KR920010213B1 - 스탠다드셀 - Google Patents

스탠다드셀 Download PDF

Info

Publication number
KR920010213B1
KR920010213B1 KR1019890010200A KR890010200A KR920010213B1 KR 920010213 B1 KR920010213 B1 KR 920010213B1 KR 1019890010200 A KR1019890010200 A KR 1019890010200A KR 890010200 A KR890010200 A KR 890010200A KR 920010213 B1 KR920010213 B1 KR 920010213B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flip
flop
clock
wiring
standard cell
Prior art date
Application number
KR1019890010200A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900002564A (ko
Inventor
도루 사사키
다케지 도쿠마루
츠네아키 구도
Original Assignee
가부시키가이샤 도시바
아오이 죠이치
도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시키가이샤
다케다이 마사다카
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 도시바, 아오이 죠이치, 도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시키가이샤, 다케다이 마사다카 filed Critical 가부시키가이샤 도시바
Publication of KR900002564A publication Critical patent/KR900002564A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920010213B1 publication Critical patent/KR920010213B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/173Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
    • H03K19/177Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components arranged in matrix form
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/063Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

스탠다드셀
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 스탠다드셀의 구성을 나타낸 도면,
제2a도는 클럭스큐의 발생을 설명하기 위한 회로도,
제2b도는 레이싱현상을 방지하기 위한 회로도,
제3도는 스큐의 발생을 설명하기 위한 파형도,
제4a도는 레이싱현상에 의한 오동작을 설명하기 위한 타이밍도,
제4b도는 정상동작시의 타이밍도,
제5도는 종래 기술에 따른 스탠다드셀의 구성을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : LSI기판 11 : 클럭배선영역
12 : 플립플롭회로영역 13 : 다른 논리회로영역
14 : 배선영역
[산업상의 이용분야]
본 발명은 플립플롭셀내에 클럭선을 설계해 넣음과 더불어 동일한 행내에 복수의 플립플롭을 정렬시켜 배치한 스탠다드셀에 관한 것이다.
[종래의 기술 및 그 문제점]
마이크로프로세서나 그 이외의 LSI에 이용되도록 표준화된 소정의 기능을 구비한 스탠다드셀을 자동배치 배선시스템으로 배선하는 경우에는 특정한 논리소자의 배치배선에 관해 특별하게 고려할 필요가 있는 바, 이는 배치배선에 관해 특별히 고려하지 않으면 오동작이라던지 기타 바람직하지 않은 현상이 발생되기 때문이다.
즉, 예컨대 NAND회로, NIR회로, 플립플롭회로등의 논리소자를 포함한 스탠다드셀을 배치배선하는 경우, 특히 플립플롭회로를 취급함에 있어서는, 소위 클럭스큐(Clock Skew)라던지 레이싱(Racing)현상에 따른 오동작이 발생된다는 관점에서 주의가 필요하게 된다.
여기서, 우선 클럭스큐로 칭해지는 현상을 설명한다. 제2a도는 시프트레지스터에 있어서 플립플롭(FF1)의 클럭입력에 공급되는 클럭파형의 상승과 플립플롭(FF2)의 클럭입력에 공급되는 파형의 상승사이에는 제3도에 도시된 바와 같이 위상차(스큐)가 발생되는데, 이 원인은 플립플롭(FF1)으로부터 플립플롭(FF2)에 이르는 배선상에 배선저항(R)과 배선용량(C)이 분포하게 되어 배선이 길어지면 길어질수록 클럭신호의 전달에 큰 지연이 발생되기 때문이다. 따라서 플립플롭셀의 클럭입력에 대한 배선은 가능한 한 짧게해 주어야만 된다.
이어, 레이싱현상에 관해서 설명한다. 다시 제2a도를 참조하면, 플립플롭(FF1)의 출력단자(Q)와 플립플롭(FF2)의 입력단자(D)사이의 배선이 짧음에도 불구하고 양자의 클럭입력측(CLK)의 클럭스큐가 크다면 제4a도와 같이 플립플롭(FF1)의 입력단자(D)에 입력되는 데이터의 절환이 “h”점에서의 클럭절환보다도 빠르게 되어 버려(클럭스큐>데이터지연) 플립플롭(FF2)이 도시된 바와 같이 부정확한 데이터를 받아 들이게 되고, 이에 따라 레이싱이라는 오동작이 발생하게 되는 바, 이러한 레이싱현상을 방지하기 위해서는 제2a도에 도시된 플립플롭(FF1,FF2)의 입출력단자(Q-D)사이에 제2b도에 나타낸 바와 같이 지연소자를 삽입해서 클럭측의 지연요소[배선저항(R), 배선용량(C)]와의 균형을 잡아줄 필요가 있고, 그 결과 제4b도에 도시된 바와 같이 클럭스큐가 데이터지연 보다 작아지게 되어 잘못된 데이터가 수신되는 것을 방지할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이 레이싱을 방지하기 위해서는 제1레지스터(플립플롭)와, 제2레지스터(플립플롭)사이에 일률적으로 지연소자를 설치하는 방식이 일반적으로 이용되고 있지만, 이 방식에서는 클럭배선의 길이를 정확하게 잡을 수 없기 때문에 경우에 따라서는 과대한 지연시간을 갖는 지연소자를 설치하게 되는 경향이 있다. 또, 상기 레지스터사이에는 지연소자 외에도 조합회로등이 삽입되는 경우가 있는바, 그러한 경우에는 스큐의 시간폭과 지연소자의 지연시간 및 조합회로의 억세스시간을 가산한 시간만큼 실질적인 동작시간이 제한되어 버리게 되므로 결과적으로 1클럭에서 실행될 수 있는 기능이 절감되어 버린다. 따라서, 이 문제를 해결하기 위해서는 클럭배선의 길이를 가능한 한 정확하게 예측할 필요가 있게 됨과 더불어 클럭스큐를 작게 할 필요가 있다.
그러나, 종래 이러한 종류의 스탠다드셀에 있어서는 설계단계에서 제5도에 나타낸 바와 같이 복수의 행(R)에 복수의 플립플롭(FF)이 산재하도록 배치되기 때문에 클럭배선(11,12,13)이 길어지게 됨과 더불어 클럭스큐 및 레이싱현상이 생기게 되는 문제가 있었다.
[발명의 목적]
본 발명은 상기한 감안하여 발명된 것으로, 클럭스큐 및 레이싱현상에 따른 오동작을 방지할 수 있는 한편, 클럭스큐의 예측을 정확하게 수행할 수 있도록 된 스탠다드셀을 제공함에 그 목적이 있다.
[발명의 구성]
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 종래 기술에서 산재되어 있는 플립플롭을 동일 행내에 집합시킴으로써 클럭배선의 길이를 최소로하여 클럭스큐를 가능한 한 작게 억제시킴과, 더불어, 플립플롭을 한 장소에 집합시킴에 따라 배선상태, 즉 클럭스큐가 발생될 수 있는 상태를 상당히 정확하게 파악할 수 있게 하여 클럭스큐에 의한 오동작에 대해 용이하게 대처할 수 있도록 구성되어 있다.
[작용]
상기와 같이 구성된 본 발명은, 플립플롭이 완전한 형태로 LSI의 특정한 행에 배치되게 되므로 클럭배선도 짧아지게 됨과 더불어 클럭스큐의 예측을 보다 쉽게 할 수 있어서 오동작을 용이하게 방지할 수 있게 된다.
[실시예]
이하, 예시도면을 참조하여 본 발명에 따른 1실시예를 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 스탠다드셀의 구성을 나타낸 도면으로, 본 발명이 적용된 스탠다드셀에 있어서는 LSI기판(10)에 플립플롭 회로군(FF群)을 이용해서 접속시키게 된다.
즉, 제1도중 참조부호 11은 클럭배선영역, 12는 플립플롭회로영역, 13은 다른 논리회로영역, 14는 배선영역을 나타낸다.
상기 제1도에 도시된 바와 같이 본 발명에서는 플립플롭회로(FF)를 특정한 셀행(플립플롭회로영역 ; 12)에 정렬시켜 규칙적으로 배치하여 클럭배선영역(11)으로부터의 최단길이 인출선(11,12,13,…,1n)으로 접속시키게 된다. 따라서, 플립플롭회로용역(12)과 클럭배선영역(11)이 극히 접근되게 되므로 배선이 최단거리로 되어 클럭스큐를 최소로 억제시킬 수 있게 된다.
더욱이, 각 플립플롭회로(FF)와 인출선(11,12,13,…)은 규칙적이면서 상당히 정연하게 늘어서도록 배치되어 있으므로 클럭스큐가 발생되는 정도를 상당히 정확하게 예측할 수 있어 적절한 값의 지연소자를 삽입할 수 있게 된다.
여기서, 상기 클럭배선(11,12,13,…)은 플립플롭회로군이 배치된 셀행(12)내에 설치해도 된다.
한편, 본원 청구범위의 각 구성요소에 병기된 도면 참조부호는 본원 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것으로, 본원 발명의 기술적 범위를 도면에 도시된 실시예에 한정하는 의도에서 병기한 것은 아니다.
[발명의 효과]
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 스탠다드셀에 있어서는, 플립플롭회로군(FF群)을 최소한 1개의 행에 정렬시켜 배치하고, 또 해당 플립플롭회로군에 접근되게 클럭배선영역을 설치한 구성으로 되어 있으므로, 동일 행의 배선에 관한 배선저항(R)과 배선용량(C)의 분포를 고려하면 클럭스큐를 정확하게 예측할 수 있게 된다. 따라서, 대규모 집적회로의 자동배치배선이 용이하게 됨과 더불어 클럭스큐라던지 레이싱현상이 일어날 수 있는 상태를 정확하게 파악할 수 있게 되므로, 그에 따른 오동작에 대해 용이하게 대처할 수 있게 된다.

Claims (5)

  1. 복수의 플립플롭회로(FF) 및 그 외의 복수의 논리회로영역(13)을 포함하는 복수행의 스탠다드셀에 있어서, 상기 플립플롭회로(FF)를 모두 특정한 1개의 셀행(12 ; 플립플롭회로 영역)에 배치하고, 상기 특정한 셀행(12)에 대해 전용의 클럭배선영역(11)을 설치해서 최단인출선(11∼1n)을 매개로 상기 클럭배선영역(11)의 클럭배선과 상기 각 플립플롭회로(FF)를 접속하도록 된 것을 특징으로 하는 스탠다드셀.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플립플롭회로(FF)가 상기 특정한 셀행(12)에서 1군(群)으로 정렬된 형태로 인접되게 배치된 것을 특징으로 하는 스탠다드셀.
  3. 제1항에 있어서, 상기 클럭배선영역(11)이 상기 특정한 셀행(12)에 대해 평행하게 배치된 것을 특징으로 하는 스탠다드셀.
  4. 제3항에 있어서, 상기 클럭배선영역(11)과 각 플립플롭회로(FF)를 접속시키기 위한 인출선(Q1~1n)이 모두 동일한 길이로 된 것을 특징으로 하는 스탠다드셀.
  5. 플립플롭회로군(FF群) 및 그 외의 논리회로영역(13)을 포함하는 복수행의 스탠다드셀에 있어서, 상기 플립플롭회로군을 특정한 1개의 셀행(12)에 정렬시켜 집중배치함과 더불어, 클럭배선(11,12,13,…)을 상기 플립플롭회로군이 배치된 셀행(12)내에 설치한 것을 특징으로 하는 스탠다드셀.
KR1019890010200A 1988-07-19 1989-07-19 스탠다드셀 KR920010213B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63178214A JPH0229124A (ja) 1988-07-19 1988-07-19 スタンダードセル
JP88-178214 1988-07-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900002564A KR900002564A (ko) 1990-02-28
KR920010213B1 true KR920010213B1 (ko) 1992-11-21

Family

ID=16044580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890010200A KR920010213B1 (ko) 1988-07-19 1989-07-19 스탠다드셀

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5029279A (ko)
EP (1) EP0351819B1 (ko)
JP (1) JPH0229124A (ko)
KR (1) KR920010213B1 (ko)
DE (1) DE68924213T2 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2622612B2 (ja) * 1989-11-14 1997-06-18 三菱電機株式会社 集積回路
JPH03257949A (ja) * 1990-03-06 1991-11-18 Advanced Micro Devices Inc 遅延回路
US5208764A (en) * 1990-10-29 1993-05-04 Sun Microsystems, Inc. Method for optimizing automatic place and route layout for full scan circuits
TW198159B (ko) * 1991-05-31 1993-01-11 Philips Gloeicampenfabrieken Nv
JP3026387B2 (ja) * 1991-08-23 2000-03-27 沖電気工業株式会社 半導体集積回路
US5396129A (en) * 1992-05-25 1995-03-07 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit apparatus comprising clock signal line formed in a ring shape
US5508938A (en) * 1992-08-13 1996-04-16 Fujitsu Limited Special interconnect layer employing offset trace layout for advanced multi-chip module packages
US5387825A (en) * 1992-08-20 1995-02-07 Texas Instruments Incorporated Glitch-eliminator circuit
JP3048471B2 (ja) * 1992-09-08 2000-06-05 沖電気工業株式会社 クロック供給回路及びクロックスキュー調整方法
EP0613074B1 (en) * 1992-12-28 1998-04-01 Advanced Micro Devices, Inc. Microprocessor circuit having two timing signals
US5444407A (en) * 1992-12-28 1995-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Microprocessor with distributed clock generators
US5444406A (en) * 1993-02-08 1995-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Self-adjusting variable drive strength buffer circuit and method for controlling the drive strength of a buffer circuit
DE4422784C2 (de) * 1994-06-29 1999-05-27 Texas Instruments Deutschland Schaltungsanordnung mit wenigstens einer Schaltungseinheit wie einem Register, einer Speicherzelle, einer Speicheranordnung oder dergleichen
US5742832A (en) * 1996-02-09 1998-04-21 Advanced Micro Devices Computer system with programmable driver output's strengths responsive to control signal matching preassigned address range
US6211703B1 (en) * 1996-06-07 2001-04-03 Hitachi, Ltd. Signal transmission system
JPH11186506A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Mitsubishi Electric Corp 集積回路
JP2007299800A (ja) 2006-04-27 2007-11-15 Nec Electronics Corp 半導体集積回路装置
US8018052B2 (en) * 2007-06-29 2011-09-13 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with side substrate having a top layer
JP2009152822A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Spansion Llc 記憶装置
US11095272B2 (en) * 2018-09-21 2021-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Flip-flop cell

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3747064A (en) * 1971-06-30 1973-07-17 Ibm Fet dynamic logic circuit and layout
JPS5925381B2 (ja) * 1977-12-30 1984-06-16 富士通株式会社 半導体集積回路装置
JPS55115352A (en) * 1979-02-27 1980-09-05 Fujitsu Ltd Clock distributing circuit of ic device
JPS5969948A (ja) * 1982-10-15 1984-04-20 Fujitsu Ltd マスタ−スライス型半導体集積回路
US4694403A (en) * 1983-08-25 1987-09-15 Nec Corporation Equalized capacitance wiring method for LSI circuits
JPS6341048A (ja) * 1986-08-06 1988-02-22 Mitsubishi Electric Corp 標準セル方式大規模集積回路
JPH0815210B2 (ja) * 1987-06-04 1996-02-14 日本電気株式会社 マスタスライス方式集積回路
JPH0828421B2 (ja) * 1987-08-27 1996-03-21 株式会社東芝 半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0351819A3 (en) 1990-11-28
JPH0481895B2 (ko) 1992-12-25
DE68924213T2 (de) 1996-04-04
EP0351819A2 (en) 1990-01-24
EP0351819B1 (en) 1995-09-13
US5029279A (en) 1991-07-02
JPH0229124A (ja) 1990-01-31
KR900002564A (ko) 1990-02-28
DE68924213D1 (de) 1995-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920010213B1 (ko) 스탠다드셀
EP0181059B1 (en) Semiconductor integrated circuit for clock distribution
US5422441A (en) Master slice integrated circuit having a reduced chip size and a reduced power supply noise
US6037820A (en) Clock distribution circuit in a semiconductor integrated circuit
US4942317A (en) Master slice type semiconductor integrated circuit having 2 or more I/O cells per connection pad
EP0145497A2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0828421B2 (ja) 半導体集積回路装置
EP0299677B1 (en) Redundancy circuitry
KR930023819A (ko) 데이타 출력 장치
EP0416456A1 (en) Master slice integrated circuit power supply system
US5401988A (en) Standard cell layout arrangement for an LSI circuit
JPH0518462B2 (ko)
JPH01184937A (ja) クロック配線方法
US5060189A (en) Semiconductor device with reduced crosstalk between lines
KR100390203B1 (ko) 반도체 집적회로 장치
US6259018B1 (en) Conductor structure
KR0135237B1 (ko) 반도체 장치
JPH065705A (ja) 半導体集積回路
JP3930584B2 (ja) 半導体集積回路のレイアウト設計手法
JPH07235600A (ja) Lsi回路およびlsi回路の製造方法
JP2786017B2 (ja) 半導体集積回路の製造方法
JPH0793359B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH064618A (ja) 論理回路およびその設計方法
JPH0685218A (ja) 半導体集積回路
JPH03230547A (ja) 半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20031030

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee