KR910017626A - 전계효과트랜지스터회로 - Google Patents

전계효과트랜지스터회로 Download PDF

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KR910017626A
KR910017626A KR1019910004117A KR910004117A KR910017626A KR 910017626 A KR910017626 A KR 910017626A KR 1019910004117 A KR1019910004117 A KR 1019910004117A KR 910004117 A KR910004117 A KR 910004117A KR 910017626 A KR910017626 A KR 910017626A
Authority
KR
South Korea
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effect transistor
field effect
transistor circuit
gate
input
Prior art date
Application number
KR1019910004117A
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English (en)
Inventor
시게루 가타오카
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
Application filed by 아오이 죠이치, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 아오이 죠이치
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  • Electronic Switches (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

전계효과트랜지스터회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 1실시예를 나타낸 반도체장치의 일부 단면사시도, 제 2도는 본 발명이 적용되는 회로의 구성을 나타낸 회로도.

Claims (3)

  1. 드레인이 정전압전원에 접속되면서 입력신호를 게이트입력으로 하는 제 1전계효과트랜지스터(Q11)와, 이 제 1전계효과트랜지스터(Q11)의 소오스에 드레인이 접속되면서 상기 입력신호의 반전신호를 게이트입력으로 해서 소오스를 접지시킨 제 2 전계효과트랜지스터(Q12)를 구비하고, 이들 양트랜지스터(Q11,Q12)의 접속중점을 부하(1)가 접속되는 출력점으로 한 동일 기판상에 형성된 전계효과트랜지스터회로에 있어서, 상기 제1전계효과트랜지스터(Q11)의 게이트폭(W1)을 상기 제2 전계효과트랜지스터(Q12)의 게이트폭(W2)보다 크게 한 것을 특징으로 하는 전계효과트랜지스터회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 부하(1)가 병렬접속된 용량(C)과 저항(R)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전계효과트랜지스터회로.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 반전신호를 형성하는 인버터(2)가 전단에 설치된 것을 특징으로 하는 전계효과트랜지스터회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910004117A 1990-03-19 1991-03-15 전계효과트랜지스터회로 KR910017626A (ko)

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JP6930490 1990-03-19
JP2-69304 1990-03-19

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100296106B1 (ko) * 1999-06-01 2001-07-12 김영환 입력보호부의 레이 아웃 구조

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