus for determining reaction product of antigen antibody utilizing laser light
JPS6353457A (ja) 二次元走査型状態分析装置
SU802847A1 (ru) Способ определени концентрациипРОдуКТОВ РЕАКции HA пОВЕРХНОСТифЕРРОМАгНиТНОгО КАТАлизАТОРА