KR910019253A - 자기 정렬된 규소화 베이스 바이폴라 트랜지스터-레지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

자기 정렬된 규소화 베이스 바이폴라 트랜지스터-레지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 트랜지스터-레지스터 구조의 단면도.

Claims (6)

  1. 기판상에 바이폴라 트랜지스터 및 레지스터를 제조하는 방법에 있어서, 매립층, 콜렉터층 및, 콜렉터 층을 덮고 있는 베이층을 제공하도록 상기 기판부분을 선택적으로 도핑(doping)시키는 단계; 상기 기판상에 폴리실리콘층을 데포지트시키는 단계; 상기 폴리실리콘 층의 부분을 선택적으로 도핑시키고 에칭시켜 에미터, 베이스 및 콜렉터 접점 및, 레지스터를 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘을 덮고 있는 질화물이 없을 경우, 상기 기판의 상기 폴리실리콘 및 노출부분상에 고온으로 고온산화물층을 데포지트시키며, 동시에 상기 폴리실리콘으로부터 도펀트를 드라이브-인(driveing-in)시켜 상기 베이스층의 도잎농도를 증가시키는 단계; 상기고온 산화물을 선택적으로 에칭시켜 상기 콜렉터에 인접한 측벽스페이서, 에미터 및 베이스 접점을 형성하는 단계를 포함하는, 기판상에 바이폴라 트랜지스터 및 레지스터를 제조하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 사익 고온 산화물을 선택적으로 에칭시키는 상기 단계 이전에 상기 레지스터의 영역내의 상기 고온 산화물상에 마스크 재료를 데포지트시켜 상기 레지스터상에 고온산화물층을 남기는 단계를 더 포함하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 적어도 상기 콜렉터의 상부표면, 에미터 및 베이스 접점 상에 금속 규소화물 층을 형성시키는 단계 및 상기 기판을 상기 베이스 영역에 인접하게 접촉시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 고온 산화물로 덮여있지 않은 영역에 금속 규소화물층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 레지스터 및 상기 접점의 상기 측벽이 금속 규소화물 없이 유지되는 방법.
  5. 기판상에 바이폴라 트랜지스터 및 트랜지스터를 제조하는 방법이 있어서, 상기 기판의 도펀트를 선택적으로 도핑시켜 콜렉터층, 매립층 및, 콜렉터층을 덮고 있는 베이층을 제공하는 단계; 상기 기판상에 폴리실리콘층을 데포지트시키는 단계; 상기 폴리실리콘층의 부분을 선택적으로 도핑시키고 에칭시켜 에미터, 베이스 및, 콜렉터 접점 및 레지스터를 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘을 덮고 있는 질화물이 없을 경우, 상기 기판의 상기 폴리실리콘 및 노출 부분상에 층을 데포지트시키며, 동시에 상기 폴리실리콘으로부터의 도펀트를 드라이브인시켜 상기 베이스층내의 도핑농도를 증가시키는 단계; 상기 레지스터 영역의 상기 고온 산화물상에 마스킹된 재료를 데포지트시켜 상기 레지스터상에 고온산화물층을 유지하는 단계; 상기 고온 산화물을 선택적으로 에칭시켜 상기 콜렉터 및 베이스 접점에 인저한 측벽스페이서를 형성하는 단계; 상기 콜렉터, 에미터 및 베이스 접점의 상부표면 및, 상기 베이스에 인접한 상기 기판상에 금속 규소화물을 형성시키는 단계를 포함하며, 상기 접점의 상기 측벽 및 적어도 상기 레지스터의 일부가 금속 규소화물이 없이 유지되는 기판상에 바이폴라 트랜지스터 및 레지스터를 제조하는 방법.
  6. 바이폴라 트랜지스터 및 레지스터를 포함하는 반도체 디바이스에 있어서, 콜렉터, 에미터 및, 바이폴라 트랜지스터의 베이스 영역을 형성하는 도핑된 영역을 포함하는 단결정 기판; 레지스터와 콜렉터, 에미터 및, 측벽을 지니는 베이스 접점을 형성하는 상기 기판에 인접한 도핑된 폴리실리콘 영역; 적어도 상기 에미터 측벽상에 고온 산화물로 형성된 측벽스페이서; 상기 레지스터를 덮고 있는 고온 산화물층; 적어도 상기 콜렉터, 에미터 및, 베이스 접점 및 상기 베이스영역에 인접한 상기 기판을 덮고 있는 금속 규소화물을 포함하는 반도체에 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910005081A 1990-04-02 1991-03-30 자기-정합 실리사이드 베이스 바이폴라 트랜지스터 및 저항과 그 제조 방법 KR100233153B1 (ko)

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