KR910015061A - 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents

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KR910015061A
KR910015061A KR1019910000040A KR910000040A KR910015061A KR 910015061 A KR910015061 A KR 910015061A KR 1019910000040 A KR1019910000040 A KR 1019910000040A KR 910000040 A KR910000040 A KR 910000040A KR 910015061 A KR910015061 A KR 910015061A
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manufacturing
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metal
thin film
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Inventor
야스모또 시미즈
히사오 이또
Original Assignee
고바야시 요오다로
후지제록스 가부시끼가이샤
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

내용 없음

Description

이미지 센서의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 이미지 센서의 외관 평면 설명도, 제2도 (a), (b)는 각각 제1도의 수광소자부분의 평면 설명도와 단면 설명도, 제3도 (a), (b)는 각각 제1도의 전하 전송부의 평면 설명도와 단면 설명도.

Claims (1)

  1. 금속전극, 광도전층, 투명전극을 차례로 적층시켜 되는 수광소자와 게이트 전극, 소오스 전극, 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터 스위치 소자와 상하 배선층의 사이에 어스층이 설비되고 상하 배선이 매트릭스 형상인 배선군을 동일 기판위에 형성하는 이미지 센서 제조방법에 있어서, 상기 수광소자의 금속전극부분과 상기 박막 트랜지스터 스위치 소자의 소오스 전극부분, 드레인 전극부분과 상기 배선군의 어스층부분을 동시에 동일 금속으로 착막시키고 패턴닝을 행하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910000040A 1990-01-11 1991-01-04 이미지 센서의 제조방법 KR940005901B1 (ko)

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KR940005901B1 KR940005901B1 (ko) 1994-06-24

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JPS61141173A (ja) * 1984-12-13 1986-06-28 Seiko Epson Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JPS62163366A (ja) * 1986-01-14 1987-07-20 Seiko Epson Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JPH0682820B2 (ja) * 1987-06-26 1994-10-19 キヤノン株式会社 光電変換装置
JPH07107930B2 (ja) * 1987-06-26 1995-11-15 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造法

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