JPS6154429A - 光学的表面物性測定装置 - Google Patents
光学的表面物性測定装置Info
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- JPS6154429A JPS6154429A JP59176817A JP17681784A JPS6154429A JP S6154429 A JPS6154429 A JP S6154429A JP 59176817 A JP59176817 A JP 59176817A JP 17681784 A JP17681784 A JP 17681784A JP S6154429 A JPS6154429 A JP S6154429A
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- Japan
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- light
- fiber
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4738—Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
- G01N21/474—Details of optical heads therefor, e.g. using optical fibres
-
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- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N2021/6484—Optical fibres
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は物質の表面反射率及び蛍光を測定する光学的表
面物性測定装置に関するものである。
面物性測定装置に関するものである。
[従来の技術]
本発明における反射率測定装置の基本形態は、参照文献
rJournal of Chemical Ph7s
ics J7918、 15・0ctober −1
983,P、 3701〜3709に記載されたもので
ある。以下、この測定装置の基本概念を第3図に基いて
説明する。
rJournal of Chemical Ph7s
ics J7918、 15・0ctober −1
983,P、 3701〜3709に記載されたもので
ある。以下、この測定装置の基本概念を第3図に基いて
説明する。
放射1itlからの放射束3−1.3−2は楕円反射鏡
2によって平行な放射束3−3となって、モノクロメー
タ−4へ入射する。モノクロメータ−4からの出射放射
束は、Y字型ファイバー50の入力部5を経てファイバ
ー6.7へ各々伝達される。放射束はファイバー6と9
及び7と10の間にあるチョッパ8によって交互に伝達
され、ファイバー9からの放射束はその端面11から被
検面28へ、ファイバー10からの放射束はその端面1
2から参照面30に各々交互に照射される。被検面28
からの反射放射束13は端面11からファイバー15へ
、参照面30からの反射放射束14は端面12からファ
イバー18へ伝達され、17のモノクロメータ−に入射
する。
2によって平行な放射束3−3となって、モノクロメー
タ−4へ入射する。モノクロメータ−4からの出射放射
束は、Y字型ファイバー50の入力部5を経てファイバ
ー6.7へ各々伝達される。放射束はファイバー6と9
及び7と10の間にあるチョッパ8によって交互に伝達
され、ファイバー9からの放射束はその端面11から被
検面28へ、ファイバー10からの放射束はその端面1
2から参照面30に各々交互に照射される。被検面28
からの反射放射束13は端面11からファイバー15へ
、参照面30からの反射放射束14は端面12からファ
イバー18へ伝達され、17のモノクロメータ−に入射
する。
モノクロメータ−17からの射出放射束34は、遮光筒
35等を経てフォトマルチプライヤ−18へ入力され、
その後ログアンブリファイヤー20、バイパスフィルタ
ー21、アンブリファイヤー22、位相同期回路23、
A−Dコンバータ25を経てマイクロコンピュータ−2
7にデジタル信号として入力される。
35等を経てフォトマルチプライヤ−18へ入力され、
その後ログアンブリファイヤー20、バイパスフィルタ
ー21、アンブリファイヤー22、位相同期回路23、
A−Dコンバータ25を経てマイクロコンピュータ−2
7にデジタル信号として入力される。
なお、モノクロメータ−4と17は、マイクロコンピュ
ータ−27にあらかじめ記憶されている信号33により
ステップモーター1B−1,18−2を介して各々同期
させて波長走査される。またチョッパ8の走査信号24
は1位相同期回路を経てマイクロコンピュータ−27へ
入力される。
ータ−27にあらかじめ記憶されている信号33により
ステップモーター1B−1,18−2を介して各々同期
させて波長走査される。またチョッパ8の走査信号24
は1位相同期回路を経てマイクロコンピュータ−27へ
入力される。
次に、マイクロコンピュータ−27に入力される信号に
ついて説明する。
ついて説明する。
第3図において、被検面2S、参照面30から反射して
電気的増巾系を経てマイクロコンビエータ−27へ入る
信号を、各々rl+r2とすると、rl+r2は次のよ
うに表わされる。
電気的増巾系を経てマイクロコンビエータ−27へ入る
信号を、各々rl+r2とすると、rl+r2は次のよ
うに表わされる。
rl =I□ Xtl XRI
r2= I o X t2 XR2
但し、各記号は下記事項を表わす。
tl :被検面検出側光学系透過率
t2 :参照面検出側光学系透過率
R五 :被検面反射率
R2:参照面反射率
被検面2Sの反射率R1は前記r+t”rzで徐し、更
に1.とt2の違いを補正する為の項Asで除したもの
に参照面と同物質の理論反射率8丁を乗じたものにより
得られる。これを式に表わすと次のようになる。
に1.とt2の違いを補正する為の項Asで除したもの
に参照面と同物質の理論反射率8丁を乗じたものにより
得られる。これを式に表わすと次のようになる。
なお、(1)式においては、R2!#Rv とし、A
sに関しては、被検面に参照面と同一物質を置いた時、
そこから反射して増巾系を経てマイクロコンピュータ−
27に入る信号値(Io X t 1XR2)を、参照
面から反射して増巾系を経て同じくマイクロコンピュー
タ−27へ入る信号(Io X t2 XR2)で除し
たもの、すなわち また、被検面28、参照面30から反射した放射束の、
電気的に増巾された信号rl+r2は、チ冒ツバ8の周
期Tに同期して、その周期Tの間隔で交互に伝達される
。第2図は、r□+r2と周期Tの関係を表わしたもの
である。したがって、何個分かのr、の和を取ったもの
の平均値をrlの値、また何個分かのrlの和を取った
ものの平均値をrlの値とすることもできる。
sに関しては、被検面に参照面と同一物質を置いた時、
そこから反射して増巾系を経てマイクロコンピュータ−
27に入る信号値(Io X t 1XR2)を、参照
面から反射して増巾系を経て同じくマイクロコンピュー
タ−27へ入る信号(Io X t2 XR2)で除し
たもの、すなわち また、被検面28、参照面30から反射した放射束の、
電気的に増巾された信号rl+r2は、チ冒ツバ8の周
期Tに同期して、その周期Tの間隔で交互に伝達される
。第2図は、r□+r2と周期Tの関係を表わしたもの
である。したがって、何個分かのr、の和を取ったもの
の平均値をrlの値、また何個分かのrlの和を取った
ものの平均値をrlの値とすることもできる。
この様にrl、rzと(り式を用いることにより得られ
た被検面からの反射率R1のモノクロメータ−による可
変波長に対する関係、更には二種類の被検面からの反射
率の相対差のモノクロメータ−による可変波長に対する
関係を、プロッター28やブラウン管36に表示させた
り、ディスク37に記録させる。
た被検面からの反射率R1のモノクロメータ−による可
変波長に対する関係、更には二種類の被検面からの反射
率の相対差のモノクロメータ−による可変波長に対する
関係を、プロッター28やブラウン管36に表示させた
り、ディスク37に記録させる。
尚上記文中におけるファイバーは、ファイバーに限定さ
れることなくセルフォックや、レンズによる結像のリレ
ーや、内面反射を呈した導波路の様なものでも良い。
れることなくセルフォックや、レンズによる結像のリレ
ーや、内面反射を呈した導波路の様なものでも良い。
[発明が解決しようとする問題点]
従来の方式では、被検面の表面反射率しか測定すること
ができず、蛍光の測定には他の8置を別に用意する必要
があった。このため試料のセー。
ができず、蛍光の測定には他の8置を別に用意する必要
があった。このため試料のセー。
ティング等、測定作業が重複し、大変不便であった。
本発明はこのような問題点に着目し、なされたもので、
簡単かつ実施容易な方法により、表面反射率及び蛍光を
同時にしかも高感度、高精度に測定することができる装
置の提供を目的としている。
簡単かつ実施容易な方法により、表面反射率及び蛍光を
同時にしかも高感度、高精度に測定することができる装
置の提供を目的としている。
[問題点を解決するための手段]
第1図は本発明の基本概念を示す図である0図中、9
、15.80はファイバー、4,1?はモノクロメータ
−01は第1の放射源、38は、Arレーザー等による
m2の放射源で、被検面の蛍光を得る為の励起放射源、
8.40は、第1放射源1並びに第2放射源38からの
放射束を任意の周波数で断続的に照射させるチョッパ、
38は、第2放射源38からの正反射放射束を吸収する
ための光吸収体(牛の角状で内部が黒色塗料により反射
防止されたもの)である。
、15.80はファイバー、4,1?はモノクロメータ
−01は第1の放射源、38は、Arレーザー等による
m2の放射源で、被検面の蛍光を得る為の励起放射源、
8.40は、第1放射源1並びに第2放射源38からの
放射束を任意の周波数で断続的に照射させるチョッパ、
38は、第2放射源38からの正反射放射束を吸収する
ための光吸収体(牛の角状で内部が黒色塗料により反射
防止されたもの)である。
[作 用]
前記技術的手段は、次の様に作用する。第1図において
、第1の放射源から照射され被検面から反射される波長
入、の放射束は、ファイバー15によってモノクロメー
タ−4に入力される。一方、′第2の放射源から照射さ
れ被検面から反射される波長λ2の放射束は、ファイバ
ー80によってモノクロメータ−17に入力される。こ
の時、第1の放射源からの光と、第2の放射源からの光
を、各々の中間部に設けたチョッパ8及び40によって
、異なった周波数で交互に照射すれば、それぞれの反射
率をS/N比よく分離することができる。
、第1の放射源から照射され被検面から反射される波長
入、の放射束は、ファイバー15によってモノクロメー
タ−4に入力される。一方、′第2の放射源から照射さ
れ被検面から反射される波長λ2の放射束は、ファイバ
ー80によってモノクロメータ−17に入力される。こ
の時、第1の放射源からの光と、第2の放射源からの光
を、各々の中間部に設けたチョッパ8及び40によって
、異なった周波数で交互に照射すれば、それぞれの反射
率をS/N比よく分離することができる。
[実施例]
本実施例では、第3図に示した装置図において、被検面
29への照射部を、第1図に示した構成に基づいて変更
した。したがって、モノクロメータ−4及び17から以
降における各信号の流れは、前記[従来の技術]で説明
した通りである。この様にして装置の構成を定めた後、
反射放射束検出用の第1放射束からの光と、蛍光発生用
の第2の放射源からの光を、被検面に対し各々異なった
周波数でチョップした結果、反射放射束と蛍光散乱光を
S/N比良く同時に計測することができた。
29への照射部を、第1図に示した構成に基づいて変更
した。したがって、モノクロメータ−4及び17から以
降における各信号の流れは、前記[従来の技術]で説明
した通りである。この様にして装置の構成を定めた後、
反射放射束検出用の第1放射束からの光と、蛍光発生用
の第2の放射源からの光を、被検面に対し各々異なった
周波数でチョップした結果、反射放射束と蛍光散乱光を
S/N比良く同時に計測することができた。
なお、被検面に用いられる物質としては、L−B(ラン
グミュアーブロジェッ))n!の様な物も含まれる。
グミュアーブロジェッ))n!の様な物も含まれる。
[発明の効果]
以上の説明で明らかなように1本発明は、第1の放射源
のほかに第2の放射源を設けると共に、各ファイバ一端
部を一体構造とし、各々異なった周波数でチゴップする
ことより1表面反射率及び蛍光を同時に、しかも高感度
、高精度に測定することを可能にした。
のほかに第2の放射源を設けると共に、各ファイバ一端
部を一体構造とし、各々異なった周波数でチゴップする
ことより1表面反射率及び蛍光を同時に、しかも高感度
、高精度に測定することを可能にした。
第1図は、本発明の基本概念を示す構成図、第2図は、
信号rl+r2と周期Tとの関係を表わすグラフ、第3
図は、本発明に係わる反射率測定装置の基本形態を示す
構成図。 1;放射源 2;楕円反射鏡 3−1.3−2;放射束 3−3;平行な放射束 4.17;モノクロメータ− 5、Y字型ファイバー人力部 6 、7 、9 、10.15.1B、80;ファイバ
ーa、aO;チョッパ 11.12;ファイバ一端面 13.14.反射放射束 18−1.18−2;ステップモーター18;フォトマ
ルチプライヤ− 20;ログアンブリファイヤー 21、バイパスフィルター 22;アンブリファイヤー 23;位相同期回路 24;チョッパ8の走査信号 25;八−〇コンバータ 27;マイクロコンピュータ− 28;プロッター 28;被検面 30;参照面 31;冷却器 32;安定化電源 33;ステップモータ1B−1,18−2走査信号34
;モノクロメーター17からの射出放射束35;遮光筒 36;ブラウン管 37;ディスク 38:第2放射源 39:光吸収体 50;T字型ファイバー rl ;被検面29から反射した放射束の電気的に増巾
された信号 r2 ;参照面30から反射した放射束の電気的に増巾
された信号 T;チ目ツバ8の走査周期
信号rl+r2と周期Tとの関係を表わすグラフ、第3
図は、本発明に係わる反射率測定装置の基本形態を示す
構成図。 1;放射源 2;楕円反射鏡 3−1.3−2;放射束 3−3;平行な放射束 4.17;モノクロメータ− 5、Y字型ファイバー人力部 6 、7 、9 、10.15.1B、80;ファイバ
ーa、aO;チョッパ 11.12;ファイバ一端面 13.14.反射放射束 18−1.18−2;ステップモーター18;フォトマ
ルチプライヤ− 20;ログアンブリファイヤー 21、バイパスフィルター 22;アンブリファイヤー 23;位相同期回路 24;チョッパ8の走査信号 25;八−〇コンバータ 27;マイクロコンピュータ− 28;プロッター 28;被検面 30;参照面 31;冷却器 32;安定化電源 33;ステップモータ1B−1,18−2走査信号34
;モノクロメーター17からの射出放射束35;遮光筒 36;ブラウン管 37;ディスク 38:第2放射源 39:光吸収体 50;T字型ファイバー rl ;被検面29から反射した放射束の電気的に増巾
された信号 r2 ;参照面30から反射した放射束の電気的に増巾
された信号 T;チ目ツバ8の走査周期
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)第1の放射源からの光を、チョッパを介して被検面
へ照射し、その反射放射束を第1のモノクロメーターに
入射させる手段と、第2の放射源からの光を、チョッパ
を介して同じく被検面へ照射し、励起された蛍光を、第
2のモノクロメーターに入射させる手段とを有し、前記
チョッパを制御して第1および第2の放射源からの光を
被検面に交互に照射して、反射率及び蛍光を同時に測定
する光学的表面物性測定装置。 2)第1、第2の放射源からの光を、それぞれ異なった
周波数で制御することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の光学的表面物性測定装置。 3)前記第1の放射源からの光を被検面に導く照射用フ
ァイバーと、被検面からの光を第1および第2のモノク
ロメーターに導く検出用ファイバーを設け、これらのフ
ァイバーの被検面に対向する端部を一体化したことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的表面物性測
定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59176817A JPS6154429A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 光学的表面物性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59176817A JPS6154429A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 光学的表面物性測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6154429A true JPS6154429A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=16020361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59176817A Pending JPS6154429A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 光学的表面物性測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6154429A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0266728A2 (de) * | 1986-11-04 | 1988-05-11 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Qualität von Oberflächen, insbesondere von Halbleiterscheiben |
JP2008020454A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Byk-Gardner Gmbh | 表面特性を決定する装置および方法 |
US7633612B2 (en) | 2006-07-13 | 2009-12-15 | Byk-Gardner Gmbh | Apparatus and method for determining surface properties |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP59176817A patent/JPS6154429A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0266728A2 (de) * | 1986-11-04 | 1988-05-11 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung der Qualität von Oberflächen, insbesondere von Halbleiterscheiben |
JP2008020454A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Byk-Gardner Gmbh | 表面特性を決定する装置および方法 |
US7633612B2 (en) | 2006-07-13 | 2009-12-15 | Byk-Gardner Gmbh | Apparatus and method for determining surface properties |
JP2010008423A (ja) * | 2006-07-13 | 2010-01-14 | Byk-Gardner Gmbh | 角度オフセット修正を用いる表面特性の決定 |
JP2010072005A (ja) * | 2006-07-13 | 2010-04-02 | Byk-Gardner Gmbh | 表面特性を決定する装置および方法 |
US7834991B2 (en) | 2006-07-13 | 2010-11-16 | Byk Gardner Gmbh | Determining surface properties with angle offset correction |
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