A6 B6 201365 五、發明説明（l .1 [産業上之利用領域] 本發明是關於使用在傳真機和掃描器等之影像感器之 製造方法，尤其有關於可以將讀出信號正確實輸出之具有 矩陣形狀之配線群之簡易影像感應器製造方法。 [習知之技術] 在習知之影像感應器中，尤其是密著型影像感窿器，使 原稿等之影像資訊以Ub丨的進行投影，用來變換成_信號 。在這補情況時，將被投影之影悚分割成多個圖素（受光 元件），使用薄膜電晶體開關元件（TFT)，以特定之塊髖單 位，將各個受光元件所疖屮之；荷铒時的（¾存在配線群之 線間；容，然後以数西（UIZ歪娀祕泛之速度，在時間上順序的 讀出踅信號，此稱擗為1，!T驅釉型彩悚感應器。此稱TFT驅 動型彩饯慼憋器利用TFT之勑作可以1個之驅勁用π來讀取 ，所以m來驅勁彩洙感憋器之驅動用ic之個數可以減少。 TFT驅動型影悚感憋器之等偵電路_如第7圖所示，其構 成包含有：線狀之受光，G件陣列1 1 ,其長度與原稿之寬度 大致相冋；電Η轉送部1 2 .…以1 : 1對應到各俩受光元件 1 1之多個薄膜電晶體τ丨，H i = 1〜Ν J = 1 - η )來構成；和^ 配線群1 3。 上述之受光元件陣列〗〗被分割成N個塊體之受光元件群 ，用來形成1傾受光元件群之η個受光元件11 '可以以光電 二搔體Ρ ϋ丨，j ( i = 1〜卜丨，」=1〜η)來等情的表示。各個受 光元件！ 1 ·分別連接到各個簿膜電晶體T i，j之汲極電極。 另外，薄膜電晶餺T丨，j之源拐電棰經由形成矩陣狀之配 1請先閏請背面之注意事項再琪^本頁 .客· -打. 經濟邡中夾梂準局印裝 中 4 (210X 297 3 Α6 Β6 201365 二、發明説明（2 ) 線群ί 3，在毎一個受光元件群分別連接到共同信號線i 4 (η根）。在各個薄膜電晶體T 1，j之閛極電極連接有閛控脈 波産生電路（圖中未顯示）用來使每一個塊體進行導通。各 傾受光元件Π ’所産生之光電荷以一定之時間被儲存在受 光元件之寄生電容和薄膜電晶體之汲極與閘搔間之重壘電 容，然後以薄膜電晶體T i , j作為電荷轉送用之開關，對* 於每一個塊板，將上述之電荷順序的轉送到配線群u之線 間電容f： j並R加以儲存：，亦即，砍照來自閛控脈波産生電 路之閛控脈波4 fil .使第1塊體之薄膜電晶體T1，1〜T1 , η變成0M ,第1塊鸹之各値受光元件11 ·所産生之被儲存之 電荷這時就被⑽迖和儲存在各個線間電容U。然後，利用 被儲存在各倘線問谌容U之堪荷，用來使各個共同信號線 1 4之ίΐ位進行赍化，經由順序的使驅_用IC 15内之類ϋ開 關S W η順序的變成〔丨丨丨.用來將該電嘴值抽出到下一'系列之 輪出線1 Γ)然後.利用丨码控脈波必G 2〜</> G η分別使第2〜 第Η個塊體之Γ#膜笛晶體1'2，1〜Τ2，η至ΤΝ，1〜ΤΝ，η變 成ON ,用來將受光元件側之電荷轉送到每一個塊體，經ώ 丨犋序，的讀出可以相得原橘之掃描方向之1行之氣像彳θ號， 利用滾筒等之原橘俾送装置（圖中未顯示）使原稿移動和重 複進行上述之動作時，就可以獲得原稿全髏之影像信號 (參照日本專利案特開昭G3-9358號，特開昭63-67772號公 報）。 h述之習知之矩陣形狀之配線群13之實體構造如第3_ 之剖面說明圖所示，其構造是在签板21」1順序的形成T部 中 4(210X297公沒） {請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} .¾. •打· 4 201365 A6 B6 經濟部中央標準局印裝 五、發明說明（3 ) 配線31,絶緣層33，和上部配線32:。下部配線31和上部配 線32被配置成互相正交，並且設有導體孔洞34用來使上下 配線互相連接，此為一般之習知實例。 另外，在矩陣形狀之配線群1 3之構造方面，為著要解決 上下配線之正交部份所發生之串擾（cross talk,亦即， 在信號線之立體交叉之部份，因為有電容存在，所以當有 一方之信號線之電位産生變化時，經由電容將該變化傳達 到另外一方之信號線，因為使另外__方之彳3號線之電亦 庵生费化之現象）之問題，所以如第9网之剖而說明圖所示 的在上下配線之問設置有絶綠層33a ,用來連接地線之地 線Η 35 ,和绝綠層33b，利用該地绨Η 35來防|丨：串擾之發 生（劳照日本專利菜特開昭62-G7864號公報） 但S在設有上述之地综片之配線群之描造中·在配線手11 地绵Η之問會産生很大之寄生電容，而「丨齊打地绵丨彳逋曲 時影像感憋器全髅就翅曲之問題，如$ 1 0 1^之制而説明网 所示，經由改良地绨片，設置地線層3Γ)，使用以上下配線 之正交部份為中心之網目形狀之地線構件可以用來解決上 述之問題（参照日本專利案特開昭fi4_5057號公報）。 [發明所欲解決之問題] 然而，在將具有上述方式之受光元件，薄膜電晶體開關 ;/；：件，網目狀等之地線層之配線群同時而且有效的形成在 丨司一甚板上之影悚感應器之製造方法中，製造工程非常夜 雜為其問題。 f 本發明針對上述之問題，其目的是提供一種可以將讀出 {請先聞讀计面之注意事項再填窵本頁) •装. ，打· *線. 甲 4 (210X297 公发) 5 .Λ 6 Β6 201365 五、發明説明（4 ) 信號正確输出之具有矩陣形狀之配線群之簡易之影像感應 器之製迪方法。 [發明之解決手段] 為著解決上述之習知實例之問題，本發明提供一種彩像 感應器之製造方法，可以將一些部份形成在同一個基板上 ,該等部份包含有：受光元件，其形成是依照順序的進行 金羼電極，光導電層，和透明電掻之《層；薄膜電晶體開 關元件，具有閘極電極，源極霣極，和汲極霄掻；和配線 群，其上下配線為矩陣形狀，在上下配線層之間設有地線 層；其特激是：在進行圖型製作時，可以使用一金屬進行 著膜，同時形成上述受光元件之金羼霄極部份，上述薄膜 霄晶體開關元件之源棰霣極部份，汲極電極部份，和上述 配線群之地線層部份，又，將薄膜電晶髏開蘭元件（TFT) 之電阻感應層共同地設置於惑應《搔下部.地線霄極部， 而以感應部，TFT部，地绨部將電阻導體層，電極層之形 成共同化者。 [作用] 依照本發明之影像感應器之製造方法時，可以將具有受 光元件，薄膜電晶髏開鬭元件，和地線層之配線群以良好 之效率且時形成在同一個基板上，另外，在進行圖型製作 時可以利用如同絡等之金屬同時著膜，用來形成各個部份 之圓型，該各值部份包含有受光元件之金羼電棰部份，上 述薄片電晶蜃開颶元件之源棰電極部份，汲極霣極部份， 和上述配線群之地線部份，因為可以同時形成受光元件之 金羼霣棰部份，上述薄膜霣晶臞開閬元件之源極霣棰，汲 極電極部份，和上述配線群之地線層部份，所以能夠以有 效之製造工程來製造，具有製造簡單之效果。 本紙張尺_度適用中周国_家樣準（CNS)甲.1現格（210 X 297公货）6 ----*------------.1.--------装-------ΤΓ------線 <請先閲讀背面之注ΑΨ項再場寫本頁> 經濟部中央標準局員工消#合作社印製 A 6 B6 201365 五、發明說明（5 > [實施例] : (請先閱讀背面之注意事項再填辉本頁) 下面將參照附匾來說明本發明之一實施例。 第1圖是本發明之一實施例之影像感應器全髏之外觀剖 面説明圖，第2圖（a), (b)分別為本實施例之受光元件（光 電二極體，Photo diode: PD)之平面説明圖和剖面説明圖 ，第3圖（a), (b)分•別為本實施例之薄膜電晶體開關元件 (TFT)之平面說明圖和剖面說明圖，第4圖（a), (b)分別為 本實施例之矩陣狀之配線群之平而說明圖和剖面說明圖。另外, 本發明之實施例之影悚感喔器之等倌電路與第7圖相同， 對於相冏構造之部份使用相同的符號來表示：， 影像感甦器之構成包含饵：受光元件陣列11 (P D1 , 1〜 PD Η，η),具有N假塊體，共中的1個塊髂1将rWfi包夾型 之受光元件（光電二極骼P D ) U ·並排的設在玻璃等具有絶 綈性之莪板2 1上作為1润塊鹊；薄膜電晶體ΤΙ , 1〜ΤΝ , η 之谭荷轉送部1 2，分別迚接到客俩受光元件1 矩陣狀之 配線群1 3 ,包含地線層3t; ; η根之共同信號線1 4，從電荷 鞞送部1 2經由配線群U,對應到塊體内之每一値受光元件 群；和驅動用IC15内之類比開關SW〗〜SWn ,連接到共同信 號線1 4。 第2圖（a)是本實施例之受光元件11 ’之平而說明圖，第2 圖（b )是第2圖（a)之A - A ·部份之剖而説明圖，: 受光元件11之構造如第2圖（b )之剖面說明圖所示，包 含有··帶狀之金屬電極22，由鉻（Ο)等來形成，位於玻璃 等之恶板21上，用來形成下部之共同電極：光導電層23， 甲4(210X 297公发） A6 B6 2013^5 五、發明說明（6 ) {請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 由分割每一値受光元件11 ’所形成之氫化非晶形矽（a-S i :； Η)來製成；和上部之透明電極24，由同樣方式分割形成的 氣化铟♦錫（ΙΤ0)來製成；經由順序的簦層用來構成包夾 型。另外，下部之金屬電極22在主掃描方向形成帶狀，在 金屬電極22之上經由離散的分割，用來形成光導電層23， 上部之透明電極24亦進行同樣的離散分割，用來形成値別 電極，利用光導電層23被包夾在金靥電極22和透明電極24 之間之部份，用來構成各個受光兀件11 ，將其集合之後 就形成受光元件陣列】丨：.另外，在離散分割所形成之透明 電極24之一端連接有鋁等之配線30a之一端，而該δδ線30a 之另外一端則連接到馆荷轉送部〗2之薄膜電晶體Τ ί , j之 汲極電橾4丨-3外，在受光元件1 1 ’中，也可以使用c d s e (鎘硒）等來代错铤化非晶形矽的作為光導電層。依照這種 方式使光導這敁2 ;·產明$極2 4分丨沿之目的是用來滅少T1 擾，因為當a - S i : Η之光者觉® 2 3作為共用；g時，鄰接$ .訂. 共用層之電極間玆發生P。 另外，對於泫受光允忭1 1 之光導踅層23，可以使用a -S ί :丨丨· Ρ Μ - η ,亦可以使光a — s丨(：，a - S〖G e。另外，上述 之受光元件11，是使用光電二極體，但是也可以使用二極 體或光電晶體·:. .線. 其次，第3圖（a )逄本賁施例之遥Η轉送部1 2之薄膜電晶 體之平面詋明圖，第3圖（b)是第3圖（a)之Β_Β ’部份之剖面 說明圖。 經 濟 部 中 央 揉 m. 局 印 ΐΐ 用來構成電荷轉送部1 2 Ζ ?淳膜電晶體Τ Ν , π是具有"~"— 順序叠層之反交錯構造之電晶體，該等替層包含有：銘 (Ο)層，位於上述之莖板21上，作為閲極電極25 ;気化砂 (S i Ν X )膜，作為間極絶綠歷2 6 ;氳化非晶形砂（a - S i : Η ) 甲 4(210X ‘297公沒） 201365 U A6 _ B6 五、發明説明（7 ) 層，作為半導體活性層27 氮化矽膜，作為摻雜絶綠層29 ;氫化非晶形矽（n+ a - S i : Η)層，作為電阻導髖層2 8 ;和 鉻（C「）層，作為汲極電極41部份和源搔電搔42部份。另外 ，在汲極電極41連接有來自受光元件之透明電極24之配線 30a。其中之電阻導體層28用來使接觭在汲極電極41之部 份28a之層和接觸在源極電極42之部份28b之層形成互相分 離。另外，作為汲極電極41部份和源極電掻42部份之鉻 (〇)層形成覆蓋在該電阻導體層28a和28b之方式。 另外，使用如同聚矽（po 1 y-S ί )等之其他材料來作為上 述之半導體活性層27時亦可以獲得同樣之效果。 其次，第4_ (a)是本實施例之配線群13之平面説明_ , 第4圖（b)是第4圖U)之c-c ’部份之剖而説明圖υ Τ ®將説明第4圆所示之矩陣狀之配線群13之構造： 配線群13之構造形成多層配線構造，利用銘層來形成Τ 部配線3 1 (染配線）和利用鋁層來形成上述配線：】2 (磺配線； ，在上部配線3 1和下部配線32之間，經由一些#層使配線 層被配置成矩陣狀，該等疊層包含有··第1绝绵層3 h，巾 氮化矽（S丨N X)來形成；氫化非晶形矽（a - S i : Η )層，被使 用作薄.膜電晶體之半導體活性層27 ;絶綠層（S Μ :<)，被使 用作薄膜電晶髖之摻雜絶綠層29 ; γΛ氫化非晶形矽a-Si: Η)層，被使用作薄膜電晶髏之電阻導髏層28 ;地線騎 36 ,由鉻層來形成；和第2絶綠層33b ,由聚醯胺來形成.. 由鉻餍形成之地線層36用來減低在配線交叉部之串擾另 外，上下配線之連接部份利用導體孔洞34來連接c+另外， 甲 4(210X297 C 沒） 9 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁} k. .打· .綠. Α6 Β6 濟 部 中 央 橾 準 Μ 印 裝 五、發明説明（8 在本實施例中，在被ώ置成平行之信號線之配線之間，配 置有地線4 3 ,利用這種方式來防止在鄰接之配線之間發生 串擾。 另外，形成在上下信號線之間之地線層36之具體之搆造 如第4圖所示，形成網目狀之圖型，位於上下信號線之立 體交叉部份和其€傍之網目狀之交叉部份。另外，地線 層36之構造可以形成第5圖所示之鋸齒狀，或第6圖所示之 具有孔洞37之孔洞形狀，可以攒得與網目形狀之地線層相 同之效果。但是在第5圖，第Γ)岡中為箸使説明簡化，所以 上下之配線分別R各顯示〗根。 在依照這種方式製成之配绵群1 3之形成保護膜。 η根之共同倍號练14由配線群13之上部配線32(楼配線） 之一部份來構成，形成迪接到驅勁ΙΠ丨(:1 5内之類比開閱 SW1〜SWn之方式，.，另外，利用被M ff:序配線群1 3之線間電 容C1〜Cn之電荷來變化共同仂號線1 .1之電位，利用類比開 關SWn之動作，將該電位抽出到輸出線16 (第7圖）。 下面將說明本發明之一實施例之释淥感應器之製造方法 首先，利用DC噴濺法使第1〇層，（>1(用來形成閘極電 極25和配線群1 3之下部配線；Π )署糢在經過檢査和洗淨後 之玻璃等之基板21上，形成7 50 .《左右之厚度。其次，利用 光分解工程和蝕刻工程來對該Cr 1進行噴濺，用來形成閘 極電掻2 5之圖塱和配線群1 3之下部配線31之圖Μ，然後將 抗蝕劑剝離，該蝕刻工程是使用硝酸铈较，過氣酸，和水 之混合液來進行蝕刻。為著要在C「丨國型上形成薄膜電晶 甲 4 (210X297 公发） 10 ......................................................it..............................ίτ.............................................緣 {請先閲讀计面之注竞事項再填寫本页) A6 __B6 五、發明説明（9 ) 體（TFT)部之閘極绝緣層26和位於其上之半導髏活性層27 以及再上面之摻雜絶綠層29,所以利用電漿CVD(P-CVD)法 在真空中進行著膜，順序的形成3〇〇〇<厚之SiNx, 500&厚 之a-Si:H,和150〇ί厚之SiNx。利用真空之連續著膜可以 防止各摘界面之污染，因此可以提高S/N比。鬧極絶綠層 26之絶緣膜和配線群13中之第1绝綠層33a同時形成。 利用P-CVD法來形成閛掻絶綠層26之绝綠膜（b_SiNx)之 條件是签板溫度為300〜4 00。(〕，S丨Η 4和N H3之氣體壓力為 0.1〜0.5Torr, S〖H4氣體流®為〗0〜50sccm，Nll3之氣體 流蛩為100〜300sccm , RF功率為50〜200W，- 利用P - C V D法來形成a - S ί :丨丨膜之條件足站板溫度為2 0 0 〜300PC, SiH4之氣體壓力為0.1〜0.5Torr，SiN4氣體流 ift 為 100 〜300sccm, RF功率為 5〇 〜200'*'。 利用丨3 - C V D法來形成摻雑绝缔照2 9之绝钱股（t - S丨N x )之 條件是苺板溫度為200〜300 ‘(〕，s丨丨丨4和N H3之氣體壓力為 0.1〜0.5Torr, SiH4氣體流觅為10〜50sccm’ NH3之氣體 流量為100〜300sccra , RF1功率為〜200W。 婭济部中典標箏局印裝 (請先閱讀背面之注意事項再瑱珥本頁) 其次，為箸要形成慘雑絶錄層29之阔梨使其形狀對應到 閛極電極25 ,和為箸要形成受光元件1厂之金媒電極22之 下部之绝緣層部份之圖形和配線群1 3之第1絶緣層333之圖 型，所以塗布抗蝕劑層，使用分光解掩罩來進行曝光和顯 像，在進行蝕刻之後將抗独劑剝離。利用這種方式來形成 摻雜絶緣層29之圖型，受·光元件11 ·之金駆電棰22之下部 之绝综層部份之圖型，和配線群13之第1绝緣層333之圖型。 φ 4(210X 297^'^) A6 B6 2〇l365 五、發明説明（10 ) (請先閏讀背面之注音V事項再填寫本頁} 然後進行B H F處理，使用s i Η和P Η 3之混合氣體以:P - c V D法 在其上進行著膜，用來形成厚度1〇〇以之n+型之a-S丨：Η作 為電阻導體層28。其次，利用DC磁控管噴濺法進行著膜， 形成厚度1500〗之第2C「層02，用來形成TFT之汲極電極41 和源極電極42，受光元件U ’之下部之金靥電極22和配線 群13之部份之地線層36 ,然後利用P-CVD法進行著膜/形 成厚度13 000〗之a-Si:H,用來形成受光元件11’之光導電 餍23 ,最後利用DC磁控管噴濺法進行箸膜，形成厚度7〇0.i 之IT0 ,用來形成受光元件’之透明H極24。在這時，在 各阔箸膜勁作之前霈先進行齡性洗淨。 利用P-CVD法來形成上述之a-Si : Η膜之條件是基板溫度 為 170 〜250'C, SiH4之氣體壓力為0.3〜0.7Tor「，SiH4^ 體流景為150〜：】00sccm, RF功率為100〜200W。 另外.利用！濺法來形成上述之IT0之炫件是莪板溫 度為宰溫，和（ί2之氣體壓力為1 . 5 X 1(Γ3 Torr , A「氣體 流量為100〜150sccm, 02氣體流量為1〜2sccm, DC功率為 200〜4〇〇y:, 經濟部中央櫺準局印製 然後，為箸要形成受光元件11 ’之透明電極2 4之1個別罨 極，所以利用光分解工程和蝕刻工程來對I TO進行圖型製 作，該蝕刻工程使用氛化戡和镅酸之混合液來進行。其次 ，不需要進行抗蝕劑剝離，使用同一個抗蝕劑圖型作為掩 罩，利用乾式蝕刻法，以CF4和0 2之混合氣體對光導電壩 23之a-Si : Η進行圖型製作。其中金屬電極22之Cr層02之 作用是在a -S ί : 之乾式蝕刻時作為阻擋器，因此會殘留 甲 4(210X 297公发） 12 A 6 B6 201365 五 '發明説明（11 ) (請先聞讀背面之注意事項再填窵本頁} :未被圖型製作者。在此種乾式蝕刻時，於光導電層23之a-S ί : Η層，因為加入有較大之侧邊緣，所以在剝離抗練劑 之前要再度的進行ΙΤ0之蝕刻。如此一來，從ΙΤ0之周邊背 側更進一步的被蝕刻，用來形成與光導電層23之a -S i : Η 層相同大小之ITO。 其次，利用光分、工程，再利用蝕刻工程來對Cr2進行 圖型製作，用來形成受光元件11 ·之金’屬電極22之C「層， TFT之汲極馄榥41扣源搔電極42之Ο層，和配線群13之地 線層3G之Cr層，該蝕刻工程使用硝酸铈较，過氛酸，和水 之忍合液來進行，绖由將抗蝕劑剝離用來形成金屬電稱22 之圆切，汲極诏極4 1和源極電極42之圖型，及地線層36之 圆m使用丨丨卩4和（)2之混合氣髎對受光元件11 ’部份和 T F T部份進行独刻時，设冇C「2和S i Η X之部伤就被独刻，亦 即形成3 - S i :丨丨歷和n+ a - S i : Η層之圖梨：利用這種方式’ m來肜成受光元件1〗’之金圈電極22之Cr層之F層之n+s a-Si :丨彳層和a-S i : Η層，以及位於其上之TFT之電阻導體層 28之η+楚a -S i :丨1層和半導體活性層27之a-Si : Η層就被蝕 刻。但是，對於配線群13之部份，使用其他之光分解掩罩 ，對配線群13之部份之β-S ί : Η層和n+a-S i : H)f進行圖型製 作，用來.形成導體孔洞3 4之圖塑。 其次，為箸要形成TFT之閘極绝緣層26之圃型和配線群 1 3之第1絶緣層3 3中之導體孔洞，所以利用光分解蝕刻工 程，W i彳卩4和02之混合氣體對b_ SiNx進行圆塑製作°然後 ，塗市用來形成第2絶錄層33b之聚韹亞跤.使其具有 甲4(210X 297 公沒） 13 201365 A6 B6 經濟部中央標準局印裝 五、發明説明（12 ) 13000 i之厚度形成覆蓋在影像感應器全髏之方式，然後以 160=0進行預供烤，利用光分解蝕刻工程來形成圖型，然 後進行再度之烘烤。利用這種方式，在受光元件11 ’，形 成用來將電源供給到金屬電極22之導體部份和形成用來從 透明電極24取出電荷之部份，在TFT,形成有用來連接配 線導體部份藉以轉送由該受光元件1.厂所産生之電荷之導 髏部份和形成有作為出口之導體部份甩來導出配線群1 3之 電Η ,另外，在配線群1 3 ,形成有導體孔洞34用來連接上 下配線。然後，為笤要將孔洞34等之淺留之聚酷亞胺完全 除去，所以利用02進行電漿之Dewuin: 其次，利用DC磁控管噴濺法進Π轉暌，使梠（AJI )覆蓋 在影像感S器全體形成10000$之厚度，為萬要獲得所希望 之圆型，所以利用光分解蝕刻工程，！'ϋί丨丨j铖酸，硝酸，磷 酸，和水之混合液來進行_胡製作熇以除去抗蝕玲U利用 這種方式，在受光元件11 ’形成：配绽部，用來將ts源供 給到金靥電極22 ;配線3〇3部份，迪接到TFT之吸橾電極41 ，用來從透明電極24取出電Μ ;罨線30b部份，用來將電 荷從TFT之源極電極42導出到配線群1 ；和配線群1 3之上 部配線3 2。 最後是形成穩定化層（圖中未顯示），將聚際亞胺塗布成 厚度3Wtn左右，以125Ϊ：進行預烘烤後，進行光分解蝕刻 工程用來製作圖型，然後以2301〕烘烤90分鐘用來形成穩 定化層。然後進行Desc urn用來除去不需要之殘留之聚醛亞 胺。 {請先閱讀背面之注素事項再填寫本頁) _^· •訂· •sl· 甲 4(210X297 公沒） 14 201365 經濟部中央標準局印裝 A6 B6 五、發明說明（13) 然後，在上述之影像感器，装配驅動用IC1 5等，經由 接線，組合，於是影像感應器即告完成。 下面將說明本發明之一實施例之影像感應器之驅動方法。 當從光源（圖中未顯示）將光線照射在被配置於受光元件 陣列11上之原稿（圖中未顯示）時，其反射光就照射在受光 元件（光電二極體p D),依照原稿之濃淡産生電荷，該1電荷 被儲存在受光元件11 ’之寄生電容等。根據來自閛極脈波 産生電路（圖中未顯示）之閛控脈波4 G使薄膜電晶體T變成 0N狀態時，就使光電二極體PD和共同信號線14連接，原先 儲存在寄生谌容等之電荷就被轉送和儲存在配線群Ί 3之線 問電容Cj。實際上，以電荷産生在第1塊Μ之光電二極體 P D 1 , 1〜p D 1，η的情況來作説明時，在被施加有來Γ:1閛控 脈波産生ίΐ路之閛控脈波Φ G1之怙況時，薄睽電晶餺Τ1 , 】〜Τ1，η變成0Ν狀態，産生在光迅二梅體PD1, 1〜PD1, η 之電荷就被轉送和儲存在矩陣狀之配線群13中之線問電容 C1〜Cn。然後，使薄膜電晶體Tl，1〜ΤΙ, η變成〇FF狀態。 其次，對於時序産生電路（圖中未顯示），在該驅動用1C ]5之讀出用之開關S W 1〜S W η ,順序的施加_出用開關信號 必si〜φ sn，同時以延遲1個時序之方式順序的將重設開 關信號φ R 1〜公R n施加到驅動用I c 1 5之蜇設用開闋元件 RS1〜RSn。利用這種方式，儲存在绵間踅笤cl〜Cn之電荷 被當作影像信號的輸出（T 〇 u U。然後轉送下—値塊體之受 光元件（光電二極體P D )所，産生之電莳，..， 丨次照本實施例之影像感應器之製造方法時，可以將具有 甲 4 (210X297 公发） 15 ......................................................¾..............................ir..............................#!. (請先W讀背面之注意事項再填窵本頁) 201365 A6 ___________B6 五、發明説明（14： i r 受光元件11，，電荷轉送部12之薄膜電晶髏開關元件地 線^36之配線群13，同時形成在同—個基板21上，具有非 常良好之效率，另外，進行圖型製作時可以同時著膜用來 形成各値部份之圖型，該各値部份包含有受光元件1〗，之 金屬電極22之Cr層，薄膜電晶體開關元件之源極電極41和 汲極電搔4 2之C「層，和配線群之地線層3 6之Ο層，矣外， 因為可以同時形成受光元件，之金屬電掻22,薄膜電晶 體開關元件之源栎電搔4 1和汲搔電極4 2 ,以及配線群之地 線層36，所以與受光元件Η，，薄膜電晶髏開關元件和配 線群1 3分別形成之倩況相比時因為可以以—貫的製造工 程來製作，所以能夠以有效之製造工程來製造.具有製造 簡單之效果。 另外，It可·以使用夠（Ta)來代替絡（Ο),用來製造受光 元件U ’之金闲$梅22 ,薄睽茁晶鹄閒閉元件之源摔霭掙 4 1和汲搔電祸'1 2 ,和配線群之地線層36 ,因為銪之電性比 鉻強，因此可以製造可靠度更高之影像感應器。 [發明之效果] 依照1本發明之影像感應器之製造方法時，可以將具有受 光元件，薄膜踅晶體開關元件，和地综層之配線群以良好 之效率同時形成在同一傾基板上，另外，在進行圖型製作 一請先閑讀卄面之注意事項再填窵本頁) k. •訂· *<?' 蛆濟部中央櫺準局印处〜 伤1」，件 ώκρμ，伤元 個份部光 各部極受 成極電成 形電極形 來靥汲時 兩金，同 ，之份以 膜件部可 箸元極為 時光電因 同受極 ， 屬有源份 金含之ΒΓ 之包件層 等份元線 鉻部 ϋ 地 同値開之 如各體群 用該晶線 利，電配 以型膜述 可圖薄上 時之述和 甲 4(210X 297 公《) 16 20136^ A6 B6 經濟部中央標芈局印仗 五、發明説明（1?> ) 之金屬電極部份，上述薄膜電晶髏開關元件之源極電接， 汲極電極部份，和上述配線群之地線層部份，所以能夠以 有效之製造工程來製造，具有製造簡單之效果。 [附圖之簡單說明] 第1圖是本發明之一實施例之影像感應器之外觀平面說 明圖，第2圖（a), (b)分別為第1圖之受光元件部份之平面 説明圖和剖面說明第3圖（a), (b)分別為第1圖之電荷 ⑽送部之平面說明岡和剖而説明圃.第4圖（a ) , ( b)分別 為第1圖之配線耵之：f.而說明圖和剖而説明圖，第5圖是戴 齒肜狀之地線厢之PI :¾之平而説明圖.第6圖是穿孔形狀 之地線層之圖兜之平而説明圖，第7圖是習知之影像感憋 器之等值屯路1¾丨.访冈足習知之配線群之剖而説明圖， 笫9圖是習知之具fi地線h之配综群之剖而説明圖，第1 0 同足習知之具冇網Π狀之地線層之剖面說明圖。 附圖中所使丨Π之Ή谇符號及其表示部份為： 1 ]......受光儿件陣列，12......電何轉送邹 13……配線群，14......共同信號線， 15……驅勐用[C， 1 ί)......輸出線， 1 21......基板， 22.......金藤電極， 23......光導電層，-4......透明電極， 25......閑柄電極， 26.......間極絶緣層， 2 7……半導鵾活性Μ， 2S……電阻導體層， 2 9……慘雜絶線層，3'0......鋁層， . 31……下部配線， 32......上部配線， ί請先閱請背面之注意事項再琪艿本頁 k. .打. •緣· 甲 4(210Χ 297公犮） 17 _B6 五、發明説明（1β ) 33......絶緣層.，34......導體孔洞:， 35......地線片， 36......地線層， 41......汲極電極， 42......源極電極， 43......地線。 {請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁> .打. .線. 經濟邺中央標準局印ii 甲 4(210Χ 297公发） 18