JPH0320647A - 異物検査方法 - Google Patents
異物検査方法Info
- Publication number
- JPH0320647A JPH0320647A JP15539989A JP15539989A JPH0320647A JP H0320647 A JPH0320647 A JP H0320647A JP 15539989 A JP15539989 A JP 15539989A JP 15539989 A JP15539989 A JP 15539989A JP H0320647 A JPH0320647 A JP H0320647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beams
- foreign matter
- directions
- semiconductor substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン付き半導体基板上の異物検査方法に関
する。
する。
従来の技術
半導体集積回路の高集積化に伴い、素子の微細化と、チ
ップの大型化が進み、1た半導体素子の高性能化に伴う
工数の増加等により、半導体製造工程にかいては、回路
パターン形或上致命傷となるような異物の存在を無くす
必要がある。と〈に、その最小寸法が1μmあるいはそ
れ以下のサブミクロンを基準にするようなパターンにな
ると、サブミクロンの異物1ヶがチップを不良品として
し1うことになる。このため高歩留シを確保するには、
超クリーンな環境が必要とされている。このクリーンな
環境の維持のためのモニタリングの代表的な方法は、パ
ーティクルカウンタで空気中のパーティクル数ヲカウン
トする方法と、パターンのないウエハ上のパーティクル
数をレーザー光の散乱を利用してカウントする方法であ
る。
ップの大型化が進み、1た半導体素子の高性能化に伴う
工数の増加等により、半導体製造工程にかいては、回路
パターン形或上致命傷となるような異物の存在を無くす
必要がある。と〈に、その最小寸法が1μmあるいはそ
れ以下のサブミクロンを基準にするようなパターンにな
ると、サブミクロンの異物1ヶがチップを不良品として
し1うことになる。このため高歩留シを確保するには、
超クリーンな環境が必要とされている。このクリーンな
環境の維持のためのモニタリングの代表的な方法は、パ
ーティクルカウンタで空気中のパーティクル数ヲカウン
トする方法と、パターンのないウエハ上のパーティクル
数をレーザー光の散乱を利用してカウントする方法であ
る。
発明が解決しようとする課題
このようなモニタ方法では、半導体製造工程中のパター
ン付ウェハ特有の問題をモニターできず、充分な工程モ
ニターとはなっていない。本発明は上記問題点を解決し
、製造工程中のパターン付ウエハ上のパーティクルを直
接カウントし、管理を行う方法を提供するものである。
ン付ウェハ特有の問題をモニターできず、充分な工程モ
ニターとはなっていない。本発明は上記問題点を解決し
、製造工程中のパターン付ウエハ上のパーティクルを直
接カウントし、管理を行う方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、製造工程中のパターン付ウェハに、2方向以
上からレーザー光を照射し、パターンエッジの影響を無
くし、パターン付ウェハ上の異物を高感度に検出する、
異物検査方法である。
上からレーザー光を照射し、パターンエッジの影響を無
くし、パターン付ウェハ上の異物を高感度に検出する、
異物検査方法である。
作 用
この検査方法によれば、特別のモニターウェハを用いず
に、直接製造工程中のパターン付ウェハで、製造工程中
のパーティクル管理が可能となり、またパターン付ウェ
ハ特有の問題もモニタ可能となる。これによシ高歩留り
の製造ラインを実現できる。
に、直接製造工程中のパターン付ウェハで、製造工程中
のパーティクル管理が可能となり、またパターン付ウェ
ハ特有の問題もモニタ可能となる。これによシ高歩留り
の製造ラインを実現できる。
実施例
本発明の異物検査方法を実施例をもって説明する。唸ず
p型半導体基板5の表面に熱酸化膜6を100o人或長
し、ホトリソグラフィ工程,エッチング工程を経て、所
望のパターンを形戊する。
p型半導体基板5の表面に熱酸化膜6を100o人或長
し、ホトリソグラフィ工程,エッチング工程を経て、所
望のパターンを形戊する。
次にこの半導体基板の異物検査を行う。第1図に示すよ
うに、被検査ウェハ1に833nmスポット径I Am
φのレーザー光をX(2a),Y(2b)2方向から照
射し、ウェハをX−Y方向に動かし、(4a,4b)、
レーザー光がウェハ全域をく渣なくスキャンするように
する。被検査ウェハ1のある部位にパターン以外の異物
3がある場合の拡大図を第2図(a)に示す。
うに、被検査ウェハ1に833nmスポット径I Am
φのレーザー光をX(2a),Y(2b)2方向から照
射し、ウェハをX−Y方向に動かし、(4a,4b)、
レーザー光がウェハ全域をく渣なくスキャンするように
する。被検査ウェハ1のある部位にパターン以外の異物
3がある場合の拡大図を第2図(a)に示す。
レーザー光の照射角度を基板と2〜3°程度に設定し、
パターンエッジからの散乱がないようにすると、異物部
分だけレーザー光を散乱するようになる。しかし、1方
向からのレーザー光2aでは第2図(b)に示すように
、微小な異物3がパターンエッジの陰にかくれてし1う
。そこで本発明によるX−Y2方向からのレーザー光2
a,2bを照射することによシ、第2図(C)に示すよ
うに微小な異物3はもう一方のレーザー光2bの照射範
囲に捕足され検出可能となる。
パターンエッジからの散乱がないようにすると、異物部
分だけレーザー光を散乱するようになる。しかし、1方
向からのレーザー光2aでは第2図(b)に示すように
、微小な異物3がパターンエッジの陰にかくれてし1う
。そこで本発明によるX−Y2方向からのレーザー光2
a,2bを照射することによシ、第2図(C)に示すよ
うに微小な異物3はもう一方のレーザー光2bの照射範
囲に捕足され検出可能となる。
上記実施例では、833nmのレーザー光を用いたが、
これは6 0 0 n m〜700nmのどの波長でも
よい。またレーザー光のスポット径も0.5μmφ〜3
μmφ程度であれば同様の効果がある。
これは6 0 0 n m〜700nmのどの波長でも
よい。またレーザー光のスポット径も0.5μmφ〜3
μmφ程度であれば同様の効果がある。
また、レーザー光の方向ぱ2方向とはかぎらずそれ以上
であってもよい。
であってもよい。
発明の効果
本発明の方法によれば、特別のモニタウェハを作或せず
に、製造工程中のパーティクル管理が可能となシ、また
、パターン付ウェハ特有の問題もモニタ可能となる。こ
れにょシ、問題点を早期に見い出すことが可能となシ高
歩留9の製造ラインが実現できコスト低減効果が犬であ
る。
に、製造工程中のパーティクル管理が可能となシ、また
、パターン付ウェハ特有の問題もモニタ可能となる。こ
れにょシ、問題点を早期に見い出すことが可能となシ高
歩留9の製造ラインが実現できコスト低減効果が犬であ
る。
第1図は本発明による異物検査方法の概略を示す図、第
2図(.)はウェハ上の異物のある部分の拡大図、第2
図tb) . (0)はそれぞれ第2図<a)に示す異
物の部分のX方向断面図t,Y方向断面図Cである。 1・・・・・・被検査ウェハ、2a・・・X方向レーザ
光、2b・・・・・・Y方向レーザ〜光、2c・・・・
・・レーザー光焦点位置、3・・・・・微小異物、4a
・・・・・・X方向ステージスキャン範囲、4b・・・
・・・Y方向ステージスキャン範囲、5・・・・・・p
型シリコン基板、6・・・・・・酸化膜、7・・・・・
・微小異物による散乱光。
2図(.)はウェハ上の異物のある部分の拡大図、第2
図tb) . (0)はそれぞれ第2図<a)に示す異
物の部分のX方向断面図t,Y方向断面図Cである。 1・・・・・・被検査ウェハ、2a・・・X方向レーザ
光、2b・・・・・・Y方向レーザ〜光、2c・・・・
・・レーザー光焦点位置、3・・・・・微小異物、4a
・・・・・・X方向ステージスキャン範囲、4b・・・
・・・Y方向ステージスキャン範囲、5・・・・・・p
型シリコン基板、6・・・・・・酸化膜、7・・・・・
・微小異物による散乱光。
Claims (2)
- (1)半導体基板の表面の1点に、半導体基板表面とな
す角度が30゜以下である500nm〜700nmのレ
ーザー光を2方向以上から同時に照射し、前記レーザー
光の散乱強度の和をもって表面の異物を検出する異物検
査方法。 - (2)レーザー光同志のなす角度が90゜±5゜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の異物検
査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15539989A JPH0320647A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15539989A JPH0320647A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 異物検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0320647A true JPH0320647A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15605118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15539989A Pending JPH0320647A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0320647A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04299550A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Toshiba Corp | 半導体基板評価方法及び装置 |
KR100429103B1 (ko) * | 2001-08-06 | 2004-04-29 | 주식회사 한진중공업 | 바닥충격음 저감용 뜬바닥층 구조 및 건축용 바닥재 |
KR100462552B1 (ko) * | 2002-05-09 | 2004-12-17 | 주식회사 한진중공업 | 바닥 충격음 차음을 위한 공동건물 바닥구조 |
KR100471607B1 (ko) * | 2002-05-09 | 2005-02-21 | 주식회사 한진중공업 | 바닥 충격음 차음을 위한 공동건물 바닥구조 |
KR100470497B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2005-03-11 | 주식회사종합건축사사무소가람건축 | 마루바닥재 |
KR100493611B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2005-06-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 차량용 교류발전기 및 그 브러시 마모검지 시스템 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01263539A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15539989A patent/JPH0320647A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01263539A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04299550A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Toshiba Corp | 半導体基板評価方法及び装置 |
KR100429103B1 (ko) * | 2001-08-06 | 2004-04-29 | 주식회사 한진중공업 | 바닥충격음 저감용 뜬바닥층 구조 및 건축용 바닥재 |
KR100493611B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2005-06-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 차량용 교류발전기 및 그 브러시 마모검지 시스템 |
US7116032B2 (en) | 2001-12-11 | 2006-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Automotive alternator and automotive alternator brush abrasion detection system |
KR100470497B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2005-03-11 | 주식회사종합건축사사무소가람건축 | 마루바닥재 |
KR100462552B1 (ko) * | 2002-05-09 | 2004-12-17 | 주식회사 한진중공업 | 바닥 충격음 차음을 위한 공동건물 바닥구조 |
KR100471607B1 (ko) * | 2002-05-09 | 2005-02-21 | 주식회사 한진중공업 | 바닥 충격음 차음을 위한 공동건물 바닥구조 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0633450B1 (en) | Scanning probe microscope | |
US7711177B2 (en) | Methods and systems for detecting defects on a specimen using a combination of bright field channel data and dark field channel data | |
TWI625519B (zh) | 表面檢驗方法及系統 | |
US8670116B2 (en) | Method and device for inspecting for defects | |
JPS61501062A (ja) | 暗視野照明を用いた検査システム | |
US8319959B2 (en) | System and method for quality assurance for reticles used in manufacturing of integrated circuits | |
JPH0320647A (ja) | 異物検査方法 | |
JPH10209237A (ja) | ウェハ検査方法および装置 | |
JP2981117B2 (ja) | 微小異物の検出および検査方法、それに用いられる走査型プローブ顕微鏡ならびにこれらを用いた半導体素子または液晶表示素子の製法 | |
US6888150B2 (en) | Method for defect and conductivity engineering of a conducting nanoscaled structure | |
US7245365B2 (en) | Apparatus and method for detecting particles on an object | |
JPH0320648A (ja) | 異物検査装置 | |
JP3698904B2 (ja) | 半導体評価方法及び欠陥位置特定装置 | |
US6911284B2 (en) | Photomask and method for manufacturing the photomask | |
JP2898669B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
JPH06162987A (ja) | 試料処理装置 | |
JPS6293934A (ja) | 検査装置 | |
JPH10221269A (ja) | 異物検査装置 | |
JP2004258384A (ja) | 欠陥検査方法及びその装置、並びに露光用マスクの前処理方法 | |
JP2927201B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法、該方法を実行する装置、及び該方法に用いられる位置検出マーク形成体 | |
JPH08264605A (ja) | 積層基板の検査方法、およびこれを用いたsoiウェハ、このsoiウェハを用いた半導体集積回路装置、ならびに積層基板の検査装置 | |
JP3105233B2 (ja) | X線マスク検査装置 | |
JPH10153603A (ja) | 微小異物の検出方法 | |
JPH036819A (ja) | エッチング状態の検査方法および被検査パターンの構造 | |
JPH0437122A (ja) | X線マスクの検査方法 |