JPS61141173A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
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- JPS61141173A JPS61141173A JP59263365A JP26336584A JPS61141173A JP S61141173 A JPS61141173 A JP S61141173A JP 59263365 A JP59263365 A JP 59263365A JP 26336584 A JP26336584 A JP 26336584A JP S61141173 A JPS61141173 A JP S61141173A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は紫外光、可視光、赤外光忙感度を有する固体撮
像装置及びその製造方法に関する。
像装置及びその製造方法に関する。
従来の固体撮像装置は第１６同面体素子及び材料に関す
る国際会議予稿集（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃ
ｔｓｏｆ ｔｈｅ １６ｔｈ （１９８４Ｘｎｔｇ
ｒｎａｔｉｏｎａｌｌ Ｃｏｎｆｔｒｎｅｎｃｅｏｎ
５ｏｌｊ：ｄ ５ｌａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ
ａ、ｎｄ、Ｍｎ、ｔｅｒｉａｌｓ、Ｋｏｂｅ。
る国際会議予稿集（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃ
ｔｓｏｆ ｔｈｅ １６ｔｈ （１９８４Ｘｎｔｇ
ｒｎａｔｉｏｎａｌｌ Ｃｏｎｆｔｒｎｅｎｃｅｏｎ
５ｏｌｊ：ｄ ５ｌａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ
ａ、ｎｄ、Ｍｎ、ｔｅｒｉａｌｓ、Ｋｏｂｅ。
１９８４、 ｖｐ、 ５５９−５６２の様に、絶縁基板
上に多結晶シリコンＴＰＴから成る駆動回路及び該駆動
回路によって選択これる非晶質シリコン（α−５Ｚｌ光
センサーを集積化し、該回路及び素子間の配線を７．ル
ミニウム−シリコン−銅（ｋｌ −ａｉ、 −ａｓ ｌ
の金属層によって行う構造を有してい念。
上に多結晶シリコンＴＰＴから成る駆動回路及び該駆動
回路によって選択これる非晶質シリコン（α−５Ｚｌ光
センサーを集積化し、該回路及び素子間の配線を７．ル
ミニウム−シリコン−銅（ｋｌ −ａｉ、 −ａｓ ｌ
の金属層によって行う構造を有してい念。
第３図れ）〜ωに従来の固体撮像装置のバターニング時
穆を示す。簡単化のため、第３図にけα−８ｉ光センサ
ー並びに該光センサーに直列忙接続ばれたＴＰＴスイッ
チの断面図を示す。１１け石英等の絶縁基板、１２は多
結晶シリコン層でソース。
穆を示す。簡単化のため、第３図にけα−８ｉ光センサ
ー並びに該光センサーに直列忙接続ばれたＴＰＴスイッ
チの断面図を示す。１１け石英等の絶縁基板、１２は多
結晶シリコン層でソース。
チャンネル、ドレイン、１３はゲート酸化膜、１４はゲ
ー）ＩＦｉｉ、１５け相間絶縁膜、１６は配線金属、１
７け非晶質シリコン光センサ−，１８は透明１槙である
。
ー）ＩＦｉｉ、１５け相間絶縁膜、１６は配線金属、１
７け非晶質シリコン光センサ−，１８は透明１槙である
。
第５図れ）ｌＣ示す様に、まず減圧ＯＶＤで多結晶シリ
コンを形成後、パターニングを行へ。次に。
コンを形成後、パターニングを行へ。次に。
Ｉ！３図のＩＫ示す欅に、多結晶シリコン１２を熱酸化
し、ゲート絶縁１を形成り、ゲー）’ｌｒ！１４のパタ
ーニングを行へ。次に、濱３図（Ｃ）に示寸様忙相間絶
縁ｇ１５形成後、ソース、ドレインを形成し、コンタク
トホールのバターニング時行へ。次忙１軍３図（社）に
示す様に、ｕ−８ｉ−ａｘ等の金属１６のパターニング
を行い、各回路、素子間の配線を行へ。同時に光センサ
ーの下部電極１６を設ける。ｈｔ −ｓｉ −ａｎは表
面が非常に平坦であり、非晶質シリコンとの反応もなく
、又、比抵抗も非常に小ざい上に、パターニングも容易
で、精度も優れ友ものである。次忙、草３図（ｇ）に示
す様に、非晶質シリコン層１７をプラズマＣＶＤＫより
形成し、上部透明電極１８、比とえば酸化錫（Ｓ？ＬＯ
２）。
し、ゲート絶縁１を形成り、ゲー）’ｌｒ！１４のパタ
ーニングを行へ。次に、濱３図（Ｃ）に示寸様忙相間絶
縁ｇ１５形成後、ソース、ドレインを形成し、コンタク
トホールのバターニング時行へ。次忙１軍３図（社）に
示す様に、ｕ−８ｉ−ａｘ等の金属１６のパターニング
を行い、各回路、素子間の配線を行へ。同時に光センサ
ーの下部電極１６を設ける。ｈｔ −ｓｉ −ａｎは表
面が非常に平坦であり、非晶質シリコンとの反応もなく
、又、比抵抗も非常に小ざい上に、パターニングも容易
で、精度も優れ友ものである。次忙、草３図（ｇ）に示
す様に、非晶質シリコン層１７をプラズマＣＶＤＫより
形成し、上部透明電極１８、比とえば酸化錫（Ｓ？ＬＯ
２）。
酸化インジウム錫（工ＴＯ）のパターニングを行う。次
に、第３図のに示す様忙、非晶質シリコン層のパターニ
ングを行い。最後にパッシヘーション膜を設ける。
に、第３図のに示す様忙、非晶質シリコン層のパターニ
ングを行い。最後にパッシヘーション膜を設ける。
ｒ発明が解決しようとする問題点〕
しかし以上の従来行程においては４第３図（ｇ）で示し
た上部透明１１１１極１８、Ｓ？！０２．ＩＴＯのパタ
ーニング時に該電極２６のエツチング液（塩酸系溶液）
で、下部電極１６が容易にかかシれるため、非晶質シリ
コン層１７のピンホールや段差部のステヴプカバ一部で
エツチング液の浸透によ妙、金属配線１６の断線が生じ
やすく、歩留り低下の最大原因となってい念。
た上部透明１１１１極１８、Ｓ？！０２．ＩＴＯのパタ
ーニング時に該電極２６のエツチング液（塩酸系溶液）
で、下部電極１６が容易にかかシれるため、非晶質シリ
コン層１７のピンホールや段差部のステヴプカバ一部で
エツチング液の浸透によ妙、金属配線１６の断線が生じ
やすく、歩留り低下の最大原因となってい念。
そこで本発明はこのよへな問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは金属配線１６の断線を防止し、歩
留９を向上させる事により、安価な固体撮像装置を提供
するところにある。
の目的とするところは金属配線１６の断線を防止し、歩
留９を向上させる事により、安価な固体撮像装置を提供
するところにある。
本発明の固体撮像装置は絶縁基板上にＴＰＴから成る駆
動回路及び該鳴動回路によって選択これる光センサーを
集積化し几構成より成り、該駆動回路の金属配線１６上
に金属酸化膜層を形成ｌたことを特徴とする。
動回路及び該鳴動回路によって選択これる光センサーを
集積化し几構成より成り、該駆動回路の金属配線１６上
に金属酸化膜層を形成ｌたことを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、前述の非晶質シリコン層
のピンホール等が存１．ても、金属酸化膜層によって直
接、上部電極の工・Ｉチング液に金属配線がふれること
ケく、該配線のｌＩＦＩＭを防止できる。
のピンホール等が存１．ても、金属酸化膜層によって直
接、上部電極の工・Ｉチング液に金属配線がふれること
ケく、該配線のｌＩＦＩＭを防止できる。
〔実施例１〕
ｌＥ１図６）〜Ｃｑ）は本発明の実施例ＩＫおける固体
撮像装置のパターニングエ容を示す図でＴｈって、１１
ｔ１図（ロ））〜（４け蛸述ｔ、７を従来例第３図れ）
〜顧と同一である。１９け金属酸化１１１層、２０けレ
ジストである。
撮像装置のパターニングエ容を示す図でＴｈって、１１
ｔ１図（ロ））〜（４け蛸述ｔ、７を従来例第３図れ）
〜顧と同一である。１９け金属酸化１１１層、２０けレ
ジストである。
本実施例はフォト工程を一工糧追加し、センサー下部電
極上にレジスト２０を設寸、以下の方法によって金属配
線１６（本実施例でけＡｔ −Ｓｉ −ｃｕ、 Ａｔ
、 Ａｔ −ｐｉ ）上に、金属酸化膜層１９を形成
し、第１図（７１に示す様忙プラズマＣｖＤ法により非
晶質シリコン層１７を形成し、該金属酸化膜層１９によ
り金属配線の断線防止を行った。■Ｔ０１８のパターニ
ングを行い、次１ｃ１１１図Φ）に示す様に非晶質シリ
コン層１７のパターニングを行っ次。
極上にレジスト２０を設寸、以下の方法によって金属配
線１６（本実施例でけＡｔ −Ｓｉ −ｃｕ、 Ａｔ
、 Ａｔ −ｐｉ ）上に、金属酸化膜層１９を形成
し、第１図（７１に示す様忙プラズマＣｖＤ法により非
晶質シリコン層１７を形成し、該金属酸化膜層１９によ
り金属配線の断線防止を行った。■Ｔ０１８のパターニ
ングを行い、次１ｃ１１１図Φ）に示す様に非晶質シリ
コン層１７のパターニングを行っ次。
〔金属酸化膜の形成方法１〕
基板ｔ−６０°〜２００’ＣＫ加熱し、５分〜１時間基
板表面に水蒸気を供給し、金属配線の酸化を行った結果
、５００λ〜５ｏｏｎ １穆度の緻密な金属酸化膜層が
形成され、■ＴＯエツチング液による金属配線の断線が
皆無となった。
板表面に水蒸気を供給し、金属配線の酸化を行った結果
、５００λ〜５ｏｏｎ １穆度の緻密な金属酸化膜層が
形成され、■ＴＯエツチング液による金属配線の断線が
皆無となった。
〔金属酸化膜の形成方法２〕
基板を沸騰し几純水（１００℃）中ｋ、数分〜３０分浸
し、金属配線１６を酸化した。金属酸化膜層は５００〜
５ｏｏｏＸ程度形成され、繭述と同種の結果が得られ友
。
し、金属配線１６を酸化した。金属酸化膜層は５００〜
５ｏｏｏＸ程度形成され、繭述と同種の結果が得られ友
。
〔金属酸化膜の形成方法３〕
発煙硝酸中に数分〜１５分間浸しても同様の結果が得ら
れた。
れた。
〔金属酸化膜の形成方法４〕
ドライエツチング装置を用いて、酸素プラズマ中で数分
〜２０分間処理する事によっても同様の結果が得られ次
。
〜２０分間処理する事によっても同様の結果が得られ次
。
以上述べ几ように、本実施例１では金属配線表面を酸化
する事により、従来歩留りが５０係以下であっ几ものが
、本実施例では９０チ以上に向上した（本実施例の固体
撮像装置は８ ｗｖ′ｂｉ ｔで８６５個の１次元の光
センサーを有している）。又、非晶質シリコン光センサ
ーは耐熱性が２５０℃以下しかない念め、パッジベージ
１ン１は低温工程が要求これ、パックペーション膜耐湿
が十分でなく、Ａｔ合金の金属配線の腐食等信頼性に問
題があったが本発明の金属酸化膜層を設ける事によシ金
属配線の腐食が皆無に近く、信頼性が向上し比。
する事により、従来歩留りが５０係以下であっ几ものが
、本実施例では９０チ以上に向上した（本実施例の固体
撮像装置は８ ｗｖ′ｂｉ ｔで８６５個の１次元の光
センサーを有している）。又、非晶質シリコン光センサ
ーは耐熱性が２５０℃以下しかない念め、パッジベージ
１ン１は低温工程が要求これ、パックペーション膜耐湿
が十分でなく、Ａｔ合金の金属配線の腐食等信頼性に問
題があったが本発明の金属酸化膜層を設ける事によシ金
属配線の腐食が皆無に近く、信頼性が向上し比。
〔実施例２〕
第２図（ａ）〜ω）は本発明の実施例２の製造工程を示
す図である。実施例１けフォト工程を一工程増し念が、
実施例２では１１２図（ｇ） ＩＣ示す様に非晶質シＩ
Ｊコン屑を形成後、該シリコン層のピンホールを通して
、金属配線を前述した金属酸化膜の形成方法１〜４で局
所的に金属酸化膜層１９を形成し念。
す図である。実施例１けフォト工程を一工程増し念が、
実施例２では１１２図（ｇ） ＩＣ示す様に非晶質シＩ
Ｊコン屑を形成後、該シリコン層のピンホールを通して
、金属配線を前述した金属酸化膜の形成方法１〜４で局
所的に金属酸化膜層１９を形成し念。
以上述べ友様に１本実施例２でけ非晶質シリコ ：ン層
忙発生したピンホール部の金属配線を局部的忙酸化し、
工ＴＯ等の工９チング液による金属配線の断線を防止し
、歩留りを向上した従来５０１以下→木実施例２８５憾
以上）。メらに、本実施例では従来工穆忙酸化嘆形成し
工程の入を追加したにすぎず、固体撮像装置“の低コス
ト化忙大きく寄与する。
忙発生したピンホール部の金属配線を局部的忙酸化し、
工ＴＯ等の工９チング液による金属配線の断線を防止し
、歩留りを向上した従来５０１以下→木実施例２８５憾
以上）。メらに、本実施例では従来工穆忙酸化嘆形成し
工程の入を追加したにすぎず、固体撮像装置“の低コス
ト化忙大きく寄与する。
第１図れ）〜優）は本発明の固体撮像装置の実施例１の
パターニング工程及び主要断面図を示す。 ｆａ２図匹）〜ω）は本発明のＭ体掃儂装置の実施例２
のパターニング工程及び主要断面図を示す。 第３図れ）〜（イ）は従来の固体撮像装置のバターニン
グエａ′Ｂ！び主要断面図を示す。 １１・・・・・・絶縁基板 １２ ・・・・・・ソース、ドレイン、チンネルの多結
晶シリコン層 １３・・・・・・ゲート酸化膜 １４・・・・・・ゲート電極 １５・・・・・・相間絶縁膜 １６・・・・・・金属配線及び光センサー下部電極１７
・・・・・・光センサ− １８・・・・・・光センサー上部ｔＷ １９・・・・・・金属酸化ＭＮ４ ２０・・・・・・レジスト 以 上
パターニング工程及び主要断面図を示す。 ｆａ２図匹）〜ω）は本発明のＭ体掃儂装置の実施例２
のパターニング工程及び主要断面図を示す。 第３図れ）〜（イ）は従来の固体撮像装置のバターニン
グエａ′Ｂ！び主要断面図を示す。 １１・・・・・・絶縁基板 １２ ・・・・・・ソース、ドレイン、チンネルの多結
晶シリコン層 １３・・・・・・ゲート酸化膜 １４・・・・・・ゲート電極 １５・・・・・・相間絶縁膜 １６・・・・・・金属配線及び光センサー下部電極１７
・・・・・・光センサ− １８・・・・・・光センサー上部ｔＷ １９・・・・・・金属酸化ＭＮ４ ２０・・・・・・レジスト 以 上
Claims (6)
- （１）絶縁基板上に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から
成る駆動回路及び該駆動回路によって選択される光セン
サーを集積化した固体撮像装置において該駆動回路の配
線を行う金属配線１６上に金属酸化膜層１９を形成する
事を特徴とする固体撮像装置。 - （２）特許請求の範囲第一項記載の固体撮像装置におい
て、前記金属配線１６を酸化する事により前記金属酸化
膜層１９を形成する事を特徴とする固体撮像装置。 - （３）特許請求の範囲第１項及び第２項記載の固体撮像
装置において、前記金属層１６を水蒸気雰囲気中で酸化
せしめ、前記金属酸化膜層１９を設ける事を特徴とする
固体撮像装置の製造方法。 - （４）特許請求の範囲第１項及び第２項記載の固体撮像
装置において、前記金属層１６を沸騰水中で酸化せしめ
、前記金属酸化膜層１９を設ける事を特許とする固体撮
像装置の製造方法。 - （５）特許請求の範囲第１項及び第２項記載の固体撮像
装置において、前記金属層１６を酸素プラズマ雰囲気中
で酸化せしめ、前記金属酸化膜層１９を設ける事を特徴
とする固体撮像装置の製造方法。 - （６）特許請求の範囲第１項及び第２項の固体撮像装置
において、前記金属配線１６を発煙硝酸中で酸化せしめ
、前記金属酸化膜層１９を設ける事を特徴とする固体撮
像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263365A JPS61141173A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263365A JPS61141173A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141173A true JPS61141173A (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=17388473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59263365A Pending JPS61141173A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61141173A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278873A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 密着センサの製造方法 |
| JPH03209768A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ製造方法 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59263365A patent/JPS61141173A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278873A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 密着センサの製造方法 |
| JPH03209768A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ製造方法 |
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