KR910015124A - 고속 레벨 변환회로 - Google Patents
고속 레벨 변환회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910015124A KR910015124A KR1019910001223A KR910001223A KR910015124A KR 910015124 A KR910015124 A KR 910015124A KR 1019910001223 A KR1019910001223 A KR 1019910001223A KR 910001223 A KR910001223 A KR 910001223A KR 910015124 A KR910015124 A KR 910015124A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- level
- transistor
- level shift
- power supply
- supply terminal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/17—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using twistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
- H03K17/6872—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor using complementary field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/017509—Interface arrangements
- H03K19/017518—Interface arrangements using a combination of bipolar and field effect transistors [BIFET]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1및 제2도는 레벨 변환회로를 구비하는 메모리 장치를 설명하는 개통 회로도, 제4도는 본 발명에 의한 레벨 변환회로의 일실시예를 설명하는 회로도.
Claims (7)
- 입력신호를 수신하여 서로 쉬프트 양이 상이한 복수의 레벨 쉬프트된 출력신호들(A,B,‥‥‥‥‥‥)을 발생하는 레벨 쉬프트 회로(41)와; 상기 레벨 쉬프트 회로에 접속되고, 상기 입력신호의 로직레벨에 응답하여 상기 레벨 쉬프트된 출력신호들을 선택적으로 출력하는 스위치회로(42)로 구성되며 이 스위치 회로가, 상기 입력 신호의 로직레벨이 제1레벨을 표시할때는 상기 레벨 쉬프트된 출력신호들로부터 고전위의 신호를 선택하고, 상기 입력신호의 로직 레벨이 제2레벨을 표시할때는, 상기 레벨 쉬프트된 출력신호들로부터 저전위의 신호를 선택하는 것이 특징인 고속 레벨변환회로.
- 제1항에 있어서, 제1전원단자(Vcc)와; 제2전원단자(Vcc)를 더 구비하며; 상기 레벨 쉬프트 회로가, 상기 제1전원 단자에 접속되어, 제1진폭을 갖는 2진 로직 입력신호와 그의 반전신호(IN,)를 수신하는 1쌍의 입력 트랜지스터와; 상기 입력 트랜지스터와 상기 제2전원단자 사이에 접속된 제1 및 제2레벨 쉬프트 소자(D11,D22,‥‥‥D21,D22‥‥‥)를 구비며, 상기 스위치 회로가, 상기 레벨 쉬프트 소자들의 일정한 접속점에서, 2개의 레벨 쉬프트된 2진 로직 신호들을 수신하여, 제2진폭을 갖는 2진 로직 출력신호 및 그의 반전신호(OUT,)를 발생하는 것이 특징인 고속 레벨 변환회로.
- 제2항에 있어서, 상기 입력 트랜지스터 각각이 바이폴라 트랜지스터(Q1,Q2)로 구성되고, 이 바이폴라 트랜지스터의 콜랙터는 상기 제1전원단자에 접속돼 있고 그의 베이스는 상기 2진 로직 입력신호들중 하나를 수신하며, 그의 에미터는 상기 제1과 제2레벨 쉬프트 소자들중 하나에 접속된 것이 특징인 고속 레벨 변환회로.
- 제2항에 있어서, 상기 입력 트랜지스터 각각이, MIS트랜지스터(Q1,Q2)로 구성되고, 이 트랜지스터의 드레인은 상기 제1전원단자에 접속돼 있고, 그의 게이트는 상기 2진 로직 입력신호들중 하나를 수신하며, 그의 소오스는 상기 제1과 제2레벨 쉬프트 소자중 하나에 접속된 것이 특징인 고속 레벨 변환회로.
- 제2항에 있어서, 상기 레벨 쉬피트 소자 각각이, 게이트-콜렉터 접속 바이폴라 트랜지스터를 구비하며, 상기 레벨 변환회로가, 상기 제1과 제2레벨 쉬프트 소자중 하나와 상기 제2전원단자 사이에 각각 접속된 2개의 전원(CS1,CS2)을 더 구비한 것일 특징인 고속 레벨 변환회로.
- 제2항에 있어서, 상기 레벨 쉬프트 트랜지스터 각각이, 게이트-드레인 접속 MIS트랜지스터를 구성된 것이 특정인 고속 레벨 변환회로.
- 제2항에 있어서, 상기 스위치 회로가, 상기 제1레벨 쉬프트 소자들의 2 접속점간에 직렬 접속된 P-채널 MIS트랜지스터(QP1)과 N-채널 MIS트랜지스터(Qn1)로 구성된 제1트랜지스터쌍과; 상기 제2레벨 쉬프트 소자들의 2접속점간에 직렬 접속된 P-채널 트랜지스터(QP2)와 N-채널 트랜지스터(Qn1)로 구성된 제2트랜지스터 쌍과, 상기 P-채널 MIS트랜지스터와 N-채널 MIS트랜지스터로 구성된 제1트랜지스터쌍이 각각 상기 제2레벨 쉬프트 소자의 상기 2접속점의 전위들에 의해 제어되며, 상기 -P채널 MIS트랜지스터와, N-채널 MIS트랜지스터로 구성된 제2트랜지스터쌍이 각각, 상기 제1레벨 쉬프트 소자들의 제2 접속점의 전위들에 의해 제어되며 상기 P-채널 MIS트랜지스터와 N-채널 MIS트랜지스터로 구성된 제1과 제2트랜지스터쌍의 상기 접속점들이 상기 2진 로직 출력 신호들을 발생하는 것이 특징인 고속 레벨 변환회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-15251 | 1990-01-25 | ||
JP2015251A JP2545146B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | レベル変換回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910015124A true KR910015124A (ko) | 1991-08-31 |
KR940003807B1 KR940003807B1 (ko) | 1994-05-03 |
Family
ID=11883638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910001223A KR940003807B1 (ko) | 1990-01-25 | 1991-01-25 | 고속 레벨 변환회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5122692A (ko) |
EP (1) | EP0439158B1 (ko) |
JP (1) | JP2545146B2 (ko) |
KR (1) | KR940003807B1 (ko) |
DE (1) | DE69119248T2 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04291814A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-15 | Fujitsu Ltd | レベル変換回路 |
JPH05191263A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Nec Corp | 半導体回路 |
US5298808A (en) * | 1992-01-23 | 1994-03-29 | Vitesse Semiconductor Corporation | Digital logic protocol interface for different semiconductor technologies |
WO1994005085A1 (en) * | 1992-08-13 | 1994-03-03 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Bicmos ecl-to-cmos level translator and buffer |
US5539334A (en) * | 1992-12-16 | 1996-07-23 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for high voltage level shifting |
US5343094A (en) * | 1993-01-13 | 1994-08-30 | National Semiconductor Corporation | Low noise logic amplifier with nondifferential to differential conversion |
US5300835A (en) * | 1993-02-10 | 1994-04-05 | Cirrus Logic, Inc. | CMOS low power mixed voltage bidirectional I/O buffer |
US5440244A (en) * | 1993-02-10 | 1995-08-08 | Cirrus Logic, Inc. | Method and apparatus for controlling a mixed voltage interface in a multivoltage system |
US5450026A (en) * | 1994-07-27 | 1995-09-12 | At&T Corp. | Current mode driver for differential bus |
US5546030A (en) * | 1994-12-30 | 1996-08-13 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Differential high speed inductive driver with a bidirectional current limiting output stage |
US7215043B2 (en) * | 2003-12-30 | 2007-05-08 | Ememory Technology Inc. | Power supply voltage switch circuit |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4886164A (ko) * | 1972-02-17 | 1973-11-14 | ||
JPS544560A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-13 | Nec Corp | Semiconductor inverter circuit |
US4191898A (en) * | 1978-05-01 | 1980-03-04 | Motorola, Inc. | High voltage CMOS circuit |
US4356409A (en) * | 1979-06-29 | 1982-10-26 | Hitachi, Ltd. | Level conversion circuit |
US4504747A (en) * | 1983-11-10 | 1985-03-12 | Motorola, Inc. | Input buffer circuit for receiving multiple level input voltages |
JPS6119226A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Hitachi Ltd | レベル変換回路 |
JPS61136409A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Trinity Ind Corp | 切削油剤濾過装置 |
JPH0763139B2 (ja) * | 1985-10-31 | 1995-07-05 | 日本電気株式会社 | レベル変換回路 |
JPS6350209A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レベルシフト回路 |
JPH0736272B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1995-04-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
JPS63164609A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | レベル変換回路 |
JPH01132215A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US4849659A (en) * | 1987-12-15 | 1989-07-18 | North American Philips Corporation, Signetics Division | Emitter-coupled logic circuit with three-state capability |
US4945258A (en) * | 1988-12-08 | 1990-07-31 | Grumman Aerospace Corporation | Monolithic gaAs high speed switch driver |
JPH02246516A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2015251A patent/JP2545146B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-24 EP EP91100855A patent/EP0439158B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-24 DE DE69119248T patent/DE69119248T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-24 US US07/645,445 patent/US5122692A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-25 KR KR1019910001223A patent/KR940003807B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0439158B1 (en) | 1996-05-08 |
EP0439158A3 (en) | 1991-11-27 |
EP0439158A2 (en) | 1991-07-31 |
JP2545146B2 (ja) | 1996-10-16 |
US5122692A (en) | 1992-06-16 |
KR940003807B1 (ko) | 1994-05-03 |
JPH03220817A (ja) | 1991-09-30 |
DE69119248T2 (de) | 1996-09-19 |
DE69119248D1 (de) | 1996-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR930008859A (ko) | 직류 전류를 제거한 데이타 출력 버퍼 | |
KR850006783A (ko) | 스위칭 회로 | |
KR890009003A (ko) | 반도체 집적회로 | |
KR950012313A (ko) | 액정 디스플레이에서 선택선 스캐너로 사용되는 시프트 레지스터 | |
KR930017305A (ko) | 프로그램 가능한 구동력 특성을 갖춘 씨모스 게이트 | |
KR890013862A (ko) | 전압레벨 변환회로 | |
KR910015124A (ko) | 고속 레벨 변환회로 | |
KR920000177A (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
KR890000959A (ko) | 출력 인터페이스 회로 | |
KR970008836A (ko) | 고속에서 저전류 소모로 저진폭 입력 신호의 증폭이 가능한 입력 버퍼 회로를 포함하는 반도체 소자 | |
KR950004534A (ko) | 레벨 쉬프터 | |
KR890008837A (ko) | 바이폴라 콤프리멘타리 금속산화막 반도체를 사용하는 논리회로와 그 논리회로를 갖는 반도체 메모리장치 | |
KR950022107A (ko) | 출력 트랜지스터에 연결된 게이트 전류 제어 트랜지스터의 게이트 전압제어 회로를 갖는 출력 버퍼 회로 | |
KR940017201A (ko) | 데이타 출력 버퍼 | |
KR950007287A (ko) | 디지탈 신호 처리용 지연 회로 | |
KR880009375A (ko) | 씨모오스 어드레스 버퍼 | |
KR890013769A (ko) | 중간전위생성회로 | |
KR940025178A (ko) | 데이터 출력회로 | |
KR870011619A (ko) | 반도체 감지회로 | |
KR890007503A (ko) | 반도체집적회로 | |
KR910002083A (ko) | 출력회로 | |
KR850004690A (ko) | 펄스 발신 회로 | |
KR910010866A (ko) | Bi-CMOS회로 | |
KR960027331A (ko) | 버퍼회로 및 바이어스회로 | |
KR930015344A (ko) | 상보형 금속산화물 반도체(cmos) 데이타 경로를 지니며 바이폴라전류증폭 기능을 갖는 바이폴라-상보형 금속산화물 반도체(bicmos)출력 버퍼회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |