KR910015061A - 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 이미지 센서의 외관 평면 설명도, 제2도 (a), (b)는 각각 제1도의 수광소자부분의 평면 설명도와 단면 설명도, 제3도 (a), (b)는 각각 제1도의 전하 전송부의 평면 설명도와 단면 설명도.
Claims (1)
- 금속전극, 광도전층, 투명전극을 차례로 적층시켜 되는 수광소자와 게이트 전극, 소오스 전극, 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터 스위치 소자와 상하 배선층의 사이에 어스층이 설비되고 상하 배선이 매트릭스 형상인 배선군을 동일 기판위에 형성하는 이미지 센서 제조방법에 있어서, 상기 수광소자의 금속전극부분과 상기 박막 트랜지스터 스위치 소자의 소오스 전극부분, 드레인 전극부분과 상기 배선군의 어스층부분을 동시에 동일 금속으로 착막시키고 패턴닝을 행하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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JP2-2589 | 1990-01-11 |
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Family
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Family Applications (1)
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KR1019910000040A KR940005901B1 (ko) | 1990-01-11 | 1991-01-04 | 이미지 센서의 제조방법 |
Country Status (3)
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JPS62163366A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-20 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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- 1991-01-11 TW TW080100218A patent/TW201365B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR940005901B1 (ko) | 1994-06-24 |
JPH03209768A (ja) | 1991-09-12 |
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