JPS6293934A - 検査装置 - Google Patents
検査装置Info
- Publication number
- JPS6293934A JPS6293934A JP60233231A JP23323185A JPS6293934A JP S6293934 A JPS6293934 A JP S6293934A JP 60233231 A JP60233231 A JP 60233231A JP 23323185 A JP23323185 A JP 23323185A JP S6293934 A JPS6293934 A JP S6293934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- inspected
- electron
- inspection
- inspection device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は検査技術、特に、半導体装置の製造においてフ
ォトマスクに形成されたパターンの検査に適用して効果
のある技術に関する。
ォトマスクに形成されたパターンの検査に適用して効果
のある技術に関する。
［背景技術１
近年、半導体装置の製造において、たとえばシリコンな
どからなる半導体基板すなわちウェハにに形成される集
積回路パターンは、巣債回路素子に対する高密度化、高
集積化などの要求に伴って、より微細化、複雑化の傾向
を強めている。
どからなる半導体基板すなわちウェハにに形成される集
積回路パターンは、巣債回路素子に対する高密度化、高
集積化などの要求に伴って、より微細化、複雑化の傾向
を強めている。
このため、ウェハに集積回路パターンを転写する際の原
版となるフォトマスクに形成されるパターンの検査にお
いては、パターンの寸法や相互の距離および欠陥に対し
て、回路素子の製作精度を上回る高い精度で計測する必
要があり、たとえば走査電子顕微鏡が上記のようなフォ
トマスクのパターン検査に用いられる場合がある。
版となるフォトマスクに形成されるパターンの検査にお
いては、パターンの寸法や相互の距離および欠陥に対し
て、回路素子の製作精度を上回る高い精度で計測する必
要があり、たとえば走査電子顕微鏡が上記のようなフォ
トマスクのパターン検査に用いられる場合がある。
すなわち、電子銃などの電子ビーム源から牧ｑ１される
所定の強度の電子ビームによって；１す定￥ＩＪのフォ
トマスク表面の一定領域を所定の達文で走査し、このと
き走査領域から放出される二次電子（または反射電子）
を近傍に置かれた二次電子（または反射電子）検出器に
よって検出し、この二次電子（または反射電子）検出器
で観測される二次電子（または反射電子）の強度変化を
前記の電子ビームの走査と同門して構成される陰極線管
の画面における輝度の変化として表示させることによっ
て、陰極線管の画面」二に所定の倍率で拡大されたフォ
トマスクの所定の領域のパターンの像が観察されるもの
である。
所定の強度の電子ビームによって；１す定￥ＩＪのフォ
トマスク表面の一定領域を所定の達文で走査し、このと
き走査領域から放出される二次電子（または反射電子）
を近傍に置かれた二次電子（または反射電子）検出器に
よって検出し、この二次電子（または反射電子）検出器
で観測される二次電子（または反射電子）の強度変化を
前記の電子ビームの走査と同門して構成される陰極線管
の画面における輝度の変化として表示させることによっ
て、陰極線管の画面」二に所定の倍率で拡大されたフォ
トマスクの所定の領域のパターンの像が観察されるもの
である。
しかしながら、通常、フォトマスクは、絶縁物であるガ
ラス基板の表面にクロムなどの遮光層を所定のパターン
に被着させて構成されているため、電子ビームが照射さ
れるウェハの観察部位に負電荷が蓄積されて負に帯電さ
れることは避けられず、この帯電の影ビによって観察さ
れるパターンの輪郭が不明瞭となるなどの不具合がある
ことを未発明考は見いだした。
ラス基板の表面にクロムなどの遮光層を所定のパターン
に被着させて構成されているため、電子ビームが照射さ
れるウェハの観察部位に負電荷が蓄積されて負に帯電さ
れることは避けられず、この帯電の影ビによって観察さ
れるパターンの輪郭が不明瞭となるなどの不具合がある
ことを未発明考は見いだした。
さらに、このようなフォトマスクの観察部位の帯電に起
因する不具合を防止する方法としては、たとえば観察さ
れるフォトマスクの表面に金（ＡＵ）などの導電性の物
質を蒸着させることが考えられるが、検査が複雑化され
る上に茅着などの操作によって検査されるフォトマスク
が＃員なわれ、検査後に実際の製造工程に使用できない
ため、検査の適用範囲が限定されるという欠点がある。
因する不具合を防止する方法としては、たとえば観察さ
れるフォトマスクの表面に金（ＡＵ）などの導電性の物
質を蒸着させることが考えられるが、検査が複雑化され
る上に茅着などの操作によって検査されるフォトマスク
が＃員なわれ、検査後に実際の製造工程に使用できない
ため、検査の適用範囲が限定されるという欠点がある。
なお、走を九電子顕微境を用いる検査技ｉト＋ζ４二つ
いて述べらｎている文献としこは、株式会７１丁業調査
会１９８３年９月１日発行１電子材ネ４−１１！３８３
年９月号、■）５２〜Ｐ ５７がある。
いて述べらｎている文献としこは、株式会７１丁業調査
会１９８３年９月１日発行１電子材ネ４−１１！３８３
年９月号、■）５２〜Ｐ ５７がある。
［発明の目的］
本発明の［」的は、絶縁性または導電性の比較的低い被
検査物の帯電を防止して、明瞭な観察像を得ることが可
能な検査技術を提供することにある。
検査物の帯電を防止して、明瞭な観察像を得ることが可
能な検査技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細、！Ｈの記述すよび添付図面から明らかになるであ
ろう。
明細、！Ｈの記述すよび添付図面から明らかになるであ
ろう。
［発明の概要コ
本願において開示される発明のうら代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
ずなわち、被専灸査物にＩ場イオンヒ゛−ムを照射する
イオン源を設けることにより、絶縁性または導電性の比
較的低い被検査物に対する電子ビームの照射によって発
生される被検査物の負の帯電が陽イオンビームの照射に
よって中和されるされるようにして、帯電に起因して被
検査物の観察像が不明瞭になることを防１トシ、明瞭な
観察像が得られるようにしたものである。
イオン源を設けることにより、絶縁性または導電性の比
較的低い被検査物に対する電子ビームの照射によって発
生される被検査物の負の帯電が陽イオンビームの照射に
よって中和されるされるようにして、帯電に起因して被
検査物の観察像が不明瞭になることを防１トシ、明瞭な
観察像が得られるようにしたものである。
［実施例１１
第１図は本発明の一実施例である検査装置の要部を取り
出して示す説明図である。
出して示す説明図である。
水゛ゼ面内において移動自在なＸＹテーブルｌの上には
、フォトマスク２ （被検査物）が着脱自在に載置され
るように構成されている。
、フォトマスク２ （被検査物）が着脱自在に載置され
るように構成されている。
さらに、ＸＹテーブルｌに載置されるフォトマスク２の
上方には、該フォトマスク２の平面に対して軸が垂直と
なるように電子銃３が設けられ、この電子銃３から放射
される電子ビーｌ、４が電子レンズなどからなる電子光
学系５をへてフォトマスク２の表面に到達されるように
構成されている。
上方には、該フォトマスク２の平面に対して軸が垂直と
なるように電子銃３が設けられ、この電子銃３から放射
される電子ビーｌ、４が電子レンズなどからなる電子光
学系５をへてフォトマスク２の表面に到達されるように
構成されている。
そして、前記電子光学系５の作用によって、フォＩ・マ
スク２の表面の所定の領域が電子ビーム４乙こよって走
査されるとともに、フォトマスク２において電子ビーム
４が到達される部位から発生される二次電子（または反
射電子）６は、検出器７に１ｌＩｉ 促されるように構
成され、電子光学系５によって時間的に変化される電子
ビーム４の走査位置および、その時検出器７によって検
出される二二次電子（または反射電子）６の強度が、信
号処理部８を介して、たとえば陰極線管などから＋７４
成される表示部９に同期して入力され、表示部１］にお
ける明暗の変化としてフ才］・マスク２の所定の部位の
拡大像が観察されるものである。
スク２の表面の所定の領域が電子ビーム４乙こよって走
査されるとともに、フォトマスク２において電子ビーム
４が到達される部位から発生される二次電子（または反
射電子）６は、検出器７に１ｌＩｉ 促されるように構
成され、電子光学系５によって時間的に変化される電子
ビーム４の走査位置および、その時検出器７によって検
出される二二次電子（または反射電子）６の強度が、信
号処理部８を介して、たとえば陰極線管などから＋７４
成される表示部９に同期して入力され、表示部１］にお
ける明暗の変化としてフ才］・マスク２の所定の部位の
拡大像が観察されるものである。
この場合、ＸＹテーブル１の−１−に載置されるフォト
マスク２の（！！！１方部近傍には、たとえば電界電離
型ヘリウムイオン進（などで構成されるイオンビームガ
ン１０（−（すン源）が設けられており、所望の時期に
、フォトマスク２にＪ３ける電子ビーム４の走査領域に
対してＨｅ’などの陽イオンビーム１１が照射される構
造とされている。
マスク２の（！！！１方部近傍には、たとえば電界電離
型ヘリウムイオン進（などで構成されるイオンビームガ
ン１０（−（すン源）が設けられており、所望の時期に
、フォトマスク２にＪ３ける電子ビーム４の走査領域に
対してＨｅ’などの陽イオンビーム１１が照射される構
造とされている。
また、上記の一連の構造は、所定の排気機措く図示せず
）に接続されることによって内部を所定の真空度にする
ことが可能な真空室１２の内部に収容されている。
）に接続されることによって内部を所定の真空度にする
ことが可能な真空室１２の内部に収容されている。
以下、本実施例の作用について１；）と明する。
始めに、真空べで１２の内部が所定の真空度にされる。
次に、ＸＹテーブル１が左右方向および紙面に垂直な方
向に適宜移動され、該ＸＹテーブル１にｌｉ！Ｉ！２置
されたフォトマスク２の所定の部位が電子光学系５の軸
に一致される。
向に適宜移動され、該ＸＹテーブル１にｌｉ！Ｉ！２置
されたフォトマスク２の所定の部位が電子光学系５の軸
に一致される。
その後、電子銃３からフォトマスク２に対する電子ビー
ム４の放射が開始され、電子光学系５の作用によって、
フォトマスク２の表面の所定の領域が電子ビーム４によ
って走査されるとともに、フォトマスク２において電子
ビーム４が到達される部位から発生される二次電子（ま
たは反射電子）６は、キ負出器７に捕捉され、電子ビー
ム４の走査位置および、その時検出器７によって検出さ
れる二次電子６の強度が信号処理部８を介して表示部９
に同期して入力され、フォトマスク２の所定の部位に形
成されたパターンの拡大像が観察される。
ム４の放射が開始され、電子光学系５の作用によって、
フォトマスク２の表面の所定の領域が電子ビーム４によ
って走査されるとともに、フォトマスク２において電子
ビーム４が到達される部位から発生される二次電子（ま
たは反射電子）６は、キ負出器７に捕捉され、電子ビー
ム４の走査位置および、その時検出器７によって検出さ
れる二次電子６の強度が信号処理部８を介して表示部９
に同期して入力され、フォトマスク２の所定の部位に形
成されたパターンの拡大像が観察される。
そして、ガラス基板などの絶縁物にクロムなどの遮光層
を所定のパターンに被着させて構成されるフォトマスク
２が電子ビーム４の照射によって帯電されろことに起因
して、表示部９！こおいて観察される像の輸９１（など
が不明瞭となった場りに：よ、）ｔトマスク２における
電子ビーム４の走り領域、ずなわら観察部位に随時イオ
ンビームガン１０から陽イオンビーＪ、１１を照射して
１；２電を中和することにより、フォトマスク２の所定
の部位の拡大像が常に明瞭に観察される。
を所定のパターンに被着させて構成されるフォトマスク
２が電子ビーム４の照射によって帯電されろことに起因
して、表示部９！こおいて観察される像の輸９１（など
が不明瞭となった場りに：よ、）ｔトマスク２における
電子ビーム４の走り領域、ずなわら観察部位に随時イオ
ンビームガン１０から陽イオンビーＪ、１１を照射して
１；２電を中和することにより、フォトマスク２の所定
の部位の拡大像が常に明瞭に観察される。
このように、本実施例においては、イオンビームガンＩ
Ｏが設けられ、′修了ビーム４ｚこよって走査される部
位に随時陽イオンビーム１１が１１侃］↑されるように
構成されているため、フォトマスク２などのように絶縁
性または比較的導電性の低い被検査物の検査においても
、電子ビーム４の走査による検査部位の帯電が容易に中
和でき、検査部位の帯電に起因して、観察される像の輪
郭などが不明瞭となることが回避され、明瞭な観察像を
得ることができる。
Ｏが設けられ、′修了ビーム４ｚこよって走査される部
位に随時陽イオンビーム１１が１１侃］↑されるように
構成されているため、フォトマスク２などのように絶縁
性または比較的導電性の低い被検査物の検査においても
、電子ビーム４の走査による検査部位の帯電が容易に中
和でき、検査部位の帯電に起因して、観察される像の輪
郭などが不明瞭となることが回避され、明瞭な観察像を
得ることができる。
さらに、検査部位の帯電を防止する目的でフォトマスク
２の表面に金（Ａｕ）などの導電性の金属を茎着させる
などの操作が不用となり、検査が簡単化され、フォトマ
スク２が損なわれることがないため、実際の露光工程に
使用されるフォトマスク２の検査が可能となり、検査の
適用範囲が拡大される。
２の表面に金（Ａｕ）などの導電性の金属を茎着させる
などの操作が不用となり、検査が簡単化され、フォトマ
スク２が損なわれることがないため、実際の露光工程に
使用されるフォトマスク２の検査が可能となり、検査の
適用範囲が拡大される。
「効果］
（１）、被検査物を走査する電子ビームによって発生さ
れる二次電子（または反射電子）を検出することによっ
て該被検査物の検査を行う検査装置で、ＡＩ記記構検査
物陽イオンビームを照射するイオン源が設けられている
ため、絶縁性または導電性の比較的低い被検査物に対す
る電子ビームの走査に起因して発生される該被検査物の
帯電が陽イオンビームの照射によって容易に中和でき、
被検査物の帯電に起因して該被検査物の観察像が不明瞭
となることが回避され、明瞭な観察像を得ることができ
る。
れる二次電子（または反射電子）を検出することによっ
て該被検査物の検査を行う検査装置で、ＡＩ記記構検査
物陽イオンビームを照射するイオン源が設けられている
ため、絶縁性または導電性の比較的低い被検査物に対す
る電子ビームの走査に起因して発生される該被検査物の
帯電が陽イオンビームの照射によって容易に中和でき、
被検査物の帯電に起因して該被検査物の観察像が不明瞭
となることが回避され、明瞭な観察像を得ることができ
る。
（２）、前記ｆｉ＋の結果、検査部位の帯電を防止する
目的で被検査物の表面に金（Ａｕ）などの導電性の金属
を蒸着させるなどの操作が不用となり、検査が簡単化さ
れ、さらに被検査物が損なわれることかないため、検査
の適用１．ｎ囲が拡大さ机ろ。
目的で被検査物の表面に金（Ａｕ）などの導電性の金属
を蒸着させるなどの操作が不用となり、検査が簡単化さ
れ、さらに被検査物が損なわれることかないため、検査
の適用１．ｎ囲が拡大さ机ろ。
（３）、前記ｆ１．１． （２）の結果、検査における
生産性が向上される。
生産性が向上される。
以北本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は＋’＋ｉｉ記実施例に限定
されるものではなく、その・要旨を逸１１１２しない範
囲でＩＩＲ々変更可能であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は＋’＋ｉｉ記実施例に限定
されるものではなく、その・要旨を逸１１１２しない範
囲でＩＩＲ々変更可能であることはいうまでもない。
たとえば、陽イオンビームとしてはｌ（＋！゛に限らず
、１］゛ などであっても良い。
、１］゛ などであっても良い。
また、被検査物としては、フォトマスクに限らすウェハ
などであっても良い。
などであっても良い。
「利用分野１
以上の説明では主として本発明と５二よってなされた発
明をその背景となった利用分野であるフォトマスクの検
査技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、被検査物の帯電が問題となる検査
技術に広く適用できる。
明をその背景となった利用分野であるフォトマスクの検
査技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、被検査物の帯電が問題となる検査
技術に広く適用できる。
図面の節ｉｉ１な説明
第１図は本発明の一実施例である検査装置の要部を取り
出して示す説明図である。
出して示す説明図である。
１・・ ＸＹテーブル、２・・・フォトマスク（被検査
物）、３・・・電子銃、４・ ・電子ビーム、５・・・
電子光学系、６・・・二次電子（または反射電子）、７
・・・検出器、８・・・信号処理部、９・・・表示部、
１０・・・イオンビームガン（イオンビームａ、）、ｌ
ｌ・・・陽イオンビーム、１２・・・真空室。
物）、３・・・電子銃、４・ ・電子ビーム、５・・・
電子光学系、６・・・二次電子（または反射電子）、７
・・・検出器、８・・・信号処理部、９・・・表示部、
１０・・・イオンビームガン（イオンビームａ、）、ｌ
ｌ・・・陽イオンビーム、１２・・・真空室。
、＼
代理人 弁理士 小 川 勝 男 、 ：又〜。
第 １ 図
（７′
、／２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被検査物を走査する電子ビームによって発生される
二次電子または反射電子を検出することによって該被検
査物の検査を行う検査装置であって、前記被検査物に陽
イオンビームを照射するイオン源が設けられてなること
を特徴とする検査装置。 ２、前記イオン源が水素イオンまたはヘリウムイオン等
の軽ガスイオン源であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の検査装置。 ３、前記被検査物がフォトマスクであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60233231A JPS6293934A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60233231A JPS6293934A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293934A true JPS6293934A (ja) | 1987-04-30 |
Family
ID=16951807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60233231A Pending JPS6293934A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6293934A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03251760A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-11-11 | Fuji Electric Co Ltd | ビームアナリシス方法 |
| JP2002131887A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Horon:Kk | マスク検査装置 |
| EP1296352A1 (en) * | 2000-06-27 | 2003-03-26 | Ebara Corporation | Charged particle beam inspection apparatus and method for fabricating device using that inspection apparatus |
| JP2006112865A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Toyota Motor Corp | 有機物顕在化方法および装置 |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP60233231A patent/JPS6293934A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03251760A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-11-11 | Fuji Electric Co Ltd | ビームアナリシス方法 |
| EP1296352A1 (en) * | 2000-06-27 | 2003-03-26 | Ebara Corporation | Charged particle beam inspection apparatus and method for fabricating device using that inspection apparatus |
| EP1296352A4 (en) * | 2000-06-27 | 2007-04-18 | Ebara Corp | INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE |
| US7241993B2 (en) | 2000-06-27 | 2007-07-10 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
| US7411191B2 (en) | 2000-06-27 | 2008-08-12 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
| US8053726B2 (en) | 2000-06-27 | 2011-11-08 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
| US8368031B2 (en) | 2000-06-27 | 2013-02-05 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
| US8803103B2 (en) | 2000-06-27 | 2014-08-12 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
| US9368314B2 (en) | 2000-06-27 | 2016-06-14 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
| JP2002131887A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Horon:Kk | マスク検査装置 |
| JP4629207B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2011-02-09 | 株式会社ホロン | マスク検査装置 |
| JP2006112865A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Toyota Motor Corp | 有機物顕在化方法および装置 |
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