KR910019253A - 자기 정렬된 규소화 베이스 바이폴라 트랜지스터-레지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

자기 정렬된 규소화 베이스 바이폴라 트랜지스터-레지스터 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR910019253A
KR910019253A KR1019910005081A KR910005081A KR910019253A KR 910019253 A KR910019253 A KR 910019253A KR 1019910005081 A KR1019910005081 A KR 1019910005081A KR 910005081 A KR910005081 A KR 910005081A KR 910019253 A KR910019253 A KR 910019253A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
substrate
collector
polysilicon
base
Prior art date
Application number
KR1019910005081A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100233153B1 (ko
Inventor
데롱 반처드
스코트 블레어 크리스토퍼
간죠우 조오지
스코트 크랩 토마스
Original Assignee
존 지. 웨브
내쇼날 세미컨덕터 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 존 지. 웨브, 내쇼날 세미컨덕터 코포레이션 filed Critical 존 지. 웨브
Publication of KR910019253A publication Critical patent/KR910019253A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100233153B1 publication Critical patent/KR100233153B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/20—Resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28525—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising semiconducting material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66272—Silicon vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66272—Silicon vertical transistors
    • H01L29/6628—Inverse transistors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/123—Polycrystalline diffuse anneal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

자기 정렬된 규소화 베이스 바이폴라 트랜지스터-레지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 트랜지스터-레지스터 구조의 단면도.

Claims (6)

  1. 기판상에 바이폴라 트랜지스터 및 레지스터를 제조하는 방법에 있어서, 매립층, 콜렉터층 및, 콜렉터 층을 덮고 있는 베이층을 제공하도록 상기 기판부분을 선택적으로 도핑(doping)시키는 단계; 상기 기판상에 폴리실리콘층을 데포지트시키는 단계; 상기 폴리실리콘 층의 부분을 선택적으로 도핑시키고 에칭시켜 에미터, 베이스 및 콜렉터 접점 및, 레지스터를 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘을 덮고 있는 질화물이 없을 경우, 상기 기판의 상기 폴리실리콘 및 노출부분상에 고온으로 고온산화물층을 데포지트시키며, 동시에 상기 폴리실리콘으로부터 도펀트를 드라이브-인(driveing-in)시켜 상기 베이스층의 도잎농도를 증가시키는 단계; 상기고온 산화물을 선택적으로 에칭시켜 상기 콜렉터에 인접한 측벽스페이서, 에미터 및 베이스 접점을 형성하는 단계를 포함하는, 기판상에 바이폴라 트랜지스터 및 레지스터를 제조하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 사익 고온 산화물을 선택적으로 에칭시키는 상기 단계 이전에 상기 레지스터의 영역내의 상기 고온 산화물상에 마스크 재료를 데포지트시켜 상기 레지스터상에 고온산화물층을 남기는 단계를 더 포함하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 적어도 상기 콜렉터의 상부표면, 에미터 및 베이스 접점 상에 금속 규소화물 층을 형성시키는 단계 및 상기 기판을 상기 베이스 영역에 인접하게 접촉시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 고온 산화물로 덮여있지 않은 영역에 금속 규소화물층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 레지스터 및 상기 접점의 상기 측벽이 금속 규소화물 없이 유지되는 방법.
  5. 기판상에 바이폴라 트랜지스터 및 트랜지스터를 제조하는 방법이 있어서, 상기 기판의 도펀트를 선택적으로 도핑시켜 콜렉터층, 매립층 및, 콜렉터층을 덮고 있는 베이층을 제공하는 단계; 상기 기판상에 폴리실리콘층을 데포지트시키는 단계; 상기 폴리실리콘층의 부분을 선택적으로 도핑시키고 에칭시켜 에미터, 베이스 및, 콜렉터 접점 및 레지스터를 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘을 덮고 있는 질화물이 없을 경우, 상기 기판의 상기 폴리실리콘 및 노출 부분상에 층을 데포지트시키며, 동시에 상기 폴리실리콘으로부터의 도펀트를 드라이브인시켜 상기 베이스층내의 도핑농도를 증가시키는 단계; 상기 레지스터 영역의 상기 고온 산화물상에 마스킹된 재료를 데포지트시켜 상기 레지스터상에 고온산화물층을 유지하는 단계; 상기 고온 산화물을 선택적으로 에칭시켜 상기 콜렉터 및 베이스 접점에 인저한 측벽스페이서를 형성하는 단계; 상기 콜렉터, 에미터 및 베이스 접점의 상부표면 및, 상기 베이스에 인접한 상기 기판상에 금속 규소화물을 형성시키는 단계를 포함하며, 상기 접점의 상기 측벽 및 적어도 상기 레지스터의 일부가 금속 규소화물이 없이 유지되는 기판상에 바이폴라 트랜지스터 및 레지스터를 제조하는 방법.
  6. 바이폴라 트랜지스터 및 레지스터를 포함하는 반도체 디바이스에 있어서, 콜렉터, 에미터 및, 바이폴라 트랜지스터의 베이스 영역을 형성하는 도핑된 영역을 포함하는 단결정 기판; 레지스터와 콜렉터, 에미터 및, 측벽을 지니는 베이스 접점을 형성하는 상기 기판에 인접한 도핑된 폴리실리콘 영역; 적어도 상기 에미터 측벽상에 고온 산화물로 형성된 측벽스페이서; 상기 레지스터를 덮고 있는 고온 산화물층; 적어도 상기 콜렉터, 에미터 및, 베이스 접점 및 상기 베이스영역에 인접한 상기 기판을 덮고 있는 금속 규소화물을 포함하는 반도체에 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910005081A 1990-04-02 1991-03-30 자기-정합 실리사이드 베이스 바이폴라 트랜지스터 및 저항과 그 제조 방법 KR100233153B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/503,340 US5045483A (en) 1990-04-02 1990-04-02 Self-aligned silicided base bipolar transistor and resistor and method of fabrication
US503340 1990-04-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910019253A true KR910019253A (ko) 1991-11-30
KR100233153B1 KR100233153B1 (ko) 1999-12-01

Family

ID=24001680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910005081A KR100233153B1 (ko) 1990-04-02 1991-03-30 자기-정합 실리사이드 베이스 바이폴라 트랜지스터 및 저항과 그 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5045483A (ko)
EP (1) EP0451553B1 (ko)
KR (1) KR100233153B1 (ko)
DE (1) DE69129344T2 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231042A (en) * 1990-04-02 1993-07-27 National Semiconductor Corporation Formation of silicide contacts using a sidewall oxide process
US5219784A (en) * 1990-04-02 1993-06-15 National Semiconductor Corporation Spacer formation in a bicmos device
US5462894A (en) * 1991-08-06 1995-10-31 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method for fabricating a polycrystalline silicon resistive load element in an integrated circuit
US5139959A (en) * 1992-01-21 1992-08-18 Motorola, Inc. Method for forming bipolar transistor input protection
WO1993016494A1 (en) * 1992-01-31 1993-08-19 Analog Devices, Inc. Complementary bipolar polysilicon emitter devices
US5504363A (en) * 1992-09-02 1996-04-02 Motorola Inc. Semiconductor device
US5585302A (en) * 1995-08-10 1996-12-17 Sony Corporation Formation of polysilicon resistors in the tungsten strapped source/drain/gate process
US6074921A (en) * 1997-06-30 2000-06-13 Vlsi Technology, Inc. Self-aligned processing of semiconductor device features
US6143613A (en) * 1997-06-30 2000-11-07 Vlsi Technology, Inc. Selective exclusion of silicide formation to make polysilicon resistors
US6207543B1 (en) 1997-06-30 2001-03-27 Vlsi Technology, Inc. Metallization technique for gate electrodes and local interconnects
US6420273B1 (en) 1997-06-30 2002-07-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Self-aligned etch-stop layer formation for semiconductor devices
US6495904B1 (en) 2000-08-23 2002-12-17 National Semiconductor Corporation Compact bipolar transistor structure
JP2011091188A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3955269A (en) * 1975-06-19 1976-05-11 International Business Machines Corporation Fabricating high performance integrated bipolar and complementary field effect transistors
NL190710C (nl) * 1978-02-10 1994-07-01 Nec Corp Geintegreerde halfgeleiderketen.
US4507847A (en) * 1982-06-22 1985-04-02 Ncr Corporation Method of making CMOS by twin-tub process integrated with a vertical bipolar transistor
JPS58225663A (ja) * 1982-06-23 1983-12-27 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4536945A (en) * 1983-11-02 1985-08-27 National Semiconductor Corporation Process for producing CMOS structures with Schottky bipolar transistors
US4609568A (en) * 1984-07-27 1986-09-02 Fairchild Camera & Instrument Corporation Self-aligned metal silicide process for integrated circuits having self-aligned polycrystalline silicon electrodes
US4764480A (en) * 1985-04-01 1988-08-16 National Semiconductor Corporation Process for making high performance CMOS and bipolar integrated devices on one substrate with reduced cell size
US4795722A (en) * 1987-02-05 1989-01-03 Texas Instruments Incorporated Method for planarization of a semiconductor device prior to metallization
JPS63207177A (ja) * 1987-02-24 1988-08-26 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4829025A (en) * 1987-10-02 1989-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Process for patterning films in manufacture of integrated circuit structures
US4897364A (en) * 1989-02-27 1990-01-30 Motorola, Inc. Method for locos isolation using a framed oxidation mask and a polysilicon buffer layer

Also Published As

Publication number Publication date
DE69129344T2 (de) 1998-12-17
US5045483A (en) 1991-09-03
KR100233153B1 (ko) 1999-12-01
EP0451553A2 (en) 1991-10-16
EP0451553A3 (en) 1991-11-27
EP0451553B1 (en) 1998-05-06
DE69129344D1 (de) 1998-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4495512A (en) Self-aligned bipolar transistor with inverted polycide base contact
KR0139805B1 (ko) 단일 실리콘 자기-정합 트랜지스터 및 이의 제조 방법
KR970030910A (ko) 박막 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법
EP0395358A3 (en) Bipolar transistor and manufacturing method thereof
US5298786A (en) SOI lateral bipolar transistor with edge-strapped base contact and method of fabricating same
KR910019219A (ko) 반도체 구조물에 스페이서를 형성하는 방법 및 그 스페이서 구조
KR910019253A (ko) 자기 정렬된 규소화 베이스 바이폴라 트랜지스터-레지스터 및 그 제조방법
KR880014679A (ko) 샐로우 npn 에미터 및 mosfet 소오스/드레인을 형성하기 위한 bicmos 방법
KR910019143A (ko) 고성능 반도체 디바이스 및 그 제조방법
US5629556A (en) High speed bipolar transistor using a patterned etch stop and diffusion source
JPH08274110A (ja) 半導体基板にバイポーラトランジスタを形成する方法
KR910019142A (ko) 반도체 디바이스용으로 제조되는 접점 구조물 및 이를 제조하는 방법
KR880003438A (ko) 폴리실리콘 리본을 갖는 바이폴라 트랜지스터의 제조
US4957875A (en) Vertical bipolar transistor
KR910019218A (ko) 보로실리케이트 유리스페이서를 갖는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
KR890012359A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR850002693A (ko) SOI(Silican On Insulator) 기판상에 형성된 래터럴 바이플라 트랜지스터(Lateral Bipolar Transistor)
KR920022562A (ko) 반도체 집적 회로 제조방법
JPH0831478B2 (ja) バイポーラ・トランジスタおよびその製造方法
KR960702181A (ko) BiCMOS 구조 및 그 제조방법(BiCOMOS STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATION)
EP0805497B1 (en) Method of fabrication of a bipolar transistor
US3510736A (en) Integrated circuit planar transistor
JPH01102961A (ja) 側壁エミッタを有する縦型半導体装置
US6818492B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR910019217A (ko) 근접 배치 접점을 갖는 bicmos 디바이스 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070904

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee