KR910003674A - 반도체기억장치 - Google Patents

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KR910003674A
KR910003674A KR1019900010640A KR900010640A KR910003674A KR 910003674 A KR910003674 A KR 910003674A KR 1019900010640 A KR1019900010640 A KR 1019900010640A KR 900010640 A KR900010640 A KR 900010640A KR 910003674 A KR910003674 A KR 910003674A
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노리아키 스즈키
쥰이치 미야모토
다카유키 가와구치
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아오이 죠이치
가부시끼가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이크로 이렉트로닉스 가부시키가이샤
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    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
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    • G—PHYSICS
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 반도체기억장치의 실시예를 나타낸 회로도.
제2도는 혈장셀 및 메모리셀열의 선택동작을 설명한 블럭도.

Claims (1)

  1. 행열상으로 배열된 메모리셀(MC)과, 상기 메모리셀 중에 불량셀을 갖추고 있어서 이 불량셀을 포함하는 메모리셀열이 선택되었을 경우에 상기 불량셀을 포함하는 메모리셀열 대신에 선택되는 상기 메모리셀과는 별개로 설치되는 혈장셀(RMC)로 이루어진 혈장셀열(RIC)과, 1 개의 더미셀(DMC)과, 복수개의 더미용량을 셀(DC)과, 선택된 메모리셀열이 불량셀을 갖추고 있지 않는 경우는 이 메모리셀열의 각 메모리셀의 각 일단이 접속되어 있는 비트선(BL)상의 선택된 메모리셀로부터 독출된 전위와 상기 더미셀 및 복수개의 더미용량용 셀의 각 일단이 접속되어 있는 더미비트선(DBL)상의 더미셀로부터 독출된 전위를 비교하고, 선택된 메모리 셀열이 불량셀을 갖추고 있는 경우는 이 메모리셀열 대신에 선택되는 혈장셀열의 각 혈장셀의 일단이 접속되어 있는 혈장비트선(RBL)상의 선택된 혈장셀로부터 독출된 전위와 상기 더미비트선에 접속된 더미셀로부터 독출된 전위를 비교해서 메모리셀 또는 혈장셀로부터 독출 된 데이터가 “1”인지 또는 “0”인지의 판정을 수행하는 차동증폭행 센스앰프(SA)를 갖추고 있는 반도체기억장치에 있어서, 상기 혈장비트선(RBL)상에 더미용량용 셀(DC)을 부가해서 상기 더미비트선(DBL)상의 부가용량과 상기 혈장비트선(RBL)상의 부가용량이 거의 같게 되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900010640A 1989-07-13 1990-07-13 반도체기억장치 KR930009539B1 (ko)

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EP0408057B1 (en) 1995-09-13
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